美国对中国实施新的芯片设计软件出口限制 - 新思科技在发布年度和季度预测仅一天后就暂停了这些预测 因收到美国商务部工业和安全局（BIS）关于中国新出口限制的信函 [1] - 新思科技股价在盘后交易中小幅下跌 收盘下跌近2% [1] - 美国已下令众多公司停止在未经许可的情况下向中国运送货物 并撤销了已授予某些供应商的许可证 [1] - EDA软件制造商包括Cadence、Synopsys和西门子的子公司Siemens EDA [1] 受影响公司的应对措施 - 新思科技正在评估BIS信函对其业务、经营业绩和财务状况的潜在影响 [1][2] - Cadence表示新的许可要求非常复杂 正在与BIS合作以获得进一步澄清 同时评估对业务和财务业绩的影响 [2][3] - 西门子表示将与全球客户合作 以减轻新限制的影响 [1] 新出口限制的具体内容 - 需要获得许可证才能出口、再出口或在国内转让商务管制清单上出口管制分类号3D991和3E991下的电子设计自动化软件和技术 前提是交易一方位于中国或属于中国"军事最终用户" [3] - BIS认为这些货物在中国或中国"军事最终用户"的"军事最终用途"中使用或转用于其中 存在不可接受的风险 [3] 行业影响 - 这些新的限制措施可能会加剧与北京的紧张关系 [2] - 限制措施的目的似乎是设置瓶颈 阻止中国获得关键行业所需的产品 [2]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 semiwiki 。 WSTS 报告称，2025 年第一季度半导体市场收入为 1677 亿美元，比去年同期增长 18.8%，比上 一季度下降 2.8%。2025 年第一季度对于大多数主要半导体公司来说都是疲软的。下表中的 16 家 公司中有 10 家的收入与 2024 年第四季度相比有所下降，从博通的 -0.1% 到意法半导体和铠侠的 下降超过 20%。六家公司报告收入增长，从德州仪器的 1.5% 到英伟达的 12% 不等。2025 年第 二季度的前景喜忧参半。在提供指引的 14 家公司中，有 9 家预计 2025 年第二季度的收入将较 2025 年第一季度增长，其中 SK 海力士的增长幅度最高，为 14.6%。联发科预计收入持平。四家 公司预计收入将下降，其中铠侠的降幅最大，为 10.7%。 | | | | Change versus prior quarter in local currency | | | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | | | | US$B | | Reported Guidanc ...

三星电子晶圆代工业务现状 - 三星电子晶圆代工部门近期获得包括任天堂在内的AI芯片设计公司7纳米和8纳米订单 产能利用率有所提升 [1] - 3纳米制程良率目前仅50%左右 量产已进入第三年仍维持低良率状态 远低于台积电90%以上的良率水平 [1] - 谷歌Tensor芯片原计划采用三星3纳米制程 现可能转向台积电 高通、AMD等大客户也将三星排除在代工名单外 [1] 台积电技术优势与客户动态 - 台积电3纳米制程(N3P)已获苹果、高通、NVIDIA、联发科等主要客户采用 这些厂商计划2026年过渡到2纳米工艺 [2] - 谷歌Tensor G5芯片将采用台积电第二代3纳米工艺生产 以提升SoC性能与能效 [2] - 多家原与三星洽谈先进制程的公司 在测试阶段发现问题后转向台积电 [2] 行业竞争格局变化 - 中芯国际在5纳米和7纳米领域接连获得订单 对三星电子传统优势领域形成竞争压力 [1] - 半导体行业客户更倾向于选择良率高、可靠性强的代工厂 台积电凭借技术稳定性巩固市场地位 [1][2] - 三星电子因高端制程良率问题面临客户信任危机 行业认为其恢复需要较长时间 [2]

芯片性能突破 - Cerebras WSE芯片尺寸达8.5英寸（22厘米）正方形，单芯片集成40亿个晶体管，创下AI推理运算世界纪录[1] - WSE芯片AI推理速度比NVIDIA集群快2.5倍，达到每秒2,500个tokens，远超NVIDIA Blackwell的每秒1,038个tokens[1][4] - 独立机构Artificial Analysis测试证实WSE在Meta旗舰模型Llama 4上实现每秒2,522个tokens，是目前唯一胜过NVIDIA Blackwell的推理解决方案[4][5] 技术架构创新 - WSE采用全新GPU加速架构，非传统x86或ARM架构，代表芯片设计的跨越式发展[5] - 芯片具备共置性特点，将所有功能集成到单芯片并配备44GB高速RAM，无需芯片外计算[4] - 相比传统CPU，英特尔酷睿i9有335亿晶体管，苹果M2 Max有670亿，但WSE通过架构创新实现更高效率[4] 行业应用前景 - AI推理速度对企业级应用至关重要，可支持大规模实时服务如个性化推荐系统[3] - 人工智能代理时代需要处理复杂多步骤任务，更快的推理速度能支持40-100个子任务的协同处理[3][4] - GPU从图形处理转向AI开发关键组件，WSE代表计算机芯片设计的新演变方向[5] 性能对比数据 - NVIDIA近期宣布Llama 4达到每秒1,000个tokens，而WSE实现每秒2,500个tokens[1] - Artificial Analysis测试显示WSE速度达每秒2,522个tokens，Blackwell为每秒1,038个tokens[4] - 晶体管数量对比：WSE 40亿，英特尔酷睿i9 335亿，苹果M2 Max 670亿[4]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 zdnet 。 Nvidia对AI半导体行业的增长充满信心。这是因为，尽管受到美国大规模出口限制的影响，但尖 端人工智能半导体"Blackwell"的需求依然强劲，全球对人工智能基础设施的投资正在积极进行。 超高性能AI半导体"GB300"也有望在今年第三季度初顺利开始量产。因此，预计三星电子、SK海 力士等国内主要存储器企业的HBM（高带宽存储器）业务也将能够抓住持续增长的机会。 这一天，英伟达宣布，其2026财年第一季度（今年2月至4月）的销售额达440.6亿美元。与去年同 期相比增长了 69%，与上一季度相比增长了 12%。营业利润也同比增长 43%，环比增长 6%，达 到 232.7 亿美元（非公认会计准则）。 不过，数据中心销售额为 391.1 亿美元，略低于市场预期（约 393 亿美元）。 SK海力士与Nvidia 就明年HBM供应量的谈判也正在进入最后阶段。据悉，最早将于下个月做出最 终决定。尤其是Nvidia下一代AI半导体"Rubin"搭载的HBM4(第6代HBM)的价格和数量成为重大 变数。 参考链接 https://zdnet ...

公司业绩与财务表现 - 公司累计装机量过去14年年均增长超过37%，营收年均增长超过35% [1] - 2024年净利润达到13.9亿元，同比增长16.5% [1] - 2024年等离子刻蚀设备年增长率达54.7% [1] - 截至2025年一季度末，公司净资产201.4亿元，在手资金84.7亿元，借款仅7.5亿元 [1] - 2024年研发支出24.5亿元，占比27%；2025年一季度研发投入6.9亿元，占比31.6% [1] - 2024年员工总数2480人，年均增长22%，2025年一季度新增117人，人均年销售额430万元 [1] 设备与技术突破 - 2024年ICP刻蚀设备订单41.08亿元，同比增长89.5%，接近CCP设备订单量 [2] - 等离子体刻蚀设备拥有18种第三代机型，ICP刻蚀机Twin-star双台加工精度达100皮米以下 [2] - 第五代CCP高能等离子体刻蚀机深宽比从2014年20:1提升至2025年90:1 [2] - 已布局研发近40种导体薄膜设备，2024年金属沉积设备发货128台，2025年预计大幅增加 [2] - 独创双腔设计的epi外延反应器均匀性优于国际领先企业 [2] - TSV深硅刻蚀、AD-RIE等先进封装设备已进入客户产线 [2] 业务布局与战略 - 五大核心设备与关键制程实现"全打通"，覆盖国内芯片制造关键环节30%设备需求 [3] - 计划未来五至十年将设备覆盖率提升至60%，并切入湿法设备市场 [3] - 业务延展至泛半导体领域，MOCVD设备在LED、SiC PD、GaN PD等多个细分领域取得突破 [3] - 大平板显示PECVD设备沉积均匀性控制优于5%，2025年5月正式上线运行 [3] - 截至2025年3月底累计申请专利2941件，授权1843件，战略投资40家公司总额22.9亿元 [3] 发展战略与竞争优势 - 采用错位发力策略，MOCVD产品下滑时CDP产品迅速补位，保持整体表现"稳中有进" [6] - 强调三维战略：产品线多维拓展、技术深度持续打磨、生态布局与客户关系共建共融 [7] - 不依赖单一设备，通过多条产品线平滑周期波动 [5][6] - 研发投入持续保持行业前列，2024年全年及2025年一季度研发支出增长显著 [6] - 在高端客户核心产线站稳脚跟，凭借性能与信任建立竞争优势 [6]

项目进展与建设速度 - 长飞先进武汉基地首片晶圆于5月28日正式下线，比原计划提前两个月投产 [1] - 项目自2023年9月破土动工至2024年6月完成主体封顶，厂房建设耗时不到10个月，创百亿级项目"光谷速度"纪录 [1] - 先导稀材高端化合物半导体材料及芯片产业化基地已全部封顶，计划年底前部分投产，从签约到开工仅4个月 [5] 政府支持与产业生态 - 武汉东湖高新区成立专项项目组协调路网及土地平整，政府配套设施建设与项目同步提速 [3] - 九峰山科技园占地10平方公里，已形成完整产业链和创新生态，2023年产业规模突破800亿元 [3] - 九峰山实验室吸引500多家企业及科研机构合作，30余家上下游企业集聚，突破硅光铌酸锂集成晶圆等核心技术 [5] 投资规模与产能规划 - 长飞先进武汉基地总投资超200亿元，一期占地344亩，规划年产36万片外延厂及6寸碳化硅晶圆厂、6100万个功率模块封测厂 [6] - 先导稀材项目计划投资120亿元，建成后将填补武汉光通信及激光产业半导体衬底材料空白 [5] 产业战略定位 - 武汉提出打造全球化合物半导体创新灯塔和产业高地，两年内实现从无到有的跨越式发展 [3] - 长飞先进武汉基地将带动上下游企业集聚，形成碳化硅为代表产业集群，与九峰山实验室构成"科技创新+产业创新"双轮驱动模式 [6][7]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 CNBC 。 在周三接受 CNBC 主持人Jim Cramer采访时，Nvidia首席执行官黄仁勋解释了为什么他认为有必 要将公司的人工智能技术出口到中国，并表示如果美国想成为人工智能领域的全球领导者，与中国 的贸易至关重要。 "这可能是进入中国市场最重要的战略原因，"黄仁勋说道，"因为那里有如此多的开发者，而且世 界各国都会采用来自不同国家的技术——而我们更倾向于采用美国的技术栈。" 英伟达周三晚间公布了好于预期的盈利和收入，推动其股价在盘后交易中上涨。尽管本季度业绩显 示市场对英伟达技术的需求持续增长，但黄仁勋在电话会议上表示，唐纳德·特朗普总统对其芯片 的限制意味着"价值500亿美元的中国市场实际上对美国企业关闭了"。 黄向墨告诉克莱默，这些规定将导致英伟达损失数十亿美元的收入，并给美国带来税收损失。但更 重要的是，他强调，失去中国市场将对美国产生持久的全球影响。他表示，从历史上看，成功的平 台是拥有最多开发人员的平台，而中国拥有全球 50% 的人工智能研究人员。 "我们希望世界上的每一位开发者都喜欢美国的技术栈，"黄仁勋说道。一旦实现这一点 ...

横琴粤澳深度合作区集成电路产业支持政策 第一章 支持企业发展 - **投资奖励**：对新增实缴出资≥1000万元的企业按10%给予奖励，最高500万元；重点领域企业最高2000万元（分4:6两笔拨付）[5] - **研发补贴**： - MPW流片补贴70%（最高500万元），工程流片补贴50%（最高3000万元，按制程细分14nm/28nm/90nm以下分别对应2500万/1500万/1000万）[7][8] - IP购买补贴30%（最高300万元），复用平台IP补贴50%（最高100万元），IP研发补贴30%（最高1500万元）[9] - EDA工具购买补贴30%（最高300万元），租用补贴50%（最高300万元），EDA研发补贴50%（最高1500万元）[9] - 测试验证服务补贴50%（最高500万元），测试设备研发补贴50%（最高500万元）[9] - **制造与认证**：制造封装设备研发补贴20%（最高1000万元），车规认证补贴30%（最高200万元）[10] - **行业奖项**：获"中国芯"等国家级奖项奖励30万元[10] 第二章 支持人才引进培养 - **人才奖励**：年薪30-50万元奖励10万元，≥50万元奖励15万元（澳门居民或学位持有者按150%执行）[12] - **培训支持**： - 人才培训基地补贴100万元/年 - 培训后聘用奖励3万元/人（最高100万元） - 企业培训费用补贴50%（最高100万元） - 实习生补贴5000元/人/月（最高100万元）[14] 第三章 支持平台建设 - **公共服务平台**：按设备投入30%补贴（最高500万元）[16] - **专业园区**： - 增量达标奖励500万元/项（营收新增10亿元/新增员工350人/获投企业5家，累计最高1000万元）[18] - "0元创业空间"租金全补（最高1000平方米，最长36个月）[18] - **行业交流**：活动补贴2-6万元/场（最高100万元/年）[20] 第四章 支持粤澳协同创新 - **联合实验室**：企业联合澳门高校建实验室补贴30%（最高200万元）[22] - **澳企优待**：澳资企业奖励标准上浮20%（不超过条款上限）[24] 政策实施 - **适用期限**：2025年1月1日至2027年12月31日[28] - **备案要求**：企业需完成实地办公地址备案[30] - **资金原则**：补贴仅限自有资金投入，不含政府无偿资助[32]

核心观点 - 北京航空航天大学李洪革教授团队研发了完全自主知识产权的开源RISC-V架构混合概率计算SoC芯片，该芯片在数系表示、计算算法及异构计算体系架构方面实现颠覆性创新，开创了以混合概率数为计算基础的新计算范式 [1] - 该技术解决了传统芯片面临的"功耗墙"（二进制数信息携带效率与高功耗矛盾）和"体系墙"（非硅基芯片与传统CMOS芯片通信难题）两大挑战 [1] 技术突破 - 提出混合概率数（HSN）概念，统一了二进制数、传统概率数及混合概率数三种数系的数学表征，具有高容错、抗干扰和高能效比特性 [2] - 概率计算通过CMOS芯片逻辑"高电平"在某时间段内的出现频率表示数值，建立了新型数理关系 [2] - 片上专用算子时延达微秒级，可同时满足专用硬件计算和灵活软件计算需求 [2] 应用进展 - 技术转化方向包括触控识别、仪表显示、飞控计算等智能控制领域 [2] - 正在开发混合概率计算专属扩展指令集及微架构，覆盖语音图像处理、智能计算（含大模型AI加速）等复杂计算功能 [2] 行业意义 - 该成果为我国高性能智能计算提供了从数系表示到芯片实现的完整原始创新路径 [1] - 混合概率计算范式为硅基芯片突破现有技术瓶颈提供了全新解决方案 [1][2]