目标价调整 - 摩根大通将阿斯麦的目标价从587欧元上调至800欧元 上调幅度约为36% [1]

文章核心观点 - 自上次报告将ASML评级从“强力买入”下调至“买入”后 ASML股价已上涨32% 股价现已超过分析师设定的目标价[1] - 晶圆设备支出正在增加 且公司即将公布2025年第四季度财报[1] 分析师背景与报告来源 - 该分析由航空航天、国防和航空业分析师Dhierin-Perkash Bechai提供 其拥有航空航天工程背景[1] - 分析报告来源于Seeking Alpha上的顶级航空航天、国防和航空投资研究服务“The Aerospace Forum”[1] - 该研究服务提供内部开发的数据分析平台evoX Data Analytics的访问权限[1]

评级与目标价 - RBC Capital分析师Srini Pajjuri于1月14日首次覆盖ASML 给予“跑赢大盘”评级 目标价1550美元 [1] 核心增长驱动因素 - 分析师认为ASML在存储和逻辑业务领域拥有多个长期和周期性增长驱动力 [1] - 公司2025年表现优于SOX指数 得益于晶圆厂设备支出改善和长期极紫外光刻增长 [2] - 更强的晶圆厂设备支出和极紫外光刻趋势可能在2026/2027年持续 主要受强劲的生成式人工智能需求推动 [2] - 极端的DRAM供应紧张、极紫外光刻强度增加以及三星在HBM4领域的潜在反弹是重要的催化剂 [2] - 在逻辑业务领域 生成式人工智能加速器正采用更先进的制程节点 且代工竞争正在重新出现 [2] - 与中国相关的风险已基本被市场消化 [2] - 公司的服务业务可能继续以两位数速度增长 [2] 估值与风险回报 - 相对于美国同行的估值溢价已经收窄 这使得风险回报具有吸引力 [3] 公司业务描述 - ASML Holding N.V. 开发并销售先进的半导体设备 包括用于芯片制造的光刻、量测和检测系统 [3]

文章核心观点 - 应用材料(AMAT)和ASML控股(ASML)是半导体设备市场的两大关键参与者，分别专注于材料工程层面的工艺设备和基于光刻的芯片图案化技术，两者对AI芯片制造商都至关重要[1][2] - 尽管两家公司股票目前均被列为买入评级，但由于ASML预计其中国业务收入和深紫外光刻(DUV)需求在2026年将走弱，应用材料(AMAT)被认为是两者中更强的投资选择[9][22] 公司比较与市场定位 - 应用材料是半导体制造设备的主要制造商，业务覆盖沉积、蚀刻和检测等芯片制造最关键环节[3] - ASML是半导体光刻工具的领先制造商，在极紫外光刻(EUV)技术领域近乎垄断，该技术对3纳米及以下最先进芯片至关重要[10][11] - 应用材料专注于全环绕栅极晶体管、背面供电、先进布线互连、高带宽内存堆叠与混合键合以及3D器件计量等2纳米及以下节点的关键技术[4] - ASML正经历从深紫外光刻(DUV)向极紫外光刻(EUV)的重大技术转变，其高数值孔径(High-NA) EUV系统是面向2纳米以下生产的下一代技术飞跃[11][12] 应用材料(AMAT)业务表现与展望 - 公司预计其先进制程代工、逻辑芯片、DRAM和高带宽内存(HBM)业务将成为2026年增长最快的晶圆制造设备业务[3][22] - 2025财年HBM业务收入达到15亿美元，公司决心在未来几年内达到30亿美元[5] - 2025财年闪存(NAND)销售额从上年同期的7.474亿美元几乎翻倍，增至14.1亿美元，尽管美国对华出口管制存在，该业务仍实现增长[6] - 近期推出的Xtera外延、Kinex混合键合、PROVision 10电子束等新产品将在2026年及以后推动增长[7] - 市场共识预计公司2026财年和2027财年收入将分别增长2.3%和11.5%，每股收益将分别增长1.6%和19.5%，且过去七天内对这两个财年的预期均被上调[7] - 在混合键合领域，公司是领先的创新者之一，其首款集成晶圆级混合键合机Kinex预计将被未来几代HBM所采用[5] ASML业务表现与展望 - 全球半导体芯片制造商在逻辑和DRAM制造中对极紫外光刻(EUV)层的需求日益增长[10] - 尽管向EUV的转变意味着其DUV业务在2026年将下滑，但EUV业务预计将快速增长，特别是低数值孔径EUV和高数值孔径EUV产品[11] - 2025年第三季度，管理层提到与贸易紧张、政策不确定性和地缘政治发展相关的不确定性已减少，客户对长期承诺更有信心，这对2026年收入产生积极影响[13] - 然而，公司预计其中国收入将正常化，因此在2026年会下降[13] - 市场共识预计ASML 2026年收入和收益将分别温和增长4%和5%，且收益预期在过去七天内被上调[13] 财务数据与估值比较 - 过去一年，应用材料股价上涨69.5%，ASML股价飙升78.1%[14] - 应用材料基于未来12个月预期收益的市盈率为32.76倍，高于其中位数18.71倍[18] - ASML基于未来12个月预期收益的市盈率为43.57倍，高于其中位数27.83倍[18] - 应用材料每股收益预期：当前季度(2026年1月)为2.21美元，下一季度(2026年4月)为2.25美元，当前财年(2026年10月)为9.57美元，下一财年(2027年10月)为11.43美元[8] - ASML每股收益预期：当前季度(2025年12月)为8.85美元，当前财年(2025年12月)为29.18美元，下一财年(2026年12月)为30.67美元[14]

欧洲科技股表现 - 今年以来，欧洲科技股意外大幅跑赢美国同类板块，斯托克600科技指数单月上涨10%，成为该地区表现第二强的板块，而同期标普500信息技术指数则几乎持平 [1] 上涨核心驱动力：芯片设备板块 - 强劲表现主要受芯片设备板块推动，背后催化剂是台积电大幅提升资本支出展望，台积电预计2026年资本支出将增长约30%，并宣布未来三年将“大幅”提高支出以加速产能扩张 [3] - 以ASML、ASM International和BE Semiconductor为代表的欧洲“芯片三巨头”，在斯托克600科技指数中的权重合计近40%，并贡献了该板块今年以来约90%的涨幅 [3] - 台积电的资本支出指引有效缓解了市场此前对产能扩张物理空间瓶颈的担忧 [4] - 在台积电财报发布前，ASML、ASM International与BE Semiconductor三家荷兰设备公司股价本月已实现双位数上涨 [5] 行业趋势与市场观点 - 鉴于AI芯片生产对资本密集度的要求更高，其他芯片制造商包括英特尔很可能跟随台积电上调其资本支出目标，芯片设备板块的反弹“仍有进一步空间” [5] - 对芯片设备的需求强势有望延续至今年以后，届时更多新建晶圆厂将陆续投产，目前制约产能扩张的物理空间瓶颈也将逐步得到缓解 [5] - 美光科技已在去年12月表示正“竭尽全力”提升短期产能，显示出产业需求向产能传导的信号 [6] - 摩根士丹利已将ASML目标价上调至1400欧元，为华尔街机构中最高之一，理由是对其未来两至三个季度订单走强及2027年更稳健增长的预期 [3] - 花旗分析师指出，台积电的最新动态对欧洲芯片设备商构成“实质性利好” [3] 传统芯片制造商的复苏 - 欧股科技股的反弹已不仅局限于设备制造商领域，传统芯片制造商如英飞凌和意法半导体在2026年初亦录得约10%的涨幅 [7] - 这反映出投资者对汽车与工业芯片需求正走出多年低迷的预期正在升温 [7] - 在英飞凌2026财年每股收益预期于去年被下调超过20%后，较低的盈利预期也为积极的市场惊喜留下了空间 [7] - 美国同业公司Microchip近期发布的财报进一步增强了市场对行业周期性复苏的信心 [7] 市场情绪与投资逻辑的转变 - 自2023年初AI热潮以来，欧洲顶级芯片设备制造商长期跑输费城半导体指数，因投资者更青睐直接受益于AI浪潮的芯片制造商 [9] - 从去年底开始，市场情绪开始转变，迹象显示AI芯片需求已如此强劲，以至于逻辑芯片与存储芯片制造商均需加大设备采购，从而为设备板块带来了新一轮增长动力 [9] - 摩根大通策略师表示，看好科技板块中的半导体类股，这不仅包括ASML等与AI直接相关的公司，也应关注英飞凌这类更传统的周期性半导体企业，以及涉及知识产权、汽车与消费领域的相关公司 [9]

人工智能革命与投资机会 - 人工智能革命创造了明显的投资机会 [1] 半导体行业 - 半导体股票是人工智能革命带来的投资机会之一，例如英伟达 [1] - 为芯片制造商提供设备或服务的公司也蕴含投资机会，例如阿斯麦 [1]

公司概况与市场地位 - 公司是荷兰半导体制造设备供应商 在高端市场拥有垄断地位 因为它是唯一能够制造极紫外光刻机的公司 [2] - 公司股票在过去一年中上涨了79% 年初至今上涨了16.8% [2] 近期股价表现与催化剂 - 台湾芯片巨头台积电强劲的财报促使分析师关注公司股票 [2] - 在台积电发布2026年资本支出指引后 伯恩斯坦重申了对公司的“跑赢大盘”评级和1300欧元的目标股价 该指引标志着年度支出增长了32% [2] - 加拿大皇家银行资本在一月份也开始了对该股的覆盖 设定了1550美元的目标股价和“跑赢大盘”评级 并指出晶圆设备和极紫外光刻机的支出可能在2026年持续 [2] - 吉姆·克莱默评论称 公司的股价比台积电本身涨得更快 随后其他公司也跟上了 许多公司上调了资本设备类股票的评级 [3]

台积电强劲财报与资本支出展望 - 台积电最新季度业绩表现强劲，股价随之上涨[1] - 公司预计2026年资本支出将达520亿至560亿美元，较2025年的410亿美元大幅增加[2] - 此举明确显示人工智能芯片需求具有持久性[2] 受益的AI芯片设计公司 - **英伟达**：作为主要使用图形处理器训练大语言模型的厂商，其CUDA生态构筑了宽阔护城河，将持续受益于AI基础设施支出[4] - **博通**：通过帮助客户设计定制AI芯片而受益，花旗分析师认为其AI收入在未来两年有增长五倍的潜力[5] - **超威半导体**：在数据中心中央处理器市场地位稳固，其图形处理器将从AI推理市场扩张中受益，该领域英伟达的护城河相对较窄[5] 受益的半导体设备公司 - **阿斯麦**：作为全球唯一能制造极紫外光刻机的公司，是台积电增加资本支出的主要受益者[6] - 随着台积电追求先进芯片架构的极限，阿斯麦有望向其出售新一代高数值孔径极紫外光刻平台，该设备价格近乎传统极紫外光刻机的两倍[6] 受益的存储芯片公司 - AI芯片需要高性能带宽存储器才能发挥全部潜力，这是一种特殊类型的动态随机存取存储器[9] - 当前动态随机存取存储器市场供应非常紧张，价格持续上涨，台积电积极增加AI芯片产能可能使供应持续短缺[9] - 这对美光科技、SK海力士和三星等动态随机存取存储器公司构成利好，它们已从巨大的需求和上涨的价格中受益[9] 其他受益方 - 台积电的芯片制造客户也将从其强劲的财报和增加的资本支出中受益[8] - 云公司同样有望从台积电增加的资本支出中受益[8]

文章核心观点 - 文章旨在为半导体行业以外的研究人员提供一份通用指南，详细阐述将新型极紫外光刻胶材料引入先进晶圆厂所需满足的先决条件和关键步骤，以弥补学术界与工业界在材料引入流程上的知识空白 [1][7] 从DUV到EUV光刻的技术演进与挑战 - 深紫外光刻技术几十年来是行业基石，依赖化学放大光刻胶 [3] - 对更小特征尺寸的追求促使行业转向极紫外光刻技术，但有机材料在EUV光下吸收率低，需要探索新型光刻胶材料 [3] - EUV光子能量高，使反应机制从DUV的外层电子光化学反应转变为辐射驱动化学反应，带来一系列挑战 [4] - 评估EUV光刻胶的关键指标是分辨率、线边缘粗糙度、灵敏度和随机失效之间的权衡 [4] - 理想EUV光刻胶最好是单组分体系，由电子诱导反应驱动溶解度切换，并具有高EUV吸收截面以补偿低光通量 [4] - 高数值孔径EUV光刻技术被引入以进一步提高分辨率，但焦深减小需使用更薄光刻胶层，这进一步凸显了高吸收率金属基光刻胶的重要性 [6] 新型光刻胶材料的研究趋势与引入障碍 - 近期研究重点集中在高吸收率的含金属光刻胶和新型溶解度切换化学方法上 [5] - 含金属光刻胶的EUV吸收截面远高于有机材料，但其引入带来了交叉污染风险，可能改变衬底电学和机械性能 [6] - 学术界对EUV光刻胶研究兴趣空前，但在工业环境中引入新材料存在限制，主要源于复杂的工艺控制、工具污染风险以及工业流程的保密性 [1][6][7] 晶圆厂光刻胶图案化工艺流程详解 - 光刻胶从涂覆到剥离的流程在晶圆厂中相当复杂，受多种因素影响 [9] - 在涂布/显影轨道中，光刻胶通过自动点胶系统涂覆到硅晶圆上，涂覆一片300毫米晶圆约需3到5毫升光刻胶 [10][12] - 旋涂会产生边缘胶珠，需通过边缘胶珠去除工艺用溶剂流清洁，以防止在晶圆转移时成为污染源 [14][16] - 涂覆后需进行后涂覆烘烤以去除溶剂，并有清洗步骤清除晶圆背面颗粒，防止其在曝光或计量时导致晶圆偏离焦平面 [16] - EUV扫描仪采用反射光学系统，使用激光等离子体技术产生13.5nm波段的EUV光，系统内需维持特定压力以保护光学元件 [18] - 显影后的干法刻蚀工艺将图案转移到衬底，此过程产生的挥发性副产物可能造成工具污染，引入含金属光刻胶时此风险较高 [19] 材料引入的先决条件：安全与污染控制 - 首要文件是材料安全数据表，需包含化学成分、物理性质、健康危害及预防措施等信息 [20] - MSDS需关注光刻胶溶剂的熔点和闪点，因轨道中加热温度可达50至250°C，高蒸气压溶剂可能不适用 [21] - 光刻胶的金属痕量含量必须极低，金属污染会严重降低器件性能和可靠性 [22] - 污染危害取决于交叉污染风险、对器件性能的影响及检测能力，不同金属危害程度不同 [22] - 例如，碱金属因熔点低、蒸气压高且难以检测，危害极大；而锡或锑等金属危害相对较小 [24][27] - 评估污染需测量光刻胶溶液中的痕量元素，通常使用电感耦合等离子体质谱法，安全限值在十亿分之一范围内 [26] - 洁净室设备上的痕量污染规格限值以原子/平方厘米为单位规定，主流CMOS工厂通常将10^10 atoms/cm²作为晶圆背面金属污染的最大允许限值 [27][28] - 需进行晶圆涂覆前后的TXRF分析来评估交叉污染风险，若安全容差更低则需采用气相分解-电感耦合等离子体质谱法 [28] 材料引入的先决条件：工艺兼容性测试 - 光刻胶必须与轨道工具内预装的清洗、冲洗溶剂相容且可溶 [30] - 需进行溶液老化测试，确保光刻胶在轨道溶剂中能保持溶解状态数周且无沉淀，因某些配方形成的微小沉淀会堵塞管路 [30] - 需将轨道溶剂与光刻胶溶液按不同比例混合，检查是否产生雾化或沉淀，以确认相容性 [33] 材料引入的先决条件：EUV扫描仪曝光豁免 - 在EUV扫描仪中引入新型光刻胶需要获得设备制造商ASML的豁免，因为光刻胶释放的物质可能与扫描仪内的氢等离子体相互作用，污染反射镜 [39] - 评估要求包括确定材料中非标准元素的原子百分比、其键合性质以及有机壳层的物理性质 [39] - 关键是通过极紫外诱导残余气体分析技术，分析光刻胶在EUV照射下释放的气体物质性质，并结合热力学分析评估其反应活性 [39][40] - 需要监测光刻胶中是否有金属或腐蚀性物质脱气，例如锡基光刻胶在EUV照射下未检测到锡脱气，则对扫描仪环境相对无害 [42] 总结：从实验室到晶圆厂的全流程 - 将新型EUV光刻胶引入晶圆厂测试需满足一系列先决条件，以确保符合安全和合规要求 [44] - 关键步骤包括：准备完整的材料安全数据表、进行痕量金属污染检测、溶剂兼容性与溶液老化测试、以及为在EUV扫描仪曝光申请ASML豁免 [44] - 尽管具体步骤可能因材料性质和晶圆厂需求而异，但本文提供的指导原则为相关人员奠定了坚实基础 [46]

行业表现 - 半导体股票在年初迎来新一轮大幅上涨 [1] 核心驱动因素 - 前所未有的AI需求是主要驱动力 [1] - 激进的AI数据中心建设推动晶圆厂加速产能扩张 [1] 市场影响 - 更广泛的半导体板块公司正在弥补此前失去的时间 [1]