甬矽转债市场表现 - 8月20日甬矽转债盘中上涨2.26%报181.802元/张，成交额1.24亿元，转股溢价率43.44% [1] - 甬矽转债信用级别为"A+"，债券期限6年，票面利率逐年递增从第一年0.20%到第六年2.50% [1] - 转股开始日为2026年1月2日，转股价28.39元，对应正股为甬矽电子 [1] 公司基本情况 - 甬矽电子于2022年11月在上交所科创板上市，股票代码688362 [2] - 公司成立于2017年11月，主要从事集成电路封装和测试方案开发及加工 [2] - 一期厂区占地126亩总投资45亿元，二期占地500亩总投资111亿元 [2] 公司业务与技术 - 以中高端封装及先进封装技术和产品为主 [2] - 一期主要生产QFN/DFN、WBLGA、WBBGA等中高端先进封装形式产品 [2] - 二期以先进晶圆级封装为主，技术涉及Fan-inWLCSP、Fan-outWLP等多种先进封装 [2] 财务表现 - 2025年1-3月营业收入9.455亿元，同比增加30.12% [2] - 归属净利润2460.23万元，同比增加169.4% [2] - 扣非净利润-0.281亿元，同比增加38.95% [2] 股东结构 - 十大股东持股合计占比52.91%，十大流通股东持股合计占比35.14% [2] - 股东人数1.666万户，人均流通股1.672万股，人均持股金额50.33万元 [2]

甬矽转债市场表现 - 8月14日盘中下跌2.3%报178.871元/张，成交额2632.05万元，转股溢价率44.41% [1] - 信用级别为"A+"，债券期限6年，票面利率逐年递增（第一年0.20%至第六年2.50%）[1] - 对应正股为甬矽电子，转股价28.39元，转股开始日为2026年1月2日 [1] 公司基本信息 - 甬矽电子于2022年11月在上交所科创板上市（股票代码688362），成立于2017年11月 [2] - 主营业务为集成电路封装和测试方案开发，聚焦中高端及先进封装技术 [2] - 一期厂区占地126亩总投资45亿元，二期规划500亩总投资111亿元，技术覆盖Fan-out WLP、FCBGA、2.5D/3D等先进封装 [2] 财务与股东结构 - 2025年Q1营业收入9.455亿元（同比+30.12%），归属净利润2460.23万元（同比+169.4%），扣非净利润-0.281亿元（同比+38.95%） [2] - 十大股东持股合计52.91%，十大流通股东持股35.14%，股东人数1.666万户，人均持股金额50.33万元 [2] 可转债产品特性 - 可转债兼具债权与股权特征，可按约定价格转换为普通股或持有至到期 [1] - 转股溢价率44.41%反映当前转债价格较转股价值溢价较高 [1]

甬矽转债市场表现 - 8月7日甬矽转债盘中上涨2.37%报154.175元/张，成交额5035.48万元，转股溢价率34.32% [1] - 甬矽转债信用级别为"A+"，债券期限6年，票面利率第一年0.20%至第六年2.50%逐年递增 [1] - 转股开始日为2026年1月2日，转股价28.39元，对应正股为甬矽电子 [1] 甬矽电子公司概况 - 公司于2022年11月在上交所科创板上市，股票代码688362，成立于2017年11月 [2] - 主要从事集成电路封装和测试方案开发及加工，以中高端封装及先进封装技术为主 [2] - 一期厂区占地126亩总投资45亿元，二期占地500亩总投资111亿元，聚焦先进晶圆级封装 [2] 财务与股东结构 - 2025年1-3月营业收入9.455亿元同比增30.12%，归属净利润2460.23万元同比增169.4% [2] - 扣非净利润-0.281亿元但同比改善38.95% [2] - 十大股东持股合计52.91%，十大流通股东持股35.14%，股东人数1.666万户 [2] - 人均流通股1.672万股，人均持股金额50.33万元 [2]

甬矽转债市场表现 - 7月17日甬矽转债盘中上涨2.03%报129.621元/张，成交额2.27亿元，转股溢价率31.73% [1] - 甬矽转债信用级别为"A+"，债券期限6年，票面利率逐年递增从0.20%至2.50% [1] - 转股开始日为2026年1月2日，转股价28.39元，对应正股为甬矽电子 [1] 公司基本情况 - 甬矽电子于2022年11月在上交所科创板上市，股票代码688362 [2] - 公司成立于2017年11月，主要从事集成电路封装和测试方案开发及加工 [2] - 一期厂区占地126亩总投资45亿元，生产中高端先进封装产品 [2] - 二期占地500亩总投资111亿元，聚焦先进晶圆级封装技术 [2] 财务表现 - 2025年1-3月营业收入9.455亿元同比增长30.12% [2] - 归属净利润2460.23万元同比增长169.4% [2] - 扣非净利润-0.281亿元但同比增加38.95% [2] 股东结构 - 十大股东持股合计占比52.91%，十大流通股东持股合计35.14% [2] - 股东人数1.666万户，人均流通股1.672万股，人均持股金额50.33万元 [2]

先进封装技术发展 - 先进封装市场规模预计从2023年390亿美元增长至2029年800亿美元，复合年增长率12.7% [12] - 2.5D/3D封装将成为增长最快领域，预计未来五年增速20.9% [12] - AI相关需求是推动先进封装增长的主要驱动力，AI半导体市场2024-2033年复合增长率28.9% [27] 封装技术方案 - FC/WLP/2.5D/3D四大方案推动封装技术迭代升级 [4] - 倒装芯片(FC)技术优化信号路径、提升散热性能并增加I/O密度 [5] - 晶圆级封装(WLP)通过批量处理降低生产成本，预计2029年市场规模达43亿美元 [5] - 2.5D封装通过硅中介板实现多芯片互联，3D封装直接在芯片上打孔布线 [96] 关键工艺技术 - 凸块技术向更小节距方向发展，微凸点互连成为三维封装关键技术 [36] - 重布线层(RDL)技术实现芯片水平方向互连，头部厂商将向0.5/0.5μm线宽发展 [42] - 硅通孔(TSV)技术实现芯片间垂直互连，深度通常在20-30μm [43] - 混合键合技术可实现10,000-1M连接/mm²，大幅提升互连密度 [46] 市场应用 - 消费电子是FCBGA和FCCSP主要应用市场 [79] - CIS是2.5D/3D封装主要收入来源，CBA DRAM增速最快 [112] - HBM采用TSV和混合键合技术，堆叠层数将增至16层以上 [106] - 面板级封装(FOPLP)成本优势显著，比晶圆级封装降低66% [115] 设备与材料 - 先进封装设备市场规模2024年达31亿美元创历史新高 [5] - 前道工艺后移推动刻蚀、薄膜沉积、电镀等设备需求增长 [5] - 国内设备厂商在细分领域实现突破，建议关注北方华创、中微公司等 [5] 行业发展趋势 - 摩尔定律放缓加速3D IC采用，Chiplet技术复合增长率48.1% [23] - 先进封装晶圆产量2023-2029年复合增长率11.6%，2.5D/3D增速32.1% [17] - 全球封装项目投资合计约千亿美元，台积电、三星等巨头积极扩产 [29]

先进封装行业核心观点 - 尖端先进封装需求持续增长，AI相关需求仍为主要驱动因素 [4][7][32] - 2023-2029年先进封装市场规模CAGR达12.7%，从390亿美元增至800亿美元 [12] - 2.5D/3D封装增速最快，CAGR达20.9%，将成为市场增长关键力量 [12][13] - 2029年2.5D/3D封装规模有望达378.58亿美元 [5] 技术路线演进 - FC/WLP/2.5D/3D四大方案推动封装技术迭代升级 [4][7] - 混合键合技术实现10,000-1M连接/mm²，显著提升互连密度 [46] - 凸块技术向更小节距发展，从75-200μm演进至10-30μm [37] - RDL层数从4层向8层以上发展，线宽从2μm向0.5μm演进 [42] 细分市场表现 - FCBGA 2024Q2营收23亿美元，环比增6.8%，同比增18% [5] - WLCSP 2029年规模预计24亿美元，FO（含IC基板）43亿美元 [5] - FCBGA在移动消费领域占比最高，达45% [79] - HBM3e互连间距将缩小至<15μm，堆叠芯片数达16层 [108] 设备与材料 - 2024年全球先进封装设备市场规模达31亿美元 [5] - 前道工艺后移推动刻蚀/薄膜沉积/电镀设备需求增长 [5] - 国内设备厂商在细分领域实现突破，关注ASMPT/北方华创等 [5] - 混合键合设备需纳米级对准精度，EVG/SUSS MicroTec领先 [56] 产业格局与扩产 - 台积电/三星以堆叠技术为主，日月光/安靠专注FC/SiP [25] - 全球封装项目投资合计约千亿美元，台积电CoWoS投资达15亿美元 [29] - 台积电AP7 CoWoS项目2024年启动，投资15亿美元 [29] - 英特尔Penang项目2022年启动，投资7.1亿美元 [29] 市场驱动因素 - AI芯片需求推动先进封装创新，需多种封装解决方案 [28] - AI相关半导体市场2024-2033年CAGR达28.9% [27] - 数据中心/HPC/自动驾驶成为主要增长领域 [27] - 5G/物联网/汽车电子接力智能手机成为新增长点 [25]

2.5D封装技术成为AI芯片的关键解决方案 - 2.5D封装技术凭借高带宽、低功耗和高集成度优势成为AI芯片的理想封装方案 [1] - 英特尔EMIB和台积电CoWoS是2.5D封装领域的两大明星技术 [1] - 2.5D封装通过硅中介层或嵌入式桥接技术实现多芯片水平连接，在单一封装内集成CPU、GPU、内存和I/O模块 [3] - 相比传统2D封装，2.5D封装显著提升数据传输效率，同时避免3D堆叠的制造难度和热管理挑战 [3] 英特尔EMIB技术的五大优势 - 成本更低：EMIB采用小型硅桥连接芯片，一个晶圆可生产数千个桥接单元，良率高且成本优势随HBM数量增加呈指数级增长 [4] - 更高良率：EMIB减少复杂工艺步骤，简化"芯片对晶圆"流程，提升生产稳定性 [4] - 更快生产周期：EMIB将传统数天的生产周期缩短数周，帮助客户提前获取测试数据 [5] - 更强扩展性：EMIB嵌入基板的设计提高基板利用率，适合集成更多HBM或复杂工作负载的大型封装 [8] - 更多选择：EMIB为客户提供灵活性和选择权，技术已成熟应用近十年 [8] 英特尔在封装技术领域的领先地位 - 英特尔封装技术领先行业五十多年，从引线键合架构发展到2.5D、3D和3.5D技术 [13] - 英特尔代工提供完整先进封装产品组合，包括低成本FCBGA和高性能EMIB系列 [14] - EMIB 2.5D通过基板中的微型硅桥连接单层芯片或HBM堆叠，在AI和HPC领域表现突出 [17] - EMIB 3.5D引入3D堆叠技术，保留EMIB连接优势并增加垂直堆叠灵活性 [17] - Foveros技术分为2.5D和3D版本，提供最高带宽和最低功耗互连，可灵活组合多种技术 [18] 英特尔代工服务的系统级优化 - 英特尔扩展至系统级架构和设计服务，包括热建模、功耗建模等优化技术 [20] - 英特尔数据中心GPU Max系列集成近50块基于五种不同制造工艺的芯片 [21] - 开发裸片测试技术，在组装前进行高精度测试，提升生产效率和良率 [22] - 代工服务提供灵活定制模式，客户可单独选择EMIB封装或裸片测试等服务 [26] - 已完成超过250个2.5D设计项目，涵盖消费电子、FPGA、服务器和AI加速器等领域 [27] 未来封装技术发展方向 - 研发120毫米×120毫米超大封装尺寸，计划未来一到两年内量产 [29] - 加大玻璃基板和玻璃核心技术的投资，预计未来几年将成为主流 [29] - 封装技术创新将成为推动AI技术进步和产业变革的重要动力 [30]