A股2025年三季度业绩预告概览 - 超过40家上市公司已发布三季度业绩预告，业绩预喜（预增、略增、扭亏）公司数量占比在七成以上 [1] - 市场迎来新一轮“业绩验证潮”，广东明珠、英联股份等公司业绩增幅超10倍成为焦点 [1] 高增长公司业绩驱动因素 - 英联股份预计前三季度归母净利润3450万—3750万元，同比增长1531.13%—1672.97%，增长主要源于快消品金属包装易开盖板块的国内外市场占有率提升及精益化管理带来的降本增效和毛利率增长 [2] - 广东明珠预计前三季度归母净利润2.15亿—2.63亿元，同比增长858.45%—1071.44%，增长主要由于子公司明珠矿业扩帮工程采出新矿导致铁精粉产销量增加，以及生产线技术改造提高产量并新增块矿销售 [2][3] - 利民股份、兄弟科技、永和股份等多家公司前三季度业绩（预告）最大变动幅度均超过100% [3] 半导体行业表现 - 长川科技预计前三季度归母净利润8.27亿—8.77亿元，同比增长131.39%—145.38%，受益于半导体行业市场需求持续增长，客户需求旺盛，产品订单充裕 [4] - 扬杰科技预计前三季度归母净利润9.37亿—10.04亿元，同比增长40%—50%，增长得益于汽车电子、人工智能等领域强劲增长，公司产品结构优化及精益生产提升运营效率和毛利率 [4] - 2025年8月全球半导体销售额达649亿美元，同比增长21.7%，环比提升4.4%，中国销售额176.3亿美元，同比增长12.4%，占全球份额27.2% [5] 化工行业业绩驱动 - 利民股份预计前三季度归母净利润3.84亿元至3.94亿元，同比增长649.71%至669.25%，主要由于主要产品销量和价格上涨、毛利率提升及投资收益增加 [6] - 兄弟科技预计前三季度归母净利润1亿元至1.15亿元，同比增长207.32%至253.42%，主要系部分维生素产品价格上涨，苯二酚项目产能利用率提升、销量增加及部分成本下降 [6] - 化工价格表现好的子行业包括制冷剂、磷肥钾肥、食品饲料添加剂等产能增长压力小或供给集中的领域 [6]

A股2025年三季度业绩预告整体情况 - 超过40家上市公司已发布三季度业绩预告 [1] - 前三季度业绩预喜（预增、略增、扭亏）公司数量占比在七成以上 [1] - 广东明珠、英联股份等公司业绩增幅超10倍，成为市场焦点 [1] 高增长公司业绩驱动因素 - 英联股份预计前三季度归母净利润3450万—3750万元，同比增长1531.13%—1672.97%，增长主因是快消品金属包装易开盖板块贡献，产线智能化自动化提升市场占有率及精益化管理实现降本增效 [2] - 广东明珠预计前三季度归母净利润2.15亿—2.63亿元，同比增长858.45%—1071.44%，增长主因是子公司明珠矿业扩帮工程采出新矿及生产线技术改造提升铁精粉产量，并增加块矿销售 [2][3] - 利民股份、兄弟科技、永和股份等多家公司前三季度业绩最大变动幅度均超过100% [3] 半导体行业业绩表现 - 长川科技预计前三季度归母净利润8.27亿—8.77亿元，同比增长131.39%—145.38%，增长主因是半导体行业市场需求持续增长，客户需求旺盛，产品订单充裕 [4] - 扬杰科技预计前三季度归母净利润9.37亿—10.04亿元，同比增长40%—50%，增长主因是汽车电子、人工智能、消费类电子等领域强劲增长带动主营业务，产品结构优化及精益生产提升毛利率 [4] - 2025年8月全球半导体销售额达649亿美元，同比增长21.7%，环比提升4.4%，中国销售额176.3亿美元，同比增长12.4%，占全球份额27.2% [5] 化工行业业绩驱动因素 - 利民股份预计前三季度归母净利润3.84亿元至3.94亿元，同比增长649.71%至669.25%，增长主因是主要产品销量和价格上涨、毛利率提升及投资收益增加 [6] - 兄弟科技预计前三季度归母净利润1亿元至1.15亿元，同比增长207.32%至253.42%，增长主因是部分维生素产品价格上涨，苯二酚项目产能利用率提升及部分成本下降 [6] - 化工价格表现好的子行业包括制冷剂、磷肥钾肥、食品饲料添加剂等产能增长压力小或供给集中的领域 [6]

截至发稿，杨坤累计任职时间5年354天，现任基金资产总规模147.76亿元，任职期间最佳基金回报 81.38%， 任职期间最差基金回报-32.3%。 风险提示：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型自动发布，任何在本文出现的信息（包括但不 限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，不构成个人投资建 议。 资料显示，江苏宏微科技股份有限公司位于江苏省常州市新北区新竹路5号，成立日期2006年8月18日， 上市日期2021年9月1日，公司主营业务涉及IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模 组的设计、研发、生产和销售。主营业务收入构成为：模块(封装)73.83%，单管(封装)22.67%，芯片 1.72%，受托加工业务1.62%，其他0.15%。 从基金十大重仓股角度 数据显示，万家基金旗下1只基金重仓宏微科技。万家国证2000ETF（159628）二季度持有股数19.01万 股，占基金净值比例为0.41%，位居第十大重仓股。根据测算，今日浮亏损失约28.33万元。 万家国证2000ETF（159628）成立日期2022年6月29日，最新规模8.09亿。今年以来收 ...

10月9日，宏微科技（维权）涨5.82%，成交额4.35亿元。两融数据显示，当日宏微科技获融资买入额 6486.13万元，融资偿还3898.84万元，融资净买入2587.29万元。截至10月9日，宏微科技融资融券余额 合计3.98亿元。 融资方面，宏微科技当日融资买入6486.13万元。当前融资余额3.97亿元，占流通市值的6.66%，融资余 额超过近一年90%分位水平，处于高位。 融券方面，宏微科技10月9日融券偿还242.00股，融券卖出1600.00股，按当日收盘价计算，卖出金额 4.48万元；融券余量2.13万股，融券余额59.60万元，超过近一年70%分位水平，处于较高位。 资料显示，江苏宏微科技股份有限公司位于江苏省常州市新北区新竹路5号，成立日期2006年8月18日， 上市日期2021年9月1日，公司主营业务涉及IGBT、FRED为主的功率半导体芯片、单管、模块和电源模 组的设计、研发、生产和销售。主营业务收入构成为：模块(封装)73.83%，单管(封装)22.67%，芯片 1.72%，受托加工业务1.62%，其他0.15%。 截至6月30日，宏微科技股东户数1.09万，较上期增加6.16%；人 ...

宏微科技在2025年PCIM Asia展会上展示了其在GaN、SiC等领域的布局，致力于为AI数据中心提供高效 供电解决方案。公司发布多款产品，包括适用于不同功率等级的数据中心的IGBT+SiC混合模块，以及 响应AI服务器需求的650V GaN新品。宏微科技计划继续推出SiC和GaN新品，适用英伟达800V HVDC 架构，迎合全球功率半导体市场的快速增长。公司承诺通过技术创新推动AIDC行业的能效提升与发 展。(证券时报) ...

招股书显示，尚鼎芯是一家无晶圆厂功率半导体供货商，专门从事定制化功率器件产品的开发及供应。公司为客户量身定制技术应用解决方案，提供定制的 功率器件，用于安装在终端用户最终使用的电气设备及电气产品的电路板上，旨在实现特定性能或优化该等产品的功能。尚鼎芯于往绩记录期间提供的产品 主要是MOSFET，其次是IGBT、GaN MOSFET及SiC MOSFET，该等产品主要由公司的技术专家设计、定制及╱或开发，专门按照客户要求量身定制，用 于其下游产品。 尚鼎芯提供的产品用途广泛，包括电源转换器和电池管理系统。应用范围涵盖消费电子、工业控制、汽车电子、新能源及储能、医疗设备等应用场景，广泛 用于扫地机器人、手持电动工具、无人机、各种消费电子适配器、LED照明、户外储能等应用产品。 智通财经APP获悉，深圳市尚鼎芯科技股份有限公司(简称：尚鼎芯)于4月3日所递交的港股招股书满6个月，于10月3日失效。 ...

公司介绍 - 公司是全球领先的氮化镓功率半导体厂商，采用整合器件制造模式运营 [1] - 公司是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，产品覆盖15V至1200V全电压谱系 [1] - 按收入计，公司于2023年在全球氮化镓功率半导体公司中排名第一，市场份额为33.7% [1] - 按氮化镓分立器件出货量统计，公司2023年市场份额高达42.4%，位居全球首位 [1] 业务、产品与技术分析 - 产品线涵盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等多个类别 [1] - 拥有8英寸GaN-on-Si晶圆生产线，可生产高、中、低压氮化镓晶圆 [1] - 氮化镓分立器件电压范围为15V-1200V，包括GaN HEMT等 [1] - 合封芯片如ISG612XTD系列将700V氮化镓器件、栅极驱动及保护电路合封，导通电阻低至22mΩ [1] - 模组产品应用于手机OVP、车载激光雷达、家电马达驱动等领域 [2] - 公司拥有800项已授权及申请中的专利布局 [2] - 2025年第三代700V氮化镓器件芯片面积相较前代缩减30%，开关性能提升20-30% [2] - 当前月产能13,000片8英寸氮化镓晶圆，计划2025年底提升至20,000片/月，未来五年目标70,000片/月 [3] 下游应用 - 消费电子领域与OPPO、vivo、小米等手机厂商合作，产品应用于手机OVP、快充等场景 [3] - 2022年40V双向VGaN成功导入OPPO智能手机，成为行业首款进入手机内部的氮化镓芯片 [3] - 2023年对宁德时代的销售额达1.9亿元 [3] - 与速腾、禾赛等厂商合作，车规级产品用于车载激光雷达、车载PD等，并已切入联合电子供应链 [4] - 是英伟达800V直流电源架构的唯一中国芯片供应商，为数据中心提供高效电源模块 [4] - 产品应用于家电马达驱动、BMS电池管理、储能双向变换器，并与意法半导体签署联合开发协议 [4] - 在人形机器人方面，推出150V/100V全系列氮化镓产品，100W关节电机驱动产品已经量产 [4] 行业前景 - 全球氮化镓功率半导体市场规模从2019年的人民币139.4百万元增长至2023年的人民币1,759.5百万元，复合年增长率为88.5% [5] - 预计市场规模将从2024年的人民币3,227.7百万元增长至2028年的人民币50,141.9百万元，复合年增长率为98.5% [5] - 消费电子产品及电动汽车预计将成为预测期间内的两大应用场景 [5] 竞争对手及格局 - 全球功率半导体行业高度集中，前十家公司市场份额合计为66.9% [8] - 2023年公司氮化镓功率半导体业务收入为人民币592.7百万元，市场份额为33.7%，前五大公司市场份额合计达92.8% [8] - 主要竞争对手包括英飞凌、宜普电源转换公司、Navitas、GaN Systems、华润微和士兰微等 [10] - 2025年8月德国慕尼黑地方法院裁定公司在德国销售的GaN产品侵犯英飞凌专利 [12] - 2023年5月宜普电源转换公司在美国国际贸易委员会对公司提起专利侵权诉讼调查 [12] - Navitas 2023年全球氮化镓功率半导体市占率约为15%，正加速推进6英寸向8英寸技术迁移 [12] - GaN Systems 2023年市占率约为10% [12] 财务表现 - 报告期内公司收益总额为人民币5.5亿元，较上年同期的人民币385.8百万元增加43.4% [23] - 氮化镓分立器件及集成电路收益由上年同期的138.4百万元增加至报告期内的207.4百万元，同比增加49.9% [25] - 氮化镓模组收益由上年同期的106.5百万元增加至报告期内的236.1百万元，同比增加121.7% [25] - 氮化镓晶圆收益为108.1百万元，上年同期为138.9百万元，同比减少22.2% [25] - 报告期内公司毛利为人民币37.8百万元，从上年同期的亏损人民币83.2百万元转为盈利 [25] - 毛利率由上年同期的-21.6%转为报告期内的6.8% [25] - 销售成本为人民币5.15亿元，较上年同期增加9.9%，营销开支为5400万，行政开支为2.4亿，研发为1.62亿 [25] 近期业务进展 - 报告期内新增客户导入693项，新增55家直销客户、1家经销商 [21] - AI及数据中心领域，服务器电源和主板48V转12V高功率密度电源的功率器件开始规模化交付 [21] - 人形机器人领域，150V和100V功率器件广泛应用在关节电机驱动和内部电源转换等模块 [22] - 汽车电子领域，应用于车载激光雷达、DC-DC、车载OBC等氮化镓芯片产品已与多家主机厂商合作并部分量产 [25] - 消费电子领域，在巩固手机、笔记本电脑、快充设备市场优势基础上，拓展抽油烟机、空调、电视等家电领域 [25]

股价表现 - 赛晶科技股价上涨8.47%至2.05港元，成交额2581.32万港元 [1] 核聚变行业动态 - 紧凑型聚变能实验装置BEST项目建设取得关键突破，杜瓦底座研制成功并完成交付 [1] - 民生证券建议关注IGBT开关领域的赛晶科技 [1] 公司业务与技术优势 - 公司在脉冲功率领域有25年专业积累，展现出独特技术优势 [1] - 公司为全球80多个项目提供定制化解决方案，是可控核聚变等领域的重要技术供应商 [1] - 公司瑞士子公司Astrol与核聚变领域创新企业展开合作，为其尖端系统提供功率开关解决方案 [2] 输配电业务与订单 - 公司为国产输配电元器件龙头供应商，在手订单充足，相关收入稳步增长 [2] - “十五五”期间特高压项目以柔性输电技术为主，输配电元器件国产化率提升有利于支撑毛利率 [2] IGBT芯片业务 - 公司自研IGBT芯片业务收入爆发式增长 [2] - 公司受益于国产功率半导体渗透率提升 [2]

展会概况与战略合作 - 2025 PCIM Asia展会于9月24日至26日在上海举行，是电力电子与能源转换领域的年度盛会 [1] - 东芝与基本半导体以联合展台形式首次系统展示双方在碳化硅领域的协同创新成果 [1] - 东芝将展台一半空间用于展示涵盖分立器件到模块的完整碳化硅产品线，突显其战略重心 [1] 碳化硅技术优势 - 东芝碳化硅产品线覆盖1200V、1700V、2200V、3300V四个电压等级，均已进入量产阶段，应用于轨道交通、新能源发电、工业变频及充电桩等领域 [3] - 核心技术为内嵌式肖特基势垒二极管设计，将管压降从传统器件的3-5V降至1.35V左右，显著降低功率损耗并提升可靠性 [3] - 器件具备宽范围门极控制（-10V到25V）和较高的门槛电压（3-5V），提供使用灵活性并避免误触发 [3] - 模块产品采用ED3和iXPLV封装，具有低杂感、稳定Vth及出色的开通损耗和反向恢复特性 [3] - 单管产品提供四种封装选择，对应不同导通电阻和电流等级，面向工业变频、新能源储能、太阳能发电及充电桩等功率段较低的应用 [4] IEGT传统技术优势 - 东芝于1990年代末开发出注入增强型IGBT技术并申请专利，在高电压IGBT领域确立领先地位 [6] - 当前IEGT产品线覆盖3300V、4500V、6500V电压等级，电流范围从750A扩展至3000A，并正在开发5000A产品，主要应用于国家电网的柔性直流输配电系统 [6] - 压接式IEGT采用独特三明治结构封装，直径125毫米的封装内可并联42颗芯片，在真空惰性气体环境中确保稳定工作 [7] - 与第三方合作的压接组件方案采用两颗4.5kV/2KA的IEGT，有助于新客户进行双脉冲测试评估，缩短开发周期 [7] 电池技术与合作模式 - 东芝展示钛酸锂电池技术，具备卓越安全性（针刺试验不起火）和耐低温性能（-20℃至-50℃正常工作），应用于地铁、高铁、港口及半导体生产线UPS系统 [8] - 钛酸锂电池相比传统铅酸电池体积小巧，使用寿命可达十多年 [8] - 公司当前策略以销售芯片为主，发挥自身技术优势，与基本半导体等合作伙伴强强联合，后者提供模块封装技术和客户资源 [8] - 联合开发的Pcore™系列产品采用双方SiC MOSFET和东芝RC-IGBT芯片技术，在导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现出色 [9] 制造能力与技术创新 - 2023年东芝完成两条12寸硅基晶圆产线建设并投产，大幅提升产能，产线具备高度灵活性，可生产IGBT和MOS器件 [9] - 展示RC IGBT技术，将IGBT和二极管集成在同一芯片上实现双向导通，并采用双面散热封装技术，适合电机驱动等高功率密度应用 [10] 未来产品规划与策略 - 公司计划于2026年推出基于8寸晶圆的第五代T5G碳化硅产品，预计在性能和成本上均优于当前6寸晶圆产品 [12] - 产品策略以技术为主导，碳化硅适用于新能源汽车的高效能和小型化需求，IGBT在传统工业应用中保持长期可靠性优势，MOS器件在特定车载电子系统中发挥关键作用 [12] - 公司强调通过合作方式满足中国市场对性价比和开发速度的要求 [12]

碳化硅材料与技术发展 - 碳化硅因其更高的击穿场强和更大的带隙，作为下一代功率半导体材料，在高温高压应用领域受到越来越多的关注 [1] - 过去20年，碳化硅在工业界取得巨大进步，商业化的早期挑战在于晶体中种类繁多的缺陷，通过研究分类和模拟技术进步，缺陷密度已降低一个数量级 [3] - 模拟技术的进步使晶体生长从反复试验变为可高精度模拟热量、气流等因素，从而减少缺陷并促进晶圆直径发展 [3] 市场驱动因素与成本趋势 - 信息技术和人工智能进步导致电力需求持续增长，推动了对可再生能源和电力高效利用的需求，促使全球政府支持和私人投资增加 [4] - 碳化硅晶圆价格在过去20年里大幅下降，过去3-4英寸晶圆价格高达7200-9600人民币，如今8英寸晶圆价格约4800元人民币，单位面积成本下降近一个数量级 [4] - 未来碳化硅晶圆价格甚至有望与硅晶圆持平 [4] 产业发展历程与关键节点 - 2001年是第一个转折点，英飞凌在全球率先开始小规模量产碳化硅二极管，当时市场规模约5000万元 [6] - 2010年，Cree和ROHM成功实现碳化硅晶体管量产，当时市场规模约2.5亿人民币 [6] - 2018年，特斯拉在其电动汽车中采用意法半导体的碳化硅功率器件，市场迅速扩张，使得“碳化硅可以用于汽车”的意识增强 [6] 当前市场规模与未来应用 - 自2020年左右以来，碳化硅市场稳步增长，中国厂商在电动汽车中采用碳化硅模组，丰田汽车宣布2025年在插电式混合动力汽车中采用碳化硅 [7] - 2024年碳化硅市场规模预计达到约300亿人民币，对于化合物半导体而言是一个庞大市场，在铁路车辆领域的开发也在推进 [7] - 功率器件是碳化硅最受欢迎的应用，其市场规模接近500亿人民币 [12] 全球竞争格局 - 中国在碳化硅晶圆尺寸、质量和成本降低等各个领域都处于世界领先地位，尽管在2010年代才开始研发，但已超越自20世纪80年代就开始研究的日本、美国和德国 [9] - 日本企业在尖端器件开发方面领先中国一到两代，拥有完整的功率器件生态系统，涵盖从晶圆制造商到器件制造商 [9] - 中国本土企业仍然缺乏足够的经验，但曾在美国公司从事功率器件开发的工程师正在回国，差距正在缩小 [10] 技术挑战与可靠性问题 - 碳化硅MOSFET中碳化硅与氧化膜界面存在大量缺陷，缺陷数量是硅的100多倍，这阻碍了碳化硅充分发挥其潜力，使其电阻比理想值高出两到三倍 [15] - 如果能将碳化硅的电阻减半，就能将芯片面积减半，提高良率并使成本降至一半以上，几乎与硅相当 [15] - 随着碳化硅功率器件普及，可靠性问题日益凸显，特别是在负载短路时可能有大电流流过损坏晶体管，必须设计保护电路 [15] 未来技术竞争 - 碳化硅在电压方面可能与氮化镓竞争，氮化镓在100V或300V等低压下非常强大，市场将继续增长，随着垂直氮化镓功率器件实用化，或许能在高电流和高电压方面与碳化硅竞争 [12] - 600V电压市场将成为激烈战场，硅具有低成本和可靠性，碳化硅具有高电流能力，而氮化镓具有高速开关能力 [13] - 碳化硅和氮化镓的理想特性几乎相同，随着两者技术水平提升，竞争最终将归结为成本和可靠性的较量 [13]