AI半导体周期预测 - 人工智能半导体周期顶峰预计在2028年到来，届时三星电子和SK海力士的业绩将比现在增长一倍以上[1] - 预测依据是NVIDIA CEO提到2028年数据中心投资将达到1万亿美元（约1427万亿韩元）[1] - 晶体管计算能力和高带宽内存（HBM）的安装量将比现在增长2.5倍[1] 半导体市场结构转变 - 2024年半导体市场以商品DRAM为主导，但从2025年开始，HBM和先进晶圆代工将成为焦点[2] - HBM被视为基于订单的定制产品，表明半导体行业正从"商品"向结构性增长行业转型[2] - 三星电子和SK海力士将继续在这一周期的中心创造创纪录的业绩[2] 企业合作与市场机遇 - OpenAI、博通、软银和甲骨文等全球企业开始全面合作，HBM销售渠道的扩大将对三星电子有利[2] - OpenAI正通过与软银和甲骨文的合作开创新趋势，在此过程中三星电子迎来新的增长机遇[2] - 2025年AI服务器内存占整个DRAM市场的比重预计将达到70%[2] 行业增长驱动力 - 尽管消费需求放缓，但以高性能计算（HPC）为中心的结构性增长仍将持续[2] - 随着推理服务的扩展，对固态硬盘（SSD）的需求也将恢复[2] - 到2028年，半导体股的业绩和股价双双下滑的可能性很低，目前高估值争议不是大问题[1]

行业需求趋势 - AI与高性能计算需求持续强劲，生成式AI浪潮成为科技业主轴，带动英伟达、AMD等大厂订单爆发性成长 [1] - 微软、Meta、亚马逊AWS及Google等指标大厂竞相争抢高速运算产能，需求至少将旺到明年底 [1] 台积电产能状况 - 台积电作为英伟达、AMD高性能计算唯一产能供应商，其2nm、3nm先进制程及SoIC、CoWoS先进封装产能已被预订一空 [1] - 为应对AI客户庞大需求，台积电开始加速委外先进封装与先进测试 [1] 日月光投控运营展望 - 日月光投控因承接大笔英伟达、AMD订单，正积极加快扩产脚步 [1] - 旗下矽品的二林厂与斗六厂可望在明年准备就绪，收购的高雄路竹厂房亦有望在明年完成机台进驻 [1] - 法人在英伟达、AMD等大客户订单挹注下，看好公司明年运营将攀上高峰，并可望赚至少一个股本 [1] 京元电运营展望 - 京元电成功拿下英伟达高性能计算测试大单，GB200/300订单目前正在量产 [2] - 英伟达明年将问世的Rubin平台订单预计今年底启动测试产能 [2] - 法人在大客户订单挹注下，看好公司明年运营将攀上高峰，并可望赚至少一个股本 [1]

涉及的行业与公司 * 行业：半导体行业，特别是先进封装、AI/HPC芯片、碳化硅材料、光电集成领域[1][5][15] * 公司：台积电、英伟达、AMD、谷歌、AWS、Marvell、ASE、英特尔、三星、Wolfspeed、环球晶圆、ROHM、SICC、三安等[1][8][60][136][145][146][286] 核心观点与论据 AI芯片面临的挑战与行业应对 * AI芯片功耗与复杂性激增，单个GPU电流需求超过1000A，功耗常超过1千瓦，对电源传输网络和热管理提出极限挑战[5][6][22][23] * 传统通过PCB或ABF基板供电的方法因路径长、寄生电感高导致压降和电压波动，已接近极限[5][6] * 行业提出多种解决方案：Marvell推出封装集成电压调节器缩短电源路径[8] ASE通过VIPack平台优化电源传输网络、信号互连和热性能[9][10] 台积电采取多元化策略，在CoWoS-L平台嵌入IVR和eDTC，开发背面电源传输网络，并引领热协同设计[12][13] 碳化硅成为关键材料 * 碳化硅因其宽禁带、高热导率、高击穿场强等特性，从功率电子领域扩展至先进封装和异构集成[16][17][49] * AI芯片发展暴露出热管理、电源传输和光电集成三大瓶颈，碳化硅有望成为同时解决这些挑战的潜在终极方案[26][49][124] * 碳化硅在先进封装中的四大角色：热基板、光学中介层、电气中介层、垂直供电基板，成为连接电源传输网络、热管理和光互连领域的关键材料[19][20][21][50][117] 台积电的战略布局与技术平台 * 台积电视碳化硅为重要战略方向，积极探索将其用于热基板和光电中介层，若成功可能在高性能计算封装领域建立独特竞争优势[42][59][152][192] * 台积电的3DFabric战略通过CoWoS、SoIC、InFO等平台应对集成挑战[38][39] 新推出的COUPE平台聚焦光电集成、垂直供电和异构集成[53][54][55][56][57] * 台积电的CoWoS系列平台持续演进：CoWoS-S使用硅中介层但尺寸受限 CoWoS-R引入基于RDL的有机中介层 CoWoS-L集成局部硅互连芯片与高阶RDL结构，支持超大中介层[40][41] 碳化硅应用的机遇与挑战 * 机遇：12英寸碳化硅晶圆技术取得突破，有望支持更大面积封装，是AI时代材料应用的关键转折点[126][127][152] 碳化硅晶圆市场规模预计从2025年的9.7亿美元增长至2030年的26.5亿美元，复合年增长率22.24%[167][209] * 挑战：12英寸碳化硅晶圆面临缺陷密度控制、加工难度大、成本高、与硅等材料热膨胀系数不匹配等瓶颈[66][67][123][201][202][203][204] 全球12英寸碳化硅晶圆供应仍处于研发或小规模试产阶段[151][153][206] * 供应链动态：Wolfspeed作为主要供应商面临成本上升、需求低于预期、债务沉重等挑战[137][138][139][140][143] 中国碳化硅产业崛起，供应商扩张加剧全球竞争和价格压力[136][138][144][146] 竞争对手策略 * 英特尔：积极推进PowerVia背面供电和Foveros/EMIB技术，专注光学互连领导力，未宣布采用碳化硅基板计划[60][196][197][199] * 三星：投资高带宽存储器堆叠和玻璃基板，计划2028年将玻璃中介层用于AI芯片2.5D封装，专注于成本降低和互连稳定性[60][198][199] 具体技术研究与进展 * 穿透碳化硅通孔技术研究显示，碳化硅在高电阻率下具有低传输损耗和良好的射频性能，适用于共封装光学和光子学应用[233][234][235][236][237][238][240][246][247][252][253][255][256][257][265] * 碳化硅在增强现实眼镜波导中具有高折射率，可实现超宽视场角，结合微发光二极管被视为未来增强现实显示主流技术路径[68][69][72][73][74][75][76][77] * 碳化硅在晶圆厂设备中已知用作化学机械抛光停止层和混合键合中的关键材料，显示出与现有工艺的兼容性[97][98][99][100][101][102][103] 其他重要内容 * 英伟达正与台积电合作探索将碳化硅用作中介层材料，以满足AI/高性能计算封装日益增长的带宽和功耗需求[61] * 行业垂直互连技术包括穿透硅通孔、穿透玻璃通孔、穿透模塑料通孔，穿透碳化硅通孔成为新焦点[63] * 环球晶圆宣布了新的12英寸碳化硅晶圆技术，提出类似载具晶圆架构，将完整的碳化硅载具晶圆作为结构和热层插入封装堆叠中[286][287][288][290]

投资规模与项目规划 - 安靠科技将在美国亚利桑那州建设全新先进封装与测试园区，总投资额从原计划增加超过50亿美元，达到总计70亿美元，分两期实施 [2] - 项目全部完工后，园区将拥有超过75万平方英尺的洁净室空间，并创造多达3000个高质量岗位 [2] - 首座生产厂房预计于2027年年中完工，2028年初投产 [2] 战略意义与政府支持 - 该投资将支持强化美国半导体领导力的国家战略，并成为美国首座大规模先进封装生产基地 [2] - 项目获得了特朗普政府的“美国芯片法案”、先进制造业投资税收抵免政策，以及州与地方政府的支持 [2] - 美国商务部长表示，此次合作将首次把大规模先进封装能力带到美国，支持美国AI产业的领先地位 [3] 技术定位与市场服务 - 新园区将引入智能工厂技术与可扩展生产线，以满足人工智能、高性能计算、移动通信与汽车电子等市场需求 [3] - 园区将专注于先进封装与测试技术，并与台积电的前端晶圆制造实现互补，构建完整的本土半导体制造体系 [3] - 设施将成为美国先进封装能力的基石，服务包括苹果与英伟达在内的核心客户 [2] 核心客户与合作生态 - 苹果公司表示，其美国工厂今年将生产190亿颗芯片，安靠新厂将负责封装和测试台积电亚利桑那工厂生产的Apple Silicon芯片 [3] - 苹果通过“苹果美国制造计划”投资安靠，该计划是其6000亿美元在美投资承诺的重要组成部分 [3] - 台积电表示，与安靠的合作将为客户提供高效的一体化本地生态系统，助力定义未来的半导体制造 [3] 行业领袖观点 - 安靠科技CEO称此次奠基是公司长期增长与创新战略上的大胆一步，将推动美国半导体制造的未来 [3] - 英伟达CEO表示，人工智能点燃了新的工业革命，安靠新工厂是将AI供应链能力带回美国本土的里程碑 [3]

**行业与公司** * 行业涉及人工智能（AI）芯片、高性能计算（HPC）、先进封装和碳化硅（SiC）材料[1][13][40] * 公司包括台积电（TSMC）、英伟达（NVIDIA）、Marvell、ASE、英特尔（Intel）、三星（Samsung）、Wolfspeed、环球晶圆（GlobalWafers）等[1][45][300] **核心观点与论据** * AI芯片功率需求激增，单个GPU电流超过1000A，传统电源分配网络（PDN）和热管理方法接近极限，导致IR压降和瞬态电压下降[5][29][235] * 台积电通过CoWoS-L平台嵌入IVR和eDTC以增强功率稳定性，并开发背面电源分配网络（BSPDN）分离电源与信号层，减少电压降[10][236][293] * 碳化硅（SiC）因宽禁带、高热导率（370-490 W/m·K）、高击穿场强等特性，成为解决AI芯片热管理、电源分配和光互连的关键材料[14][40][120] * SiC可作为高压集成电路（HVIC）衬底、光互连基板和支持Chiplet与HBM堆叠的机械增强层，连接PDN、热管理和光互连领域[16][17][40] * 台积电探索将SiC引入COUPE平台，以同时解决热、电、光挑战，并在AI封装中建立竞争优势[44][196][230] * 12英寸SiC晶圆面临缺陷密度控制、工艺兼容性和成本挑战，但市场预计以22.24%的复合年增长率（CAGR）从2025年的9.7亿美元增长至2030年的26.5亿美元[53][168][216] * 英特尔专注于光学互连（OCI、CPO），三星采用玻璃中介层降低成本，而台积电通过SiC差异化应对热、电、光集成需求[45][205][209] **其他重要内容** * SiC在增强现实（AR）眼镜波导中应用，折射率2.6-2.7可实现70-80°视野（FOV），厚度仅0.55 mm，重量2.7 g，并解决“彩虹效应”和热管理问题[63][65][66] * Through-SiC Via（TSiCV）技术在高频和高温环境中表现优异，插入损耗低于0.5 dB/10 mm，适用于毫米波通信和恶劣环境MEMS集成[243][250][276] * Wolfspeed因中国SiC供应商崛起面临价格竞争（2024年衬底价格下降30%）、需求疲软和债务压力（65亿美元债务），而中国计划2027年实现12英寸SiC量产[134][136][137] * Marvell推出封装集成电压调节器（PIVR），将VRM嵌入封装缩短电源路径，降低PDN阻抗，与台积电的IVR和eDTC策略互补[7][287][289] * 环球晶圆提出SiC载板架构，将SiC作为纯热传导层插入封装堆栈，避免界面热阻问题，提升GPU和HBM的热耗散效率[302][304][305] **数据与百分比** * SiC热导率370-490 W/m·K，优于硅（150 W/m·K）和玻璃（0.9-1.5 W/m·K）[107][112] * 12英寸SiC晶圆缺陷导致良率低，8英寸良率较6英寸低15-20%[212][213] * SiC衬底价格2024年下降约30%[138] * 全球SiC晶圆市场预计从2025年9.7亿美元增长至2030年26.5亿美元，CAGR 22.24%[168][216] * 台积电IVR解决方案功率密度是离散VR的5倍[292]

行业趋势与市场驱动 - 探针卡市场成长主要受汽车、通信、医疗、消费电子等领域需求增长推动，特别是在微机电系统探针卡方面 [1] - 先进封装技术进步、高性能计算、生成式人工智能、自动驾驶辅助系统需求快速提升，推动微机电系统探针卡市场成长 [1] - 上游晶圆厂扩产抬升全流程测试强度，前段晶圆测试需要更高通道数与更严苛的热与高频条件，直接推升探针卡单价与耗用量 [1] 主要公司运营动态 - 颖崴聚焦高频高速、高端市场，在5G手机APU、服务器、高性能计算、图形处理器、中央处理器等高复杂度产品线测试界面已布局 [2] - 颖崴垂直探针卡产品营收占比达双位数，微机电系统产能持续提升，探针产能目标从去年300万针提升至450万针 [2] - 旺硅高端探针卡接单爆满且稼动率满载，垂直式探针卡月产能从去年底约90万针提升至第二季度突破120万针，微机电系统探针卡月产能目标在今年底挑战100万针 [2] - 精测推动更多高性能计算、人工智能、车用等新专案，在北美客户市占率持续扩大，已通过美系图形处理器客户新一代产品验证 [2]

超以太网（UE）技术概述 - 超以太网（Ultra Ethernet）1.0规范为AI和高性能计算（HPC）系统定义了一套变革性的高性能以太网标准 其核心创新是超以太网传输层（UET） 这是一种可完全通过硬件加速的协议 专为超大规模系统中的可靠、高速、高效通信而设计[2] - 超以太网充分利用以太网庞大的生态系统 相比InfiniBand实现每传输1比特数据带来千倍级计算效率提升 开启高性能网络新时代[2] 技术发展背景与动因 - 传统InfiniBand和RoCE协议存在明显局限性 包括要求网络提供无损传输能力、严格按序交付数据包 以及依赖优先级流控（PFC）机制导致拥塞扩散和队首阻塞问题[4][5][6] - 过去25年晶体管成本降低超过10万倍 而带宽仅从SDR提升至XDR 增幅仅为100倍 这使得网络架构设计人员在每传输1比特数据时可利用的计算资源增加1000倍以上 促使企业重新思考AI和HPC网络协议栈设计[7] - 2022年第一季度 AMD、博通、HPE、英特尔和微软等公司组建工作组 基于各企业内部研发成果打造下一代以太网开放标准 该项目最初名为HiPER 后更名为超以太网（UE）[8] 超以太网联盟（UEC）与核心原则 - 2023年7月 超以太网联盟（UEC）由AMD、Arista、博通、思科、Eviden、HPE、英特尔、Meta和微软联合正式宣布成立 作为Linux基金会联合开发基金会旗下的开放项目 截至2024年底 成员公司已超过100家 参与人数超过1500人[9] - 联盟核心原则包括：大规模可扩展性（支持数百万个网络端点）、高性能（通过高效协议实现 如无连接API建立耗时可低至纳秒级）、与现有以太网数据中心部署兼容性（仅需交换机支持ECMP和基础ECN功能）、厂商差异化（在确保互操作性的前提下支持厂商创新）[9][10][11] 网络架构与关键特性 - 超以太网将网络划分为三种基本类型：本地网络（纵向扩展型 连接CPU与加速器 传输距离达10米 延迟目标为亚微秒级）、后端网络（横向扩展型 连接计算设备的高性能网络）和前端网络（传统数据中心网络）[12] - 关键特性包括：高可扩展性无连接传输协议、原生支持逐包多路径传输（数据包喷洒）、支持可靠与不可靠两种传输模式、创新性拥塞管理方案、支持纯硬件/纯软件/软硬件混合部署、集成端到端加密与认证功能、链路层优化支持硬件加速[18] - 超以太网提供三个配置文件：HPC配置文件（最丰富功能集 针对MPI和OpenSHMEM工作负载优化）、AI Full配置文件（AI Base的超集 支持精确标签匹配）、AI Base配置文件（实现复杂度最低）[24] 技术实现细节 - 采用ECMP数据包喷洒技术实现负载均衡 通过为每个数据包分配不同熵值（EV）避免流量极化现象 实现统计意义上的均匀分布[16][21][22] - 传输语义子层（SES）采用受Portals 4规范启发的有线协议和语义 实现高效、轻量级的libfabric提供程序 支持两种地址解析模式（相对寻址和绝对寻址）[29][30][31] - 提供多种消息处理机制：会合协议（HPC配置文件）、可延迟发送（AI Full配置文件）和接收方发起（AI Base配置文件） 优化不同场景下的消息传输效率[38][40][41] - 数据包交付子系统（PDS）管理数据包可靠传输 支持四种传输模式：可靠无序交付（RUD）、可靠有序交付（ROD）、不可靠无序交付（UUD）和幂等操作可靠无序交付（RUDI）[49][50][51] - 拥塞管理子系统（CMS）提供两种互补算法：基于网络信号的拥塞控制（NSCC）和基于接收端信用的拥塞控制（RCCC） 分别针对不同拥塞场景（入向拥塞、出向拥塞和网络内拥塞）进行优化[65][70][71][72][73] - 传输安全子系统（TSS）采用零信任安全模型 提供端到端机密性和认证服务 支持多种密钥管理机制和防重放攻击方案[80][81][84][86] 物理层与链路层特性 - 物理层（PHY）基本未因UE而改变 保持与任何以太网部署兼容 首批UE产品支持100G/lane或200G/lane信令[27] - 链路层引入两项独立可选特性：链路层重试（LLR）和基于信用的流控制（CBFC） 通过LLDP与对等设备协商启用[87][88]

公司战略转型 - 灿谷集团以1950万美元收购美国乔治亚州50兆瓦比特币矿场 正式进军比特币挖矿及能源基础设施领域 [1] - 此次收购是公司扩大自营矿场的关键第一步 旨在提升运营效率和财务韧性 同时为未来能源战略奠定基础 [1] - 公司计划划分30兆瓦用于自主挖矿业务 剩余20兆瓦用于为第三方客户提供托管服务 [1] 业务多元化布局 - 收购完成后矿场基础设施将不断完善 公司正积极布局将能源供应拓展至高性能计算（HPC）应用 [1] - 此举旨在扩大矿场在比特币挖矿之外的长期发展潜力 充分发挥公司内部运营与技术优势 [1] - 该矿场此前已通过第三方托管协议承载灿谷的矿机 收购后实现从托管到自主运营的转变 [1]

评级调整与目标价变化 - 摩根大通将Riot Platforms股票评级从"增持"降至"中性" [1] - 目标股价从14美元上调至15美元 [1] 股价表现与市场对比 - 公司年内股价暴涨42% [1] - 同期比特币和CoinShares比特币矿业ETF涨幅均为20% [1] 估值与催化剂分析 - 摩根大通认为当前估值"略显偏高" [1] - 后续上涨依赖两大催化剂：高性能计算(HPC)合作协议或比特币价格持续攀升 [1] 业务转型与收入多元化 - 公司向HPC服务领域拓展以增加非挖矿收入 [1] - 分析师认可转型潜力但对时间表不确定性持谨慎态度 [1] 公司核心业务与战略 - 主营业务为比特币挖矿与数字基础设施开发 [1] - 核心设施位于德克萨斯州罗克代尔和科西卡纳 [1] - 采用垂直整合战略结合矿场运营、自主工程与电力采购能力 [1] - 通过专有矿机和基础设施投资生产比特币 [1]

行业趋势与需求 - 印制电路板（PCB）是电子设备的"神经系统"，广泛应用于手机、电脑、智能汽车等领域 [2] - AI算力、高性能计算（HPC）、数据中心、智能汽车、可穿戴设备等领域对高端PCB需求激增 [2] - AI/HPC是高端PCB的主要驱动力，训练大模型需要超级服务器，带动高密度互连技术需求 [3] - 光模块升级推动PCB工艺进步，从800G向1.6T发展，需要mSAP等先进工艺 [3] - 智能汽车和可穿戴设备需要更轻薄、散热更强、信号传输更快的PCB [4] - 低端PCB竞争激烈，高端PCB技术壁垒高，集中度提升 [4] 公司业绩表现 - 2025年上半年归母净利润16.5亿元-17.5亿元，同比增长45%-53% [6][7] - 2025年上半年扣非净利润16.1亿元-17.1亿元，同比增长45%-54% [6][7] - 2024年全年收入133.4亿元，同比增长49.26% [9] - 2024年归母净利润25.9亿元，同比增长71.05% [9] - 2024年扣非净利润25.5亿元，同比增长80.80% [9] - 2019-2024年营收CAGR为13%，归母净利润CAGR为16% [11][13] 业务结构与技术优势 - 2024年AI服务器及HPC相关产品占比约29.5% [10] - 海外收入占比达86.5%，绑定国际科技巨头供应链 [17] - 2024年企业通讯市场板中，AI服务器和HPC相关产品占比29.5%，高速交换机及配套设备占比38.6% [21] - 研发费用从2019年3.2亿元增至2024年7.9亿元，研发费用率5.9% [23][25] - 产品毛利率从2019年30.4%提升至2024年35.9% [26] - 净利率从2019年16.9%提升至2024年19.4% [27] 产能扩张与未来展望 - 启动总投资43亿元的昆山人工智能芯片配套高端PCB扩产项目 [33] - 泰国高端PCB生产基地预计2025年进入小规模量产 [33] - 2023-2028年AI服务器和HPC相关PCB产品CAGR预计达40.2% [33] - 2025年全球车用PCB市场规模预计超300亿美元，占比从12%提升至20% [35] - 汽车板业务占总收入18%，在毫米波雷达、HDI自动驾驶板等领域取得突破 [35]