公司法律纠纷 - 台积电在中国台湾智慧财产及商业法院对其前资深副总裁罗唯仁提起诉讼，指控其可能将公司商业机密与机密信息使用、泄露、披露或转移给英特尔[1][2] - 英特尔否认台积电的指控，表示基于目前掌握的信息，没有理由相信指控有事实依据，并强调公司有严格政策严禁使用第三方商业机密或知识产权[1] - 英特尔首席执行官陈立武驳斥有关不当行为的猜测，称其为毫无根据的市场谣言和揣测，并强调公司尊重所有芯片制造知识产权[2] 关键人物背景 - 罗唯仁在台积电工作21年后于今年10月退休，并正式加入英特尔，此前他曾在英特尔工作18年[1][2] - 罗唯仁在台积电期间曾协助推动5纳米、3纳米和2纳米及以下尖端制程芯片的大规模量产，并负责公司的制程策略及核心技术开发[1][2] - 英特尔欢迎罗唯仁回归，称其在半导体行业因诚信、领导力及技术专长而广受尊敬，并认为人才在企业间流动是行业常见且健康的一部分[1] 行业竞争格局 - 台积电总市值超过1.15万亿美元，基于美股ADR交易价格的市场总市值高达1.5万亿美元，是全球芯片代工超级龙头，远超英特尔[2] - 台积电是苹果、英伟达、AMD、高通、博通等美国大型芯片公司最先进芯片的唯一合同代工厂商[3] - 英特尔与台积电关系紧张，英特尔既是台积电的客户，又是其重大竞争对手[3] 公司战略与技术发展 - 英特尔战略已转向聚焦于Intel Foundry，即系统性芯片代工，直接对标台积电，目标是成为比肩台积电的芯片代工巨头[4][5] - 英特尔公开激进的技术路线图“5节点4年”，计划从Intel 7推进到Intel 3、20A、18A，其中20A即2纳米制程，18A即1.8纳米制程[4] - 英特尔购置全球第一台High-NA EUV光刻机，力争打造领先于台积电和三星的2纳米及以下最先进芯片制造技术[4] - 18A与更先进的16A技术是英特尔能否翻身的关键节点，其性能/能效需对标或超越台积电与三星，才有机会为英伟达、AMD等超级大客户代工AI加速器等先进制程芯片[5]

行业与公司前景 - 全球光刻机巨头阿斯麦正迎来DRAM和先进逻辑芯片需求的双重提振，2026至2027财年的增长势头积极 [1] - 公司正在走出一个持续了超过14个月（2024年7月至2025年9月）的漫长下行周期，盈利重估周期已经正式开启 [5] - 摩根士丹利将阿斯麦目标价从975欧元上调至1000欧元，并维持增持评级，将其提升为欧洲半导体领域的首选股 [6] DRAM市场需求 - DRAM市场的火热需求是显而易见的，技术从1a/1b节点向1γ/1c节点的转变过程将导致EUV光刻层数增加，例如1c节点需要5-6个光刻层 [2] - 三星和海力士在2026财年的需求是明确的，商品DRAM的需求和强劲的价格上涨对订单增长有所助益 [2] - 随着商品DRAM价格上涨以及三星HBM3e/HBM4的进展，“内存超级周期”的证据日益增多 [5] 先进逻辑芯片与AI驱动 - 台积电正在测试3nm的原始图形性能，其亚利桑那州工厂的采用时间可能比最初计划的2028年更早 [3] - 台积电3nm的先进工艺依赖于阿斯麦的EUV光刻机，AI巨头英伟达创纪录的营收及其Blackwell系列GPU的强劲需求将推动台积电扩建3nm产能 [3] - 英伟达的强劲需求为阿斯麦在2026/27财年的晶圆代工设备供应提供了支持 [3] 财务表现与利润率 - 报告预计DUV业务的销售额将同比下降，主要原因是亚洲一个关键市场的需求预期减弱，模型维持对该市场销售额约15%的同比下降预期 [6] - 公司利润率仍具韧性，支撑因素包括2026财年更高的EUV销售额（模型预测为48台，而今年为41台）以及装机基础管理业务的利润贡献 [6] - 摩根士丹利对阿斯麦2026财年毛利率预测为52.3%，仅比2025财年预计的52.7%微降40个基点，证明了在困难的DUV年度里公司对利润率的控制能力 [6]

文章核心观点 - 集邦咨询预测2026年全球科技市场十大趋势，核心驱动力为AI技术深化应用，涵盖AI服务器、散热技术、高速传输、存储、数据中心能源、半导体、人形机器人、显示技术、AR眼镜及自动驾驶等领域[1] AI服务器与数据中心散热 - 受北美大型云服务提供商资本支出增加及各国主权云兴起推动，2026年全球AI服务器出货量预计同比增长逾20%[1] - AI芯片算力提升导致热设计功耗从NVIDIA H100/H200的700W上升至B200/B300的1000W以上，推动液冷散热需求，2026年AI芯片液冷渗透率预计达47%[1][2] - 微软提出芯片封装层级微流体冷却技术，短中期市场以水冷板液冷为主，长期向芯片级散热演进[2] AI芯片竞争格局 - NVIDIA面临AMD、北美云服务提供商自研ASIC及中国厂商（如字节跳动、百度、阿里巴巴、腾讯、华为、寒武纪）的激烈竞争，AMD将推出MI400整柜式产品对标NVIDIA[1] 高速传输技术（HBM与光通讯） - HBM通过3D堆栈与TSV技术缩短处理器与存储器距离，HBM4将导入更高通道密度与更宽I/O带宽以支持AI运算[3] - 光电整合与共封装光学技术成为突破数据传输瓶颈关键，800G/1.6T可插拔光模块已量产，2026年起更高带宽硅光/共封装光学平台将导入AI交换机[4] 存储技术演进 - NAND Flash供应商推出存储级存储器固态硬盘/键值缓存固态硬盘/混合键值闪存技术，提供超低延迟与高带宽，加速AI推理[5] - 四层单元固态硬盘应用于AI温/冷数据存储，每晶粒容量较三层单元高33%，降低存储成本，2026年四层单元固态硬盘在企业级固态硬盘市场渗透率预计达30%[6] 数据中心储能系统 - AI数据中心负载波动大，储能系统从应急备电转为能量核心，未来五年内2至4小时中长时储能占比将提升[7] - 部署方式从集中式电池储能系统向机柜级分散式渗透，全球AI数据中心储能新增容量预计从2024年15.7GWh激增至2030年216.8GWh，年复合增长率46.1%[7] 数据中心电力架构与半导体 - 服务器机柜功率升至兆瓦级，供电模式转向800V高压直流架构，第三代半导体碳化硅/氮化镓是关键，2026年渗透率预计达17%，2030年突破30%[8] - 碳化硅应用于供电架构前端中端，氮化镓凭借高频率优势作用于中端末端[8] 半导体制程与封装 - 2纳米全环绕栅极晶体管进入量产，晶圆代工厂推出2.5D/3D封装技术（如台积电CoWoS/SoIC、英特尔EMIB/FOVEROS、三星I-Cube/X-Cube）实现异质整合[9] 人形机器人商用化 - 2026年人形机器人出货量预计年增逾700%至超5万台，聚焦AI自适应技术与场景应用（如制造搬运、仓储分拣）[10][11] 显示技术升级 - OLED笔电渗透率2025年预计达5%，2027-2028年提升至9-12%，苹果2026年将OLED面板导入MacBook Pro[12] - 苹果可能2026下半年至2027年进入折叠手机市场，推动全球折叠手机出货量2027年突破3000万支[13] AR眼镜技术发展 - Meta推出采用硅基液晶的AR眼镜，未来将转向更高亮度、对比度的微发光二极管技术，预计2027-2028年出现成熟全彩微发光二极管解决方案[14] 自动驾驶渗透与扩张 - 2026年L2及以上辅助驾驶渗透率预计超40%，舱驾一体单芯片与控制器规模量产降低成本[15] - L4级Robotaxi加速覆盖欧洲、中东、日本、澳洲等市场，受益于法规松绑及端到端、视觉语言动作模型发展[15]

核心法律事件 - 台积电向智能财产及商业法院申请“定暂时状态处分”，请求禁止其前资深副总经理罗唯仁转任英特尔执行副总裁 [2] - 法院已受理案件并由法官王碧莹负责审理，相关程序将尽快展开 [2] - 台积电以保护营业秘密为由，要求法院在案情厘清前暂不公开相关信息 [2] - 法律依据主要来自双方签署的聘雇合约、竞业禁止条款及相关法律规定 [2] 涉及的关键技术与风险 - 罗唯仁在退休前曾指示下属整理涵盖台积电2纳米、A16（1.6纳米）、A14（1.4纳米）等多项先进制程的技术简报 [3] - 其行为疑似携出机密文件离职，加剧公司对技术外流的担忧 [3] - 台积电主张罗唯仁若进入竞争对手英特尔任职，极有可能导致核心技术外泄，构成重大商业风险 [2] 当事人背景与调查进展 - 罗唯仁于2004年加入台积电，拥有美国加州大学柏克莱分校固态物理与表面化学博士学位，服务公司21年 [3] - 其长期负责关键技术研发，个人名下拥有超过1500项专利，是推动公司突破10纳米制程技术瓶颈的重要人物 [3] - 主导的“夜鹰计划”建立了全天候不间断的研发运作模式，为台积电成功跨越关键制程节点提供支撑 [3] - 经济部门负责人龚明鑫表示，罗唯仁的行为已涉及安全法与营业秘密法，高检署已主动介入调查安全相关部分 [2] - 工研院已启动撤销其“工研院院士”资格的程序 [2]

诉讼核心事件 - 台积电正式向中国台湾智慧财产及商业法院提起诉讼，指控前资深副总经理罗唯仁违反竞业禁止协议，并高度可能使用或泄露台积电2nm及更先进制程的机密信息予英特尔[3] - 诉讼依据是罗唯仁签署的聘用合约书、竞业禁止同意书及营业秘密法等规定，台积电认为有必要采取法律行动包括违约赔偿[3] - 英特尔CEO陈立武表示完全支持罗唯仁，并强调台积电的所有指控毫无根据，称这只是谣言和猜测[2] 涉事人员背景 - 罗唯仁曾在英特尔任职18年，负责晶圆制程技术开发，离开英特尔后加入台积电并持续投入晶圆制程技术开发工作[2] - 罗唯仁从台积电离职后很快加入英特尔，担任执行副总裁，英特尔称其回归是公司转型的一部分[2][3] 公司立场与回应 - 英特尔强调公司制定严格的政策与管控措施，严禁使用或转让任何第三方的机密信息或知识产权，并尊重知识产权[2] - 英特尔CEO陈立武在内部信中表示公司会继续全力支持罗唯仁，并否认台积电的说法，强调英特尔无意违反任何知识产权法律[2]

公司回应与诉讼背景 - 英特尔公司于11月27日早间发布声明，回应台积电提起的诉讼 [1] - 英特尔强调公司有严格政策与管控措施，严禁使用或转移任何第三方的保密信息或知识产权 [1] - 台积电在两天前（约11月25日）正式向法院提起诉讼 [1] 诉讼核心指控 - 台积电指控其前资深副总经理罗唯仁违反保密协议与竞业禁止义务 [1] - 罗唯仁涉嫌将包括2nm在内的先进制程机密泄露给英特尔公司 [1]

法律纠纷核心事件 - 英特尔首席执行官陈立武公开回应台积电起诉其前资深副总经理罗唯仁，称台积电的指控毫无根据[1] - 陈立武在内部备忘录中否认所有关于"知识产权转移"的指控，强调公司全力支持罗唯仁加入[3] - 英特尔CEO首次公开点名支持罗唯仁，暗示此次人事任命或已尘埃落定[3] 纠纷背景与指控内容 - 台积电提起诉讼的起因是担心罗唯仁跳槽可能导致先进芯片技术泄露，特别是2nm制程等关键商业机密[3] - 台积电认为技术泄露将使英特尔在竞争中获得不公平优势[3] - 台积电于前一日正式提起诉讼，试图阻止潜在的技术外泄[3] 英特尔的回应与立场 - 英特尔坚决否认台积电的说法，重申公司无意违反任何知识产权法律[3] - 公司内部设有严格政策与管控措施，严禁使用或转移任何第三方机密信息或知识产权[3] - 英特尔特别指出罗唯仁此前曾在英特尔工作长达18年，专注于晶圆加工技术研发[3]

事件概述 - 台积电前资深副总经理罗唯仁于11月27日转任英特尔执行副总裁，台积电已向台湾地区法院申请“暂时状态处分”，要求禁止其赴任英特尔[1] 法律与调查进展 - 法院已受理案件并分由法官审理，将尽快开展相关程序[3] - 台湾地区经济部门负责人指出，罗唯仁的行为已涉及《安全法》与《营业秘密法》，高检署已主动介入调查涉及安全法的部分[3] - 经济部门表示，若台积电需要协助，将全力配合营业秘密部分的调查[3] - 台积电以营业秘密为由，请求法院在案情厘清前谨慎处理并暂不公开内容[3] - 台积电的申请依据为其与罗唯仁之间的聘雇合约、竞业禁止协议及相关法律[3] 潜在风险与指控 - 台积电主张罗唯仁若转赴英特尔，将带来泄漏公司机密信息的高度风险[3] - 据此前报道，罗唯仁在退休前曾利用职权，要求下属为其制作涉及台积电2nm、A16、A14等先进制程的技术简报，并疑携带机密资料离职[3] 当事人背景 - 罗唯仁于2004年加入台积电，拥有美国加州大学柏克莱分校固态物理及表面化学博士学位[4] - 在台积电任职21年间，历任多项关键技术职务，是全球超过1500项专利的获得者[4] - 是推动台积电突破10nm制程研发瓶颈的关键人物，其主导的“夜鹰计划”打造了24小时不间断研发体系，成功助力公司跨过10nm技术难关[4]

诉讼与回应 - 台积电向法院提起诉讼，指控前资深副总经理罗唯仁违反保密协议与竞业禁止义务，涉嫌将2nm等先进制程机密泄露给英特尔[1] - 台积电法务部门调查显示，罗唯仁于2024年3月离开管理研发的部门后仍多次要求研发团队提供先进制程资料，并在离职面谈时隐瞒将入职英特尔的事实[1] - 英特尔回应称相关指控是“毫无根据的谣言”，并强调公司有严格政策禁止使用第三方知识产权[2] 技术路线与差异 - 英特尔18A制程采用RibbonFET晶体管与背面供电技术，声称与台积电2nm工艺路线存在本质差异[2] - 英特尔是高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的早期采用者，而台积电目前尚未布局该技术[2] - 英特尔宣布其18A工艺已在美国亚利桑那州工厂启动大规模量产，晶体管密度较上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%[2] 行业背景与竞争格局 - 2025年第二季度全球纯晶圆代工行业营收同比增长33%，核心驱动力是先进工艺在AI GPU领域的应用[3] - 若英特尔无法在未来1-2年内将18A制程良率提升至商业化水平，其技术先发优势可能被台积电、三星的成熟产能吞噬[3] - 英特尔招揽罗唯仁的核心原因被认为是希望借助其行业经验加速技术落地，与时间赛跑[3] 关键人物背景 - 罗唯仁拥有美国加州大学伯克利分校固态物理与表面化学博士学位，曾在英特尔担任CTM厂长，于2004年7月加入台积电[3] - 罗唯仁在台积电工作期间主导EUV光刻技术导入，并于2025年7月27日退休，较公司限定67岁退休年龄延退8年[1][3]

诉讼事件核心 - 台积电向法院提起诉讼，指控前资深副总经理罗唯仁违反保密协议与竞业禁止义务，涉嫌将2nm等先进制程机密泄露给英特尔[3] - 台积公司法务部门调查发现，罗唯仁在2024年3月离开管理研发的部门后，仍多次要求研发团队提供先进制程资料，并在离职面谈时隐瞒将入职英特尔的事实[3] - 台积电认为相关营业秘密可能已被转移至英特尔[4] - 英特尔回应指控为“毫无根据的谣言”，并强调公司有严格政策禁止使用第三方知识产权[5] 技术路线差异 - 英特尔指出其18A制程采用RibbonFET晶体管与背面供电技术，与台积电2nm工艺路线存在本质差异，声称无需借助外部技术数据[5] - 业内观点认为双方制程技术存在多项本质差异，英特尔是高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的早期采用者，而台积电目前尚未布局该技术[5] 英特尔18A工艺进展 - 英特尔宣布其18A工艺已在美国亚利桑那州工厂启动大规模量产[6] - 该工艺采用RibbonFET晶体管与PowerVia技术，晶体管密度较上一代提升30%，相同能耗下性能提升15%[6] - 该技术被视为英特尔打破台积电技术垄断的核心抓手[7] 行业竞争背景 - 2025年第二季度全球纯晶圆代工行业营收同比增长33%，核心驱动力是先进工艺在AI GPU领域的应用[7] - 若英特尔无法在未来1-2年内将18A制程良率提升至商业化水平，其技术先发优势将被台积电、三星的成熟产能吞噬，面临失去高端代工市场入场资格的风险[7] - 英特尔招揽罗唯仁的核心原因是希望借助其行业经验加速技术落地，本质是与时间赛跑[7] 关键人物背景 - 罗唯仁拥有美国加州大学伯克利分校固态物理与表面化学博士学位，曾在英特尔担任CTM厂长，于2004年7月加入台积电[7] - 罗唯仁在台积电工作期间主导EUV光刻技术导入，于2025年7月27日退休，较公司限定67岁退休年龄延退8年，是台积电历任副总级退休年纪最高者[7]