Workflow
存储
icon
搜索文档
【长电科技(600584.SH)】运算及汽车电子构筑增长引擎——跟踪报告之五(刘凯/黄筱茜)
光大证券研究· 2025-05-29 21:10
业务结构优化与高增长领域布局 - 公司持续聚焦高性能封装技术高附加值应用,加速布局汽车电子、高性能计算、存储、5G通信等高增长领域 [2] - 2024年营收结构:通讯电子44.8%、消费电子24.1%、运算电子16.2%、汽车电子7.9%、工业及医疗电子7.0%,除工业领域外各下游收入均实现同比两位数增长 [2] 运算电子业务增长与技术优势 - 运算电子业务2024年收入同比增长38.1%,成为重要增长引擎 [3] - 公司在存储封测领域具备领先技术:覆盖DRAM/Flash产品,拥有20多年量产经验、32层闪存堆叠、25um超薄芯片制程能力及高密度3D封装技术 [3] - 通过收购晟碟半导体80%股权扩大存储市场份额,晶圆级微系统集成项目2024年投产提升先进封装竞争力 [3] 汽车电子业务扩张与产能规划 - 汽车电子业务2024年营收同比增长20.5%,显著高于行业平均增速 [4] - 产品覆盖智能座舱、ADAS、传感器等,已进入头部企业核心供应链并建立国际战略合作 [4] - 上海汽车电子封测基地预计2025年下半年投产,未来几年逐步释放产能 [4] 新兴技术领域布局 - 智能终端射频领域:布局高密度SiP、AiP封装技术,支持5G/WiFi射频模组及毫米波雷达产品 [5] - 功率及能源领域:推进第三代半导体功率器件技术,2.5D垂直Vcore模块已量产,服务于AIGC算力能源及通信电源 [5]
知名外媒报道:波场 TRON 与 Rumble Cloud 达成战略合作
搜狐网· 2025-05-29 17:05
战略合作 - Rumble与波场TRON达成战略合作 波场TRON作为去中心化自治组织(DAO) 致力于通过区块链技术和DApps推动互联网去中心化 [1] - 合作初期 Rumble Cloud将向波场TRON开放资源支持 助力构建更去中心化、可靠的基础设施 [1] - 波场TRON创始人孙宇晨表示 合作将提供更强大技术支撑 加速实现开放、抗审查且用户主导的互联网愿景 [3] 公司业务与技术 - Rumble Cloud提供包括虚拟机、Kubernetes编排系统、块与对象存储等云计算解决方案 旨在帮助企业摆脱传统云服务巨头的不公正定价和审查控制 [3] - Rumble Cloud基于Rumblecom视频流技术打造 已稳定覆盖数百万用户 具备优秀扩展能力应对高并发需求 [4] - Rumble致力于构建独立基础设施 使命是让互联网回归自由开放本质 [4] 市场地位与行业影响 - 波场TRON近期登顶USDT最大发行网络 USDT占据稳定币市场份额超63% 流通量突破1500亿美元 [3] - 合作彰显区块链技术与高性能云存储的协同效应 为行业打造安全性与去中心化特性的基础设施范例 [3] - 依托Rumble Cloud架构 企业客户可降低单点故障风险 提升抗审查能力 确保存储系统安全可靠且去中心化 [4] 管理层观点 - Rumble CEO Chris Pavlovski表示 区块链和加密货币象征去中心化互联网 与公司推广言论自由的宗旨契合 [3] - Chris Pavlovski感谢波场TRON信任 期待长期合作带来更多成果 [3]
存储器市场跟踪
傅里叶的猫· 2025-05-28 22:42
在之前的文章中,几次都写到了HBM相关的内容,我们后面也将持续跟踪存储器市场,包括NAND 和DRAM。在这些文章中,我们会提供最近的存储器市场的数据,以及大机构的预测趋势,包括各 个厂商(包括长鑫和长江存储)的市场占有率、出货量、成品晶圆和晶粒的库存、晶圆出货量等。 这篇文章参考的内容主要来自UBS的研报和数据。我们参考的内容都会放到星球中。 三星与SK海力士对第二季度的指引反映出一定程度的需求前置,尤其是来自智能手机和PC客户的需 求。两家公司均预计2Q25 DRAM出货量将环比增长小于10%。对于NAND,三星预计Q2出货量环比 增长大概5%左右,而SK海力士则超过20%。 UBS维持对DDR定价在2Q25环比增长5%的预测,其中LPDDR5的势头持续强于DDR5和 DDR4/LPDDR4。对于NAND均价,UBS将Q2预测从+5%下调至+3%。尽管嵌入式NAND闪存需求仍 相对积极,但SSD价格上涨正面临客户更强烈的抵制。 展望2025年下半年,由于关税不确定性,存储厂商的能见度低于正常水平。UBS继续认为NAND闪 存需求更可能面临规格降级(或客户通过套件调整压低内容成本,本质相同)。因此,UBS预 ...
2024-2025年全球存储市场趋势白皮书解读(57页附下载)
搜狐财经· 2025-05-28 20:37
全球存储市场变化和技术发展分析 - 高层数3D NAND Flash通过双晶圆键合架构提升存储密度,三星、SK海力士等厂商计划量产300层以上NAND [2][39][41] - 随着层数增加,高纵横比刻蚀和沉积工艺复杂性增加,存储厂商通过横向拓展多层存储孔密度等方式克服挑战 [2][35] - W2W双晶圆键合技术成为重要发展方向,三星与长江存储签署3D NAND混合键合专利许可协议 [41][42] 服务器存储需求增长 - 2024年服务器NAND应用占比达30%,预计2025年将攀升至30% [4][43] - 2024年服务器DRAM应用占比达34%,预计2025年将增长至36% [5][47] - AI服务器需求显著升温,以英伟达H100为例,单机存储容量显著提升 [9][10] 存储技术和应用发展 - QLC NAND持续改善存储性能和可靠性,适用于读取密集型应用场景 [6][51] - 2025年AIPC渗透率预计达35%,带动PCle 4.0/5.0 SSD应用增长 [7][57][58] - PC品牌及存储厂商积极拓展东南亚、拉丁美等海外市场,SSD市场潜力巨大 [8][71] HBM和企业级SSD市场 - 2024年全球HBM市场规模达160亿美元,预计2025年将增长至300亿美元,占DRAM市场28% [11] - 企业级PCle 5.0 SSD需求快速增长,预计2025年出货占比有望达30% [12][63] 消费类存储产品发展 - 2025年全球PC出货量预计增长3%至2.61亿台,AIPC渗透率攀升至35% [13][58] - AIPC普遍配置32GB LPDDR5X内存和1TB起步的SSD存储 [14] - 2024年全球智能手机出货量约11.84亿部,2025年预计增长2%至12.10亿部 [15][16] AI消费电子发展 - AI眼镜2024年出货量突破200万副,预计2025年攀升至1000万副 [17] - AI眼镜技术路线分为传统眼镜升级和AR功能迭代,未来将融合更多AI功能 [18]
长电科技(600584):跟踪报告之五:运算及汽车电子构筑增长引擎
光大证券· 2025-05-28 17:44
报告公司投资评级 - 维持“买入”评级 [3][5] 报告的核心观点 - 报告研究的具体公司持续布局高增长领域,业务结构不断优化,看好后续运算和汽车电子业务对公司营收利润的拉动 [1][3] 各部分总结 业务结构 - 2024年公司营收中通讯电子、消费电子、运算电子、汽车电子、工业及医疗电子占比分别为44.8%、24.1%、16.2%、7.9%和7.0%,除工业领域外,各下游应用市场的收入均实现同比两位数增长 [1] 运算电子业务 - 公司封测服务覆盖DRAM、Flash等存储芯片产品,拥有20多年memory封装量产经验,多项技术处于国内和国际行业领先地位 [2] - 2024年公司晶圆级微系统集成高端制造项目顺利投入生产,完成对晟碟半导体80%股权的收购,扩大了存储及运算电子领域的市场份额 [2] - 2024年公司运算电子业务收入同比增长38.1% [2] 汽车电子业务 - 公司加入头部企业核心供应链体系,与多家国际顶尖企业缔结战略合作伙伴关系,产品覆盖多个应用领域 [2] - 2024年公司汽车电子业务营收同比增长20.5%,远高于行业平均增速 [2] - 上海汽车电子封测生产基地预计2025年下半年正式投产,未来几年逐步释放产能 [2] 其他业务布局 - 公司在智能终端射频领域布局多种封装技术,为相关产品提供支持;在APU集成应用方面开发新技术,应用于智能产品 [3] - 公司在功率及能源领域推进第三代半导体功率器件及模块技术,开发新型散热结构和先进工艺,具备定制化服务能力,部分产品已实现量产 [3] 盈利预测与估值 - 下修公司2025 - 2026年归母净利润预测为21.55和25.04亿元(下调30%和37%),新增2027年归母净利润预测为30.44亿元 [3] 财务数据 - 2023 - 2027E年公司营业收入分别为296.61亿、359.62亿、413.35亿、454.54亿、499.85亿元,增长率分别为 - 12.15%、21.24%、14.94%、9.96%、9.97% [4][9] - 2023 - 2027E年公司净利润分别为14.71亿、16.10亿、21.55亿、25.04亿、30.44亿元,增长率分别为 - 54.48%、9.44%、33.90%、16.18%、21.55% [4][9] - 2023 - 2027E年公司毛利率分别为13.7%、13.1%、13.5%、13.6%、14.1% [11] - 2023 - 2027E年公司资产负债率分别为39%、45%、46%、44%、43% [11]
三星提前停产MLC NAND存储器 引爆新一轮抢货潮
经济日报· 2025-05-28 07:26
全球存储器龙头三星有意退出MLC储存型快闪存储器(NAND Flash)市场,通知客户只接单到6月,并 通过涨价要客户知难而退,「不要来下单」,业界急寻新供应商,引爆新一波抢货潮。值此NAND报价 向上之际,三星停供将引动市况更热,群联、威刚、创见等NAND族群受惠。 业界指出,三星去年下半年就酝酿规划退出MLC NAND市场,原先时间点是今年下半年,如今提前停 产,将剩余手中库存销货完毕后就不再制造,使需要MLC规格NAND Flash的客户开始紧急寻求握有大 量库存的模块厂支持。 业界表示,现在NAND Flash规格主流虽正朝QLC方向推进,但MLC规格稳定性高,工规、物联网、电 视甚至车用等利基型高毛利应用仍大量采用MLC NAND,市场规模仍大,三星为最大供应商,停供将 导致下游很紧张。 根据了解,NAND Flash单元将数据储存在一个存储单元中,每个单元能够储存多个信息,不同类型的 NAND Flash,如SLC、MLC、TLC和QLC,其最大差别在于存储器芯片的储存信息单元量不同,SLC 规格的稳定性最高,但容量密度最低,现阶段消费性及企业级市场已开始往TLC、QLC推进。 韩媒The Ele ...
存储路线图,三星最新分享
半导体芯闻· 2025-05-26 18:48
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 在日前举办的"IMW 2025"上,三星电子关于下一代 DRAM 和下一代 NAND 闪存的演变。 在DRAM部分,三星首先回顾了DRAM单元多年来的演变。 在 1990 年代,平面 n 沟道 MOS FET 是单元选择晶体管(单元晶体管)的标准。然而,进入21 世纪,短沟道效应和关断漏电流已变得无法忽视。一种在不缩短沟道长度的情况下使横向(水平) 方向微型化的晶体管结构被设计出来并被用于DRAM单元晶体管。随着光刻技术的不断缩小, DRAM单元的面积可以不断缩小。 与此同时,DRAM 单元阵列布局在 2010 年代得到了改进。 DRAM单元的尺寸是根据设计规则 (或最小加工尺寸)"F:特征尺寸"进行比较的。原则上,可能的最小单元是 2F(垂直尺寸)x 2F(水平尺寸)= 4F2,但这极难实现。 2010年代,通过改进DRAM单元阵列的布局,单元面积从传统的"8F2"缩小到"6F2"。即使加工尺 寸相同,单元面积也减少了25%。这种"6F2"布局至今仍是大容量DRAM使用的标准。 在"6F2"布局中,通过将字线和沟道嵌入到衬底中,单元晶体管的面积得以减小。源极和漏极水 ...
佰维存储:为缓解认购限制性股票的资金压力,部分董事、高级管理人员减持不超过84,125股
证券之星· 2025-05-26 11:01
公司高管减持计划 - 公司部分董事及高级管理人员拟通过集中竞价交易方式减持不超过84,125股,占总股本的0.0182%,减持比例极小[1] - 减持目的为缓解认购2024年限制性股票激励计划的资金压力,与公司基本面无关,不影响治理结构和日常经营[1] - 减持价格将根据市场情况确定,相关高管承诺减持完成后本年度内不再通过二级市场减持股份[1] 股权激励计划创新 - 2024年限制性股票激励计划罕见地将股权激励与市值考核目标绑定,作为必要条件[1] - 公司解释该设计旨在确保管理层、员工与股东利益一致,共同推动长期发展[1] 业务与技术优势 - 公司是业内少数同时具备先进存储和先进封测能力的厂商,覆盖存储解决方案研发、主控芯片设计、封测及测试机等全产业链环节[2] - 提供"存储+先进封装测试"一站式综合解决方案,价值量显著高于单一封测服务,具备市场竞争力[2] 2024年业绩与未来展望 - 2024年营收和利润大幅增长,受益于行业上行周期及国内外一线客户拓展[2] - 预计2025年Q2起存储价格企稳回升,AI眼镜等高价值产品批量交付将带动收入增长,其中AI眼镜产品收入同比增幅有望超500%[2] - 晶圆级先进封测制造项目稳步推进,目标构建AI时代存算整合封测能力[2] 战略发展方向 - 坚持"研发封测一体化2.0"战略,强化高性能存储与先进封测的协同优势[3] - 通过技术创新和全链协作提升存储行业竞争力,深化客户合作关系[3]
2024-2025年全球存储市场趋势白皮书
搜狐财经· 2025-05-25 18:14
全球存储市场技术发展与应用变化 - 3D NAND技术持续突破,三星、SK海力士等厂商推进300层以上技术量产,三星400层NAND预计2025年大规模量产 [1] - 混合键合技术成为关键方向,长江存储与三星达成相关专利许可协议 [1] - 2024年服务器NAND应用占比达30%,DRAM占比34%,预计2025年分别增至30%和36% [2] - AI服务器推动HBM市场规模快速增长,2024年达160亿美元,2025年有望至300亿美元 [2] - PCle 5.0 SSD在企业级市场渗透率提升,2025年出货占比有望达30% [2] - QLC NAND进入成熟期,长江存储X3-6070 QLC实现4000次PE循环,企业级QLC SSD容量突破100TB [2] 消费类存储产品应用与发展 - 2025年全球PC出货量预计2.61亿台,AI PC渗透率达35% [3] - AI PC推动PCle 4.0/5.0 SSD应用,2025年PCle 5.0 SSD出货占比6.2% [3] - 2025年全球智能手机出货量12.10亿部,AI手机渗透率30% [4] - 手机单机NAND容量预计超220GB,DRAM超8GB [4] AI消费电子与存储新机遇 - AI眼镜市场2025年出货量有望达1000万副,存储方案向128GB/256GB超薄ePOP发展 [5] - AI推动硬件智能化,存储技术将与AI深度融合 [6] 服务器存储产品应用与市场分析 - 2024年AI服务器规模约140万台,同比增长56%,预计2025年达180万台 [73] - 英伟达H100 AI服务器所需HBM容量可达640GB,DDR5容量可达2TB-4TB,NAND容量可达32TB-132TB [78] - 2024年二季度末全球服务器市场DRAM出货量中DDR5占过半比例 [83] 存储技术和应用发展展望 - QLC NAND持续改善存储性能和可靠性,长江存储X3-6070 QLC可达到4000 P/E Cycles [42] - 2025年PCle 5.0 SSD在消费类市场出货占比将达6.2%,企业级市场有望达30% [50] - 全球PC市场2025年预计小幅增长,AI PC占比将达35% [45]
原厂或停产 DDR4,DRAM 提前涨价
国联证券· 2025-05-25 15:20
报告行业投资评级 - 强于大市(维持)[5] 报告的核心观点 - 4月以来部分原厂停产DDR4引发“蝴蝶效应”,高规格DDR4颗粒价格大幅上涨,DDR4 SODIMM和服务器DDR4 RDIMM跟涨,LPDDR4X供应趋紧致成品涨价;原厂停产DDR4改善供给格局,价格短期波动大,转移产能至DDR5和HBM给产业链带来机遇[2][13] - 三大原厂降低旧制程产能趋势不变,三星、海力士等逐步停产DDR4使供给收缩,客户备货致下半年价格或逐季上涨;2025年5月20日DRAM指数为568.27,同比下滑9.29%,年初至今涨幅19.48%,近一周涨幅6.61% [6][14][17] - 部分DDR4现货涨幅超50%,传导至内存条端;DDR4 4Gb eTT/DDR4 8Gb 3200本周报价0.70/2.00美元,周度涨幅27.27%/25%;DDR4 SODIMM 4GB/8GB/16GB本周报价11/18/30美元,周度涨幅10%/12.5%/11.11%;服务器DDR4 RDIMM 16/32/64GB本周报价55/90/180美元,周度涨幅10%/12.5%/16.13% [7][15] - 原厂将DDR4产能转向DDR5,DDR5渗透率有望提升,内存模组产业链受益;DDR5内存模组除内存颗粒和接口芯片外,还需串行检测集线器、温度传感器和电源管理芯片 [8][20] - 国内外原厂停产DDR4改善利基型DDR4供给格局、加速DDR5渗透,带来发展机遇,建议关注DDR4芯片兆易创新和DDR5产业链澜起科技等 [9][24] - 全球AI大模型迭代升级,AI应用快速发展,算力需求带动HBM需求增长,建议关注算力产业链和HBM产业链,相关标的有中微公司、北方华创等 [25] 根据相关目录分别进行总结 原厂或停产DDR4,DRAM提前涨价 原厂或停产,DDR4短期涨幅较大 - 三大原厂降低旧制程产能,三星、海力士等停产DDR4使供给收缩,客户备货,下半年价格或逐季上涨 [14] - 部分DDR4现货涨幅超50%,传导至内存条端;DDR4 4Gb eTT/DDR4 8Gb 3200本周报价0.70/2.00美元,周度涨幅27.27%/25%;DDR4 SODIMM 4GB/8GB/16GB本周报价11/18/30美元,周度涨幅10%/12.5%/11.11%;服务器DDR4 RDIMM 16/32/64GB本周报价55/90/180美元,周度涨幅10%/12.5%/16.13% [7][15] - 2024年5月以来DRAM指数下滑,2025年3月触底;2025年5月20日DRAM指数为568.27,同比下滑9.29%,年初至今涨幅19.48%,近一周涨幅6.61% [17] 内存模组有望受益DDR5渗透加速 - 原厂将DDR4产能转向DDR5,DDR5渗透率有望提升,内存模组产业链受益;内存接口芯片提升内存数据访问速度和稳定性;DDR5内存模组还需串行检测集线器、温度传感器和电源管理芯片 [8][20] - 根据JEDEC标准,DDR5世代不同内存模组搭配不同芯片,MRDIMM设计复杂度和速率要求高 [22] 投资建议:关注存储持续涨价机遇 存储持续涨价,关注相关产业链 - 国内外原厂停产DDR4改善利基型DDR4供给格局、加速DDR5渗透,带来发展机遇,建议关注DDR4芯片兆易创新和DDR5产业链澜起科技等 [9][24] AI应用快速落地,关注HBM产业链 - 全球AI大模型迭代升级,AI应用快速发展,建议关注算力产业链;算力需求带动HBM需求增长,建议关注HBM产业链,相关标的有中微公司、北方华创等 [25]