**行业与公司** * 行业聚焦于内存（Memory）领域 包括NAND闪存和DRAM 特别是高密度QLC eSSD和服务器DRAM[1][2] * 涉及公司包括SK海力士（SK hynix）及其子公司Solidigm 铠侠（KIOXIA） 三星电子（Samsung） 群联（Phison）和江波龙（Longsys）[4] **核心观点与论据** * 内存需求激增 美国超大规模云客户对2026年高密度NAND订单激增 规模可能超过今年整个eSSD市场 并因投资不足导致的晶圆产能有限而影响NAND市场其他领域[2] * DRAM价格趋势转向 受云服务器紧急订单驱动 预计2025年第四季度混合平均销售价格（Blended ASP）将上涨10% 而非此前预期的持平[2] * 五大关键变化推动行业叙事转变 包括高密度QLC eSSD需求突出 2026年潜在新订单相当于今年全部eSSD需求 多个AI驱动的新终端市场需求出现拐点 例如约200万颗GDDR7将于2025年下半年运往中国 2026年可能更高 SOCAMM需求因Rubin GPU发布推动LPDDR5x需求 DDR5服务器需求自本季度初显著回升并将推动4Q25涨价 供应分配将影响DRAM市场其他部分的客户行为 库存水平目前低于正常水平[3] * 下一个增长点包括SOCAMM GDDR7和HBM逻辑基础芯片计算等多个由AI驱动的新内存需求领域 NAND在减产后的资本配置可能支撑其投资回报率（ROIC）在整个周期内显著改善 HBM降价是已知风险 进一步降价和利润侵蚀的风险不太可能再拖累HBM股票 围绕HBM4的讨论仍集中在资格认证和规格变化上 但叙事已转向强劲的大宗商品周期[3] * 受益者分析 SK海力士通过Solidigm成为NAND复苏的关键受益者 因其在高密度QLC eSSD领域的高敞口和完全折旧晶圆厂的低生产成本 铠侠正准备增加其BiCS-8 QLC产品的产量 三星作为全球最大的NAND厂商（2Q25e按收入计市占率33%） 其QLC产品组合占比较低 但仍将受益于供应紧张溢出至消费级NAND 其他受益者包括群联和江波龙[4] * 市场格局与预测 美光（Micron）在过去3年eSSD收入份额增长最大 并在2025年第一季度达到创纪录份额[8] 预计2026年QLC产量供应商分布为SK海力士+Solidigm占36% 铠侠+闪迪（SanDisk）占29% 美光占17% 三星占9% 其他占9%[8] * NAND价格预测更新 企业SSD价格在3Q25E和4Q25E分别从旧预测的上涨3-8%和下跌0-5% 调整为上涨3-8%和上涨0-5% 3D NAND晶圆（TLC & QLC）价格在3Q25E从旧预测的上涨3-8%调整为上涨8-13% 在4Q25E从旧预测的下跌8-13%调整为下跌3-8%[9] * DRAM价格预测更新 服务器DRAM中DDR4价格在4Q25E从旧预测的基本持平调整为上涨15-20% 移动DRAM中LPDDR4X价格在4Q25E从旧预测的上涨3-8%调整为上涨15-20% LPDDR5(x)价格在4Q25E从旧预测的基本持平调整为上涨8-13% 消费级DRAM中DDR3价格在3Q25E从旧预测的上涨15-20%调整为上涨50-60% 图形DRAM中GDDR7价格在3Q25E从旧预测的上涨5-10%调整为5-10% 在4Q25E从旧预测的基本持平调整为上涨3-8% 整体HBM混合价格在4Q25E从旧预测的上涨5-10%调整为上涨8-13%[10] **其他重要内容** * 行业观点为“In-Line”（同步大市）[5] * 报告包含大量免责声明 利益冲突披露和评级定义说明 摩根士丹利在截至2025年8月29日持有其所覆盖多家公司（包括SK海力士 群联等）1%或以上的普通股 并在过去12个月内为铠侠 SK海力士等提供过投资银行服务并收取报酬 未来3个月可能寻求或获得来自三星电子 SK海力士 群联等公司的投资银行服务报酬[30][31][32]

DDR4价格上涨原因 - 存储大厂向终端客户公布新一轮合约价，DDR4、LPDDR4x均有所涨价，DDR4涨幅尤其明显 [1] - 三星、SK海力士和美光三家存储大厂陆续宣布战略性部分退出DDR4业务，转向更高利润的DDR5、LPDDR5x和HBM等高端产品 [1] - 供给端减产预期带动现货市场价格上扬，DDR4 16G 3200现货价格自3月开始小幅上涨，此后涨幅持续扩大 [1] - DDR4 16Gb（1Gx16）200现货平均价已达16美元，DDR5（2Gx8）4800/5600现货价格仅为6.095美元，DDR4价格已达DDR5的2.6倍，创下DRAM历史上最大的代际倒挂记录 [1] - 8GB DDR4 3200MHz模组价格从年初的1.63美元跃升至5.1美元，涨幅超200%，16GB DDR4 3200MHz突破12.8美元，较年初涨260% [2] 行业动态与趋势 - DDR4世代的生命周期已超过10年，需求逐步由DDR5取代，各主要供应商已规划终止生产DDR4，最后出货时间大约落在2026年初 [3] - 海外大厂更加坚定地向HBM、DDR5等主流产品迁移，进一步淡出利基型市场，下游客户库存水位较低，因此在供给收缩的背景下价格上扬 [3] - 下游备货推升现货价格，工厂在备货的考量下陆续出手采购，促使报价再度上扬 [3] - 这轮内存停产主要集中在消费级产品，美光仍将维持对车用、工业及网络通信领域的DDR4/LPDDR4内存供应 [4] - 展望第三季DDR4合约价格趋势，供应商生产策略及关税政策为主要的不确定性，不排除主要供应商在产出逐渐收敛下，预期性备货需求将再推升价格涨幅高于预期 [4] - TrendForce集邦咨询预计DDR4的价格或将在第四季度触顶回落，随着价格进入高档区间，供应商正逐步释放库存，预期第四季整体供应将逐步改善 [4] 国内存储厂商动态 - 国际三大原厂持续将产能向DDR5、LPDDR5x及HBM等高性能存储领域倾斜，形成利基型市场的供给空缺 [6] - 东芯股份对于利基型DRAM在产能端逐步拓展，客户端逐步发力，希望在本轮海外退出的节点获取更多的市场份额 [6] - 北京君正正在用更加先进的工艺制程，完善DDR4和LPDDR4产品线，目前销售占比最大的是DDR3 [6] - 本土厂商在利基DRAM产品和应用领域快速拓展，随着产品技术的提升、产能配套的完善和自主可控趋势的演进，本土厂商未来有望持续提升市场份额 [6] - 存储已经过了周期的低点，向好的方向发展，下半年网络通讯和消费电子的需求情况还可以 [7]

纪要涉及的公司和行业 - 公司：高通、华邦 - 行业：电子行业 纪要提到的核心观点和论据 - **高通合作验证节奏**：今年一季度正式立项并完成国内供应商验证，预计6月底回片后进行合封、测试、良率和功能评估，明年2 - 3月送样手机厂商，9 - 10月推出手机市场[1] - **应用层面升级**：高通骁龙8 Elite旗舰机标配LPDDR5x带宽85GB/s，升级3DDRAM后可超1T，目前配合验证产品带宽256GB/s，速率提升三倍，成本合计上升约60美元，适用于计算摄影AI等高端机型[1] - **WoW方案优势**：相比华邦CUBE，WoW采用hybrid bonding，无 微凸点，堆叠高度更薄，在内存带宽和功耗方面有优势，4层以上堆叠时良率优于CUBE[1]