公司业务与财务表现 - 2025年上半年TMO产品销售表现良好 预计全年营业收入实现较大增长 [1] - 原材料价格下降和营收增长带动毛利改善 成本管控推动净利润提升 [1] - 光引发剂涨价影响较小 因用量低且可提升自产TMO自用比例 [1] - 交易性金融资产波动因创投项目退出所致 影响将逐步减弱 [1] 产品与技术进展 - 厚膜负性光刻胶实现技术突破 临时键合材料已小批量销售 [1] - EMC材料正拓展至先进封装 IGBT及第三代半导体领域 新建高性能产线 [1] - 收购JNC液晶业务助力切入高附加值中小尺寸市场 [1] - 汽车外饰件涂料已在内资车企试样并小批量导入 海外认证推进中 [1] 半导体领域布局 - 公司产品能满足碳化硅与氮化镓等第三代功率器件半导体生产需求 [2] - 产品已进入全国最大的氮化镓厂和碳化硅厂供应链 [2] - 未来增速受半导体需求驱动 但存在下游波动与面板价格不确定性 [1] 机构调研背景 - 上海理成资产管理有限公司参与飞凯材料业绩说明会 [1] - 理成资产参与华特气体特定对象调研 [2] - 理成资产管理规模最高超过100亿元 专注于医药 先进制造 大消费领域投资 [2]

第三代半导体产业概述 - 第三代半导体以碳化硅和氮化镓为代表 具有宽禁带特性 在新能源汽车 新能源并网 高速轨道交通等领域有广阔应用前景[1] - 江苏将第三代半导体列为优先发展的未来产业首位 产业发展水平国内前列 代表性企业数量全国第一 关键材料与生产设备国际领先[1] 江苏产业布局与优势 - 江苏形成以南京 苏州 无锡为核心区 南通 扬州 徐州协同发展的产业格局 2024年营业收入约50亿元[5] - 初步建成完整产业链 涵盖设备与辅材—衬底与外延—器件制造—下游应用[5] - 产业规模和技术创新水平稳居国内第一梯队 徐州天科合达产品覆盖2-8英寸碳化硅晶片 卓远半导体拥有国内首条大英寸金刚石基片研发线[4] 核心技术突破 - 国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台研制国内首款万伏级SiC MOSFET和20kV SiC IGBT 应用于国际首个35kV全SiC变电站[3] - 江苏第三代半导体研究院突破6英寸氮化镓材料技术 同质Micro-LED可见光通信刷新两项世界纪录 完成照明通信显示一体化芯片研发[5] - 无锡邑文科技自主研发12英寸CCP介质层刻蚀机和CVD化学气相沉积设备 进入12英寸半导体核心工艺圈 设备订单排产至2026年初[2] 创新生态建设 - 全省第三代半导体发明专利申请量6593件 授权量2448件 分别占全国总量16.02%和14.02% 居全国前列[5] - 南京大学 东南大学等5所高校设立集成电路学院 南京大学郑有炓院士在Ⅲ族氮化物异质结构领域取得国际领先成果[5] - 依托中科院苏州纳米所 中电科55所 江苏第三代半导体研究院等平台 形成全产业链关键技术攻关能力[5] 资本支持体系 - 无锡设立规模50亿元第三代半导体专项基金 支持碳化硅/氮化镓器件企业研发[6] - 省战略性新兴产业母基金支持的英诺赛科于2024年在港交所上市 成为港股"第三代半导体第一股"[6] 发展挑战 - 高端人才集中于高校院所 企业对顶尖科学家吸引力不足 柔性引才政策与科学家时间需求存在矛盾[8] - 核心芯片对外依存度高 新能源汽车电驱功率器件部分依赖进口 存在高端禁运 低质高价 超长货期等问题[8] - 国际技术禁运和封锁对国内发展形成阻碍[8] 未来发展方向 - 强化碳化硅器件研发投入 推动产业集聚和上下游协同 加快科技成果转化[8] - 健全产学研合作机制 建设国家第三代半导体技术创新中心 完善技术创新网络和政策体系[9] - 通过3-5年高质量发展 形成更明显的协同发展态势 扩大产业规模并拓展应用市场[9]

公司主营业务与核心竞争力 - 公司专注于IGBT和FRD功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产和销售，并提供解决方案，产品核心为自研芯片，模块以自研芯片为主、外购芯片为辅 [2] - IGBT和FRD是电气与自动化、电力传输与信息通信系统的核心器件，推动功率半导体国产化进程具有重大战略意义 [2] - 产品覆盖新能源汽车、新能源发电、储能、工业控制、AI电源和机器人等领域，持续创新超微沟槽结构+场阻断技术、续流用软恢复二极管芯片技术等核心技术 [3] 财务表现与经营目标 - 报告期内归属于上市公司股东的净利润为297.8万元，同比增长18.45% [3] - 公司通过加码前瞻性研发投入、丰富产品矩阵、提升市场拓展能力和精细化管理，夯实核心竞争力并推动持续健康发展 [3] 研发投入与创新成果 - 研发人员数量为220人，同比增长4.76%，其中硕士和博士共46人，占比20.91% [3] - 2025年上半年研发投入5856.61万元，占营业收入比例8.61%，同比增长15.23% [3] - 累计获得发明专利83项、实用新型专利83项、外观设计专利10项 [3] - 首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片和车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片研制成功并通过可靠性验证 [3] - SiC SBD芯片通过多家终端客户可靠性和系统级验证，部分产品已批量出货 [4] - GaN 650V 75mohm芯片研制成功并通过内部可靠性验证，正进入客户导入和送样阶段，为拓展AI服务器电源和人形机器人市场奠定基础 [4] 技术战略与产业化布局 - 公司通过技术迭代与产线协同优化提升产品竞争力，构建以SiC和GaN为主、兼顾第四代半导体的多元化技术体系 [4] - 加速SiC和GaN器件在战略新兴领域的产业化导入，探索AI电源、机器人、先进能源与新型电力系统等应用场景 [4] 募投项目与资金管理 - 公司将可转换公司债券募投项目"车规级功率半导体分立器件生产研发项目（一期）"达到预定可使用状态的时间调整至2027年6月30日 [5] - 加强募集资金使用的监督和管理，确保合法有效，并提高资金使用效率 [5] 公司治理与ESG管理 - 公司首次编制并披露《环境、社会及治理（ESG）报告》，获得Wind A级评价，彰显ESG管理良好基础和未来发展潜力 [5] - 持续深化ESG理念融入经营管理各环节，提升管理水平和信息披露质量，追求经济、社会和环境价值的统一 [5] 人才激励与股权计划 - 发布《2025年限制性股票激励计划（草案）》，向121名激励对象授予295.07万股第二类限制性股票，激励对象包括董事、高管和核心技术人员 [6] - 股权激励计划有效保留和激励核心骨干，增强团队凝聚力和战斗力，为持续创新和高质量发展奠定人才基础 [6] 信息披露与投资者沟通 - 2025年上半年披露定期报告2份、临时公告40份，信息内容客观、准确、完整 [6] - 通过投资者专线、邮箱、"上证e互动"和"上证路演中心"等平台与投资者沟通，问题回复率100% [7] - 召开2025年度科创板芯片设计环节行业集体业绩说明会，加深投资者对公司经营情况的了解 [7] 股东回报与股份回购 - 自2021年上市以来累计派发现金红利4249.17万元（含税） [8] - 2024年8月完成第一期股份回购159.80万股，金额2549.62万元；2024年12月实施第二期回购，截至2025年7月末回购119.86万股，金额2001.31万元 [9] - 公司坚持"长期、稳定、可持续"的股东回报机制，探索多次分红的可行性，与股东共享发展成果 [9]

核心财务表现 - 2025年上半年营业收入6.80亿元，同比增长6.86% [3] - 归属于上市公司股东的净利润297.80万元，同比增长18.45% [3] - 经营活动产生的现金流量净额为-66.02万元，同比下降101.15%，主要因支付芯片等原材料金额增加 [3][32] - 研发投入5856.61万元，占营业收入比例8.61%，同比增长8.64% [3][27] 产品与技术进展 - 完成1000V/1200V M7iU系列IGBT和M7d FRD芯片开发认证，通过HV-H3TRB可靠性测试并实现量产 [17] - 车规级750V M7i+EDT3芯片通过头部新能源车企认证，最高结温达185°C [18] - 首款1200V 40mohm SiC MOSFET芯片及车规1200V 13mohm SiC MOSFET芯片研制成功并通过可靠性验证 [18] - 自主研发的GaN 650V 75mohm芯片通过内部可靠性验证，进入客户送样阶段 [19] - 车规级400-800A/750V双面/单面散热塑封模块累计出货60余万只，产能实现翻倍 [20] 市场与客户拓展 - 与华虹宏力签署五年期《战略合作谅解备忘录》，聚焦IGBT、FRD等领域深化协作 [16] - 在新能源汽车领域，280-820A/750V灌封模块通过AQG324认证并进入大批量生产 [20] - 光伏用1000V三电平定制模块实现大批量交付，储能用650V三电平产品批量交付 [19] - 与头部家电企业达成战略合作，为智能空调等提供定制化IGBT模块 [22] 行业发展趋势 - 2024年全球功率半导体市场规模262亿美元，预计2030年SiC模块市场规模达66亿美元 [11] - 2025年上半年国内新能源汽车产销量分别达696.8万辆和693.7万辆，同比增长41.4%和35.5% [11] - 国内光伏装机量达212GW，同比增长107%；风电装机量51.39GW，同比增长98.7% [12] - 储能领域新增装机21.9GW/55.2GWh，电网侧储能占比64.9% [13] 研发与创新能力 - 研发人员220人，其中硕士/博士46人，占比20.91% [21][27] - 累计获得专利139项，其中发明专利46项，实用新型专利83项 [21][27] - 博士后科研工作站升级为国家级平台，强化高层次技术人才引进 [25] - IGBT模块整体良率提升0.5%，市场端失效率降低34.5% [21] 产能与供应链布局 - 采用Fabless模式委托芯片代工企业生产自研芯片，外购芯片主要采购自英飞凌等供应商 [4][30] - 建立供应商两级管理机制，通过集中采购和战略招标优化成本控制 [4] - 模块产品采用自产模式，单管产品封装测试环节委托专业代工厂 [6]

公司战略布局 - 公司EMC环氧塑封料在先进封装领域份额不高 源于前期策略以稳固基本盘为重点 优先保障功率器件、电源分立适配、家电及光伏等成熟应用领域的市场份额 [1] - 实现传统市场稳定供应后 正逐步释放产能 积极向先进封装、IGBT和第三代半导体等高端应用领域拓展 [1] - 今年投资建设专用于先进封装的高性能EMC产线 重点布局高附加值产品 [1] 产能与市场预期 - 待先进封装专用产线建成投产后 凭借现有渠道资源与客户基础 预计相关产品将获得良好市场反馈 [1]

财务表现 - 2025年上半年营业收入52.18亿元，同比增长9.62% [2] - 归母净利润3.39亿元，同比增长20.85%，扣非归母净利润2.73亿元，同比下降3.95% [2] - 毛利率25.65%，同比下降0.75个百分点，净利率5.35%，同比上升0.62个百分点 [2] - 期间费用7.92亿元，同比减少1329.14万元，期间费用率15.18%，同比下降1.74个百分点 [2] - 股东总户数4.40万户，较一季度末下降4765户，降幅9.77%，户均持股市值由121.97万元增至142.30万元，增幅16.67% [2] 研发与技术突破 - 研发投入5.48亿元，占营收比例10.50% [3] - 第一代汽车级平面栅高性能SiC MOSFET产品通过车规级AEC Q101考核 [3] - 通过异构集成技术成功制备MEMS高端三层结构硅麦克风传感器，属国际首创 [3] - 自主研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣获"2025年度汽车电子·金芯奖" [3] - CS3629BB驱动芯片获评"2025年度影响力汽车芯片"奖项 [3] 战略布局与市场拓展 - 深化AI全场景布局，重点发力消费电子（AI手机、AI PC）及汽车智能化转型，延伸至工业及人形机器人、工业自动化等场景 [4] - 云端AI层面聚焦服务器电源等算力基础设施，提供高性能功率器件解决方案 [4] - 持续加码车规级芯片布局，产品完成座舱、车身、自动驾驶全场景覆盖，几十款芯片通过AEC-Q100认证 [4] - 车载照明及BMS系统研发取得突破，驱动IC在车灯领域实现批量交付，IGBT车规级产品持续供不应求 [4] 产能与制造能力 - 重庆12英寸功率器件晶圆生产线实现满产，月产能达到3万片 [5] - 深圳12英寸特色模拟集成电路生产线产能持续爬坡，90nm平台多颗产品导入并实现量产，55/40nm产品同步验证中 [5] - 先进封测基地拓展汽车电子、工业控制等高端应用领域，扩展先进封测能力与服务覆盖范围 [5] - 高端掩模项目投产，重点支持90nm及以下高端节点，已建立55nm工艺节点研发能力 [5] 第三代半导体发展 - 第三代半导体SiC和GaN产品销售收入同比实现高速增长 [5] - SiC JBS G3和SiC MOS G2完成产品系列化及产业化，整体产品性能达到国际领先水平 [5] - 聚焦新能源汽车、充电桩、光储逆变、数据中心电源、工业电源等领域全面推广上量 [5] 行业背景 - 全球功率半导体市场规模呈波动增长态势，应用领域从工业控制、消费电子拓展至新能源、轨道交通等 [3] - 中国市场以291亿美元规模占据全球38.6%份额，持续巩固全球重要市场地位 [3]

财务业绩表现 - 2025年上半年营业收入达到13.98亿元 同比增长14.37% [3][4] - 归属于上市公司股东的净利润为2.78亿元 同比增长30.92% [3][4] - 扣除非经常性损益净利润为2.64亿元 同比大幅增长55.06% [3][4] - 经营活动产生的现金流量净额为3.38亿元 同比增长6.42% [4] - 基本每股收益0.62元/股 同比增长31.91% [4] 资产与资本结构 - 截至上半年末总资产77.15亿元 较上年度末增长1.63% [3][4] - 归属于上市公司股东的净资产61.28亿元 较上年度末增长1.55% [3][4] - 加权平均净资产收益率4.5% 同比提升0.78个百分点 [4] 核心技术平台建设 - 博威公司建立5G大功率基站氮化镓射频器件平台和5G MIMO基站氮化镓射频器件平台 [5] - 开发微波点对点通信射频器件平台和半导体器件可靠性技术研究平台 [5] - 突破自动化先进微组装关键工艺技术 具备氮化镓通信基站射频芯片与器件批量生产能力 [5] 碳化硅功率模块发展 - 国联万众拥有650V/1200V/1700V系列SiC功率模块产品 主要应用于新能源汽车和工业电源领域 [6] - 2025年上半年完成8英寸碳化硅芯片晶圆工艺线升级改造 目前处于产品升级及客户导入阶段 [6] - 未来拟攻关高压SiC功率模块领域 目标市场包括智能电网、动力机车和轨道交通等高压应用场景 [6] 主营业务定位 - 公司为高科技企业 核心业务包括氮化镓通信基站射频芯片与器件、碳化硅功率模块及其应用、电子陶瓷 [4]

AI服务器电源行业分析 行业与公司 - 行业聚焦于AI服务器电源系统 包括供电架构、电源管理、功率半导体及被动元件等领域[1][2][4] - 涉及公司包括英伟达（主导HVDC架构）、ADS（芯片供应商）、英诺赛科（第三代半导体供应商）、博克新材（电感材料供应商）、江海股份（超级电容龙头）及环旭电子、领益制造（产业链布局厂商）等[1][3][10][13] 核心观点与论据 **市场规模与增长** - AI服务器电源市场规模预计2025年达42亿美元 2026年71亿美元 2027年116亿美元 总增长率约66%[1][4] - 高功率平台集中出货是市场扩张核心驱动因素[1][4] - 以芯片口径计算 全球AI服务器整机电源市场空间2025年55亿美元 2026年96亿美元 2027年154亿美元 总增速约67%[4] - ADS凭借芯片出货量预计整体空间达20亿美元[1][4] **技术架构演进** - 供电架构向800伏HVDC加SST架构演进 长期取代传统UPS[1][5] - 巴拿马式方案为过渡方案[5] - 第三代半导体（碳化硅及氮化镓）加速替代硅基器件 以满足高功率密度、高频率及高能效需求[1][2][5][6] - 英伟达800伏HVDC架构预计2027年V200、V144系统放量后成为主流[10] **电源管理重要性** - 动态调节成为关键环节 AFC电源管理向软硬结合的智能调度演进[1][7] - 核心目标是保障AI算力集群功耗攀升下的系统稳定性[1][7] **产业链增量环节** - PSU和DCDC环节材料升级：氮化镓和碳化硅替代硅基器件[1][8] - 单机柜LR72GB300 PSU价值量芯片口径约9000万美元 模组口径约3.3万美元[8] - DCDC价值量约1万美元 模组口径约4.62万美元[9] - HVDC加SST架构推广带来价值量上移：VR200和L144 HVDC电源价值量约9万美元[10] - PDU升级：单机柜GP300 PDU价值量约4万美元 全球市场规模预计从2025年35亿美元增长至2030年55亿美元[10] - BBU从选配转为标配：单机NVO72BBU价值量约7000美元[10] - 被动元件需求增长：超级电容用于消峰填补和断电备份 预计市场空间达数十亿美元[13][14] - 日本供应商年产从20万支扩至150万支 明年计划650万支[14] - 江海股份锂离子超容和EDLC布局明确 已有订单预计明年出货[14] - 电感用量上升且材料从铁氧体转向金属软磁粉：博克新材导入英伟达供应链 模块化趋势使价值量达分立式2-3倍[3][15] **竞争格局** - 国内与海外在第三代半导体领域处于同一起跑线 英诺赛科进入英伟达供应商名录[3][17] - 传统工业半导体厂商（如东威、新节能）在数据中心业务增长显著 周期触底且汽车/工业应用复苏[18][19][20] 其他重要内容 - 环旭电子依托日月光协同布局全球产能 计划开拓PDU市场[13] - 领益制造通过赛尔康积累电源产品经验 布局大功率及光芯片硅光[13] - 功率半导体需求线性增长：高压侧以硅基为主 氮化镓在中低压侧加速渗透[16] - AI发展为功率半导体行业带来机遇 厂商产品组合向数据中心靠拢[20] - 工业半导体板块因AI驱动及基本面回暖重启投资机会[21][22]

公司背景与成长历程 - 英诺赛科2015年成立于珠海 从无成熟技术、无量产经验、无客户基础的"三无"状态起步[3][8] - 创始人骆薇薇从NASA辞职回国创业 初期仅一名员工跟随[3][8] - 7年内累计融资60亿元 宁德时代曾毓群投资2亿元[3] - 2024年12月港股上市 市值达722.68亿港元[3] 技术路线与战略选择 - 采用IDM模式 整合芯片设计、制造、封装测试全流程以掌握定价权[8][9] - 直接攻克8英寸硅基氮化镓晶圆工艺 突破行业主流6英寸技术瓶颈[12] - 2018年苏州工厂动工 2021年实现全球首家8英寸氮化镓晶圆量产 耗时不足6年[20] - 月产能达1.25万片晶圆 芯片累计出货量超10亿颗（2023年单年出货6.6亿颗）[20][24] 市场地位与客户拓展 - 2023年全球氮化镓功率半导体市占率42.4% 居行业第一[20] - 2024年全球市场份额29.9% 领先纳微半导体（16.5%）、英飞凌（10.3%）等国际厂商[22] - 客户覆盖消费电子（OPPO、小米、vivo）、汽车（比亚迪、速腾）、激光雷达（禾赛）、数据中心等140家企业[3][50] - 海外收入从2021年18.1万元增长至2023年5795.3万元[53] 氮化镓技术优势与应用 - 氮化镓为第三代半导体材料 具备宽禁带、高电子迁移率、耐高压高温特性 性能优于硅基芯片[34][36] - 应用于AI数据中心电力系统 解决传统48V架构限流问题 支持英伟达800V直流架构转型[27][29] - 800V架构使输电能力提升85% 铜材需求减少45% 端到端效率提高5%[29] - 在激光雷达、新能源汽车、机器人等100余细分领域实现渗透[50] 创始人特质与团队构建 - 骆薇薇为数学博士 曾任职NASA马歇尔太空飞行中心首席科学家 专注火箭燃料燃烧研究[42][46] - 核心团队包括原LG北美总裁孙在亨、德国工程院院士Eicke Weber及中芯国际"技术五虎"之一吴金刚[16][17] - 通过车规级AEC-Q101认证（-40℃~125℃千小时测试） 打入比亚迪供应链[50] - 在苏州建立氮化镓创新中心 联合小米、联想等下游企业协同开发[50] 行业趋势与未来规划 - 全球氮化镓功率半导体市场规模18亿元（2023年） 渗透率仅0.5%[38] - 数据中心用氮化镓市场从2019年不足1000万元增长至2023年7000万元[39] - 目标2025年实现月产能7万片 定位"中国台积电/英伟达"级技术话语权[53] - 在硅谷、首尔、比利时设立子公司 加速全球化布局[53]

文章核心观点 - AI服务器电源市场预计在2025E-2027E快速扩张，模组和芯片市场规模复合年增长率分别达110%和67%，核心增长环节包括PSU、PDU、BBU及DC-DC等器件 [2][3][4] - 技术演进方向包括GaN/SiC渗透、800V HVDC+SST架构落地及智能电源管理普及，龙头厂商有望提升市占率 [2][4][9] - 产业链增量集中在PSU/DC-DC价值量提升、HVDC架构升级、PDU智能化扩容、BBU标配化及被动元件需求扩张 [3][10][44] AI服务器电源环节与芯片 - 电源系统分为供电体系（UPS/PDU）、AC-DC转换（PSU/PMC/BBU）和DC-DC转换（PDB/VRM），核心驱动力为高功率密度与智能化 [5][13] - UPS环节芯片包括PFC控制器、逆变控制芯片及BMS芯片，保障供电连续性与电能质量 [15][22] - AC-DC环节加速向GaN/SiC第三代半导体迁移，GaN市场规模预计从2024年4.2亿美元增至2030年16.2亿美元（CAGR+25.1%） [23][24] - DC-DC环节核心芯片为DrMOS、多相控制器和PMIC，用量随GPU功率提升而增加 [25] 市场规模与价值量 - 芯片口径市场规模2025E/2026E/2027E分别为55/96/154亿美元（CAGR+67%），模组口径分别为74/150/325亿美元（CAGR+110%） [4][6][39] - 英伟达服务器电源芯片市场2025E/2026E/2027E分别为42/71/116亿美元（CAGR+66%），ASIC服务器分别为13/25/38亿美元（CAGR+71%） [34][36][39] - NVL72 GB300整机电源价值量7.09万美元（单位价值0.54美元/W），其中PSU约9,647美元、BBU约7,200美元、PDB约4,500美元、VRM约5,783美元 [8][28][29] - 模组口径下HVDC电源模组（VR200 NVL 144）价值量约9万美元，AC-DC模组约3.3万美元，DC-DC模组约4.6万美元 [4][40] 技术演进方向 - 供电架构短期由"巴拿马电源"过渡，长期800V HVDC+SST架构有望取代UPS，提升能效与空间利用率 [9][16][42] - 核心功率器件中GaN/SiC在PSU与DC-DC环节加速渗透，成为高功率密度关键驱动力 [4][23][42] - 电源管理智能化通过机架级储能和动态调度实现削峰填谷，推动系统向高效低波动演进 [9][42] 产业链核心增量环节 - PSU/DC-DC环节受益GaN/SiC渗透，单机价值量达9,647美元（PSU）和1.03万美元（DC-DC芯片口径），相关厂商包括台达、光宝及英飞凌等 [4][44] - HVDC+SST架构预计2027年放量，单机价值量约9万美元，全球SST市场规模2023年1.2亿美元至2032年3.0亿美元（CAGR+10.4%） [4][45] - PDU因高功率密度与智能化需求扩容，单机价值量4.37万美元，全球智能PDU市场规模2025年35.2亿美元至2030年55.3亿美元（CAGR+9.4%） [8][18][46] - BBU逐步从选配转为标配，单机价值量7,200美元，全球市场规模2025年4.3亿美元至2031年5.86亿美元（CAGR+5.4%） [20][47] - 电容/电感等被动元件需求随功率密度提升扩张，相关厂商包括村田、KEMET及江海股份等 [47]