拉长时间线看，8GB DDR4 3200MHz模组价格从年初的1.63美元跃升至5.1美元，涨幅超 200%；16GB DDR4 3200MHz突破12.8美元，较年初涨260%。 三大原厂集体退出引发涨价潮 近日，有市场消息表示，存储大厂向终端客户公布新一轮合约价，DDR4、LPDDR4x均有所涨价， DDR4涨幅尤其明显。 DDR4是第四代双倍数据速率同步动态随机存取存储器，自2014年推出。因其高带宽、低功耗和大容量 特性，广泛应用于个人电脑、服务器、高性能计算、游戏设备等领域。 7月8日，21世纪经济报道记者以投资者身份咨询了东芯股份（688110.SH）证券部有关人士。其表示， 因为大厂停产的原因，导致在一些细分品类上，的确有涨价情况。 今年以来，三星、SK海力士和美光三家存储大厂陆续宣布战略性部分退出DDR4业务，转向更高利润的 DDR5、LPDDR5x和HBM等高端产品。 供给端减产预期，带动了现货市场价格上扬。以DDR4 16G 3200现货为例，CFM闪存市场数据显示，该 产品价格自3月开始小幅上涨，此后涨幅持续扩大。 7月5日数据显示，DDR4 16Gb（1Gx16）200现货平均价已达1 ...

以下文章来源于TrendForce集邦 ，作者TrendForce TrendForce集邦 . TrendForce集邦咨询是一家全球高科技产业研究机构，研究领域横跨存储器、AI服务器、集成电路与半 导体、晶圆代工、显示面板、LED、AR/VR、新能源（含太阳能光伏、储能和电池）、AI机器人及汽 车科技等，提供前瞻性行业研究报告、产业分析 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来 源： 内容编译自 ctee 。 TrendForce指出，今年四月起韩、美系原厂陆续宣布将于明年减少或停止供应智慧手机、笔电使 用的LPDDR4X，但因相对应的处理器晶片规格未能同步升级，导致市场恐慌性需求明显升温，预 期第三季价格将大幅季增23%至28%。 LPDDR5X主要因旺季备货影响，短期供给较紧张，叠加原 厂有意缩小和其他记忆体产品的价差，预估第三季合约价将维持上涨5%至10%。 Graphics DRAM第三季主要由NVIDIA新一代显卡备货带动需求，PC OEM也开始回补库存，但 整体拉货动能仍因游戏市场需求偏弱而相对保守。此外，三大原厂已逐步切换产能至GDDR7，以 因应NVIDIA新一代GPU上市，但NVID ...

July 7, 2025 产业洞察 根 据 TrendForce 集 邦 咨 询 最 新 调 查 ， 由 于 三 大 DRAM 原 厂 将 产 能 转 向 高 阶 产 品 ， 并 陆 续 宣 布 PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场对旧世代产品积 极备货，叠加传统旺季备货动能，将推升 2025年第三季一般型DRAM(Conventional DRAM)价格季 增10%至15%，若纳入HBM，整体DRAM涨幅将季增15%至20% 。 | | 2Q25 | 3Q25E | | --- | --- | --- | | PC DRAM | DDR4: up 13~18% | DDR4: up 38~43% | | | DDR5: up 3~8% | DDR5: up 30% | | | Blended: up 30% | Blended: up 8013% | | Server DRAM | DDR4: up 18~23% | DDR4: up 28~33% | | | DDR5: up 3~8% | DDR5: up 30% | | | Blended ...

行业政策与投资 - 深圳设立50亿元半导体与集成电路产业投资基金，支持全产业链优化提质[5][6] - 上海对集成电路等重点产业链实施联合体支持政策，给予最高产业政策支持[5] - 香港首座8英寸碳化硅晶圆厂获批，将兴建第三代半导体生产设施[5] 全球半导体产能与市场 - 中国大陆预计2030年超越中国台湾成为全球最大半导体晶圆代工中心，份额达30%[7][8] - 2024年中国大陆以21%的全球代工产能份额位居第二，仅次于中国台湾（23%）[8] - 韩国6月半导体出口额同比增加11.6%至149.7亿美元，刷新历史纪录[7] 技术与工艺进展 - 东京大学研发掺镓氧化铟晶体材料，有望取代硅材料延续摩尔定律[19] - 三星确认LPDDR6将于2025年下半年量产，高通率先搭载[19] - 英特尔考虑以14A（1.4纳米）工艺直接对标台积电与三星的2纳米技术[14][15] 企业动态与市场表现 - 三星电子晶圆代工部门上半年绩效奖金为零，存储器部门获25%奖金[11] - 高通剔除三星2纳米代工名单，由台积电独吞旗舰大单[11] - 三星美国泰勒芯片厂因客户短缺推迟投产[12] - 摩尔线程和沐曦股份同日科创板IPO获受理，拟募资总额119.04亿元[12] 存储芯片市场 - 16Gb DDR4现货价格持续上涨，PC级DRAM价格失去动力[16] - DDR4价格或在Q4触顶回落，DDR5价格趋势稳定[17] - LPDDR4X价格预计Q3环比上涨20%以上，LPDDR5X小幅上扬[17] 消费电子市场 - 中国Q2智能手机销量预计增长1%，华为销量份额同比增12%[20][21] - 2025年全球TWS耳机销量预计同比增长3%，入门级产品为主要动力[21] - 中国电视市场2025年预计出货3830万台，同比增长3.2%，大屏需求强劲[22] 设备与材料 - 2026年日本半导体设备销售额预计突破5万亿日元[8] - 美国半导体企业新厂建设投资税收抵免比例有望升至35%[7][8]

行业技术趋势 - 高通骁龙8至尊版主控搭配LPDDR5X Ultra内存和UFS4 1闪存构成性能铁三角，成为2025年秋季以来Android旗舰机的宣传重点[1] - 华为可能抢先苹果在智能手机中应用HBM内存，而苹果此前传闻将在20周年纪念版iPhone上采用HBM技术[2] - HBM内存基于3D堆栈技术，通过TSV和微凸块工艺实现多层DRAM芯片垂直堆叠，与传统DDR的并行总线架构有本质区别[2][4] HBM技术优势 - HBM3E传输速率达9 6GB/s，带宽1 2TB/s，是LPDDR5X带宽(1066 6MB/s)的1180倍[6] - HBM采用1024位数据总线宽度(对比LPDDR5X的64位)，通过硅中介层实现3D堆栈，大幅提升数据吞吐量[6] - 3D堆栈设计可缩短数据传输路径，节省芯片面积，为手机内部空间设计提供更多灵活性[4][10] 成本与商业化挑战 - HBM因硅中介层(如台积电CoWoS、英特尔EMIB)导致成本极高，约为GDDR内存的3倍[8] - 目前仅苹果、华为等溢价能力强的厂商具备在智能手机中率先商用HBM的条件[10] - AI大模型训练需求催化HBM市场，2013年SK海力士已量产但近年才因AI爆发获得强劲需求[10] 手机行业应用前景 - AI手机发展趋势推动HBM应用，端侧大模型需要高带宽(加速数据访问)和大容量(存储参数)[11] - 端侧模型在隐私保护方面的优势将促使HBM逐步取代LPDDR成为未来智能手机标配[11] - 3D堆叠技术节省的空间可优化机身内部设计，强化厂商在AI手机赛道的竞争力[11]

行情速递 - 主板领涨个股包括东山精密(+10.01%)、传艺科技(+10.01%)、好利科技(+10.00%)、同兴达(+10.00%)、旭光电子(+9.97%) [1] - 创业板领涨个股包括旋极信息(+20.00%)、蓝箭电子(+15.21%)、广信材料(+7.73%) [1] - 科创板领涨个股包括锴威特(+19.99%)、耐科装备(+6.49%)、龙芯中科(+6.43%) [1] - 活跃子行业包括SW印制电路板(+2.61%)、SW电子化学品Ⅲ(+1.90%) [1] 国内新闻 - 摩尔线程IPO申请获科创板受理，拟募资80亿元人民币，用于AI训推一体芯片、图形芯片、AI SoC芯片研发及补充流动资金 [1] - 联得装备中标京东方第8.6代AMOLED生产线项目，中标设备为自动贴合机，总额1.57亿元 [1] - 飓芯科技完成3亿元人民币B轮融资，用于柳州基地产能扩建、产品升级及人才引进，推动氮化镓半导体激光芯片国产化 [1] - 宁德时代启动印尼60亿美元电池工厂项目，合资建设15GWh电池工厂，可为25万至30万辆汽车供电 [1] 公司公告 - 福晶科技2024年年度权益分派方案为每10股派发现金红利1.00元，共计派发47,025,000.00元 [3] - 广联达截至2025年6月末累计回购股份8,732,100股，占总股本的0.53% [3] - 并行科技股东清控银杏南通创业投资基金减持728,145股，持股比例由5.8373%降至4.6178% [3] - 盛景微截至2025年6月底累计回购股份97,400股，占总股本比例0.10% [3] 海外新闻 - IDC估计基于Arm架构的服务器今年将占全球总出货量的21.1%，主要得益于AI处理系统的推出 [3] - SK海力士预计2025年第二季度营业收入达9万亿韩元，HBM3E供应比重提升将推动季度营业利润突破10万亿韩元 [3] - 美光宣布交货全球首款10纳米级1γ制程LPDDR5X存储器产品，采用EUV光刻技术提升容量密度优势 [3] - Counterpoint Research显示2025Q1全球智能手机应用处理器市场前三为联发科、高通和苹果，中国大陆厂商崛起 [3]

报告行业投资评级 - 维持电子行业“增持”评级 [5] 报告的核心观点 - 受AI推动，预计到2028年先进芯片制造产能将增长69%，全球半导体制造行业预计将保持强劲增长势头，从2024年底到2028年产能将以7%的复合年增长率增长，达到每月1110万片晶圆，先进工艺产能将从2024年的每月85万片晶圆增长到2028年的140万片晶圆，复合年增长率约为14% [3] - 美光1γ制程LPDDR5X良率提升速度超越上代，正式进入EUV DRAM制程时代，计划全面导入第六代10nm级1γ制程，涵盖DDR5、LPDDR5X、GDDR7及数据中心相关内存产品线 [4] 根据相关目录分别进行总结 市场行情回顾 - 过去一周（06.23 - 06.27），SW电子指数上涨4.61%，板块整体跑赢沪深300指数2.66个百分点，六大子板块中其他电子Ⅱ、元件、半导体、消费电子、电子化学品Ⅱ、光学光电子涨跌幅分别为7.88%、6.66%、4.55%、3.99%、3.53%、3.49% [3] 先进芯片制造产能情况 - 全球前端半导体供应商正在加速扩张，以支持生成式人工智能（AI）应用的激增需求，先进工艺产能（7纳米及以下）预计将从2024年的每月85万片晶圆增长到2028年的140万片晶圆，增长约69%，复合年增长率约为14% [3] - 预计先进工艺产能从2025年到2028年保持14%复合年增长率，从2025年的每月98.2万片晶圆开始，同比增长15%，2026年产能首次突破100万片晶圆，达到每月116万片晶圆 [3] - 2nm及以下工艺的产能部署在整个预测期内显示出更激进的扩张，产能从2025年的每月不到20万片晶圆，增长到2028年的每月超过50万片晶圆 [3] 美光公司情况 - 6月27日，美光宣布开始向客户提供采用导入极紫外光（EUV）光刻技术的新一代1γ制程的首批LPDDR5X内存样品，正式进入EUV DRAM制程时代 [4] - 美光1γ DRAM技术节点进展顺利，良率爬升速度超越1ß节点纪录，本季完成多项关键产品里程碑，包括首批基于1γ制程的LPDDR5 DRAM认证样品出货 [4] - 1γ制程是美光第六代10nm级制程节点，拥有业界最快的10.7 Gbps速率，与前一代1ß相比性能提升15%、功耗降低20%，位密度增加30%，随着良率提升有望降低生产成本 [4] - 美光计划全面导入第六代10nm级1γ制程，涵盖DDR5、LPDDR5X、GDDR7及数据中心相关内存产品线，已在日本启用首台EUV设备，并开始量产1γ DRAM，未来将在日本与中国台湾扩大EUV DRAM产能 [4] 投资建议 - 建议关注半导体设计领域部分超跌且具备真实业绩和较低PE/PEG的个股，AIOT SoC芯片关注中科蓝讯和炬芯科技，模拟芯片关注美芯晟和南芯科技，驱动芯片领域关注峰岹科技和新相微 [5] - 半导体关键材料聚焦国产替代逻辑，关注电子材料平台型龙头企业彤程新材、鼎龙股份、安集科技等，碳化硅产业链关注天岳先进 [5]

半导体行业转向低功耗技术 - 半导体行业从专注速度和容量转向功耗效率，人工智能芯片成为耗能大户，英伟达即将推出的B100芯片功耗达1000瓦，较前代A100（400瓦）和H100（700瓦）显著提升 [1] - 低功耗芯片需求激增，尤其在智能手机、平板电脑等移动设备中，需在不联网情况下执行AI计算以节省电量，LPDDR技术成为前沿，其双数据路径设计提升速度并降低功耗，目前已发展到第七代（LPDDR5X） [1] 三星电子与SK海力士的LPDDR技术进展 - 三星电子开发出LPDDR5X芯片，数据处理速度最快，容量较上一代提升30%以上，功耗降低25%，已准备量产 [2] - SK海力士率先商业化LPDDR5T DRAM，性能提升5倍，应用于Vivo旗舰机型，每秒可处理15部全高清电影，功耗显著降低 [2] - LPDDR堆叠技术发展迅速，类似HBM技术，旨在提高容量和速度同时降低功耗 [2] 下一代材料与基板技术竞争 - 玻璃基板被视为AI时代“梦想基板”，可提升数据处理速度且不增加功耗，SKC子公司Absolix在美国建厂，三星电子计划2026年量产，LG Innotek已启动相关业务 [3][4] - 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）芯片正在开发中，可能替代传统硅，三星电子成立专门团队目标2025年量产GaN基半导体 [4] 行业趋势与核心产品变化 - 设备端AI时代LPDDR有望成为核心产品，英伟达CPU已采用LPDDR DRAM而非HBM [4]

报告行业投资评级 - 重申对SK海力士和三星电子的买入评级 [1][5][6] 报告的核心观点 - 预计2025年下半年全球内存供应短缺将加剧，因AI推理模型和边缘AI设备的积极发展使GDDR7需求上升，以及苹果iPhone 17系列DRAM含量升级 [1][5][6] - GDDR7和LPDDR5X将成为2025年下半年全球DRAM需求的重要增长驱动力 [1] 各部分总结 GDDR7性能优势 - GDDR7在数据传输速度、带宽可扩展性和功耗方面有显著改进，数据速率提升2倍至每引脚4.8Gbps，每设备带宽容量翻倍至192GB/s [2] - 采用先进PAM3技术，每个时钟周期数据密度比GDDR6的NRZ技术提高50%，工作电压降至1.1 - 1.2V以优化功耗 [2] - 利用四个8位通道增强并行处理能力、降低延迟，为AI推理工作负载实现更高吞吐量 [2] AI推理需求推动GDDR7采用 - AI蒸馏技术的出现为将大型AI模型集成到边缘AI设备铺平道路，将显著提升AI推理的内存需求 [3] - 这将增加对包括GDDR7在内的图形DRAM的需求，GDDR7可作为AI推理内存解决方案中HBM的替代方案 [3] 2025年下半年DRAM需求增长 - 尽管市场担忧关税问题，但预计2025年下半年DRAM供需平衡将更紧张，受GDDR7需求增加和iPhone 17系列DRAM含量升级驱动 [4] - 预计DeepSeek在2025年下半年的GPU构建需求达200万台，每GPU的DRAM含量为96GB，带来154亿Gb的需求增长，加上其他AI推理模型的需求，GDDR7总需求增长403亿Gb，使全球图形DRAM需求增加24%，全球DRAM需求增加2.4% [4][7] - 苹果iPhone 17 Pro/Pro Max/Slim型号的DRAM含量从8GB升级到12GB，预计iPhone的GDDR7和LPDDR5X将使2025年下半年全球DRAM需求额外增长3.2% [4][7] 公司估值 - 对三星电子的12个月目标价为83,000韩元，采用分部加总法（SOTP），基于2025年预期EBITDA计算，参考全球同行对五个主要部门分配EV/EBITDA倍数 [9] - 对SK海力士的目标价为350,000韩元，应用2.5倍的2025年预期市净率（P/B），考虑到强劲的高端内存需求增长和内存市场的结构性增长 [11]

代理人工智能在智能手机的发展 - GenAI智能手机正从通信中心转变为具备情境感知能力的智能自主伴侣 [1] - 代理人工智能将推动智能手机进入全新类别，实现"你²"模式，即AI作为用户的数字延伸，由边缘运行的多个个性化学习模型支持 [3] 硬件层面的挑战与需求 - 实现代理人工智能需克服电池寿命、处理能力和内存限制的硬件挑战 [3] - 边缘处理需满足低延迟、隐私保护、成本效率、离线访问和个性化等关键要求 [3] - 处理器、内存、存储、电池、传感器和热管理等组件需重大升级以支持边缘AI工作负载 [3] 内存子系统的关键技术与创新 - 内存带宽增长速度落后于计算性能增长，传统DRAM解决方案已接近临界点 [6] - LPDDR5X当前标准提供10.7 Gbps速度，LPDDR6即将推出，承诺14.4 Gbps+带宽和更高功率效率 [6] - 处理内存（PIM）将计算功能集成到内存中，显著降低延迟和功耗，加速特定AI任务 [8] - 宽I/O接口和先进封装技术（如3D堆叠）可提升带宽并优化热管理 [12] 行业协作与未来展望 - 需SoC设计师、内存供应商、OEM、操作系统开发者和AI研究人员深度合作，优化边缘AI硬件和软件 [15] - JEDEC等机构需加速LPDDR6等技术的标准化，确保互操作性和创新 [15] - 行业需共同投资下一代内存、存储和封装技术以支持AI快速发展 [15] - 代理人工智能的变革潜力将推动智能手机成为真正智能的生活伙伴 [16]