文章核心观点 - 佰维存储2024年业绩扭亏为盈但2025年一季度业绩承压，AI眼镜和价格回暖有望助力业绩改善，预计2025 - 2027年营收和归母净利润增长，维持“增持”评级 [1][2] 公司业绩情况 - 2024年公司实现营收66.95亿元，同比增长86.46%，实现归母净利润1.61亿元，成功扭亏为盈 [1] - 2025年第一季度实现营收15.43亿元，同比下降10.62%，归母净利润为 - 1.91亿元 [1] 2024年盈利原因 - 公司在智能穿戴领域深耕多年，构建差异化竞争优势，ePOP等代表性存储产品有低功耗、快响应、轻薄小巧等优势，进入国内外知名厂商供应链体系 [1] - 2024年把握行业上行机遇，大力拓展国内外一线客户，产品销量同比大幅提升 [1] 2025年一季度业绩承压原因 - 受全球宏观经济环境影响，存储价格从2024年第三季度开始逐季下滑，2025年第一季度达到阶段性低点，产品销售价格降幅较大，导致季度营收同比下滑，销售毛利率同比下降22.75个百分点 [1] 业绩改善因素 - 2025年第二季度存储价格企稳回升 [2] - 客户节奏因素导致2025年第一季度面向AI眼镜、AI手机等领域的高价值产品收入较少，从第二季度开始批量交付，营业收入和毛利率有望进一步回升 [2] - 2024年面向AI眼镜产品收入约1.06亿元，预计2025年有望同比增长超过500% [2] 投资建议 - 预计公司2025 - 2027年实现营业收入85.69/102.66/118.59亿元，归母净利润3.75/7.05/8.64亿元，对应PE分别为75.65/40.23/32.83倍，维持“增持”评级 [2]

三星DDR4停产传闻 - 市场传闻三星拟于2025年4月终止1z制程8Gb LPDDR4记忆体生产，但公司出面辟谣称"一切生产均按进度进行"[1] - 该传闻导致台厂南亚科股价下跌近2%，华邦涨幅收敛至1.3%，远低于大盘表现[1] - 业界指出DDR4仍是主流DRAM品项，尤其广泛应用于手机等消费电子产品，三星不太可能完全退出该市场[1] - 大陆DRAM厂商原本期待承接三星市场份额，但三星持续出货DDR4产品[2] 存储芯片市场动态 - 三星、SK海力士、美光近期主攻高毛利的DDR5和HBM产品，但并未减少DDR4产能[2] - 美国关税政策引发备货潮，带动2025年Q2 DRAM和NAND Flash价格上涨，但涨势可能仅限本季度[2] - 关税政策最终走向将成为下半年记忆体市场供需与价格变化的关键观察指标[2] SK海力士市场表现 - SK海力士2025年Q1以36%市占率超越三星(34%)，首次成为全球DRAM市场领导者[3] - 公司在HBM市场占据70%份额，得益于AI硬件对HBM芯片的爆炸性需求[3] - 预计2025年Q1销售额增长38%，营业利润增长129%[4] - TrendForce预测SK海力士2025年将保持50%以上HBM市场份额，三星份额可能降至30%以下[4] 行业竞争格局 - AI专用硬件需求正在改变半导体行业竞争格局，HBM技术成为关键[6] - 三星仍具竞争优势：市盈率处于谷底、HBM增长潜力、持续股票回购[5] - 全球数据中心扩建支撑HBM DRAM需求，尽管存在宏观经济逆风[6] - 三星2025年Q1初步营业利润达6.6万亿韩元(约60亿美元)，营收79万亿韩元[5]

台积电维持先进封装投资计划 - 公司基于中长期AI半导体需求强劲预期，维持380亿至420亿美元资本支出计划[1] - 尽管存在AI基础设施投资不确定性，但AI需求仍超过供应，需大幅扩产[1] - 客户在地缘政治和管控问题上的行为未发生变化，需求维持稳定[1] AI加速器市场增长预测 - 预计2024-2029年AI加速器相关销售额复合年增长率达45%[2] - 2024年销售额预计较2023年翻倍[2] - 计划将CoWoS产能提升100%至每月70,000片[2] HBM技术发展及行业动态 - CoWoS技术作为AI加速器关键要素，集成HBM和高性能系统半导体[2] - SK海力士向谷歌、AWS、NVIDIA等供应最新HBM3E[2] - NVIDIA Blackwell芯片和谷歌第七代TPU均搭载HBM3E[2] - NVIDIA计划下半年发布搭载HBM4的Rubin芯片[2] 存储器厂商HBM业务进展 - SK海力士目标上半年将12层HBM3E占比提至总出货量50%以上[3] - 三星电子正在测试HBM3E改进版本，结果将于Q2公布[3] - 美光完成12层HBM3E开发，推进向NVIDIA供应[3]

存储器市场供需变化 - 国际形势变化导致存储器供需方操作策略调整 买卖双方急于完成交易以应对未来不确定性 预计第二季交易动能增强 [2] - 采购端采取"降低不确定因素 建立安全库存"策略 积极提高DRAM和NAND Flash库存水位 [3] 价格趋势 - 第二季DRAM合约价从1025年下降8~13%转为2Q25E上升3~8% [4] - 第二季HBM价格从1025年下降0~5%转为2Q25E上升3~8% [4] - 第二季NAND Flash合约价从1025年下降15~20%转为2Q25E上升3~8% [4] - 价格涨势主要来自美系品牌和出口需求厂商 动能可能仅限第二季 [3] 行业观察指标 - 下半年存储器市场供需与价格变化将取决于国际形势走向 [3] 相关产业动态 - 2Q25 NAND Flash价格因减产和买方回补库存逐步回升 [8] - 美国关税政策导致2025年全球终端市场增长预期趋缓 [8] - 英伟达GB300多项设计规格升级 预计2028年全球人形机器人产值达40亿美元 [10]

SK海力士HBM技术发展方向 - 下一代HBM开发聚焦三大核心任务：带宽提升、功耗优化、容量扩展 [1] - HBM4的I/O数量较HBM3E翻倍至2048个，部分客户需求高达4000个I/O [1] - 需通过技术改进（如将假凸点替换为可用凸点）平衡I/O数量增加带来的挑战 [1] 技术合作与工艺创新 - 从HBM4开始，逻辑芯片生产将转向代工厂，与主要代工伙伴展开紧密设计合作 [1][2] - 封装技术提出混合键合方案，可减少芯片厚度并提升功率效率，但商业化仍面临量产和可靠性难题 [2] - 现有MR-MUF技术持续优化，以支持DRAM堆叠层数从12层向16-20层扩展 [2] 容量提升技术挑战 - 堆叠层数增加需将DRAM间距缩小50%（如12层→16层），受限于775微米的总高度规格 [2] - 混合键合技术可突破间距限制，但需解决芯片间直接连接的工艺复杂度 [2] 行业竞争关键因素 - 存储器公司降低制造成本将成为下一代HBM市场竞争的核心任务 [2] - 带宽、功耗、容量三要素的技术突破存在相互制约的复杂性 [2]

存储器行业投资动态 - 三星电子和SK海力士加速投资尖端DRAM和NAND产能，重点提升1c（第六代10nm级）DRAM和8代/9代NAND比例 [1][2] - 三星电子在平泽第四园区建设1c DRAM量产线，西安晶圆厂启动6代向8代/9代NAND转产设备订单，平泽P1校区计划恢复第8代NAND投资（目标产能1.5万片/月） [2] - SK海力士投资20万亿韩元建设清州M15X基地，专注于尖端DRAM和HBM生产，投产时间从Q4提前至Q2初 [2][3] DRAM市场趋势 - DRAM价格自2023年下半年回升，DDR4 8Gb现货价达1.762美元，DDR5价格从4.773美元涨至5.088美元（涨幅6.6%） [5] - PC DDR5 16Gb合约价预测从Q2的3.3美元上调至3.9美元，Q3/Q4或达4.2美元 [5][6] - 需求驱动因素：AI PC市场规模预计增长165.5%至1.1422亿台，美国和中国云服务商服务器订单增加（服务器DRAM库存周数从15周降至13周） [6] - AMD/Intel/NVIDIA新品发布（如AMD Turin CPU、Intel Granite Rapids、NVIDIA B300/GB300 GPU）将推动服务器DDR5需求 [6] NAND市场动态 - 行业巨头计划涨价10%以上，美光因新加坡工厂停电拟涨11%，SanDisk和长江存储4月起调价超10% [9] - 三星/SK海力士/铠侠等通过减产稳定供需平衡，TrendForce预计下半年供需改善 [9][10] 行业展望 - 存储器市场供需趋稳，龙头企业盈利预期改善，第二季度行业情绪转向乐观 [7] - 先进制程转换（如1c DRAM、8代/9代NAND）和AI/服务器需求成为增长核心 [2][6][10]