SK海力士HBM技术发展方向 - 下一代HBM开发聚焦三大核心任务：带宽提升、功耗优化、容量扩展 [1] - HBM4的I/O数量较HBM3E翻倍至2048个，部分客户需求高达4000个I/O [1] - 需通过技术改进（如将假凸点替换为可用凸点）平衡I/O数量增加带来的挑战 [1] 技术合作与工艺创新 - 从HBM4开始，逻辑芯片生产将转向代工厂，与主要代工伙伴展开紧密设计合作 [1][2] - 封装技术提出混合键合方案，可减少芯片厚度并提升功率效率，但商业化仍面临量产和可靠性难题 [2] - 现有MR-MUF技术持续优化，以支持DRAM堆叠层数从12层向16-20层扩展 [2] 容量提升技术挑战 - 堆叠层数增加需将DRAM间距缩小50%（如12层→16层），受限于775微米的总高度规格 [2] - 混合键合技术可突破间距限制，但需解决芯片间直接连接的工艺复杂度 [2] 行业竞争关键因素 - 存储器公司降低制造成本将成为下一代HBM市场竞争的核心任务 [2] - 带宽、功耗、容量三要素的技术突破存在相互制约的复杂性 [2]

存储器行业投资动态 - 三星电子和SK海力士加速投资尖端DRAM和NAND产能，重点提升1c（第六代10nm级）DRAM和8代/9代NAND比例 [1][2] - 三星电子在平泽第四园区建设1c DRAM量产线，西安晶圆厂启动6代向8代/9代NAND转产设备订单，平泽P1校区计划恢复第8代NAND投资（目标产能1.5万片/月） [2] - SK海力士投资20万亿韩元建设清州M15X基地，专注于尖端DRAM和HBM生产，投产时间从Q4提前至Q2初 [2][3] DRAM市场趋势 - DRAM价格自2023年下半年回升，DDR4 8Gb现货价达1.762美元，DDR5价格从4.773美元涨至5.088美元（涨幅6.6%） [5] - PC DDR5 16Gb合约价预测从Q2的3.3美元上调至3.9美元，Q3/Q4或达4.2美元 [5][6] - 需求驱动因素：AI PC市场规模预计增长165.5%至1.1422亿台，美国和中国云服务商服务器订单增加（服务器DRAM库存周数从15周降至13周） [6] - AMD/Intel/NVIDIA新品发布（如AMD Turin CPU、Intel Granite Rapids、NVIDIA B300/GB300 GPU）将推动服务器DDR5需求 [6] NAND市场动态 - 行业巨头计划涨价10%以上，美光因新加坡工厂停电拟涨11%，SanDisk和长江存储4月起调价超10% [9] - 三星/SK海力士/铠侠等通过减产稳定供需平衡，TrendForce预计下半年供需改善 [9][10] 行业展望 - 存储器市场供需趋稳，龙头企业盈利预期改善，第二季度行业情绪转向乐观 [7] - 先进制程转换（如1c DRAM、8代/9代NAND）和AI/服务器需求成为增长核心 [2][6][10]