行业背景与核心驱动力 - 存储产业链是半导体产业的核心支柱赛道，贯穿上游设备与材料、中游芯片设计与制造、下游封测与模组应用全环节，是支撑AI服务器、车载电子、工业控制、物联网、云计算等下游领域的底层硬件基石 [1] - 行业在国产替代提速、全球AI算力爆发式增长、车载与工业存储高端化升级三重核心红利驱动下，国内存储产业链上下游龙头企业订单量全线攀升，多家头部企业在手订单规模突破百亿，订单排期横跨数年，行业整体高景气度与业绩增长确定性持续凸显 [1] 第十名：聚辰股份 - 企业定位为全球化的非易失性存储芯片及混合信号芯片供应商，深耕存储芯片、音圈马达驱动芯片等领域 [2] - 核心产品包括非易失性存储芯片（主打DDR5 SPD、EEPROM，布局NOR Flash）和混合信号芯片（摄像头音圈马达驱动芯片） [3] - 核心优势在于DDR5 SPD芯片全球市占率超40%，EEPROM芯片国内市占率排名第一，与澜起科技形成全球双寡头格局，深度绑定AI服务器供应链，订单排期已至2027年一季度 [4] 第九名：东芯股份 - 企业定位为国内领先的Fabless模式存储芯片设计企业，专注于中小容量存储芯片，是国内少数可同时提供NAND、NOR、DRAM完整解决方案的设计公司 [5] - 核心产品主打中小容量存储全品类，包括SLC NAND、SPI NAND、SPI NOR Flash、LPDDR系列DRAM芯片及MCP多芯片组合产品，全系列产品已完成齐全车规认证 [6] - 核心优势在于SLC NAND芯片国产市占率超30%，稳居国产第一，受益于工业级、车规级小存储需求爆发，订单排期至2026年底 [8] 第八名：北京君正 - 企业定位为具备核心自主知识产权的CPU芯片与存储芯片龙头企业，形成“计算+存储+模拟互联”三大核心产品矩阵 [9] - 核心产品中存储芯片板块主打车规级SRAM和DRAM芯片，同时布局NOR Flash，全系列存储产品通过严苛车规认证 [10] - 核心优势在于车规SRAM芯片全球市占率约29%，位列全球第一，车规DRAM芯片全球排名第二，订单排期至2026年底 [11] 第七名：佰维存储 - 企业定位为国内稀缺的研发封测一体化存储龙头企业，聚焦半导体存储器的研发、设计、封测与销售，获国家集成电路产业投资基金二期战略投资 [12] - 核心产品覆盖嵌入式存储、消费级存储、工车规存储、企业级存储四大板块，其中ePOP模组全球市占率第一，是Meta AI眼镜独家存储供应商 [13] - 核心优势在于定位端侧AI存储龙头，嵌入式存储与工车规存储业务高速增长，订单排期至2026年一季度 [14] 第六名：通富微电 - 企业定位为国内领先、全球知名的集成电路封装测试企业，提供芯片设计仿真、晶圆制造到封装测试一站式服务 [15] - 核心业务为集成电路封装测试，覆盖存储芯片、AI加速卡等多品类，掌握Bumping、WLCSP、FC、BGA等先进封测技术，HBM 2.5D/3D先进封装技术已实现量产 [16][17] - 核心优势在于作为AMD核心封测伙伴，AI加速卡、高端存储封测需求持续爆发，存储封测与高端模组组装订单持续饱满，订单排期完整覆盖2026全年 [18] 第五名：长电科技 - 企业定位为全球领先的集成电路制造与技术服务提供商，是国内存储先进封测领域的绝对龙头 [19] - 核心产品聚焦先进封装与传统封装，存储芯片封测为核心优势业务，主打HBM3先进封装、2.5D/3D封装等技术，其中HBM3封装良率高达98.5%，承接长鑫存储约60%的封测业务 [20] - 核心优势在于AI算力爆发带动HBM、先进封装需求井喷，凭借超高良率与头部客户深度绑定，订单排期长达至2028年二季度 [21] 第四名：北方华创 - 企业定位为国内半导体设备领域的平台型龙头企业，是国内唯一能够覆盖半导体前道80%工艺环节设备的企业 [22] - 核心产品覆盖刻蚀设备、薄膜沉积设备、清洗设备三大存储晶圆制造核心设备，14nm制程刻蚀设备已实现规模化量产，7nm制程设备逐步进入客户验证阶段 [23] - 核心优势在于作为国产存储设备龙头，深度绑定长江存储、长鑫存储两大存储晶圆厂扩产计划，订单排期至2027年 [24] 第三名：江波龙 - 企业定位为全球领先的半导体存储品牌企业，集存储芯片研发设计、封装测试、生产制造、品牌销售于一体，拥有FORESEE和Lexar双品牌 [25] - 核心产品以企业级、工业级存储模组为核心，包括企业级NVMe SSD、CXL内存拓展模块、DDR5 RDIMM高端内存模组，同时覆盖嵌入式存储、移动存储等全品类 [26] - 核心优势在于AI服务器存储需求激增带动企业级存储模组出货量与单价同步提升，深度绑定国内云厂商客户，订单排期至2026年底 [27] 第二名：澜起科技 - 企业定位为国际领先的数据处理及互连芯片设计公司，是全球内存接口芯片领域的绝对龙头 [28] - 核心产品为内存接口芯片，覆盖从DDR2到DDR5全代际解决方案，是全球唯一提供DDR2到DDR5全缓冲/半缓冲完整方案的供应商，同时布局DDR5、CXL、HBM配套芯片等 [29] - 核心优势在于直接受益于AI算力爆发与全球服务器DDR5升级浪潮，与聚辰股份形成细分领域双寡头，深度绑定全球AI服务器供应链，订单排期至2027年一季度 [30] 第一名：兆易创新 - 企业定位为国产存储芯片设计领域的绝对龙头，构建“存储、MCU、传感器、模拟”四大核心产品矩阵，是全球唯一在NOR Flash、利基DRAM、SLC NAND、MCU四大细分领域均跻身全球前十的Fabless企业 [31] - 核心产品中存储芯片主打NOR Flash芯片，全球市占率约19%，位列全球第二、国产第一，同时打造利基DRAM+3D NAND双轮驱动格局，产品覆盖全场景 [33] - 核心优势在于AI服务器需求与物联网终端需求形成共振，叠加车规、工业级存储产品快速放量，绑定长鑫存储保障晶圆供应，订单排期至2026年底 [34] 产业链整体展望 - 国内存储芯片产业链已形成从上游设备、中游设计到下游封测的完整生态，头部企业凭借核心技术、客户绑定与国产替代红利，订单规模持续走高、排期不断拉长 [34] - 未来随着AI算力持续升级、车载电子渗透率提升以及国产替代进一步深化，头部企业有望持续受益，行业整体竞争力将再上新台阶 [34]

市场表现 - 3月18日，A股市场CPO概念股走强，多只核心股录得显著涨幅[1] - 瑞斯康达涨停，涨幅为9.97%[1][2] - 天孚通信、可川科技、德科立涨幅超过6%，分别为6.94%、6.70%、6.04%[1][2] - 航天电器涨超5%，涨幅为5.71%[1][2] - 新易盛涨超4%，涨幅为4.28%[1][2] - 智立方、炬光科技、罗博特科、协创数据、通富微电涨超3%，涨幅分别为3.76%、3.40%、3.30%、3.29%、3.12%[1][2] 核心催化事件 - 当地时间3月16日，英伟达发布Feynman芯片，首次将光通信引入芯片间互联[1] - 该技术可降低AI数据中心通信能耗70%以上[1] 相关公司市值与年初至今表现 - 天孚通信总市值2328亿，年初至今涨幅47.48%[2] - 新易盛总市值4035亿，年初至今涨幅-5.78%[2] - 中际旭创总市值6189亿，年初至今涨幅-8.69%[2] - 可川科技总市值116亿，年初至今涨幅95.21%[2] - 德科立总市值272亿，年初至今涨幅24.92%[2] - 航天电器总市值269亿，年初至今涨幅17.81%[2] - 智立方总市值94.92亿，年初至今涨幅56.75%[2] - 炬光科技总市值268亿，年初至今涨幅70.09%[2] - 罗博特科总市值588亿，年初至今涨幅50.45%[2] - 协创数据总市值829亿，年初至今涨幅42.07%[2] - 通富微电总市值708亿，年初至今涨幅23.77%[2] - 锐捷网络总市值669亿，年初至今涨幅-5.33%[2] - 光迅科技总市值655亿，年初至今涨幅16.05%[2] - 长电科技总市值800亿，年初至今涨幅21.53%[2] - 瑞斯康达总市值55.79亿，年初至今涨幅18.39%[2] - 铭普光磁总市值50.41亿，年初至今涨幅-5.46%[2]

文章核心观点 - 英伟达发布Feynman芯片，首次将光通信引入芯片间互联，可降低AI数据中心通信能耗70%以上，该技术突破直接刺激了A股市场CPO（共封装光学）概念股集体走强 [1] 市场表现 - A股CPO概念板块整体走强，多只个股出现显著上涨 [1] - 瑞斯康达股价涨停，涨幅达到10% [1] - 天孚通信、可川科技、德科立股价涨幅均超过6% [1] - 航天电器股价涨幅超过5% [1] - 新易盛股价涨幅超过4% [1] - 智立方、炬光科技、罗博特科、协创数据、通富微电股价涨幅均超过3% [1] 行业技术动态 - 英伟达于当地时间3月16日发布了名为“Feynman”的新芯片 [1] - 该芯片首次实现了光通信技术在芯片间互联领域的应用 [1] - 此项技术革新预计可将人工智能数据中心的通信能耗降低70%以上 [1]

报告核心观点 - 在HPC和AI驱动下，以HBM+CoWoS组合为代表的先进封装已成为算力芯片标配，带动全球OSAT行业需求激增并进入资本开支高峰期，行业规模在2025年创下历史新高 [2][7] - 摩尔定律放缓背景下，先进封装通过材料和架构创新（如中介层变化、面板级封装、3D堆叠、CPO等）成为持续提升系统性能的关键路径，其在高算力芯片中的成本占比已超过20% [2][12][16][19] - 在国产替代和供应链分散风险的趋势下，中国本土OSAT厂商在先进制程配套、存储封装及产能扩张方面加速崛起，并与海外涨价扩产周期共振，迎来发展机遇 [2][23][32][44][47] 行业趋势与市场格局 - **市场规模与增长**：2025年全球OSAT行业营收合计3332亿元，同比增长9.9%，销售规模创历史新高 [7]。其中，台积电先进封装营收约130亿美元，若计入排名将位居第一 [7] - **竞争格局**：OSAT行业CR10超过80%，中国本土OSAT厂商维持高成长，整体市占率已超30% [7]。2025年营收排名前十的厂商中，中国大陆企业占据五席，包括长电科技（406亿元，YoY+17%）、通富微电（275亿元，YoY+14%）、华天科技（173亿元，YoY+21%）、伟测科技（165亿元，YoY+47%）和盛合晶微（65亿元，YoY+42%）[6][7] - **需求驱动力**：HPC、AI驱动2.5D/3D等先进封装平台需求激增，尤其是CoWoS相关产能供不应求 [2][7]。英伟达最主要的Hopper和Blackwell系列AI GPU，以及博通公司最主要的AI芯片均使用2.5D/3DIC技术方案 [19] 先进封装关键技术方向 - **中介层演进**：2.5D中介层从硅中介层向RDL、嵌入式硅桥、玻璃、光子IC（PIC）、SiC等类型变化，目标是实现更高的带宽密度和功率效率 [2][13][15] - **封装形式创新**：面板级封装（PLP）通过采用矩形玻璃或有机面板替代圆形晶圆，面积利用率从不足80%提升至81%，有望提升产能效率并缓解光罩尺寸限制，未来或取代部分晶圆级封装 [2][15][25][27] - **3D集成与互联**：3D架构（D2D、D2W、W2W、C2C）依赖混合键合、TSV+ubump等互联工艺 [2][15]。在HBM4E/HBM5（≥16Hi）产品中可能使用混合键合技术，DRAM厂或从2029年开始使用晶圆对晶圆融键合技术 [40] - **共封装光学**：CPO技术将光引擎直接集成至封装边缘，大幅缩短高速电信号传输距离，可实现功耗降低并提升带宽密度。台积电已将其紧凑型通用光子引擎整合至CoWoS平台 [30] 成本结构与价值分布 - **成本占比提升**：在高算力芯片中，先进封装及配套测试环节的成本占比已显著提升。例如，在英伟达B200的成本结构中，CoWoS及配套测试环节占比达21%，接近其先进制程制造环节的23% [17] - **单颗价值量**：根据Yole数据，2022-2024年基于硅转接板的2.5D产品单颗封测成本约为207.5/207.5/206.3美元。每片晶圆对应25~40颗芯片，测算封测价格达5150~8300美元/片 [19] - **服务价格调涨**：先进封装部分服务价格已出现上涨，例如Mold Interposer – CoWoS-L的ASP为248.33美元/mm²，UHD FO–CoWos-R的ASP为71.7美元/mm² [49] 资本开支与产能扩张 - **全行业进入高峰期**：海外产业链方面，台积电与非TSMC阵营皆上调2026年CoWoS产能扩张规模。台积电预计2026年底产能达127K/M，非TSMC阵营预期从26K/M增加至40K/M [23]。日月光2026年资本开支超60亿美元，力成资本开支突破400亿新台币，京元电资本开支预估393亿新台币 [21] - **国内厂商积极扩产**：国内头部OSAT计划在未来三年内投资超过300亿元用于先进封装产能扩张 [44]。通富微电拟定增44亿元投向四大封测领域 [44][56]；盛合晶微IPO拟募资48亿元扩产 [44]；甬矽电子启动总投资21亿元的马来西亚生产基地项目 [44] - **大基金支持**：国家大基金一期、二期已对OSAT及封装业务IDM有较大侧重，三期虽尚未大规模投资，但2026年有望成为封测行业资本开支增量 [46] 本土厂商崛起机遇 - **前道配套需求**：2026年中国本土7nm/6nm先进制程供给份额预计扩张至接近20%，AI芯片放量对后道先进封装配套能力提出更高要求 [35] - **存储国产化带动**：国产存储IDM份额持续提升，其封装配套需求为OSAT带来机会，先进封装的增量主要是TSV和键合工艺，特别是在HBM、3D DRAM及类长江存储Xtacking架构等领域 [2][40] - **涨价周期共振**：海外封测厂商已开启涨价潮，日月光封测报价涨幅上调至5%-20%，力成等厂商涨幅接近30%。在成本推动下，国内OSAT厂商有望跟进调涨，封测服务价格中枢持续抬升 [47][50] 重点公司分析 - **通富微电**：拟定增44亿元加码高端封装，重点投向存储芯片、汽车电子、晶圆级封装及高性能计算领域。公司与大客户AMD共同成长，2025年上半年其核心封装工厂通富超威苏州收入39.35亿元，净利润5.45亿元 [52][56] - **盛合晶微**：2.5D工艺平台国内领先，2024年其2.5D收入规模中国大陆市占率约85%，排名第一。IPO拟募资48亿元，用于三维多芯片集成封装等项目，建成后将新增16K/M的3D多芯片封装产能 [57][60] - **甬矽电子**：先进封装新军，2025年上半年晶圆级封测产品营收8528.19万元，同比增长150.80%。其2.5D/3D封装产品已同多家运算类芯片设计企业签订协议，预计2025年第四季度至2026年上半年量产 [61][64] - **汇成股份**：通过主导投资鑫丰科技加快DRAM封测布局，目标在2027年底前将DRAM封装产能提升至60K/M，并拓展3D DRAM先进封装业务 [65][67] - **深科技**：深度配套本土存储IDM，产品涵盖DDR、LPDDR及嵌入式存储芯片，已实现WLP、Bumping、16层堆叠等量产平台 [68][70] - **伟测科技**：高端测试布局领先，2025年前三季度资本性支出18.41亿元用于购入高端测试设备。公司预告2025年营收15.75亿元，同比增长46.22% [71][73]

行业投资评级 - 电子行业评级为“看好”（维持） [5] 报告核心观点 - SRAM在AI推理中拓展应用，堆叠方案可助力容量扩充 [2][7][8] - 事件驱动：英伟达将于2026年3月16日举办GTC 2026大会，市场关注其有望结合Groq LPU芯片架构推出新的AI推理芯片方案，进而驱动SRAM拓展应用 [7] - SRAM可实现较高的访问速度，读写速度极快，访问时间仅约10纳秒甚至更低，远超DRAM [7] - SRAM架构在AI推理中拓展应用，头部厂商加速布局。SRAM容量较小但工作速度快，在AI推理过程中，对于小参数模型的模型权重、数据流架构中的中间结果和权重数据等部分容量要求小但访问速度要求高的数据，可作为HBM之外的重要存储层级补充 [7] - 产业进展：2025年12月英伟达斥资200亿美元获得Groq知识产权的非独家授权。Groq LPU采用容量达数百MB的片上SRAM存放模型权重，片上带宽高达80TB/s [7] - 产业进展：Cerebras推出的晶圆级引擎3（WSE-3）芯片拥有多达44GB的片上SRAM存储。2026年2月，OpenAI发布其首款搭载Cerebras Systems芯片的AI模型GPT-5.3-Codex-Spark，并有望在2026~2028年把750MW规模的Cerebras芯片集成到其AI推理计算资源库中 [7] - 3D堆叠方案助力SRAM实现容量扩充，AMD等头部厂商已有布局。该方案可通过垂直堆叠存储单元的方法来提升密度，规避传统SRAM容量受面积密度限制的问题 [7] - 产业进展：2021年AMD公布3D垂直缓存（3D V-Cache）技术，可将额外的7nm SRAM缓存垂直堆叠在Ryzen计算小芯片顶部 [7] - 产业进展：2024年7月，富士通介绍旗下MONAKA处理器采用3D SRAM技术，计划2027年出货。该处理器采用3D芯粒架构，所有末级缓存位于5nm SRAM芯片（底层芯片）中 [7][17] 投资建议与相关标的 - 投资建议：SRAM在AI推理中拓展应用，堆叠方案助力容量扩充 [3][8] - 相关标的覆盖多个产业链环节 [3][8]： - 布局定制化存储方案的国内头部存储芯片设计厂商：兆易创新、北京君正等 - 布局基于SRAM的数字存算一体方案：恒烁股份 - 布局先进封装：长电科技、通富微电等 - 布局混合键合设备：拓荆科技、华海清科、百傲化学、芯源微等 - 有望受益于英伟达新芯片方案的头部PCB厂商：深南电路、沪电股份、胜宏科技等 - PCB上游企业：生益科技、南亚新材、宏和科技、菲利华、中材科技等

报告行业投资评级 - 行业评级：推荐 [3] 报告核心观点 - 核心观点：电子行业正进入全面“通胀”2.0时代，多环节涨价行情延续，主要由AI需求驱动及上游原材料成本上升推动 [7] - 市场表现：最近一周（2月23日-2月27日）电子板块上涨4.02%，跑赢沪深300指数2.94个百分点；年初至今上涨14.94%，跑赢沪深300指数13.20个百分点 [7] - 子板块表现：本周电子行业子板块涨幅前五分别为PCB（14%）、被动元件（10.2%）、面板（7.1%）、半导体材料（6.9%）、LED（5.8%）[7][38] 根据目录总结 1 AI需求推动PCB上游材料开启涨价潮 - **覆铜板（CCL）开启新一轮涨价潮**：日本材料厂商Resonac自3月1日起对铜箔基板及粘合胶片价格上调30%以上，国内厂商有望跟进 [10] - **涨价驱动因素**： - **成本推动**：2025年以来SHFE铜价明显上行并高位震荡；高端电子布（low-dk, low-cte）需求旺盛带动传统布料一起涨价；HVLP高端铜箔量价齐升 [10] - **供给紧张**：AI服务器推动高速覆铜板向M8、M9等更高规格升级，高端产品挤占现有产能，头部CCL厂商稼动率饱满 [13] - **需求支撑**：TrendForce预测2026年全球AI服务器出货量同比增长超过28%，高算力密度提升及高速互联架构升级增加单机高频高速板材及高性能CCL用量 [17] - **行业周期判断**：与上一轮周期不同，本轮CCL上行周期由上游原材料价格上涨直接推动，在AI服务器及交换机等高端需求激增背景下，预计CCL价格未来仍具备上行空间 [18] - **电子布供需格局趋紧**： - **需求驱动**：AI服务器及交换机PCB层数提升至20层甚至40层以上，推动对低介电（low-dk）、低膨胀（low-cte）电子布的需求 [23] - **供给受限**：玻布厂商转产高价low-dk及low-cte布，消耗产能；织布机产能受限 [23] - **价格走势**：自去年10月至今，电子布经历四次涨价，主流产品每米从3.74元涨到4.97元，涨幅达33%，涨价周期由季度缩短为月度 [23] - **国产替代机会**：日东纺、旭化成等外资龙头扩产谨慎，国内宏和科技、中材科技、菲利华等公司在low-dk布领域有望实现份额快速提升，并加速石英纤维布（Q布）国产替代 [22] - **HVLP高端铜箔供需缺口扩大**： - **技术升级**：AI算力要求更低的信号损耗，推动铜箔由当前主流的HVLP2、HVLP3向HVLP4、HVLP5升级，技术壁垒和价值量提升 [29] - **供需状况**：高端HVLP产品紧缺，传统电子铜箔加工费持续上涨；HVLP1-4铜箔制造流程长、良率低，对产能消耗大 [30] - **议价能力提升**：头部电解铜箔厂商处于满产状态，加工费有望进一步上涨，如德福科技已对全球某头部覆铜板厂商所供产品启动提价 [30] 2 AI产业驱动需求上行，MLCC步入涨价周期 - **涨价催化**：2026年初，韩国MLCC现货价跳涨近20%，全球龙头村田考虑提价 [31] - **需求端“量质齐升”**： - **用量激增**：通用服务器MLCC用量约2200颗，而NVIDIA的GB300平台需搭载约3万颗，一台AI机柜消耗量高达44万颗 [33] - **品质要求高**：AI服务器高功耗要求MLCC具备耐高温、大容量、高可靠性，技术壁垒高 [33] - **应用拓展**：AI向机器人、智能汽车及智能眼镜等终端渗透，如智能眼镜单机需搭载150–200颗微型MLCC [31] - **供给端紧张**： - **稼动率高企**：MLCC行业整体稼动率从2024年初的65%升至80%以上；村田稼动率达90%–95%，客户高端订单已达其产能两倍 [32] - **扩产缓慢**：高端MLCC精度要求高、扩产周期长 [32] - **外部事件影响**：TDK被列入关注名单实体，其高压MLCC市占率达20%，若产能受限将加剧全球供应链紧张，为国产替代创造空间 [32] - **国产替代机会**：三环集团、风华高科等国内企业已突破高端MLCC关键技术，有望承接外溢需求 [32] 3 上游原材料涨价+AI需求驱动，半导体涨价或延续 - **行业趋势**：全行业芯片供应紧张、上游原材料成本上升，半导体行业涨价趋势或将延续 [34] - **功率半导体涨价**： - **具体案例**：新洁能宣布对MOSFET产品涨价10%起；宏微科技宣布对IGBT单管及模块、MOSFET器件提价 [34] - **涨价原因**：上游原材料涨价导致晶圆代工与封测成本上涨；8英寸晶圆代工产能紧缺 [34] - **产能瓶颈**：功率半导体高度依赖8英寸成熟制程，全球新增产能有限，TrendForce预计8英寸产能紧张至少持续至2027年 [34] 4 本周市场行情回顾 - **板块表现**：最近一周（2月23日-2月27日）电子板块涨跌幅为4.02%，相对沪深300涨跌幅+2.94个百分点 [37] - **年初至今表现**：电子板块涨跌幅为14.94%，相对沪深300指数涨跌幅+13.20个百分点 [37] - **领涨子板块**：PCB（14%）、被动元件（10.2%）、面板（7.1%）、半导体材料（6.9%）、LED（5.8%）[38] 投资建议与关注标的 - **总体建议**：关注PCB上游材料、MLCC等AI需求驱动涨价环节，以及上游原材料涨价驱动下的半导体涨价环节 [7] - **PCB上游材料**：生益科技、南亚新材、华正新材、宏和科技、国际复材、中材科技、铜冠铜箔、德福科技、东材科技、莱特光电等 [7] - **MLCC**：风华高科、三环集团、洁美科技、博迁新材、国瓷材料、火炬电子、鸿远电子、雅创电子等 [7][32] - **半导体相关产业链**：中芯国际、华虹半导体、晶合集成、长电科技、通富微电、甬矽电子、伟测科技、华润微、新洁能、扬杰科技等 [7] 重点公司盈利预测与估值（部分） - **生益科技**：股价68.45元，2025E/2026E/2027E的EPS预测分别为1.40/2.11/2.74元，对应PE为49/32/25倍 [2] - **南亚新材**：股价112.90元，2025E/2026E/2027E的EPS预测分别为1.00/1.98/3.08元，对应PE为113/57/37倍 [2] - **风华高科**：股价26.50元，2025E/2026E/2027E的EPS预测分别为0.28/0.38/0.47元，对应PE为95/70/56倍 [2] - **三环集团**：股价63.00元，2025E/2026E/2027E的EPS预测分别为1.40/1.71/2.06元，对应PE为45/37/31倍 [2] - **中芯国际**：股价112.53元，2025E/2026E/2027E的EPS预测分别为0.67/0.84/1.05元，对应PE为168/134/107倍，评级“推荐” [2] - **通富微电**：股价50.90元，2025E/2026E/2027E的EPS预测分别为0.88/1.08/1.20元，对应PE为58/47/42倍，评级“推荐” [2]

报告投资评级 - 行业评级：推荐 [3] 报告核心观点 - 电子行业正进入全面“通胀”2.0时代，多环节涨价行情延续，核心驱动力是AI需求爆发与上游原材料成本上升 [7] - AI服务器需求高增，推动PCB上游材料（电子布、铜箔、CCL）及MLCC开启涨价潮，并向上传导至半导体产业链 [7][10][31] - 高端产品（如高速CCL、low-dk电子布、HVLP铜箔、高端MLCC）因技术壁垒高、扩产慢，出现结构性供需失衡，是涨价的核心环节 [10][22][29][32] - 国内相关厂商在高端材料与元器件领域有望迎来国产替代的重要窗口期 [22][32] 根据目录总结 1 AI需求推动PCB上游材料开启涨价潮 - **成本上行叠加AI高端需求，CCL开启新一轮涨价潮**：日本Resonac公司自3月1日起将铜箔基板及粘合胶片价格上调30%以上，国内厂商有望跟进 [10]。涨价主因是上游原材料（铜、电子布、铜箔）价格上涨及AI服务器对高速覆铜板（如M8、M9等级）的高端需求激增，挤占现有产能，头部CCL厂商稼动率饱满 [10][13] - **高端需求挤占产能，电子布供需格局趋紧**：AI服务器推动PCB层数增至20-40层以上，玻布厂商转产高价的low-dk及low-cte布，导致传统布料产能被挤压 [23]。自去年10月以来，电子布经历四次涨价，主流产品价格从每米3.74元涨至4.97元，涨幅达33%，且涨价周期从季度缩短至月度 [23] - **HVLP高端铜箔供需缺口扩大，行业议价能力提升**：AI算力要求更低的信号损耗，推动铜箔从HVLP2/3向HVLP4/5升级，技术壁垒和价值量更高 [29]。高端HVLP铜箔制造良率低、产能消耗大，头部电解铜箔厂商处于满产状态，已开始上调加工费 [30] 2 AI产业驱动需求上行，MLCC步入涨价周期 - 2026年初MLCC成为涨价主线，2月24日韩国MLCC现货价跳涨近20%，龙头村田考虑提价 [31] - 需求端呈现“量质齐升”：一台NVIDIA GB300平台需搭载约3万颗MLCC，一台AI机柜消耗量高达44万颗，远超通用服务器的2200颗 [33]。AI服务器要求MLCC具备耐高温、大容量、高可靠性，技术壁垒高 [33] - 供给端持续紧张：全球MLCC行业稼动率从2024年初的65%升至80%以上，村田稼动率达90%-95%满载水平，其高端MLCC订单量已达当前产能的两倍 [32]。高端MLCC扩产缓慢，叠加TDK受管控可能影响供应，供需失衡局面或将持续 [32] 3 上游原材料涨价+AI需求驱动，半导体涨价或延续 - 年初以来，芯片设计、代工、封测等环节公司陆续发布涨价函，行业涨价趋势或将延续 [7][34] - 功率半导体出现新一轮涨价：新洁能宣布对MOSFET产品涨价10%起，宏微科技对IGBT及MOSFET提价，主因是上游原材料涨价导致晶圆代工与封测成本上升 [34] - 产能瓶颈加剧：功率半导体依赖的8英寸晶圆成熟制程产能紧缺，全球8英寸产能在2025年出现负增长，且预计至少持续至2027年 [34][36] 4 本周市场行情回顾 - 最近一周（2月23日-2月27日）电子板块上涨4.02%，跑赢沪深300指数2.94个百分点；年初至今上涨14.94%，跑赢沪深300指数13.20个百分点 [37] - 子板块涨幅前五分别为：PCB（14%）、被动元件（10.2%）、面板（7.1%）、半导体材料（6.9%）、LED（5.8%） [38] 重点公司关注列表 - **PCB上游材料**：生益科技、南亚新材、华正新材、宏和科技、国际复材、中材科技、铜冠铜箔、德福科技、东材科技、莱特光电 [7] - **MLCC**：风华高科、三环集团、洁美科技、博迁新材、国瓷材料、火炬电子、鸿远电子、雅创电子 [7][32] - **半导体相关产业链**：中芯国际、华虹半导体、晶合集成、长电科技、通富微电、甬矽电子、伟测科技、华润微、新洁能、扬杰科技 [7]

主力资金流向 - 截至2月27日开盘一小时，主力资金净流出前20的股票合计净流出约-163.81亿元，其中新易盛以-22.38亿元居首，工业富联以-17.03亿元次之，中际旭创以-16.59亿元位列第三 [1] - 资金流出规模在10亿元以上的股票有3只，流出规模在5亿元至10亿元之间的股票有9只，流出规模在3亿元至5亿元之间的股票有8只 [1][2][3] 个股表现与资金动态 - 新易盛股价下跌-5.95%，主力资金流出-22.38亿元，为当日资金流出最多的股票 [2] - 工业富联股价下跌-4.68%，主力资金流出-17.03亿元 [2] - 中际旭创股价下跌-5.51%，主力资金流出-16.59亿元 [2] - 胜宏科技股价下跌-4.71%，主力资金流出-9.59亿元 [2] - 立讯精密股价下跌-2.74%，主力资金流出-9.10亿元 [2] - 兆易创新股价下跌-3.26%，主力资金流出-8.35亿元 [2] - 天孚通信股价下跌-3.87%，主力资金流出-6.88亿元 [2] - 菲利华股价下跌-3.09%，主力资金流出-5.83亿元 [2] - 润泽科技股价微跌-0.53%，主力资金流出-5.61亿元 [2] - 沪电股份股价下跌-2.45%，主力资金流出-5.47亿元 [2] - 三花智控股价下跌-1.42%，主力资金流出-5.34亿元 [2] - 北方华创股价下跌-4.19%，主力资金流出-5.23亿元 [3] - 赛微电子股价下跌-6.19%，主力资金流出-4.95亿元 [3] - 通富微电股价下跌-2.14%，主力资金流出-4.93亿元 [3] - 特变电工股价下跌-1.5%，主力资金流出-4.78亿元 [3] - 海光信息股价下跌-3.79%，主力资金流出-4.18亿元 [3] - 高德红外股价下跌-4.43%，主力资金流出-3.98亿元 [3] - 长飞光纤股价下跌-2.25%，主力资金流出-3.97亿元 [3] - 方正科技股价大幅下跌-7.29%，主力资金流出-3.95亿元 [3] - 英维克股价下跌-4.39%，主力资金流出-3.68亿元 [3] 行业资金分布 - 电子行业是资金流出的主要领域，涉及工业富联、胜宏科技、立讯精密、兆易创新、沪电股份、北方华创、赛微电子、通富微电、海光信息、方正科技等10只股票，合计流出约-84.58亿元 [1][2][3] - 通信行业次之，涉及新易盛、中际旭创、天孚通信、润泽科技、长飞光纤等5只股票，合计流出约-55.43亿元 [1][2][3] - 国防军工行业涉及菲利华和高德红外2只股票，合计流出约-9.81亿元 [2][3] - 电力设备、家用电器、机械设备行业各涉及1只股票，分别为特变电工（-4.78亿元）、三花智控（-5.34亿元）、英维克（-3.68亿元） [2][3]

涉及的行业与公司 * **行业**：半导体、人工智能芯片、电子制造 * **公司（供应链）**： * **芯片代工**：台积电[1] * **SRAM供应商**：力积电、华邦电、钰创、爱普[1] * **PCB（印刷电路板）供应商**：胜宏科技、沪电股份[1] * **树脂供应商**：东材科技[1] * **Q布供应商**：菲利华[1] * **CCL（覆铜板）供应商**：台光（主要供应商）、生益科技[1] * **封测供应商**：日月光（主要供应商）、通富微电、长电科技[1] * **系统集成代工**：工业富联、广达、纬创[1] 核心观点与论据 * **英伟达LPU的技术路径**：LPU通过采用片上SRAM，绕开了对HBM（高带宽内存）和CoWoS（先进封装）技术的依赖[1] * **供应链影响**： * 该技术路径使英伟达LPU不依赖传统的HBM三巨头（三星、SK海力士、美光）[1] * 在封装环节，LPU主要采用传统封装，无需复杂的CoWoS先进封装[1] * **供应链关键环节**： * 芯片制造采用台积电的N3/N5制程[1] * SRAM供应商均为台商[1] * 封测环节由日月光主供[1] * CCL（覆铜板）环节由台光主供[1] 其他重要信息 * 文档内容为“传闻的英伟达LPU供应链名单”[1] * 供应链名单在文档中重复列出[1]

核心观点 - Meta与AMD宣布合作部署AMD的MI450芯片，预计将为AMD带来超千亿美元收入，其核心封测厂商通富微电有望深度受益，盈利预测获上调，并获“买进”评级 [1] 行业动态与重大合作 - Meta与AMD宣布合作，将部署总计六千兆瓦（6,000 MW）的AMD MI450芯片 [1] - 预计此次合作在未来数年内将为AMD带来超千亿美元（>100 billion USD）规模的收入 [1] - 预计订单总金额将超千亿美元（>100 billion USD） [1] 公司业务与客户关系 - 通富微电是AMD的核心封装测试厂商 [1] - 通富微电曾收购AMD的海外封测业务 [1] - 通富微电的槟城及苏州工厂中，AMD均参股15% [1] - 公司收入端预计将录得较多增量，长期影响正面 [1] 公司战略与资本运作 - 公司通过定增，以抓住人工智能（AI）与国产替代的战略机遇期 [1] - 此举旨在进一步扩大公司在封装测试领域的影响力，长期影响正面 [1] 财务预测与估值 - 基于与AMD的合作前景，群益证券上调了通富微电2027年的盈利预测5% [1] - 公司当前股价对应2026年市盈率（PE）为40倍，对应2027年市盈率为26倍 [1] - 群益证券予以通富微电“买进”评级 [1]