财务业绩表现 - 2025年第三季度实现营收26.81亿元，同比增长31.40%，环比增长19.64% [1] - 2025年第三季度实现归母净利润5.08亿元，同比增长61.13%，环比增长48.97% [1] - 2025年第三季度实现扣非归母净利润4.98亿元，同比增长63.71%，环比增长55.25% [1] - 2025年第三季度毛利率为40.72%，同比下降1.05个百分点，但环比提升3.71个百分点 [2] - 2025年第三季度净利率为19.27%，同比提升3.83个百分点，环比提升3.74个百分点 [2] 业务驱动因素 - 消费、工业、汽车等领域需求增长，与公司多元化产品矩阵形成有效协同，推动收入快速增长 [2] - DRAM行业供给格局持续改善，形成价量齐升的良好态势 [2] - 海外大厂加快淡出利基型DRAM市场，导致市场供不应求，公司利基型DRAM产品量价齐升，毛利率季度环比改善明显 [3] - 公司积极推进下一代工艺制程产品开发和导入，新制程产品明年量产有望进一步打开产能 [3] 产品与技术进展 - 公司控股子公司青耘科技的定制化存储业务在AI手机、AI PC、汽车、机器人等领域客户拓展进展顺利 [3] - Nor Flash方面，消费市场需求旺盛和工业回暖导致上游晶圆制造产能持续紧张，价格有望呈温和上涨趋势 [4] - 公司45nm NOR Flash产能持续爬坡，预计于2026年补齐产品线，32Mb及以上容量将实现45nm产品量产 [4] - 45nm产品相较于55nm产品芯片面积缩减约20%，可通过成本下降提升竞争力 [4] - 公司致力于提升45nm Nor Flash产品品质至工业级和汽车级标准，以实现更广泛应用 [4] 市场与增长前景 - 随着占大部分份额的厂商减产甚至停产，将为其他供应商带来多倍增长空间 [3] - 得益于在Nor Flash的产品组合及品牌口碑，公司产品在服务器市场高速发展期成为客户首选，有望在服务器领域维持长期高速增长 [4] - 公司上调2025-2027年归母净利润预测至17.01亿元、23.22亿元、30.29亿元 [5]

投资评级与目标 - 报告对兆易创新的投资评级为“强推”，并予以维持 [2] - 目标股价为278.36元，相较于当前价246.95元存在约12.7%的上涨空间 [4] 2025年第三季度业绩表现 - 2025年第三季度实现营业收入26.81亿元，同比增长31.40%，环比增长19.64% [2] - 2025年第三季度实现归母净利润5.08亿元，同比增长61.13%，环比增长48.97% [2] - 2025年第三季度毛利率为40.72%，环比提升3.71个百分点；净利率为19.27%，环比提升3.74个百分点 [8] 财务预测与估值 - 预测公司2025年至2027年归母净利润分别为17.01亿元、23.22亿元、30.29亿元，对应同比增速为54.2%、36.5%、30.4% [4] - 预测公司2025年至2027年每股收益分别为2.55元、3.48元、4.54元 [4] - 基于2026年预测业绩，给予80倍市盈率，得出目标价 [8] 核心业务驱动因素 - 利基型DRAM市场因海外大厂减产而呈现供不应求，公司产品量价齐升，毛利率季度环比改善明显 [8] - 公司积极推进下一代工艺制程产品开发和导入，新制程产品量产有望进一步打开产能，提升市场份额 [8] - 定制化存储业务在AI手机、AI PC、汽车、机器人等领域客户拓展顺利，公司具备显著先发优势 [8] Nor Flash业务展望 - Nor Flash价格有望呈温和上涨趋势，受益于消费市场需求旺盛和工业回暖导致的供给紧张 [8] - 公司45nm NOR Flash产能持续爬坡，预计2026年补齐产品线，芯片面积较55nm产品缩减约20%，成本竞争力提升 [8] - 公司Nor Flash产品在服务器市场成为客户首选，有望维持高速增长 [8]

公司市场地位 - NOR Flash全球市场份额约为20%，连续两年排名第二，预计今年将维持第二名位置 [1] - 公司坚持以提升市占率为核心目标 [1] 业务发展策略 - 在定制化存储方面，积极与逻辑芯片客户合作，覆盖多种端侧应用，已有项目落地 [1] - 持续构建产品力护城河，今年新产品收入贡献有望达到10%以上，未来该比例将继续提升 [1] - 持续加强在汽车MCU领域的资源投入和能力提升 [1]

行业与公司 * 行业涉及AI端侧技术 包括AI手机 AI PC 智能汽车 以及NPU和定制化存储芯片领域[1] * 公司提及小米 荣耀 联想 晶晨股份 瑞芯微 高通 联发科 兆易创新 美光 三星 海力士等企业[15] 核心观点与论据 AI端侧技术发展 * AI端侧技术赋能移动设备实现本地AI大模型运行 保障数据隐私与低延时交互 需强大本地计算能力和多模态内容处理能力[1] * AI端侧芯片研究集中在NPU和定制化存储方向 通过3D堆叠提升存储带宽支持NPU高效运行[2] * 端侧设备包括AI手机和AI PC 需要先进工艺和架构平台支持如NPU和高带宽内存[3] AI手机市场前景 * AI手机通过预训练生成式AI模型重塑用户体验 预计2028年全球出货量将达54% 中国市场2027年有望达1.5亿部[1][5] * 因高端手机利润率高且能承受硬件成本增加 AI功能先落地高端市场后渗透中低端市场[1][5] AI PC发展趋势 * AI PC作为C端核心载体融合算力平台 个人大模型与应用 保护用户数据隐私[1][6] * AI PC渗透率将持续提升 带动PC平均售价增长 集成NPU的PC预计溢价10%-15%[1][6] * 厂商如联想重点推广独立NPU方案确保产品竞争力[6] 智能汽车需求 * 智能汽车座舱域离线小模型部署增加对NPU及定制化存储需求[1][7] * 独立NPU确保车辆在无信号覆盖场景下的大模型推理与交互 需标配独立NPU或端侧大模型[1][7] NPU技术优势与发展 * NPU是专为AI设计的芯片 在异构计算中与CPU GPU协同最大化生成式AI终端用户体验[1][8] * NPU性能指标包括TOPS和内存带宽 已广泛应用于手机 PC和汽车等领域[9] * NPU当前以集成式存在 分立式NPU方案成为行业探索重点 可提升算力并优化终端续航[3][10] * 未来旗舰手机和高端PC市场分立式NPU出货量预计达1.2亿颗 加上汽车市场将进一步增长[3][11] 定制化存储作用与市场 * 定制化存储是实现最佳NPU性能的关键 通过3D堆叠提高带宽和容量 适配端侧和云端推理[3][12] * 数据带宽较传统DDR产品数量级提升 功耗低适合电池续航载体[13] * 预计未来两到三年市场规模达20-30亿美元 随分立式NPU渗透进一步扩容[3][13][14] * 华邦Qube对标HBM2 兆易创新产品对标HBM2E并接近HBM3能力[13] 竞争格局 * 国内小米 荣耀 联想 晶晨股份 瑞芯微布局NPU方案 海外有高通和联发科[15] * 定制化存储领域兆易创新依托长鑫代工技术领先友商两到三年 与高通联发科深度合作 有望成为龙头企业[15] * 美光 三星 海力士等传统DRAM厂商也参与定制化存储市场[15]

行业整体趋势 - 2025年以来，生成式人工智能和大型语言模型商业模式日趋成熟，核心硬件需求持续提振，半导体存储行业稳步上行，有望迎来价量齐升 [1][2] - 维持行业强于大市的评级 [1][2] 需求驱动因素 - 国内互联网企业大力增加资本支出加码AI投入，阿里25Q2“AI+云”资本支出达386亿元，未来三年将在云和AI硬件基础设施上投入超3800亿元 [3] - 百度25Q2资本开支达38亿元，同比增速近80%，腾讯25Q2资本开支同比增长翻倍至191.07亿元 [3] - AI应用加速渗透，基础设施建设持续扩张，海量数据对存储需求与日俱增，企业级存储应用具备较高潜力 [3] DRAM市场动态 - 受DRAM原厂停产旧制程产品（EOL通知）影响，DDR4、LPDDR4X价格大幅上涨 [1][4] - 25H2 DRAM市场或迎来全面涨价，行业25Q4有望实现20%-50%季度环比涨幅 [1][4] - 南亚科25Q3合约价环比大涨70%，25Q4环比上涨50%，华邦电25Q3环比上涨60%，25Q4再涨20% [4] - 华邦电25Q4合约价相较于25Q2低谷，涨幅高达80%-90% [4] NAND与整体存储市场 - 企业级备货叠加手机新品需求，NAND涨价情绪日益高涨 [3] - CFM闪存市场预计25Q4存储市场或将迎来价格普涨行情，主要聚焦企业级和手机市场 [3] - 25Q4企业级存储价格或将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格亦有望小幅上扬 [3] 利基与细分存储市场 - 2025年以来，台股三大利基存储厂商旺宏、华邦电、南亚科合计营收大体呈现逐月攀升 [5] - NOR Flash方面，AI数据中心需求增加及车用市场回暖使供需趋于健康，25Q4价格有望调升至双位数百分比，或延续至2026年 [5] - 利基DRAM方面，海外大厂淡出导致市场供不应求，产品价格持续上涨，紧缺预计持续全年 [5] - 定制化存储随着初代产品推出和落地正逐步发力，堆叠方案在端侧应用有望规模化 [5] 投资关注方向 - 建议关注利基存储相关公司：兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份 [6] - 建议关注模组厂相关公司：开普云、江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创 [6] - 建议关注存储配套芯片相关公司：澜起科技、联芸科技 [6]

核心观点 - DRAM和NAND存储市场因供需格局变化及AI基础设施建设推动 价格呈现全面上涨趋势 行业景气度持续提升 [1][2][3][4] DRAM市场行情 - DDR4和LPDDR4X价格因原厂停产旧制程产品大幅上涨 25Q4行业预计实现20%-50%季度环比涨幅 [1][3] - 南亚科25Q3合约价环比大涨70% 25Q4预计环比上涨50% 华邦电25Q3环比涨60% 25Q4再涨20% [1][3] - 华邦电25Q4合约价较25Q2低谷涨幅高达80%-90% 利基DRAM产品紧缺预计持续全年 [3][4] NAND市场动态 - 企业级存储和手机嵌入式存储价格预计上涨 25Q4企业级存储价格或实现个位数涨幅 手机存储价格小幅上扬 [2] - 国内互联网企业加大AI基础设施投入 阿里25Q2"AI+云"资本支出达386亿元 未来三年计划投入超3800亿元 百度25Q2资本开支同比增近80%至38亿元 腾讯25Q2资本开支同比增长翻倍至191亿元 [2] 细分存储市场表现 - NOR Flash市场因AI数据中心需求增加及车用市场回暖 供需趋于健康 25Q4价格有望调涨双位数百分比 或延续至2026年 [4] - 利基DRAM因海外大厂淡出导致供不应求 台股厂商旺宏/华邦电/南亚科合计营收逐月攀升 [4] - 定制化存储通过堆叠方案在端侧应用逐步规模化 具备先发优势的公司有望受益 [4] 行业投资方向 - 建议关注利基存储厂商兆易创新 普冉股份 聚辰股份 东芯股份 [5] - 模组厂开普云 江波龙 德明利 佰维存储 香农芯创及存储配套芯片厂商澜起科技 联芸科技被列为重点关注对象 [5]

核心观点 - 半导体存储行业在生成式人工智能和大型语言模型发展的推动下稳步上行，预计迎来价量齐升行情，其中NAND和DRAM价格普涨，利基存储和定制化存储需求显著增长 [2][5] - 利尔化学2025年上半年业绩大幅改善，营收同比增长35.36%，归母净利润同比增长191.21%，主要受益于部分农药产品价格回暖和销量提升，外销收入表现亮眼 [2][9] 存储行业分析 - 企业级存储需求旺盛，国内互联网公司加大AI基础设施投入：阿里25Q2"AI+云"资本支出达386亿元，未来三年计划投入超3800亿元；百度25Q2资本开支同比增近80%至38亿元；腾讯25Q2资本开支同比翻倍至191.07亿元 [5] - NAND存储价格预计25Q4普涨，主要受企业级备货和手机新品需求推动，企业级存储价格预计个位数涨幅，手机嵌入式存储价格小幅上扬 [5] - DRAM市场景气度持续提升，DDR4和LPDDR4X价格因原厂停产旧制程产品大幅上涨，25Q4预计环比涨幅20%-50%：南亚科25Q3合约价环比涨70%，25Q4环比涨50%；华邦电25Q3环比涨60%，25Q4再涨20%，较25Q2低谷涨幅达80%-90% [6] - 利基存储市场供需格局改善：NOR Flash因AI数据中心和车用市场需求回暖，25Q4价格预计调涨双位数百分比并延续至2026年；利基DRAM因海外大厂淡出导致供不应求，涨价趋势预计持续全年 [7] - 端侧定制化存储需求崛起，堆叠方案在端侧应用逐步规模化，具备先发优势的公司有望受益 [7] 利尔化学业绩表现 - 2025年上半年营业总收入45.07亿元，同比增长35.36%；归母净利润2.71亿元，同比增长191.21%；扣非归母净利润2.72亿元，同比增长241.02% [9] - 第二季度营收24.21亿元，同比增长24.87%，环比增长16.05%；归母净利润1.18亿元，同比增长160.75%，环比下降23.22% [9] - 中期分红方案为每10股派现2元（含税），分红比率59.17% [9] - 农药原药业务收入同比增62.67%至27.57亿元，毛利率提升0.45个百分点至17.57%；农药制剂业务收入同比增12.49%至9.60亿元，毛利率提升3.17个百分点至20.54% [10] - 外销收入同比增69.43%至23.45亿元，内销收入同比增11.12%至21.62亿元 [10] - 整体毛利率18.53%，同比提升1.43个百分点；期间费用率优化，销售/管理/研发费用率分别下降0.21/1.79/1.37个百分点，财务费用率因汇兑收益减少上升0.40个百分点 [11] - 精草铵膦产能持续扩张，湖北利拓10000吨/年精草铵膦原药及配套工程项目稳步推进 [12] 市场指数表现 - 上证综指收盘3821.83点，跌0.18%；深证成指收盘13119.82点，跌0.29%；沪深300收盘4519.78点，跌0.06%；创业板指收盘3114.55点，涨0.21% [3] - 行业表现分化：银行涨1.52%、煤炭涨1.11%、电力设备涨0.43%；社会服务跌3.11%、商贸零售跌2.90%、计算机跌2.39% [4] 月度金股组合 - 9月金股组合包括京沪高铁、桐昆股份、雅克科技、宁德时代、恒瑞医药、三友医疗、北京人力、菲利华、兆易创新、鹏鼎控股 [4]

行业投资评级 - 存储行业评级为强于大市 行业在需求推动下有望迎来价量齐升 [1] 核心观点 - 生成式人工智能和大型语言模型发展推动半导体存储行业稳步上行 需求致行业价格普涨 [1] - AI端侧存储解决方案加速迭代 定制化存储逐步发力 [1][27] - 企业级存储和手机嵌入式存储价格预计上涨 25Q4企业级存储价格或实现个位数涨幅 手机嵌入式存储价格小幅上扬 [5][14] - DRAM市场迎来全面涨价 25Q4行业有望实现20%-50%季度环比涨幅 [5][18] - 利基存储市场供需格局变化 海外大厂淡出导致供不应求 产品价格持续上涨 [24] 需求与价格趋势 - 国内互联网企业加大AI投入 阿里25Q2"AI+云"资本支出达386亿元 未来三年投入超3800亿元 百度25Q2资本开支38亿元同比增近80% 腾讯25Q2资本开支191.07亿元同比增长翻倍 [5][10] - 25Q4存储市场或迎价格普涨 企业级存储价格个位数涨幅 手机嵌入式存储小幅上扬 [5][14] - DRAM价格指数上涨约72% NAND价格指数处于低位 两大指数差拉大 [15] - 服务器eSSD需求显著增长 25Q2前五大品牌厂营收合计51亿美元季增12.7% [10] - 手机存储容量提升 iPhone 17全系列以256GB起步 Pro Max新增2TB版本 [13] 细分市场动态 - NOR Flash价格25Q4有望调涨双位数百分比 或延续至2026年 25Q3中国市场已调涨5%-10% [23][24] - 利基DRAM价格持续上涨 兆易创新预计紧缺持续全年 [24] - 台股利基存储厂商旺宏、华邦电、南亚科合计营收逐月攀升 2025年8月合计163.32亿新台币同比增30.70% 南亚科8月营收67.63亿新台币同比增141.32% [20] - 存储厂商报价上涨 南亚科25Q3合约价环比涨70% 25Q4环比涨50% 华邦电25Q3环比涨60% 25Q4再涨20% 25Q4合约价较25Q2低谷涨幅达80%-90% [5][18] 技术发展与投资机会 - 定制化存储在端侧应用逐步规模化 堆叠方案有望深度受益AI浪潮 [27] - 美光退出移动NAND市场 停止UFS 5.0开发 为国产厂商带来机遇 [13] - HBM和3D DRAM成为下一代内存技术方向 突破带宽瓶颈 [26] - 投资建议关注利基存储（兆易创新、普冉股份、聚辰股份、东芯股份）、模组厂（开普云、江波龙、德明利、佰维存储、香农芯创）、存储配套芯片（澜起科技、联芸科技） [3][28]

行业趋势与市场动态 - 隔夜美股存储公司大幅上涨 美光科技和闪迪涨幅超5% 西部数据涨幅超4% 均创历史新高 [1] - SK海力士高层强调AI订单将持续增长 2030年前行业有望保持高速增长 [1] - 全球DRAM市场规模持续扩张 HBM出货动能强劲 受益于AI算力需求增长 [1] - 三大原厂DDR4停产导致利基DRAM供给缺口持续存在 [1] 技术发展与创新 - 高密度DRAM架构成为长期解决方案 头部厂商持续升级DRAM制程 [1] - 平面制程接近物理极限 3D DRAM成为新发展方向 [1] - 4F2结构是单元垂直化关键技术 三星开发垂直通道晶体管DRAM SK海力士推进垂直栅极DRAM [1] 定制化存储应用 - 定制化存储成为端侧AI优选方案 南亚科目标2025年底完成验证 2026年导入量产 [2] - 应用领域涵盖AI服务器 AIPC AI手机 AI机器人与AI汽车 [2] - 兆易创新子公司青耘科技提供定制化解决方案 在AI手机 AIPC 汽车 机器人等领域客户拓展顺利 [2] 产业链相关公司 - HBM产业链涉及壹石通 联瑞新材 [3] - 存储芯片领域包括恒烁股份 佰维存储 江波龙 德明利 [3]

HBM市场增长前景 - 全球HBM市场规模预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元 年复合增长率达33% [1] - HBM解决带宽瓶颈 功耗过高及容量限制问题 成为AI芯片主流选择 [1] - SK海力士2025年出货全球首批HBM4样品 三星计划2025年底实现HBM4量产 美光计划2026年推出HBM4 [1] 3DDRAM技术发展 - 3DDRAM通过垂直化架构突破传统制程极限 成为高密度DRAM长期解决方案 [2] - 三星开发垂直通道晶体管(VCT)DRAM SK海力士推进垂直栅极(VG)DRAM 均采用4F2核心技术架构 [2] - 3DDRAM工艺流程中图形化步骤精简 高难度蚀刻/沉积工序增加 产业价值从光刻设备向蚀刻 沉积环节迁移 [2] 键合技术市场机遇 - 3DDRAM增加晶圆对晶圆(W2W)键合需求 bonder市场规模预计从2025年1000亿日元增至2030年3000亿日元 [3] - HBM4(12层)和HBM4e(16层)可能2026年开始采用W2W键合 2028年HBM5(20层)起W2W或成主流 [1] 中国厂商发展机遇 - 中国大陆光刻资源受限 3DDRAM更倚重蚀刻 薄膜 键合等技术而非EUV 中国厂商或有望实现弯道超车 [4] - 长鑫采用横向堆叠方式简化垂直整合工艺 外围电路通过混合键合整合 整体思路与早期3D NAND类似 [4] - 2024年海力士展示5层堆叠3DDRAM原型产品良率达56.1% 美光拥有多项3DDRAM专利 [4] 定制化存储应用进展 - 定制化存储成为端侧AI优选方案 华邦CUBE具有高带宽 低功耗特性 首批导入国外穿戴类设备 [5] - 南亚科定制化存储目标2025年底完成验证 2026年导入量产 应用涵盖AI服务器 AIPC AI手机等 [5] - 兆易创新子公司青耘科技为AI手机 AIPC 汽车等领域提供定制化解决方案 客户拓展进展顺利 [6]