事件概述 - 台积电前资深副总经理罗唯仁离职后转任英特尔执行副总裁，台积电向法院申请禁止其赴任，指控其违反合约并可能泄露机密 [1][2] - 英特尔首席执行官陈立武否认所有指控，称其毫无根据，并表示英特尔尊重第三方知识产权 [1][4] - 该事件引发业内高度关注，折射出全球半导体产业对核心技术人才的激烈争夺 [1][5] 台积电的指控与法律行动 - 台积电已向智慧财产及商业法院提起诉讼，主张罗唯仁违反聘雇合约、竞业禁止同意书及营业秘密法 [2] - 台积电称罗唯仁在离职面谈中表示将去学术机构任职，但离职后立刻前往英特尔，其行为高度可能导致台积电营业秘密泄露 [2] - 据台媒报道，罗唯仁离职前疑似利用高管身份要求团队进行技术简报，并带走涉及2纳米与1.4纳米等先进制程的共20箱资料 [2] 涉及人物罗唯仁的背景 - 罗唯仁拥有75岁年龄及美国加州大学伯克利分校固态物理与表面化学博士学位，曾在英特尔任职，2004年加入台积电 [3] - 在台积电期间，其领导的技术团队共取得超过1500项专利，并曾提出“夜鹰计划”助公司突破10纳米技术瓶颈 [3] - 2011年获得台积电创始人张忠谋亲颁的台积电内部最高荣誉“台积电荣誉奖牌” [3] 英特尔方面的回应 - 英特尔首席执行官陈立武在内部备忘录中公开否认所有关于“知识产权转移”的指控 [1][4] - 英特尔声明公司坚持严格政策，严禁使用或转移任何第三方的机密信息或知识产权 [4] - 从技术角度看，英特尔与台积电的制程技术路线存在明显差异，例如英特尔18A工艺采用PowerVia和RibbonFET等独特技术 [4] 业内分析与影响 - 业内人士分析认为，罗唯仁加入英特尔的价值更多在于其对供应链动态的深刻理解及客户信任，而非直接技术转移 [5] - 台积电提起诉讼的实质用意可能在于向供应链传达其与罗唯仁切割，并要求相关方保持距离 [5] - 事件提醒芯片竞争不仅限于技术研发，也体现在人事流动中，看似寻常的跳槽可能牵动产业力量平衡 [5] - 对正在加速追赶的大陆企业而言，此事警示需平衡吸引国际人才与防范核心技术外泄的长期课题 [6]

2纳米制程的战略意义 - 2纳米是集先进制程、EUV集群、GAA晶体管、先进封装、供应链与地缘政治于一体的关键节点，被视为AI时代算力主权的门槛 [1] - 全球正围绕建设2纳米晶圆厂展开资本与国家战略竞赛，主要参与者包括台积电、英特尔、三星和日本Rapidus [1] 台积电的2纳米布局 - 公司在台湾的2纳米布局已从七座厂升级为十座厂构想，包括新竹宝山2座、高雄楠梓5座、南科特定区3座，新增三座厂成本约9000亿新台币 [2] - 海外扩张方面，计划将美国亚利桑那州投资总额提高至1650亿美元，用于三座厂、两座先进封装厂和一个大型研发中心 [2] - 先进制程扩产逻辑是为头部客户服务，2纳米家族将长期服务于AI GPU/加速卡、高端CPU/GPU/AP及部分高端手机SoC [2] - 最领先的节点技术重心仍放在台湾本岛，海外厂主要用于获取补贴和锁定本地客户 [3] - 公司正评估在台湾再建多达12座先进制程与封装新厂，重点为2纳米与1.4纳米，台中A14厂区的1.4纳米厂已获建设许可，目标2028年量产 [7] 英特尔的18A工艺进展 - 18A工艺在晶体管密度、功耗和性能上可与台积电N2家族竞争，过去七八个月良率曲线稳步攀升，已于2024年10月正式启动生产 [4] - 预计在2025年第四季度达到大规模量产所需良率门槛，计划从2026年起将生产逐步切换到亚利桑那Fab 52厂 [4][6] - 资本结构上带有“国家队”色彩，美国政府通过CHIPS法案获得公司约9.9%股份，成为最大单一股东，英伟达也以50亿美元认购公司普通股进行战略背书 [13] 三星的2纳米策略 - 2纳米工艺良率已攀升至55–60%区间，计划将月产能从2024年的8000片晶圆增加163%至2025年底的21000片晶圆 [9] - 晶圆厂主要位于韩国华城和美国德州泰勒，泰勒厂总投资规模约370–400亿美元 [9][14] - 关键转折点是拿下特斯拉价值165亿美元、为期8年的AI6芯片代工协议，此外还获得两家中国加密货币矿机厂商的订单 [9][10] - 策略特点包括用“难啃客户”累积履历，以及以利润承压换取产能爬坡，目标在两年内使晶圆代工业务回到盈利并夺取20%市场份额 [10] 日本Rapidus的独特路径 - 公司体量小但政府期待高，计划在2027财年下半年开始2纳米芯片量产，并迅速推进第二座工厂建设以生产1.4纳米产品 [12][16] - 采用单晶圆处理技术路径，每片晶圆独立加工和量测，以换取对良率和缺陷的更精细控制 [17] - 第二座工厂总投资预计超过2万亿日元，资金主要来自政府支持、银行贷款及民间企业投资 [16] - 对日本政府而言，公司是系统性工程，承担在日本本土重建2纳米级制造能力的象征性任务 [17] 全球竞相建设2纳米厂的驱动逻辑 - 技术与经济逻辑：2纳米是AI时代的“能源基础设施”，能以更高晶体管密度和更低功耗支撑每瓦算力提升，在AI基础设施单位资本支出上具优势 [18] - 资本与产业链逻辑：单座厂成本达80–100亿美元，需靠“政策+头部客户”捆绑模式支撑，建厂已成为国家产业政策的执行工具 [18][19] - 地缘政治逻辑：各国政府通过直接入股、补贴等方式介入，掌握2纳米产能被视为在未来10年AI算力游戏中占据话语权的关键 [19] 2纳米产能扩张的潜在影响 - 最直接利好半导体设备商和上游材料与耗材供应链，涉及EUV光刻、沉积、刻蚀、清洗、量测检测、封装等相关设备与材料 [22] - 待良率跑顺后，先进封装与测试链将长期利好，2纳米产能扩张同步拉动先进封装、测试、基板等需求 [22] - 对英伟达、苹果、AMD、高通、特斯拉等大客户而言，多家2纳米厂商并进提供了更多议价与第二供应源选择空间 [23]

诉讼核心事件 - 台积电正式起诉前资深副总经理罗唯仁违反竞业禁止协议和商业秘密法，指控其将核心商业机密带往竞争对手英特尔[1] - 案件焦点人物罗唯仁在台积电任职21年，是负责先进制程技术路线的资深副总裁，带领团队获得超过1500项专利，其中约1000项为美国专利[2] - 罗唯仁在退休时向公司表示计划去学术机构任职，但离职仅三个月后就加入英特尔出任执行副总裁，台积电认为其行为构成欺骗并违反协议[3] 涉嫌窃取的技术细节 - 罗唯仁在退休前被调至企业策略发展部门，但仍持续召集研发部门员工开会，要求汇报未来制程节点的规划信息，包括2纳米、A16和A14等先进制程技术[3] - 其在退休前指示下属影印大批机密文件，并带走了超过20箱手写笔记及影印档，内容涉及2纳米、A16、A14及后A14制程的技术规格、专利细节及生产模组资料[4] - 被指可能泄露的技术包括EUV光刻技术、背面供电网络及图案化方案等核心知识产权，2纳米制程是台积电计划于2025年下半年量产的最尖端技术[4][5] 对行业竞争格局的潜在影响 - 若技术信息泄露给英特尔，可能使英特尔获得“偷渡式技术跃迁”的机会，帮助其缩短数年技术差距，并从台积电手中夺走重要客户[5] - 英特尔CEO陈立武正致力于振兴代工业务，计划在2025年实现18A制程量产，但其18A制程良率在过去7-8个月内每月以约7%速度改进，仍明显低于台积电2纳米制程约65%的良率水平[6] - 英特尔提出IDM 2.0战略，计划在2030年成为全球第二大代工厂，成为台积电的直接竞争对手[8] 涉事公司关系背景 - 台积电与英特尔关系复杂，经历了从平行发展、竞争、合作到再度对抗的演变，英特尔曾是垂直整合模式，而台积电开创纯代工模式[7] - 台积电在2011年赢得苹果处理器独家大单后成为全球最大代工商，苹果至今仍是其最大客户，而英特尔因制程落后已开始将部分高端产品交由台积电代工[7] - 针对此前台积电可能入股英特尔的媒体报道，台积电CEO魏哲家已公开否认合作传言，台积电更倾向于自行在美国建厂[9] 公司内部管控与行业先例 - 此次是台积电今年第二次遭遇机密外泄风波，8月曾有员工窃取2纳米制程技术细节泄露给日本半导体设备巨头东京威力科创，案件仍在审讯中[10] - 半导体行业技术密集、研发周期长、投资巨大，台积电每年研发投资超过100亿美元，核心技术外流可能造成难以估量的损失[10] - 诉讼结果将对半导体产业的人才流动和知识产权保护规则产生深远影响[11]

文章核心观点 - 2nm制程是AI时代算力主权的关键门槛，全球正围绕其晶圆厂建设展开一场涉及技术、资本和国家战略的激烈竞赛 [1] - 竞赛主要参与者包括台积电、英特尔、三星和日本Rapidus，各方策略路径各异但目标均为抢占先进制程制高点 [1] - 2nm竞赛的驱动力来自AI算力需求、巨额资本与政策捆绑、以及地缘政治因素，但同时也面临需求可持续性、产能集中度和人才供应链等挑战 [20][21][22] - 半导体设备商、材料供应商及先进封装测试链将直接受益于2nm产能扩张 [24] 台积电2nm布局 - 公司在台湾的2nm布局从七座厂升级为十座厂构想，包括新竹宝山2座、高雄楠梓5座、南科特定区3座，新增三座厂投资约9000亿新台币 [2] - 海外扩张同步加码，美国亚利桑那州项目投资总额提高至1650亿美元，包含三座晶圆厂、两座先进封装厂和一个大型研发中心 [2] - 技术重心仍放在台湾本岛，2nm量产优先在宝山、楠梓与南科进行，海外厂主要承担政治和客户关系补课功能 [3] - 公司正评估在台湾再建多达12座先进制程与封装新厂，台中A14厂区的1.4nm厂已获建设许可，目标2028年量产 [3] 英特尔18A工艺进展 - 18A工艺在晶体管密度、功耗和性能上可对标台积电N2，良率曲线在过去七八个月稳步攀升，已于2024年10月正式启动生产 [6] - 计划在2025年第四季度达到大规模量产所需良率门槛，首批Panther Lake处理器晶圆在俄勒冈州试产线生产，2026年起切换至亚利桑那Fab 52厂 [6][8] - 资本结构呈现国家队色彩，美国政府通过111亿美元补贴转换获得约9.9%股份，成为最大单一股东；英伟达以50亿美元认购普通股进行战略背书 [8] 三星2nm战略 - 2nm工艺良率已攀升至55–60%区间，产能预计从2024年每月8000片晶圆增加至2025年底的21000片，增幅163% [11] - 关键转折点为拿下特斯拉价值165亿美元、为期8年的AI6芯片代工协议，同时获得中国加密货币矿机厂商订单 [11][12] - 晶圆厂布局包括韩国华城和美国德州Taylor，Taylor厂总投资规模约370–400亿美元，目标客户为对地缘政治敏感或愿接受早期风险的客户 [12][14] 日本Rapidus发展路径 - 公司采用与传统IDM不同的单晶圆处理技术路径，目标在2027财年下半年于北海道千岁工厂开始2nm芯片量产 [17][18] - 计划在2027财年启动第二座工厂建设，生产1.4nm及更先进制程产品，预计总投资超过2万亿日元，资金主要来自政府支持和银行贷款 [17] - 项目被视为日本重建2nm级制造能力的系统性工程，得到IBM技术转移和EDA/IP生态联盟支持 [18] 2nm竞赛驱动因素 - 技术经济逻辑：2nm是AI时代的能源基础设施，能以更高晶体管密度和更低功耗支撑每瓦算力提升，在AI基础设施单位资本支出上占优 [20] - 资本产业链逻辑：单座2nm厂成本达80-100亿美元，需依靠政策补贴和头部客户捆绑，建厂已成为国家产业政策执行工具 [20][21] - 地缘政治逻辑：各国政府将2nm产能视为未来AI算力话语权的关键，通过直接入股、补贴和法案引入等方式积极参与 [21] 产业影响与潜在风险 - 半导体设备商、材料耗材供应链及先进封装测试链将直接受益于2nm产能扩张 [24] - 主要风险包括AI需求是否可持续、全球产能集中度带来的地缘政治风险，以及人才与供应链能否跟上厂房建设速度 [21][22]

半导体I/O技术演进 - 半导体I/O领域在过去25年间发生深刻变革，从180nm工艺节点下的简单通用输入/输出单元发展到16nm和22nm工艺下高度复杂、支持多种协议且功能丰富的库 [1] - 现代I/O设计重点从基本功能转向更注重适应性、优化和针对特定市场的性能 [1] 市场需求驱动技术融合 - 移动计算、物联网、边缘人工智能、车载信息娱乐系统和自动驾驶系统等领域爆炸式增长对I/O灵活性提出更高要求 [2] - 单个ASIC芯片无需专用引脚即可同时服务汽车（需要CAN）和蜂窝（需要I3C）市场，催生GPODIO混合I/O [2] - GPODIO能够在CMOS和开漏模式下工作，支持LVCMOS、SPI、I3C、JTAG和故障安全型开漏标准 [2] 多协议I/O技术特性 - GPODIO配备可配置输出驱动器，可在高速GPIO（Tfall < 5ns，Zout 33–120 Ω）和慢速转换开漏模式（Tfall 20–1000ns，IOL 3–20mA）之间切换 [3] - 输入模式控制支持多种VIH/VIL/迟滞阈值，电压支持范围扩展至1.2V至3.3V的VDDIO、低至0.65V内核电源以及高达5V外部ODIO电压 [3] - "超级"I/O宏单元包含两个单端或一个差分对，支持超过20种标准包括LVDS、MIPI、带片上终端的HSTL/SSTL以及POD [3] I/O库专业化发展 - 22nm工艺下单个GPIO设计衍生出五个专业库：PM22（超低功耗物联网，漏电流0.14nA）、MM22（平衡移动应用）、OG22（车规级，8kV HBM）和EG22/TG22（高性能计算） [4] - 代工厂产品目录为每个节点提供多个库，根据金属层、电压和市场定位进行区分 [4] - 模拟和射频I/O库包含预先表征单元：低电容射频焊盘（<75fF，>8kV HBM）、匹配的LVDS/HDMI对以及高达20V高压模拟I/O [4] 先进封装与验证挑战 - 2.5D/3D封装和芯片组接口引入超低功耗、高密度I/O（16nm工艺下4Gbps，直流电流<0.1nA，10×20µm尺寸） [5] - 验证复杂度急剧上升，传统GPIO需要约135个PVT角点，而现代多电压、多模式GPIO需要超过12,000个角点 [5] - I/O设计已从单一库转变为由优化、可配置且市场定制解决方案组成的复杂生态系统 [5]

诉讼核心事件 - 台积电正式起诉前资深副总经理罗唯仁，指控其违反竞业禁止协议和商业秘密法，并将核心商业机密带往竞争对手英特尔[2] - 罗唯仁在离职时向公司表示计划去学术机构任职，但离职仅三个月后就加入英特尔出任执行副总裁[5] - 台积电指控罗唯仁在退休前密集召集研发、生产、财务等部门主管进行简报，获取包括2纳米、A16和A14等先进制程技术的敏感数据[7] - 罗唯仁退休时带走了下属为其打包的手写笔记及影印档超过20箱，这些资料涉及EUV光刻技术、背面供电网络等核心知识产权[7] 涉案人员背景 - 罗唯仁现年75岁，拥有美国加州伯克利大学博士学位和美国国籍，职业生涯横跨学术、研发和制造业[2] - 罗唯仁在英特尔美国总部工作18年，担任技术开发总监，参与了英特尔首座8英寸晶圆厂建设和486处理器量产[3] - 罗唯仁于2004年加入台积电，工作21年，带领团队获得超过1500项专利，其中约1000项为美国专利，深度参与了从28纳米到2纳米的先进制程研发和量产[3] - 台积电高管通常退休年龄是67岁，但罗唯仁多留职了八年，退休时获创始人张忠谋公开赞扬[3] 被指泄露的技术信息 - 被指泄露的2纳米制程是台积电计划于2025年下半年量产的最尖端技术[8] - A16和A14制程是为苹果、英伟达、AMD等顶级客户量身定制的先进工艺，涉及晶体管密度、功耗控制等核心技术参数[8] - 技术泄露可能使英特尔获得"偷渡式技术跃迁"的机会，缩短数年的技术差距，并从台积电手中夺走重要客户[8] 行业竞争背景 - 英特尔CEO陈立武的任务是振兴英特尔的代工业务，计划在2025年实现18A制程量产[10] - 英特尔18A制程良率在过去7-8个月内以每月约7%的速度改进，但明显低于台积电2纳米制程约65%的良率水平[10] - 台积电在2011年拿到苹果处理器独家大单后成为全球最大代工制造商，苹果目前仍是其最大客户[12] - 英特尔提出IDM 2.0战略，计划在2030年成为全球第二大代工厂，成为台积电的最大竞争对手[12] 公司内部管控与历史事件 - 这已是台积电今年第二次遭遇机密外泄风波，8月曾发生员工窃取机密并泄露给日本半导体设备巨头东京威力科创的事件[14] - 8月事件中，泄露的数据包括2纳米制程技术细节，如工艺流程、设备设置等，可能帮助设备供应商提升竞争优势[15] - 台积电每年在研发上的投资超过100亿美元[17]

核心事件 - 台积电起诉其前高级副总裁罗伟仁 指控其极有可能向新雇主英特尔泄露公司商业秘密 [1][2] - 诉讼于周二在台湾知识产权及商业法院提起 依据是罗伟仁在职期间签署的竞业禁止协议 [2] - 台积电在声明中表示 罗伟仁极有可能使用、泄露、披露、交付或转移台积电的商业秘密和机密信息给英特尔 因此有必要采取法律行动 [4] - 英特尔否认了相关指控 表示没有理由相信这些指控有任何依据 并称公司有严格政策禁止使用或转移任何第三方机密信息或知识产权 [5] 涉事人员背景 - 罗伟仁现年75岁 曾在台积电负责研究和技术开发 在推动包括AI加速器在内的尖端芯片量产方面发挥了关键作用 [5] - 罗伟仁在台积电任职超过二十年后 于今年7月离职 公司称其在离职面谈中未透露将加入英特尔 而是告知公司律师他将加入一家学术机构 [6] - 在2004年加入台积电之前 罗伟仁曾任职于英特尔 专注于先进技术开发 包括管理位于加州圣克拉拉的芯片工厂 英特尔称其在该公司工艺技术团队工作了18年 [6] 行业与公司影响 - 台积电此次不寻常的诉讼行动 凸显了围绕尖端芯片技术的敏感性日益增加 该技术不仅关乎公司的全球领先地位 也关乎台湾的地缘政治动态 [3] - 台积电经常有员工流向竞争对手和供应链中的其他公司 但像罗伟仁这样级别和资深的员工流失情况较为罕见 [3] - 英特尔发言人表示 人才在公司间流动是行业健康的一部分 公司欢迎罗伟仁的回归 [7]

法案背景与目标 - 美国国会众议院提出H.R. 6207号议案，即《芯片设备质量、实用性和完整性保护法案》（Chip EQUIP Act），由两党议员联合发起并得到参议院呼应[1] - 法案主要目标并非新增出口管制，而是通过修改《芯片与科学法案》（CHIPS Act）的资金条款，规定接受联邦补贴的项目不得使用来自"受关注外国实体"（FEOC）的半导体设备[2] - 出台背景与美国内部对"补贴外流"风险的担忧相关，美国方面注意到中国在半导体设备领域特别是成熟制程设备上的生产能力快速提升并获取新市场份额[2] 法案核心规定 - 规定通过修改《2021财年国防授权法案》第9901与9909条落实，将"不合格设备"定义为由FEOC或其子公司制造、组装或翻新的"已完成且完全组装"半导体制造设备[3] - 定义特别排除零部件、腔体、子系统或子组件，主要针对整机采购环节而非零部件贸易[3] - 设备范围覆盖十二类关键设备：沉积、刻蚀、光刻、检测与计量、晶圆切割、划片、引线键合、离子注入、化学机械抛光、扩散或氧化炉、热处理装置及自动化物料搬运系统，几乎涵盖晶圆制造全部主要工序及部分后段工艺设备[3] - 执行层面以合同条款方式嵌入资金协议，要求商务部长在与受资助企业签署的协议中加入禁止条款，约定自签署日起十年内不得采购、安装或使用不合格设备[3] 适用范围与豁免条款 - 条款属于"资金条件约束"，仅适用于接受CHIPS补贴的特定项目，不自动扩展到企业其他海外或自筹资金项目，且仅适用于美国境内的受补贴工厂[4] - 设定三类豁免情形：美国或其盟国无法生产足量或合格替代设备时；设备仅由FEOC翻新而非制造；使用符合美国《出口管制条例》并经国家情报总监或国防部长认定符合国家安全利益时[4] 行业影响分析 - 法案若通过将对正在建设的美国本土晶圆厂（如Intel、TSMC、三星在美项目）形成直接约束，企业需重新审视设备采购清单，尤其在自动化系统和后段工序设备方面[4] - 对中国及其他被列为FEOC的设备供应商而言，相关项目的市场准入将受到长期限制，且限制可能因合同义务而持续有效[5] - 法案体现美国政府将"安全性"要求从出口端延伸至资金流与供应链端的制度化趋势，着眼点从技术转移转向资金使用的归属逻辑[5] 政策环境演变 - CHIPS Act作为拜登政府政治遗产，在特朗普政府下已通过"补贴换股权"方式重塑逻辑，例如以约89亿美元CHIPS Act未支付补贴款加国防项目拨款换取Intel公司9.9%股份[5] - 此举标志美国政府角色由单纯资助者转为被动股东，更强调"公共资金的投资回报"而非"产业补贴"[6]

法律诉讼与调查 - 台积电向中国台湾知识产权及商业法院对前资深副总经理罗唯仁提起诉讼，指控其向英特尔泄露商业机密[2] - 中国台湾地区检方搜查罗唯仁位于台北市和新竹县的两处住所，查扣电脑、U盘等证物[2] - 法院批准检方申请，查扣罗唯仁的股票和不动产[2] 涉事方回应与背景 - 英特尔否认台积电的指控，认为指控没有依据[2] - 罗唯仁在台积电工作21年，协助推动5纳米、3纳米及2纳米制程量产，于今年7月退休，10月重返曾工作18年的英特尔[2] - 截至发稿，英特尔和罗唯仁未就搜查事件置评[2]

市场与策略表现 - 2025年第三季度美国大型成长股从4月初的急剧抛售中持续复苏，强劲的企业盈利、投资者对人工智能的热情以及对美联储政策宽松的预期推动了稳健增长 [1] - Sands Capital Select Growth Strategy投资组合在第三季度实现6.3%（净额）的回报，而基准指数的回报率为10.5% [1] 公司财务与市场表现 - 台积电2025年第三季度营收以新台币计环比增长6% [4] - 台积电股价在2025年11月26日收于每股289.96美元，市值为1.504万亿美元 [2] - 台积电一个月回报率为-4.96%，但过去52周股价累计上涨60.03% [2] 业务运营与竞争优势 - 台积电是全球领先逻辑芯片的最大生产商，受益于强劲的AI相关需求，并正在扩大CoWoS产能以缩小供需差距 [3] - 尽管面临汇率逆风和海外晶圆厂投资增加，但得益于良率提升和严格的定价，毛利率保持韧性 [3] 增长前景与驱动因素 - 预计台积电2026年营收将超过市场普遍预期的16%增长率，主要驱动因素包括产能扩张、配备增强AI功能的新iPhone发布以及英特尔外包增加 [3] - 长期模型预测至2029年台积电年化盈利增长率为20%，AI是主要增长引擎，同时智能手机、PC、服务器和汽车芯片预计将以低至中双位数速度增长 [3] 机构持仓与市场地位 - 台积电在对冲基金中最受欢迎的30只股票榜单中排名第9位，第二季度末有187只对冲基金投资组合持有该公司，持仓数量与上一季度持平 [4]