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江波龙(301308) - 2025年7月14日-15日投资者关系活动记录表
2025-07-16 20:50
公司基本信息 - 投资者关系活动类别为特定对象调研 [2] - 参与单位包括华商基金、招商证券等 [2] - 活动时间为2025年7月14日上午10:00 - 11:30和7月15日下午15:00 - 16:30 [2] - 活动地点在深圳市前海深港合作区南山街道听海大道5059号鸿荣源前海金融中心二期B座2301 [2] - 上市公司接待人员有副总经理、董事会秘书许刚翎等 [2] 企业级业务 - 公司是极少数能披露企业级存储产品组合业绩的A股上市公司,也是国内少数具备“eSSD + RDIMM”产品设计、组合及规模供应能力的企业 [3] - 2025年一季度企业级存储产品组合收入3.19亿元,同比增长超200% [3] - 企业级存储产品获不同行业知名客户认可,适配性和可靠性强,能满足高性能和定制化需求 [3] - 随着AI应用加速,国产企业级存储产品需求增加,公司企业级业务有望在重要客户处持续突破 [3] TCM模式 - 公司与闪迪合作,基于双方优势面向移动及IOT市场推出定制化UFS产品及解决方案 [3] - 搭载自研主控芯片的UFS4.1产品性能优于市场主流产品 [3] - 公司UFS产品有望大规模导入Tier1客户供应链,扩大嵌入式存储市场领先地位,提升高端存储市场占有率 [3] - 公司积极推进TCM模式应用,拉通晶圆原厂与大客户,降低价格波动影响,创造核心价值 [4] - 除闪迪外,已与传音、ZTE等Tier1客户达成TCM模式合作,未来将在主要大客户合作上持续突破 [4] 存储价格走势 - 2025年第一季度后半期存储产品市场价格及心理预期上扬,下游需求实质性增长,半导体存储市场自3月底逐步回暖 [5] - 受服务器OEM客户备库存需求、手机存储容量提升及存储晶圆原厂价格策略影响,预计第三季度服务器和手机等领域存储产品价格仍有上行动能 [5] 自研主控芯片 - 自研主控聚焦高端产品领域客户需求,已推出三款主控芯片,累计应用量超3000万颗,首批UFS自研主控芯片已成功流片 [5] - 搭载自研主控芯片的存储产品有性能和功耗优势,公司将保持及扩大在存储市场的领先地位 [5] - 2025年自研主控芯片应用规模预计明显放量增长,公司将与第三方主控芯片厂商长期合作,拓宽产品组合 [5][6] 品牌业务 - Lexar品牌全球销售收入延续增长,2024年超35亿元,多个产品在细分市场领先,全球市占率有增长空间,公司将深化全球战略布局推动业务增长 [6] - 2024年Zilia业务整合成效显著,收入23.12亿元,同比增长120.15%,2025年一季度收入同比大幅增长45.08%,公司借助其海外优势扩大海外市场份额 [6]
策略-中报前瞻,有哪些景气的方向
2025-07-16 14:13
纪要涉及的行业或者公司 - **上游资源品**:工业金属、小金属、金属镨 [2][3][4] - **中游制造**:风电、摩托车、逆变器、军工、军工电子、导弹 [4][5][6][7] - **下游消费**:国补品类(家电、通讯器材、文化办公用品、家具、手机、电脑)、创新药 [7][8][9] - **金融地产**:保险、券商、投行 [11][12] - **TMT**:海外算力链、存储芯片、游戏 [13][14][15] - **公用事业**:电力(火电) [15] - **银行**:工商银行、农业银行 [11] - **美国厂商**:亚马逊、微软、谷歌、Meta、SK海力士、美光 [13][14] 纪要提到的核心观点和论据 1. **业绩披露影响市场交易**:一年有年报、中报、三季报三次业绩披露期,三季报时市场关注政策会议解读,对市场交易影响不大,年报和中报阶段,业绩面景气是市场交易关键线索 [1] 2. **关注结构性景气方向** - **上游资源品**:工业金属和小金属受益供需逻辑涨价,新能源和AI算力发展拉动需求,价格上涨带动业绩上修;金属镨供给偏紧、下游军需旺盛,价格回升支撑板块业绩 [2][3][4] - **中游制造**:风电行业周期上行;非美出口中摩托车、光伏逆变器出口高增速,新兴市场需求推动,国内企业凭优势抢占份额;军工订单持续改善,军工电子和导弹订单充足业绩有弹性 [4][5][6][7] - **下游消费**:国补品类在政策支撑和促销下延续高增速,家电同比增长超50%,消费电子弹性好,但三季度业绩或受前期高增速影响;创新药政策催化、BD订单落地,药企预增验证板块景气 [7][8][9][10] - **金融地产**:保险负债端保费收入回升、资产端投资有收益,银行红利资产配置需求、国债利率下行利好固收投资、险资南下布局港股;券商市场交投状态和投行业务改善提升业绩,IPO数量和募资金额增加,政策利好投行业务 [11][12] - **TMT**:推力侧算力需求占比将超60%,北美厂商资本开支乐观;存储芯片供给收紧、需求增长,价格上涨,国内公司业绩有望量价提升;游戏行业移动游戏收入同比增长12%,AI技术助力拓展业绩空间 [13][14][15] - **公用事业**:投资者可关注火电环节 [15] 其他重要但是可能被忽略的内容 - 2025年前5月港股举牌达12次,2020年全年仅14次,今年恒生高股息率指数4月8日以来涨幅超20%,保险买入港股融资余额倍增 [11] - 2026年推力侧算力需求在算力需求总量中占比将超60% [13]
存储模组行业深度
2025-07-16 14:13
纪要涉及的行业或公司 - **行业**:存储模组行业 - **公司**:美光、三星、海力士、凯侠、长信、大博威、海普、江波龙、德明尼、百维、西部数据 纪要提到的核心观点和论据 核心观点 1. 存储模组行业现阶段成长性大于周期属性,看好今年下半年开始的发展黄金期,未来三年营收和利润增速可观 [1][2] 2. 价格周期处于上行阶段,预计价格将企稳回升,相关厂商业绩有望反转 [5][7][10] 3. AI时代下存储模组需求增长,国产化率有望提升,国内模组厂商迎来发展机遇 [4][10][11] 论据 1. **价格周期上行** - **供给侧**:美光、三星、海力士、凯侠等原厂共同减产,促进价格恢复,Q2 NAND和DRAM价格反弹 [5] - **需求侧**:二季度国际形势变化带动PC、智能手机等库存重建,各大互联网厂商上调资本支出,数据中心对存储器需求增长 [5] - **量化数据**:以海力士64层颗粒为例,2023年6、7月开始涨价,最高点涨至4美金,现阶段官方价格约2.8美金,距去年高点还有40 - 50个点的差异 [6] - **产品表现**:PC开始回暖,预计10月Windows停掉Win10可能引发换机潮;手机自去年二月底开始回暖,客户备货增加;DDR4价格上涨,美光6月DDR4报价大幅调涨50% [7][8] 2. **AI时代需求增长** - **服务器需求**:AI服务器对存储需求大幅提升,标配固态硬盘数量是通用服务器的两倍,价值量快速提升 [10] - **国产化率提升**:运营商采购有国产化率硬性要求,互联网厂商也被指导提高国产化占比;国内外云服务厂商上调资本支出,国内存储模组厂商进入企业级SSD和内存条市场,市场需求均超百亿美金 [11][12][13] 3. **国内厂商发展机遇** - **成本优势**:存储模组中颗粒价值量占比超80%,颗粒涨价时模组厂商可赚取价格波动差价 [14] - **市场份额**:国内存储模组国产化率低,国家政策推动提升国产化率,国内厂商有望获得更多市场份额 [16] - **厂商表现**:江波龙布局全面,德明尼切入字节企业级SSD市场,收入有望大幅增长;相容新创有望进入互联网大厂供应链 [17][18][19] 其他重要但可能被忽略的内容 - 存储模组中主控芯片占比10% - 15%,价值量不高但难度大,国内能做主控的玩家不多 [13] - 固件是模组厂商的know - how,需配合软件开发,不包含在刚性成本内 [14] - 不同类型主控芯片价格差异较大,SATA主控约1.2美金,PCIe 3.0接口主控2美金,4.0进口主控6美金,消费级PCIe 5.0主控约40多美金 [15]
存储行业更新
2025-07-16 14:13
纪要涉及的行业和公司 - **行业**:存储行业、手机行业、PC行业、服务器行业、HBM行业、3D DRAM行业 - **公司**:美光、SK Hynix、三星、海力士、长新、华为、小米、OPPO、Vivo、高通、台积电、兆易创新、华邦、南亚、永熙、长电、荣耀、瑞鑫 纪要提到的核心观点和论据 1. **存储行业周期与价格走势** - **周期循环**:存储周期一般四到五年,本轮从2023年EQ开始到今年底约三年,4Q24开市后存储进入盘整,2月初行业周期再度走强,但股价受地缘政治和关税扰动 [1] - **价格走势预期**:二季度价格优于预期,因中国服务器补库和华为扫货;三季度涨幅收窄,因二季度补库强、终端需求不理想、PC和服务器可能短暂去库;四季度走平;明年趋势向下 [1][3][4][7] 2. **终端市场出货量变化** - **手机**:原预测全球出货量增长3%左右,现大概率持平甚至微降,iPhone出货量有调整,印度市场原预期增长8 - 10%,东南亚和拉美需求也弱于预期 [5][6] - **PC**:原预计增长4%,现下修到1 - 2% [6] 3. **HBM行业情况** - **出货量增长**:预期明年HBM出货量增长40%,英伟达平台更换、ASIC需求增长是主要动能,ASIC增速优于GPU [9] - **市场压力**:虽市场需求强,但存在oversupply担忧,HDM3E 12海价格相对较弱、良率爬坡需时间,HDM4价格好但占比仅18% [9][11][12] 4. **主要公司情况** - **美光**:目标价74美金,基于1.6倍PB,高于历史平均;受益于关税政策,有机会符合关税豁免条件,积极扩大美国布局,2027年美国产能占比超40%;预计今年收入70亿美金,高于市场预期 [18][20][21][15] - **SK Hynix**:不被看好,虽HBM进展好,但可能被美光和三星抢占市场份额,估值受压制 [13][14] - **长新**:LPDDR5可能延迟,服务器DDR5产品出货,讨论与蓝颈科技合作方案 [7][8] - **兆易创新**:在高通3D DRAM方案中份额最高,已与高通验证,后续方案预计9 - 10月反馈 [32] 5. **3D DRAM行业趋势** - **应用前景**:2026年高通旗舰SoC将采用基于3D Specialty DRAM的存算方案,提升算力和AI性能,仅旗舰高端系列采用,TAP约1000多万,2027年向下渗透 [25][26][30] - **供应链情况**:高通完成SOC,台积电留wafer,国内风测厂(永熙、长电)用flip chip方案,兆易创新份额最高,华为系(福建晋华、申维旭)暂无法竞争 [29][32][37] 其他重要但是可能被忽略的内容 - 特朗普关税政策影响手机、PC库存和补库情况,手机厂库存2月初回到7 - 9周正常水平,PC因提前补库消耗了DRAM库存 [2] - 长新LPDDR5延迟使3Q25存储价格向上,因华为、小米等原计划使用长新份额 [7] - 美光2Q价格涨幅超预期,产品组合和良率影响毛利率,但价格涨幅可冲销影响 [16][17] - 高通方案中,S150 die size提升明显,NPU面积大,供应链流程为高通 - 台积电 - 国内风测厂 [28][29] - 2026年小米电车搭载3D DRAM外挂NPU,2027年OpenAI用3D SRAM和3D Specialty DRAM组合代替HBM [33] - 诺尔周期与存储周期相关性不强,拉货和价格稳定,四季度去库风险低 [36] - 国内四季度和一季度补库强,二季度增速放缓,海外有明确集单 [39]
涉及2000亿元!安徽省出台金融赋能科技创新三年行动方案
搜狐财经· 2025-07-15 21:15
涉及2000亿元!安徽省出台 金融赋能科技创新三年行动方案 近日,安徽省科技厅会同省委金融办等8部门印发《金融赋能科技创新三年行动方案(2025— 2027)》,加速构建同科技创新相适应的科技金融体制,加强对重大科技任务和科技型中小企业的金融 支持,形成"科技—产业—金融"良性循环创新生态体系。 力争统筹各类财政资金75亿元 日前,广西壮族自治区政府办公厅印发《广西金融惠企三年行动方案(2025—2027年)》,强化金融政 策和科技、产业、财税等政策衔接配合,统筹用好股权、债权、保险、融资担保等金融工具,综合运用 贴息、奖补、风险补偿等政策工具,服务重大项目、重点产业和普惠领域,助力全区加快高质量发展。 《方案》提出,到2027年,广西力争统筹各类财政资金75亿元,带动全区财政贴息贷款投放6000亿元以 上、补贴融资担保业务1000亿元以上、发行债券3000亿元以上。 《方案》提出,服务重大项目、重点产业和普惠等领域融资三项重点任务。 重大项目融资方面:优先保障中央预算内投资、国债和地方政府专项债等支持的国家重点项目及自治区 级重大项目金融需求;保障西部陆海新通道、平陆运河经济带、重点产业园区建设以及"两重" ...
诚邦股份: 诚邦生态环境股份有限公司2025年半年度业绩预告
证券之星· 2025-07-14 20:20
业绩预告情况 - 公司预计2025年半年度归属于上市公司股东的净利润为-1050万元左右 [1] - 公司预计2025年半年度归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为-1130万元左右 [1] - 上年同期归属于上市公司股东的净利润为-531.81万元,扣除非经常性损益的净利润为-594.09万元 [1] 业绩预亏原因 - 生态环境建设板块因"整机制"触发投资回报率调整,未确认融资收益减少,财务费用增加约1400万元,是半年度业绩亏损的最主要原因 [1] - 半导体存储板块自2024年10月起涉足,形成双主业格局,但该业务利润较少,不足以弥补生态环境建设板块的亏损 [2] 业务结构变化 - 公司业务结构从单一生态环境建设转变为"生态环境建设+半导体存储"双主业 [2] - 半导体存储业务新增营业收入,优化了产业结构,但尚未形成显著利润贡献 [2]
中报行情火爆,最新研判!
中国基金报· 2025-07-14 15:31
中报行情分析 - 华银电力上半年净利润预计增长36倍至44倍,7月迄今股价累计涨幅达101.33% [1] - 国联民生证券预计上半年净利润同比增长1183%,H股盘中一度涨超25% [1] - 机构认为中报超预期方向是胜率较高的选择,建议关注高景气TMT、中游制造和内需领域 [1] A股中报业绩向好率 - 截至7月12日,487家A股公司披露中报业绩预告,向好率为57.7%,高于去年同期 [3] - 非银板块向好率90.9%,家电板块向好率70%,农林牧渔、机械等行业向好率较高 [3] - 华银电力、渝开发等业绩超预期公司股价连续涨停,渝开发净利润预计增长632%至784% [4] 高景气板块 - AI硬件供应链仍被看好,光模块和PCB需求增速上修 [6] - 风电、游戏、宠物、小金属、稀土、券商中报业绩确定性较强 [6] - 上游工业金属、中游风电和出海方向、下游国补消费和创新药、金融地产非银、TMT海外算力链是二季度景气方向 [7] TMT板块表现 - 历史数据显示TMT在7月表现偏弱,8月相对偏强 [7] - 今年TMT可能在7月难有超额收益,但8月可能因中报业绩回升和政策导向获得超额收益 [7]
估值1500亿存储芯片巨头,IPO募资用于突破DDR5良率
阿尔法工场研究院· 2025-07-13 13:29
行业现状与市场格局 - 全球存储芯片市场进入新一轮上行周期,2025年Q2 DRAM产品价格涨幅达21.3%,远超预期 [1] - DRAM市场由三星(34%)、SK海力士(36%)和美光(25%)垄断,合计占95%份额 [1] - 中国厂商长鑫存储2025年Q1市场份额达6%,预计年底提升至8%,首次以量产玩家身份参与竞争 [1] 长鑫存储基本面分析 - 公司是国内唯一实现DRAM自主设计+量产的IDM企业,成立于2016年 [2] - 2024年3月完成108亿元融资,投前估值1400亿元,2025年最新市场估值已达1500亿元 [2] - 主力产品LPDDR5性能接近国际水平,但DDR5技术仍落后头部企业3-4年 [2] - 2025年Q1月产能达20万片,预计全年产量增长68%至273万块 [2] - 客户涵盖小米、vivo等国产手机品牌,本土化优势显著 [2] 竞争劣势分析 - 毛利率32%远低于三星61%,政府补助占利润53% [4] - 关键设备依赖进口,国产化率待提升 [5] - 尚未涉足HBM领域(SK海力士HBM市占率70%),18.5nm工艺落后于国际巨头的14nm及以下 [7] - 累计专利13449项,仅为国际巨头的零头,面临美光337调查风险 [7] 主要厂商对比 - 三星:232层NAND,全产业链整合,DRAM市占36%,NAND市占35% [9] - SK海力士:HBM3E技术全球领先(市占70%),DRAM市占37%(第一) [9] - 美光:HBM3E进入NVIDIA供应链,DRAM市占22% [9] - 长鑫存储:国产唯一DRAM IDM,产能快速扩张,DRAM市占6%(2025Q1) [9] 发展前景 - IPO募资将用来重点突破DDR5良率(目前80%) [10] - 短期6%市占率目标依赖国产替代红利,长期需在存算一体芯片等前沿领域突破 [10]
存储业格局生变,三星地位遭挑战
第一财经· 2025-07-11 22:51
行业格局变化 - HBM成为存储领域竞争焦点,原厂产能逐渐向HBM倾斜,导致DDR4减产、涨价,部分同等容量DDR4和DDR5价格几近倒挂 [1] - 三星电子2025年Q2营业利润4.6万亿韩元(约33亿美元),同比下降55.94%,为六个季度以来最低水平,主因HBM业务进展慢于竞争对手 [4] - SK海力士HBM市场份额达70%,DRAM领域份额36%,Q2内存收入155亿美元,与三星并列全球第一 [4] 厂商技术竞赛 - SK海力士和美光HBM3e 12hi产品认证已完成,良率超60%,将供应英伟达B300、GB300,三星改版HBM3e预计Q3完成认证 [5] - SK海力士计划2025年下半年完成HBM4量产准备,美光计划2026年量产,三星1c nm DDR5未商业化量产,HBM4量产存不确定性 [6] - 国内厂商长鑫存储处于HBM早期技术开发阶段,项目进展未公开 [6] 市场需求与定制化趋势 - 英伟达2024年消耗61% HBM,但2026-2027年比例可能下降,因ASIC供应商增多(如谷歌TPU Ironwood配备192GB HBM) [9] - 已有7-8家IT厂商推动HBM定制,包括英伟达、亚马逊、微软等,预计2026年HBM4亮相时定制市场将大幅扩张 [10] - 三星布局定制化HBM支持客户IP集成,美光预计HBM4e定制业务将改善业绩,美满电子预测2028年25%加速计算芯片市场属定制 [10] 技术演进挑战 - HBM需在前端制程打TSV(硅通孔),后端工艺从HBM4到HBM5堆叠层数朝20层发展,工艺过渡至HCB(混合键合) [8] - HBM4计划2026年面世,HBM4e预计2027年,HBM5或2030年前后面临,技术路线挑战多于传统DRAM [8]