先进封装概念市场表现 - 先进封装概念股整体走强，多只个股出现上涨 [1] - 山子高科股价涨停，表现最为突出 [1] - 佰维存储、寒武纪-U、联瑞新材、骄成超声、兴森科技、长电科技等公司股价跟涨 [1]

投资策略 - 大基金一期2014年成立 注册资本987亿元 实际到账约1200亿元 大基金二期2019年成立 注册资本2042亿元 实际到账约2200亿元[3] - 资金主要投向晶圆制造环节 包括中芯国际、华虹华力、燕东微、士兰微、长江存储、长鑫存储等企业 通过直接投资或组建合资公司方式在多地落地产线[3] - 部分资金投向封装环节 投资企业包括通富微电、长电科技、华天科技[5] - 其他投资方向涵盖芯片设计、IP、EDA及半导体设备材料零部件 但布局不成体系[6] - 2014和2019年国内半导体行业百废待兴 设备材料零部件国产化率极低 但设计环节相对较强 以华为海思为代表[6] - 投资策略聚焦补最大短板（制造环节）和投资最大长板（芯片设计） 因封装环节技术壁垒较低且与海外差距较小[6][7] - 中芯国际吸收合并中芯北方被解读为协助大基金退出[4] 管理人结构 - 大基金一二期管理人为华芯投资管理有限责任公司 2014年专门为管理大基金设立[9] - 华芯第一大股东为国开金融 穿透后实控人为国开行 国开行同时担任大基金重要出资人[9] - 大基金一期出资人结构中财政部占比36%为国开行占比22% 二期财政部占比11.02% 国开行占比10.78%[9] - 一期期间大基金担任十余个市场化半导体基金LP 合作方包括华登国际、芯动能、中芯聚源等机构[10] - 二期时华芯投资能力成熟 2200亿元资金完全由其独立管理 未设立子基金[10] - 二期期间出现严重腐败问题 影响已投企业并延长三期基金论证周期[11]

"宁波膜智信息科技有限公司"为势银（TrendBank）唯一工商注册实体及收款账户 重要会议： 11 月 17-19 日，2025势银异质异构集成年会（浙江·宁波） 点此报名 11月19日-21日，2025势银显示技术与供应链产业年会（四川·成都） 点此报名 添加文末微信，加 异质异构集成产业 群 随着 AI算力芯片向大尺寸、高集成度演进，传统封装基板逐渐逼近物理极限，寻求新的封装基板材料成为了一大要是。其中玻璃基板凭借更低 信号损耗、更高尺寸稳定性等优势，成为台积电、英特尔等巨头布局CoWoS、HBM等先进封装技术的优选载体。 目前， 玻璃基板 因其特有的优势， 在半导体领域 主要应用为 晶圆减薄、制作 RDL以及键合工艺中的晶圆承载基板或者板级承载板 ； 无源器 件以及 MEMS光电器件集成 、 多个裸晶互联的玻璃转接板 、 替代覆铜板的玻璃芯有机封装基板 —— 此外，若采用大规格的矩形玻璃作为载体或最终作为中介层，能够在一个载体或中介层中容纳更多芯片，从而提高先进封装的效率。据相关测 算，若基板尺寸从 200mm过渡到300mm，将大约能节省25%的成本，若从300mm过渡到板级，则可实现降本60%以上 ...

全球及中国IC载板市场概况 - 2024年全球IC载板市场增速温和，仅为3.6%，整体营收规模为134.89亿美元 [2] - 预计2025年全球IC载板市场规模将达到148.37亿美元，增长动力来自AI数据中心和边缘AI产品升级带动的ABF载板和高阶BT载板需求提升 [2] - 2024年中国IC载板市场整体营收规模达到10.38亿美元，同比增长34.9%，呈现快速崛起态势 [2] - 中国本土企业目前主要集中在MEMS、RF、存储载板领域，以BT材料为主 [2] - 采用ABF膜的高端FCBGA载板尚未完全释放产量，主要由国际大厂主导，上游ABF膜供应以日本、台湾为主 [2] ABF膜技术特性与国产化进程 - ABF膜是半导体封装领域的高性能绝缘薄膜，结构主要由PET基底薄膜、ABF树脂（包含环氧树脂或聚酰亚胺等聚合物、固化剂、特殊填料等）以及覆盖膜组成 [3] - 国内企业在ABF膜的国产化进程中已取得一定进展，但整体仍处于追赶阶段 [4] - 中国大陆正在开始布局ABF膜领域 [2] 主要企业ABF膜及相关材料研发进展 - 味之素在全球ABF膜市场份额超过95%，持续研发迭代Gx、GZ、CL、GT等系列产品，以提升低介电损耗、低热膨胀系数、高解析度、高耐热性等性能 [6] - 积水化学自研用于FC-BGA基板的积层绝缘膜材料，旨在提供与ABF膜相当或具差异化的性能 [6] - 晶化科技自主研发TBF增层绝缘薄膜，已通过国内外多家封装基板厂验证并形成小批量出货 [6] - 广东伊帕思新材料研发EBF膜、TPF膜，其BT基板材料、BF积层膜及极低损耗高频高速材料性能已达国际领先水平，2024年推出Low-CTE型M8-M9级高性能板材实现AI主板材料突破 [6] - 广东生益科技正研发类ABF积层膜，已在部分国内大型封装基板厂和芯片设计公司进行验证，部分产品或已进入小批量试产阶段 [6] - 宏昌电子材料研发的高频高速树脂获Intel认证，可应用于5G/AI服务器，与晶化科技合作的GBF增层膜已完成样品验证 [6] - 莲花控股计划建设年产2万吨ABF膜的工厂，项目已经立项 [6] 行业重要会议与前沿技术焦点 - 2025年势银异质异构集成年会将于11月17-19日在浙江宁波举办，主题为“聚焦异质异构技术前沿，共赴先进封装芯征程”，旨在助力打造先进电子信息产业高地 [7] - 会议将紧密围绕多材料异质异构集成、光电融合等核心技术，聚焦三维异构集成、光电共封装、晶圆级键合、晶圆级光学、半导体材料与装备、玻璃通孔与扇出型面板级封装等前沿先进封装技术 [7]

玻璃基板的核心优势 - 玻璃基板非常平坦，热膨胀比有机基板更低，简化了光刻工艺，并显著改善了多芯片封装的翘曲问题 [2] - 相对于有机芯基板，玻璃基板为高频高速器件提供了极低的传输损耗 [2] - 玻璃比硅中介层便宜得多，翘曲度降低了50%，位置精度提高了35%，更容易实现线宽和间距小于2微米的重分布层 [2] - 玻璃在通信波长下的透明度使得波导能够嵌入堆叠结构中，用于6G应用，超薄（小于100微米）玻璃可制成700 x 700毫米的大尺寸 [2] - 玻璃介电常数远低于硅（2.8 vs 12），且正切损耗较低，传输损耗比硅低几个数量级，大大提高了信号完整性 [3] - 玻璃的用途灵活，可用作载体、嵌入元件的核心基板、3D堆叠材料，或用于传感器和MEMS的密封腔体，其热膨胀系数可在3至10 ppm/°C之间调整，与硅或PCB兼容性更好 [2] 玻璃在6G及高频应用中的潜力 - 玻璃是6G无线通信网络的理想选择，必须支持>100 GHz的数据速率，堆叠玻璃中的异质集成可将高频前端芯片与低损耗互连集成到大规模天线阵列中 [5] - 佐治亚理工学院的研究展示了在玻璃基板上堆叠2英寸（50 x 50毫米）芯片的工艺，集成菊花链结构，玻璃层间对准度达3微米，电气性能高达220 GHz时损耗仅为0.3 dB [5] - 堆叠玻璃面板采用倒装芯片键合技术，使用激光加工形成用于信号传输和散热的玻璃通孔，填充高达130 µm、间距达100 µm的V形通孔，展现出作为6G应用3D堆叠方法的潜力 [8] 玻璃通孔制造工艺进展 - 激光诱导深蚀刻是玻璃通孔制造的领先工艺，首先对玻璃进行激光改性，使其蚀刻速率比未处理区域高出100倍，然后使用氢氟酸进行湿法蚀刻，可形成小至3µm、间距5µm的通孔 [10] - Yield Engineering Systems开发了自动化湿法蚀刻设备，可处理多达12块510 x 515毫米玻璃面板，在130°C下蚀刻速率高达80µm/小时，能制造纵横比4:1至20:1的通孔 [10][11] - 各公司探索更环保方案，东京大学使用超短脉冲深紫外激光在100µm厚玻璃上加工出6µm宽、25µm间距的孔，最小化热影响，实现精确清洁加工 [13][14] - 高深宽比TGV的深度最大可达260µm，深宽比在20:1至25:1之间 [16] 研发与良率提升技术 - 仿真和原子建模成为预测玻璃基板上界面行为的关键工具，GPU加速和机器学习算法能构建复杂系统的真实模型，为制造提供方向 [18] - Onto Innovation开发了预测良率模型，结合离线量测和机器学习算法，快速减少510 x 515毫米面板上的套刻缺陷，加速FOPLP良率提升 [18][19] - 面板级套刻误差校正有四种方法：全局、基于区域、基于芯片和逐点校正，基于点的校正可在保持高良率的同时减少对产量的影响 [19] - 通过模拟确定最佳工艺参数，并利用图表直方图及早发现叠对问题，加速认证和工艺优化 [21] 玻璃切割与微裂纹防护 - 玻璃切割过程中微裂纹是主要问题，Disco研究表明，双刀片切割比激光单片方法产生更多边缘碎裂但边缘更光滑，层压层能提高芯片强度 [22] - 有限元建模表明，边缘崩裂由切割过程中应力最集中的微观缺陷引起，当叠层延伸到分割区域边缘时会出现SeWaRe缺陷，可通过回拉法移除边缘叠层来消除 [22] - 索尼探索了切割好的基板嵌入有机树脂的新方法，提供边缘保护，该单片玻璃芯嵌入工艺能实现单面加工并提供卓越的基板保护 [24] 玻璃上的混合键合 - 玻璃的平整度和定位精度使其可以进行铜-铜混合键合，玻璃芯基板是对现有材料的补充，可使用二氧化硅电介质制造更小的RDL线路和间距 [26] - 欣兴电子演示了器件与有机芯和玻璃芯基板的倒装芯片键合，混合键合在玻璃上的翘曲度略大于微凸块，但均在可接受范围内，建议键合到高CTE的PCB时使用高CTE玻璃 [26]

**奥特维电话会议纪要关键要点** **一 公司业务与市场表现** * 公司主营光伏设备业务 市场份额维持在70%-80%[12] 上半年光伏订单28.8亿元 预计全年60亿元 虽低于去年90多亿元 但降幅小于行业平均水平[8] * 光伏设备业务上涨主要归因于市场资金流入和硅料涨价[3][4] 7月多晶硅价格再次上涨 促进整个产业链盈利水平提升[5] * 锂电设备市场表现良好 主要由于订单基本面反转 同时叠加高切低及固态进展[6] * 公司已形成半导体完整封装小线 去年订单过亿 今年上半年接近过亿 目标三年内实现10亿订单 对应约2亿元利润[4][20] * 公司布局钙钛矿真空设备 目前尚无强烈订单预期[21] **二 技术发展与订单预期** * 公司增长点得益于串焊机技术改造和海外组件扩产[2] 现有串焊机优势和与隆基 爱旭等合作是增长点[12] * BC电池扩产预计每年50GW 设备单价2,500万-3,000万元/GW 公司若占40%市场份额 每年可增5亿元订单[2][13] * 三分片 四分片技术升级带来市场空间 老款串焊机1,600万元/GW或新款2,000万元/GW 三分片提升50% 四分片翻倍 整个市场可能释放24亿至48亿元空间[13] * 0BB技术带来降本增效潜力 已接50GW改造订单 总价值约四五亿元 新建单吉瓦价值量2,000万至2,500万 总计约10亿元[11] * 若ToB干3.0路线成功实施 大部分存量组件产能将升级LBB 总体释放30~40亿元空间 每年迭代周期预计10~20亿元[11] * 综合新技术迭代 两年内仅串焊机相关新签订单可能接近今年全年60亿元水平 加上其他业务 新签订单总量有望达80-100亿元[17] **三 新业务拓展与进展** * 光模块AOI设备已获应用光电 中际旭创订单超4,000万元 全年预计8,000万-1亿元[2][14] 机器替代人工趋势加速 市场潜力巨大[2] * 该领域主要竞争对手是美国应用材料 其售价约200万元/台 而公司售价110万至130万元/台 毛利率可达50%以上[15] * 固态电池设备主要对接亿里科技 已获5,000万元订单[4] 2026年或达5-10亿元潜在订单[4][16] 受益于亿里科技硫化物电解质技术领先地位[4] * 碟片冷压一体机已送样 正在研发均质一体机和滚压成膜设备[18] 亿里科技计划2025年下半年进行车厂上车试验[18] * 硫化物电解质设备每吉瓦时价值2亿元 在100吉瓦时扩产假设下 公司若获30%份额 对应订单60~70亿元[19] **四 财务数据与市值评估** * 公司今年预计利润为6亿元 明年可能略低于此水平[22] 27~28年的利润中枢有望达到8~10亿元甚至更高[22] * 保守估算光伏相关业务市值120亿元 光模块60亿元 固态50亿元 半导体40亿元 总计250~300亿元 相比当前市值具有较大增长潜力[23] * 新业务拓展顺利以及新能源设备行业高切低属性支持市值评估[23]

大会核心概况 - 会议将于2025年9月25-26日在江苏苏州举办，聚焦半导体产业因工艺逼近物理极限而向“超越摩尔”时代跃迁的背景 [3] - 会议旨在应对5G、AI、HPC、数据中心等领域对高效热管理技术的迫切需求，将先进封装与热管理技术视为突破算力瓶颈的核心引擎 [3] - 大会特设“先进封装产业创新大会”和“高算力热管理创新大会”两大平行论坛，已有40家院校/企业确认演讲 [3] 大会议程与专题设置 - 议程覆盖两大平行论坛下的7大专题，包括先进封装及Chiplet技术、高密度互连、玻璃通孔与面板级封装、芯片热管理关键技术、高导热材料、金刚石产业化及液冷技术 [5][7][9] - 会议日程包括50多场主题演讲，并设有现场技术产品展示和供应链对接环节，预计覆盖超400家产业链企业 [5][7] - 具体技术议题涵盖Chiplet异质异构、TGV玻璃基板、液态金属热界面材料、液冷技术应用案例等产业热点 [3][9] 参会机构与产学研合作 - 大会由启明产链主办，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）和厦门大学协办，甬江实验室支持 [5] - 演讲嘉宾来自学术界与产业界，包括俄罗斯工程院外籍院士、中兴通讯热设计首席专家、联想集团技术院士、华中科技大学教授等 [10][12][17] - 大会特色活动包括1对1 VIP对接、创新产品展示和供需墙发布，旨在搭建产学研平台促进技术融合与上下游合作 [23][24] 产业需求与投资动态 - 会议期间收集的产业需求显示，某金刚石铜、金刚石铝企业需要金额1000万的融资 [24] - 某投资机构基金盘子为3个亿，专注于超硬材料领域，正在寻找需要融资的优秀公司进行对接 [24] - 其他企业需求包括采购高导热陶瓷片、热沉片、微通道散热器、热管理材料等，反映了供应链对高性能散热解决方案的迫切需求 [24]

中介层技术概述 - 中介层从幕后配角成为产业链争夺焦点 承载GPU和存储芯片并实现互联 材料公司 设备公司和台积电 英伟达等巨头均聚焦于此 [1] - 行业形成两条发展脉络 一是Resonac牵头27家全球材料 设备 EDA巨头组成JOINT3联盟开发面板级有机中介层 二是英伟达推动SiC中介层 台系厂商加码突破功耗与散热极限 [1] 中介层定义与功能 - 中介层是位于芯片与封装基板之间的中间层结构 在先进封装中扮演桥梁角色 连接逻辑芯片与存储芯片 负责高密度互连 供电分布和信号传输 [3] - 主要分为硅中介层和有机中介层两类 硅中介层亦称无机中介层 有机中介层也叫RDL再布线层 [5] 硅中介层发展历程 - 台积电在2000年代末至2010年初率先提出并量产CoWoS工艺 利用硅中介层加TSV硅通孔实现GPU与HBM高带宽互连 [6] - 2012年台积电为赛灵思生产的Virtex-7 FPGA商用上市 成为首个大规模应用硅中介层的产品 奠定其在高性能计算封装中的地位 [6] 有机中介层兴起背景 - 硅中介层制造成本高 良率有限 AI/HPC芯片面积增大导致硅圆片切割损耗严重 市场需要更经济的大规模量产方案 [6] - 有机中介层工艺相对简单 材料和设备成本低 生产成本显著低于硅中介层 但布线精细度不足 线宽线距较大 难以支撑极高密度互连 [6] JOINT3联盟战略布局 - Resonac瑞萨牵头成立27家成员组成的JOINT3联盟 覆盖半导体封装全产业链 包括应用材料 Lam TEL Synopsys 佳能 Ushio 3M AGC 古河电工等 [8] - 联盟在日本茨城县设立高级面板级中介层中心APLIC 计划2026年运营 重点开发515×510mm面板级有机中介层 [11] 面板级生产优势 - 300mm圆片面积约70,685mm² JOINT3面板级目标515×510mm约262,650mm² 单板面积为300mm圆片的3.7倍 有效构图面积显著更大 [12] - 面板级生产可显著提升产能利用率 降低成本 解决硅中介层因尺寸增大导致的几何损耗问题 边角浪费和步进曝光次数上升推高单位良品成本 [11] 市场驱动因素 - 2.5D/3D封装需求飙升 AI/HPC芯片加HBM堆叠成为主流 需要更大面积 更高互连密度的中介层 [15] - Resonac通过JOINT3搭建跨国跨环节的先进封装共研平台 产业协同成为关键 单一企业难以独立突破 需以联盟方式推动事实标准 [15] SiC中介层发展动态 - 英伟达下一代Rubin GPU评估将GPU与HBM互联基底从传统硅中介层换成SiC中介层 以进一步提升效能 [17] - 碳化硅中介层需使用高绝缘单晶碳化硅 与车用功率器件衬底不同 带来新的工艺挑战 [19] 硅中介层优劣分析 - 优势包括工艺成熟 技术路径清晰 是台积电CoWoS 英特尔EMIB等2.5D/3D封装主流方案 在亚10µm互连和多层TSV工艺上积累深厚 [22] - 劣势包括GPU加HBM封装面积增大导致硅晶圆几何损耗问题突出 产能利用率下降 成本急剧上升 硅导热性能有限成为高功耗AI芯片瓶颈 [22] 有机中介层优劣分析 - 优势包括可采用面板级生产PLP大幅提高产能利用率和单片尺寸利用率 显著降低成本 材料配方灵活 层数和布线可根据系统需求定制 [23] - 劣势包括材料热膨胀系数CTE与硅存在差异 翘曲与可靠性问题需长期验证 电性能相比硅存在一定差距 [23] SiC中介层优劣分析 - 优势包括导热性极佳甚至超过铜 能承受未来AI/HPC芯片极端电流与功耗需求 是突破散热瓶颈的关键材料 具备良好电绝缘性支持更紧密的GPU加HBM集成 [24] - 劣势包括制造难度极高 硬度接近钻石导致切割工艺复杂 必须实现≥12寸大尺寸晶圆兼容硅工艺 产业链尚在攻关中 产能和成本仍是巨大挑战 [24] SiC中介层技术挑战 - 碳化硅硬度接近钻石 传统切割方法容易出现波浪纹 日本DISCO正在研发专用激光切割机台 [25] - 为兼容硅工艺需达到12寸以上晶圆 但目前多数中国厂商仍停留在6/8寸阶段 量产能力有限 [25] 性能需求驱动 - 未来高性能芯片设计功耗可能突破1000V 特斯拉快充电压仅350V 极端电流对中介层承载力提出前所未有挑战 [25] - Si导热能力有限难以满足极端电流下的热管理需求 SiC导热系数超过铜能显著缓解芯片运行高热压力 [25] - Rubin依赖NVLink技术要求GPU与HBM紧密耦合实现最大带宽和最低延迟 SiC因优越绝缘性和散热性成为几乎唯一解决方案 [25] 技术发展时间线 - 短期1-2年硅中介层仍是市场主流 支撑AI/HPC量产 中期3-5年有机中介层凭成本与规模优势在HPC与AI训练芯片中大规模落地 [26] - 长期5年以上碳化硅中介层一旦突破量产瓶颈 或将成为最尖端AI/HPC封装的标准配置 [26] 产业竞争格局 - 日本JOINT3代表合作造标准路径 英伟达推动SiC中介层是应用驱动新材料典型 两条路线殊途同归 中介层将决定未来AI芯片性能极限 [28] - 硅 有机 碳化硅中介层各有优劣 未来十年大概率形成分工互补格局 [28]

大基金概况 - 大基金一期2014年成立 注册资本987亿元 实际到账约1200亿元[3] - 大基金二期2019年成立 注册资本2042亿元 实际到账约2200亿元[3] - 一二期资金重点投向晶圆制造环节 包括中芯国际、华虹华力、燕东微、士兰微、长江存储、长鑫存储等企业[3] 投资策略 - 投资方式包括直接投资和组建合资公司 在多个城市落地产线或投资子公司/产线[3] - 中芯国际上市主体吸收合并中芯北方部分目的是帮助大基金退出[4] - 封装环节投资企业包括通富微电、长电科技、华天科技[5] - 2014和2019年中国半导体行业多个环节基础薄弱 设备材料零部件国产化率极低[6] - 投资策略聚焦补最大短板（制造环节）和投资最大长板（芯片设计环节）[7] - 除制造环节外 还布局芯片设计、IP、EDA及半导体设备材料零部件[6] 基金管理架构 - 管理人华芯投资2014年专门为管理大基金设立 第一大股东国开金融隶属国开行[9] - 大基金一期财政部出资占比36%为国开行22% 二期财政部占11.02%国开行占10.78%[9] - 管理人同时担任重要LP 与市场化基金1%或0.5%的管理人出资比例形成对比[10] - 大基金一期担任十余个市场化半导体基金LP 包括华登国际、芯动能、中芯聚源等机构[10] - 二期投资能力成熟 2200亿元资金完全由华芯单独管理 未设立子基金[10] 管理演变与影响 - 一期通过合作市场化基金防控风险 共同挖掘项目并分担责任[10] - 二期出现严重腐败问题 牵连已投企业 导致三期推出周期延长[11] - 三期设置更严格风控措施和差异化出资人及管理人构成[11]

财务表现 - 上半年营收2.10亿元 同比增长32.91% [1] - 净利润1087.64万元 同比增长562.05% [1] - 毛利率较高的智能卡一站式服务订单占比提升 [1] 主营业务发展 - 智能卡业务稳健增长 产品外销占比长期超过60% [1] - 全球智能卡市场存在结构性增长机遇 东南亚/中东/非洲地区潜力显著 [1] - 与国际头部企业THALES、IDEMIA建立长期合作关系 [1] 新兴业务进展 - 半导体封装材料订单同比增长145.28% [2] - 铜针式散热底板完成技术研发与产线建设 [2] - 产品结构向IGBT与SiC功率模块封装材料升级 应用于新能源汽车/充电桩/AI领域 [2] 技术研发突破 - 液冷板在结构一体化/导热效率/耐压性能方面具竞争优势 [2] - 热管理产品面向AI服务器/高性能计算等高散热需求场景 [2] - 相关产品通过多轮技术验证并获部分客户样品测试认证 [2] 产业链布局 - 实现芯片应用研发至终端应用的全产业链覆盖 [1] - 实施延伸产业链、拓展新领域发展战略 [2] - 半导体封装与数字能源热管理业务成为新增长动力 [2]