全球晶圆代工市场第一季度表现 - 全球前十大晶圆代工厂第一季度合计营收为364亿美元，季减5.4%，优于预期[1] - 台积电以67.6%的市占率稳居第一，营收255亿美元，季减5%[1] - 三星代工部门营收28.9亿美元，季减11.3%，市占降至7.7%[1] - 中芯国际营收22.5亿美元，季增1.8%，排名第三[2] - 联电营收17.6亿美元，季减5.8%，排名第四[2] - 格罗方德营收15.8亿美元，季减13.9%，市占缩减[2] - 华宏集团营收10.1亿美元，季减3%，排名第六[2] - 世界先进营收3.63亿美元，季增1.7%，排名上升至第七[2] - Tower Semi营收3.58亿美元，季减7.4%，排名第八[3] - 晶合国际营收3.53亿美元，季增2.6%，排名第九[3] - 力积电营收3.27亿美元，季减1.8%，排名第十[3] 市场驱动因素 - 美国新关税政策引发的提前备货和中国旧换新补贴政策推动急单涌入[1] - AI及HPC需求稳定，抵消智能手机备货淡季的影响[1] - 中国消费补贴政策对部分厂商形成支撑，如中芯国际、世界先进等[2][3] - 下半年智能手机新品上市前备货将陆续启动[1] 各厂商表现分析 - 台积电受益于AI及HPC订单需求稳定，市占率进一步提升[1] - 三星因美国先进制程禁令限制中国客户投产，营收下滑明显[1] - 中芯国际受惠于关税提前备货和中国消费补贴，营收逆势增长[2] - 联电因年度一次性调价导致ASP下滑，但出货量保持稳定[2] - 格罗方德未受惠于中国补贴政策，淡季因素导致营收大幅下滑[2] - 华虹集团通过低价策略吸引客户投片，维持营收水准[2] - 世界先进产能利用率优于以往淡季表现[2] - Tower Semi明显受到季节性因素冲击[3] - 晶合国际和力积电均受益于中国补贴政策催化的消费性急单[3]

星链卫星坠落现象 - 研究小组发现卫星坠落与太阳活动存在明确关联，太阳活跃度增强显著影响卫星坠入大气层[2][3] - 2020年仅坠落2颗卫星，2021年飙升至78颗，2022年99颗，2023年88颗，2024年316颗，累计损失583颗卫星[3] - 70%卫星在中等和弱磁暴期间坠落，因持续时间更长缓慢"侵蚀"轨道[4] 太阳活动对卫星影响机制 - 太阳活动周期约11年，黑子增多引发爆炸和耀斑，太阳风喷发物质引发磁暴[4] - 磁暴加热上层大气导致膨胀，卫星飞行阻力增加50%，无法维持轨道高度[4] - 2022年2月地磁暴导致SpaceX一次性损失40颗新发射卫星[4] 星链项目发展现状 - 计划由4.2万颗卫星组成，总投资约300亿美元（不含维护费用）[5][6] - 截至2025年全球用户突破500万，覆盖航空/海运/偏远地区互联网[6] - 2023年10月推出直连手机业务，计划2024-2025年实现短信/通话/上网功能[6] SpaceX经营数据 - 2024年营收预计达155亿美元（约1114亿元人民币），较2022年46亿美元增长237%[8] - 2024年商业航天收入预计超过NASA预算11亿美元[8] - 2024年完成134次火箭发射创纪录（猎鹰9号132次/重型猎鹰2次），计划年内增至170次[9] 技术进展与产能规划 - 猎鹰火箭实现第13次回收复用，单次发射24颗极地轨道卫星[9] - 计划年产1000艘星际飞船（日均3艘），建造世界最大组装厂房[8] - 极地轨道部署将覆盖阿拉斯加/加拿大北部等原未覆盖区域[9]

美国总统川普中东之行与AI合作 - 川普中东之行获得沙乌地阿拉伯6,000亿美元军购订单，伊朗宣布永不制造核武，哈玛斯交出加萨控制权 [1] - 与阿拉伯联合大公国达成初步协议，允许阿联自2025年起每年进口50万颗NVIDIA最先进AI芯片，促成NVIDIA与G42等国有企业签署数十亿美元合约 [1] - 美国政府评估向中东供应高阶芯片是否构成向中国间接技术转移风险，尤其涉及NVIDIA Hopper系列AI加速器 [1] NVIDIA在中东的AI布局 - NVIDIA主导阿联酋「星际之门」计划，预计部署10万颗芯片，围绕GB300 Blackwell AI丛集建置 [2] - 沙乌地阿拉伯等国与HUMAIN AI等企业合作推动AI发展，依赖石油财富投资AI基础设施，但高度依赖美国技术 [2] - 美国可能施加限制，包括禁止AI园区使用中国技术或禁止中国AI人才参与，若中东国家无法配合，交易可能终止 [2] 其他行业动态 - 芯片巨头市值大跌，黄仁勋称HBM为技术奇迹 [5] - Jim Keller认为RISC-V将胜出，全球市值最高10家芯片公司名单公布 [6]

光子芯片技术突破 - 首片6寸薄膜铌酸锂光子芯片晶圆在国内首个光子芯片中试线下线，实现超低损耗、超高带宽的高性能薄膜铌酸锂调制器芯片的规模化量产，关键技术指标达到国际先进水平 [2] - 这一突破标志着我国在高端光电子核心器件领域完成从"技术跟跑"到"产业领跑"的历史性跨越 [2] - 光量子芯片是光量子计算的核心硬件载体，其产业化进程将推动我国在量子信息领域实现自主可控 [4] 工艺与制造能力 - 上海交大无锡光子芯片研究院于2022年12月启动国内首条光子芯片中试线建设，2024年9月正式启用 [6] - 引进110余台国际顶级CMOS工艺设备，覆盖薄膜铌酸锂晶圆全闭环工艺 [6] - 实现晶圆级光子芯片集成工艺突破，解决纳米级加工精度控制、薄膜沉积均匀性保证、刻蚀速率一致性调控等三大难题 [6] - 在6寸铌酸锂晶圆上实现110nm高精度波导刻蚀，达到顶尖制程水平 [7] 性能指标与量产能力 - 调制带宽突破110GHz，突破国际高速光互连带宽瓶颈 [9] - 插入损耗＜3.5dB，波导损耗＜0.2dB/cm，显著提升光传输效率 [9] - 调制效率达到1.9 V·cm，电光转换效率实现大幅优化 [9] - 中试线平台具备年产12000片晶圆的量产能力 [9] 产业生态与服务 - 将发布PDK工艺设计包，集成无源耦合器、分束器、波导阵列和有源热相移器、电光调制器等基础元件模型 [9] - 提供从概念设计到流片验证再到量产的服务体系，显著缩短研发周期 [9] - 开放DUV光刻、电子束刻蚀等110台套核心设备，提供覆盖芯片设计、流片代工到测试验证的闭环服务 [11] - 构建"平台+孵化+基金"三位一体的光子芯片工研院模式 [11] 应用场景与战略意义 - 高性能薄膜铌酸锂调制器能支撑云计算、超算中心和5G/6G基础设施的场景需求 [14] - 基于该技术的光计算芯片实现高并行、低延迟、低功耗的AI推理与训练计算架构，破解AI大模型训练的算力困局 [14] - 薄膜铌酸锂光子芯片为未来实用化量子计算提供坚实基础，加速推动光量子计算向实用化、规模化阶段迈进 [15] - 未来将建设具备稳定量产能力的晶圆级光子芯片产线，打造全球最大规模的光子芯片产业基地 [15]

高通收购Alphawave交易 - 高通宣布以每股183便士现金收购Alphawave，总价约24亿美元，较未受影响日收盘价94便士溢价96% [1] - Alphawave股东可选择将股票兑换为0.01662股高通股票，董事会已一致推荐该交易 [1] - Alphawave于2021年IPO发行价为每股410便士，但股价长期低于该水平 [1] 收购战略价值 - Alphawave拥有高速SerDes IP技术，对AI处理器和数据中心应用至关重要 [1][2] - Arm曾考虑收购Alphawave获取SerDes技术，但最终放弃 [1] - 高通计划开发自研数据中心处理器，收购将显著提升其芯片设计能力并缩短产品上市时间 [2] 行业竞争格局 - SerDes领域领先企业包括博通和美满科技，已吸引谷歌、OpenAI等大客户 [2] - 英伟达也具备SerDes技术，计划通过定制芯片计划向第三方授权 [2] - Alphawave在中国业务涉及芯潮流科技，该公司专注高速SerDes IP研发及芯片定制服务 [3] 公司业务背景 - Alphawave生产高速半导体和连接技术，应用于数据中心和AI领域 [1] - 公司拥有系列授权IP组合，具备打造数据中心级处理器的潜力 [2] - 业务增长动力来自ChatGPT等AI产品需求 [1]

访问量突破 13万 ，总票数超 2万 ！ "2025中国创新IC-强芯评选"网络投票 火热进行中！ 自征集令发布以来， "2025年度中国创新IC-强芯评选" 共收到 102家 优秀企业踊跃申报的 141款 前沿芯片产 品，申报数量再创新高，较去年实现稳步增长！ 今年奖项全面升级！ 在延续"潜力新秀"、"创新突破"、"优秀芯擎"、"强芯领航"四大经典奖项的基础上，我们 特别增设"生态贡献奖"，旨在表彰为国产IC生态建设做出突出贡献的EDA与IP企业！所有获奖产品都将在 7月 11-12日 于苏州盛大召开的 ICDIA创芯展 上荣耀亮相，获得集中展示与重点推广！ 不仅如此，申报产品还将被精心汇编成 《中国创新IC-强芯手册》 ，面向参展观众及关键整机终端用户精准发 行，成为彰显中国芯实力的年度名片！ 即刻登录投票页面，为您心目中的年度"强芯" 投下关键一票 ！ 共同见证国产IC的创新力量，助力中国芯闪耀世界！ 扫描二维码投票 ⬇️⬇️⬇️点击 阅读原文 开启投票 投票时间： 2025年5月30日- 6月10日 重要规则： 每个ID在每个奖项类别仅限投出宝贵一票！ 扫描下方 二维码 或点击 阅读原文 链接投票 目 ...

国科微收购中芯宁波交易概况 - 国科微拟通过发行股份及支付现金方式收购中芯宁波94.37%股权，交易构成重大资产重组[1] - 中芯国际全资子公司中芯控股将出售所持中芯宁波14.832%股权，交易后不再持股[1] - 交易完成后国科微将构建"数字芯片设计+模拟芯片制造"双轮驱动体系，具备高端滤波器、MEMS等特种工艺代工能力[1] 中芯宁波核心技术与市场定位 - 中芯宁波是国内少数能提供SUB6G全频段、全工艺滤波器的晶圆制造企业，掌握高端BAW滤波器芯片制造技术[1] - 其滤波器产品已应用于国内某头部移动通讯终端企业的旗舰机型[1] - 聚焦射频前端、MEMS传感器特种工艺代工，运营2条特种工艺产线（8英寸N1产线2018年投产，N2项目2021年完成机台搬入）[3] 国科微战略转型背景 - 原以Fabless模式专注超高清显示、AI视觉、车载电子等领域芯片设计，近年面临向高端市场转型压力[2] - 正在拓展射频芯片方向，已量产Wi-Fi 6芯片并研发Wi-Fi 7芯片[2] - 收购后将实现从设计向"设计+制造"全产业链转型，提升工艺集成度和产品竞争力[2] 财务与产能现状 - 中芯宁波2024年净利润-8.13亿元，2025年Q1亏损-1.5亿元，两条产线仍处产能上量及设备折旧期[4] - 国科微2024年净利润9715万元，收购后将导致合并口径净利润短期亏损[4] - 已与头部通讯终端企业签署长期供应协议，2028年前需优先供应50%滤波器代工产能[4] 股东结构与产业背景 - 中芯宁波由宁波国资机构（甬芯、经开区产投、金帆）及中芯国际等联合成立[3] - 中芯国际通过委任董事行使重大影响力但无控制权，核心技术团队来自中芯国际、英特尔、台积电等企业[3] - 公司成立初衷为配合宁波当地半导体产业发展战略[2][3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自新浪财经 。 马斯克表示，特斯拉Dojo AI 训练计算机正在取得进展。我们将于今年晚些时候上线下一代AI芯 片Dojo 2。一项新技术要经过三次重大迭代才能成为伟大的技术。Dojo 2已经很好了，但Dojo 3 一定会更棒。 特斯拉AI官方发文的内容是其最新的Dojo技术报告。特斯拉AI表示Dojo超级计算机正面临制造缺 陷和老化导致的静默数据损坏（SDC）问题。与传统的系统崩溃不同，这些缺陷不会立即暴露， 而是在训练过程中悄无声息地破坏数据完整性。 一个有缺陷的节点可能导致耗时数周的AI模型训练产生错误结果，或使收敛速度显著放缓。更致 命的是，这些问题在模型训练完成后几乎无法检测——企业可能在不知情的情况下部署了基于损坏 数据训练的AI系统。 Dojo是特斯拉设计的超级计算机系统，用作人工智能，特别是FSD的训练场。这个名字是对武术 练习道场的致敬。 超级计算机由数千台称为节点的小型计算机组成。这些节点各自拥有自己的CPU（中央处理单 元）和GPU（图形处理单元）。前者负责节点的总体管理，后者则处理复杂的事情，比如将任务 分割成多个部分并同时进行处理 ...

日本半导体产业策略转向 - 日本不再执着于最先进制程，转向与台积电合作聚焦22/28纳米与12/16纳米成熟制程[1] - 日本政府成立6000亿日元基金支持熊本工厂建设[1] - 日本半导体产业目前仅能独立生产40纳米制程，相当于2008年技术水平[7] 国际合作模式变化 - 日本从封闭技术优越感转向开放务实姿态，与台积电、索尼等国际巨头合作[1][3] - 过去日本企业重组多为"弱者联盟"(如JOLED、JDI)，现在选择与行业领先企业合作[3] - 索尼与三星合作S-LCD的成功案例显示与最强对手合作的重要性[4] 成熟制程市场需求 - 22-28纳米制程半导体需求远超预期，主要来自汽车电子和消费电子产品[8] - 汽车电子需要稳定可靠的成熟制程芯片而非最先进制程[8] - 成熟制程芯片占电子产品总用量的很大比例，即使最先进设备也需要大量成熟制程芯片[8] 产业意识转变 - 日本企业从注重技术差异化转向关注市场需求和客户需求[9] - 经济产业省态度转变，从批评国际合作到支持台积电合作项目[9] - 日本开始正视在部分技术领域落后于韩国、台湾和中国的现实[2] 技术发展现状 - 全球最先进制程已进入3纳米和2纳米阶段(如iPhone 15使用3纳米芯片)[7] - 台积电在美国亚利桑那州建设3/5纳米最先进制程工厂[7] - 22-28纳米制程相当于iPhone 5时代技术水平，与最新技术相差4-5代[7]

内存技术演进 - 随着AI普及，闪存通过提升位密度、可靠性、性能和能效支持AI发展，内存容量从1991年4M位增至第八代BiCS FLASH的2T位，增长50万倍 [1] - SLC、MLC、TLC和QLC等新技术应运而生，其中许多由铠侠创造，公司将继续引领行业技术创新 [1] - NAND闪存成本竞争力取决于芯片比特装载量，提升比特密度方法包括增加层数、平面缩小芯片面积、引入新架构及逻辑提高比特密度（如QLC） [1] 位密度提升策略 - 通过增加层数结合平面缩小（如OPS技术）实现位密度最大化，OPS技术降低字线层面积开销，第八代BiCS FLASH采用该技术 [3] - 引入CBA（CMOS直接键合阵列）新架构，分别处理CMOS和单元阵列后粘合，降低布线开销，第八代产品实现领先的接口速度和功率效率 [3][4][11] - 早期引入QLC技术，通过逻辑微缩（多值化）降低成本，公司从第四代BiCS FLASH开始生产QLC，并针对不同市场规格优化 [6] 新技术开发与布局 - 2024年12月发布HCF（水平通道闪存）技术，通过水平排列通道提高存储密度，预计2030年代中期可能过渡至该技术 [6] - 开发OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM），瞄准低功耗AI和后5G系统存储器，填补DRAM与NAND间延迟差距的X-FLASH也在研发中 [11] - CXL-XL内存采用CXL接口技术，支持CPU间内存共享，计划2026年下半年出样，解决DRAM扩展在成本与功耗上的挑战 [13] 未来产品战略 - 双轨发展：传统产品通过增加层数实现大容量高性能，同时利用CBA技术结合现有单元与最新CMOS技术降低投资成本 [7] - 第十代及后续产品聚焦高位密度大容量，满足企业级和数据中心SSD需求；第九代产品结合CBA技术满足AI边缘应用性能需求 [7] - 开发超大容量QLC，目标在TCO上与近线HDD竞争，目前QLC SSD已用于数据中心 [13] 竞争优势与市场反馈 - 第八代BiCS FLASH凭借CBA技术领先竞争对手两代，客户对其性能、功耗和可靠性反馈积极 [11] - 公司强调技术组合优势（如CBA、OPS、QLC）将增强SSD产品竞争力，并扩展至DRAM、存储级内存等新领域 [11][13]