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知存科技 2026 届校招启动:这类半导体人才将成香饽饽
半导体行业观察· 2025-09-17 09:30
文章核心观点 - 存算一体技术通过"数据不动计算动"的底层逻辑突破传统冯・诺依曼架构的"存储墙"和"功耗墙"困境,将AI算力能效提升数十倍,成为后摩尔时代最具颠覆性的技术路径[1] - 知存科技作为全球首批实现存算一体芯片量产商用的企业,通过"天才博士计划"加速培养跨域复合型人才,以应对行业技术爆发期的人才缺口挑战[1][6][7] - 存算一体技术已从前沿研究进入规模化量产阶段,大语言模型的爆发使其能效优势较传统卷积神经网络放大百倍,行业正经历从"量产验证期"向"规模应用期"跨越的关键阶段[3][12] 存算一体技术发展现状 - 技术跨过量产临界点:经过十余年沉淀,存算一体已从实验室成果进入规模化量产阶段,大语言模型爆发使其能效优势较传统卷积神经网络放大百倍[3] - 商业化落地成果:知存科技存算一体芯片已累计服务超30家客户,在智能物联网等场景实现商用[5] - 技术规模演进:当前存算一体芯片晶体管规模较英特尔8008微处理器的3500个晶体管实现至少百万倍增长[5] 行业人才需求与挑战 - 人才缺口严重:中国芯片专业人才缺口到2025年预计扩大至30万人以上[1] - 复合型人才稀缺:存算一体需要半导体器件、电路设计、AI算法的跨域协同,需具备解决存内计算噪声问题及通过算法、固件、电路和架构设计的综合能力[6] - 人才培养机制创新:知存科技采用"导师制+轮岗制"非常规体系,2年内完成2-3个核心研发岗位轮换,覆盖芯片设计到工具链开发全流程[7] 企业技术创新与研发实践 - 研发环境特色:开放式白板会议文化促进团队智慧最大化利用,拒绝闭门造车[10] - 技术攻坚重点:包括3D堆叠中"过孔寄生与通道串扰"难题,以及算法与存储单元匹配、良率提升等关键瓶颈[11] - 研发双轨挑战:团队既需攻克存算技术边界突破(从0到1),又要推动技术方案在量产线落地(从1到N)[11] 人才招聘战略与方向 - 薪酬竞争力:天才博士计划提供百万级薪资包,达到行业最高水准甚至超过部分头部大厂同类岗位[7] - 岗位覆盖范围:2026届招聘涵盖存算研发、数字/模拟电路设计、芯片架构、工艺与器件、编译工具、软硬协同、AI算法、热设计/热仿真等领域[11] - 核心吸引力:提供参与全球首个存算一体量产商用芯片迭代及下一代产品定义的机会,强调"共建技术未来"的共创感[7][11] 行业发展前景与应用方向 - 技术演进阶段:正处于从"量产验证期"向"规模应用期"跨越的关键节点[12] - 终端应用前景:端侧应用潜力巨大,如实现手机本地运行大模型而不发烫的高能效需求[11] - 产业标准建立:编译工具等岗位需解决存算架构与通用AI框架适配问题,行业内尚无参考经验,需要共同定义标准[11]
这类芯片,英伟达悄然领先
半导体行业观察· 2025-09-17 09:30
市场整体表现 - 2025年第二季度全球以太网交换机市场收入达到145.1亿美元,同比增长42.1%,环比增长23.9% [5] - 路由器市场同期收入为35.2亿美元,同比增长12.5%,交换机与路由器收入比例因AI数据中心建设激增至4.1:1 [5] - 数据中心以太网交换机细分市场表现尤为强劲,收入达87.2亿美元,同比增长71.6%,占整体交换机市场的60.1% [16] - 非数据中心部分(园区和边缘)以太网交换机收入为57.9亿美元,同比增长12.5% [16] 供应商竞争格局 - 英伟达在数据中心以太网交换机领域取得领先地位,其Spectrum交换机在2025年第二季度销售额达22.6亿美元,同比增长647%,市场份额为15.6% [12][14] - 思科系统仍是以太网交换机市场最大供应商,第二季度收入39.6亿美元,但同比增长仅为12.3%,远低于市场平均水平,市场份额为27.3% [12] - Arista Networks第二季度以太网交换机销售额为18.3亿美元,同比增长33.5%,市场份额为12.6% [12][14] - 华为以太网交换机销售额为12亿美元,同比增长2% [12][14] - ODM厂商在数据中心以太网交换机市场销售额为17.1亿美元,同比增长76.9%,市场份额为19.6% [18] 技术趋势与成本分析 - 高速端口需求激增,200G/400G端口收入达43.2亿美元,同比增长175.5%,端口数量为1970万,同比增长177.5% [22] - 800G交换机开始部署,第二季度收入为11.2亿美元,端口数量为320万,提供2560 Eb/秒的容量,占全球新增容量的20.6% [22] - 100G交换机收入为38.6亿美元,同比增长36.5%,端口数量为3020万,提供3020 Eb/秒的容量,占全球新增容量的24.4% [22] - 不同速度端口的每比特成本差异显著,800G端口每比特成本约为1.16美元,200G/400G端口约为0.73美元,而1G端口每比特成本高达12.14美元 [20][22] - 全球以太网交换机端口总出货量达3.538亿个,同比增长25.7%,总容量为12374 Eb/秒 [22]
中国或将改变模拟芯片格局
半导体行业观察· 2025-09-17 09:30
反倾销调查背景与范围 - 中国商务部于2025年9月13日应江苏省半导体行业协会申诉,对美国模拟芯片发起反倾销调查 [2] - 调查重点产品为接口和栅极驱动器芯片,具体包括CAN和RS485接口收发器以及隔离和多通道栅极驱动器IC [2] - 调查原定持续一年,可能延长六个月,将评估自2024年以来的进口情况以及可追溯至2022年的行业损害 [3] - 商务部引用证据表明,从2022年到2024年,针对美国芯片的进口量增长37%,而价格下降52% [2] 对全球市场与美国公司的影响 - 伯恩斯坦分析师认为此举表明中美地缘政治紧张局势持续升级,将加速模拟产品的国内替代 [2] - 美国主要供应商中,德州仪器收入敞口为11.4%,ADI为7.8%,安森美为10.2% [2] - 鉴于中国市场占德州仪器和ADI公司收入的20%左右,伯恩斯坦估计对这些公司的实际影响最多为低个位数 [2] - 瑞银分析师则认为调查对美国模拟处理器制造商的影响“微乎其微”,且调查在2026年9月前不会结束,可能再延长六个月 [3][4] - 消息公布后,周一早盘交易中德州仪器股价下跌约3%,模拟器件公司股价下跌0.7% [4] 潜在受益方与历史先例 - 伯恩斯坦指出,对太阳能级多晶硅的类似调查曾导致关税高达57%,随后当地太阳能产业迅速崛起并占据主导地位 [3] - 本土企业如Silergy、Novosense、3Peak、SG Micro和Joulwatt可能受益 [3] - 包括瑞萨电子和英飞凌在内的日本和欧洲企业将间接受益 [3] - 瑞银分析师将此次调查解读为对近期几家中国公司被列入美国限制贸易名单的回应 [4]
玻璃走向芯片,一步之遥
半导体行业观察· 2025-09-17 09:30
玻璃在半导体封装中的角色演变 - 玻璃正从背景消耗品转变为封装的核心材料,提供核心基板、连接芯片的中介层以及引导光子的电介质 [2] - 超平整硼硅酸盐载体在背面减薄过程中支撑硅晶圆,无钠薄片形成密封的MEMS盖帽,低热膨胀系数玻璃是许多晶圆级扇出工艺的基板 [2] 玻璃成为先进封装关键材料的驱动因素 - 人工智能和高性能计算设备对带宽和功率密度的需求不断提升,单个训练加速器需要数千个高速I/O引脚和能处理数百安培电流的供电网络 [3] - 有机层压板难以保持所需的平整度和过孔密度,硅中介层价格高且面板尺寸有限,玻璃在热膨胀系数、损耗角正切和面板尺寸成本方面具有优势 [3] - 玻璃的热膨胀系数可定制以匹配硅,在40 GHz频率下其损耗角正比比硅低一个数量级,面板尺寸可达半米且成本趋向高端有机材料 [3] 行业领先公司的布局与进展 - 英特尔在其亚利桑那寻路生产线上演示了基于玻璃的测试平台 [4] - 三星电子探索将玻璃芯作为其I-Cube和H-Cube封装之外的潜在选择 [4] - 基板巨头SKC已安装用于500毫米玻璃面板的钻孔填充试验生产线 [4] - 玻璃巨头AGC正在提供低热膨胀系数的硼硅酸盐板材以供早期评估 [4] 玻璃在高频和光子集成领域的应用优势 - 玻璃的低介电损耗和光学透明性使其成为计算封装外的第二大增长引擎,在Ka波段及以上频段其微带的插入损耗约为等效有机线的一半 [6] - 在共封装光学器件中,工程玻璃可承载电气重分布层和低损耗波导,简化对准过程并消除昂贵的硅光子中介层 [6] - 用于射频的玻璃通孔技术可创建垂直光通孔,使单个纤芯支持跨阻放大器、激光驱动器及光波导,实现电子和光子布线的融合 [6] 玻璃技术商业化的关键挑战与竞争态势 - 玻璃从中试线走向量产的关键在于激光钻孔、铜填充、面板处理和设计自动化生态系统的成熟度 [8] - 良率学习曲线、通孔填充可靠性、面板翘曲和设计套件成熟度将决定玻璃能否达到系统集成商设定的成本目标 [8] - 代工厂正推动混合晶圆级重新分配以缩小玻璃在特征尺寸方面的优势,层压板供应商在开发具有更低粗糙度和更佳热膨胀系数匹配的下一代ABF芯 [8]
特朗普重申:芯片关税会很高
半导体行业观察· 2025-09-17 09:30
特朗普政府关税政策动向 - 特朗普表示半导体和药品可能面临比汽车25%关税更高的税率 强调因这两个行业利润率高于汽车 [2] - 特朗普此前暗示半导体关税可能达100% 制药关税可能达150%-250% 若实施将对韩国经济产生重大影响 [3] - 特朗普威胁对半导体进口征收高达300%关税 但承诺在美国生产的外国公司可享受豁免 [4][5] 关税政策目标与执行机制 - 将拟议关税作为推动对美国投资的方式 对符合制造业回迁目标的实体提供可协商的豁免 [5][6] - 若公司承诺投资但未履行 将追溯征收累积关税 特朗普称"有保证"的执行机制 [5] - 政策旨在扭转美国制造业成本劣势 解决对进口半导体的依赖 并巩固在与中国的竞争中的地位 [6] 半导体贸易现状与数据 - 2024年美国芯片进口价值约400亿美元 主要来自中国台湾 马来西亚 以色列 韩国等地区 [7] - 估计有价值500亿美元的芯片通过智能手机 汽车零部件等成品进入美国 其中很大部分为美国制造后海外包装再进口 [7] - 从墨西哥 马来西亚等进口的芯片可能实际由德州仪器 英特尔等美国公司生产 仅在国外进行测试和组装 [7] 潜在行业影响与不确定性 - 关税可能延伸至电子 家电 汽车及零部件等行业 若适用于成品所含芯片将扩大影响范围 [8] - 消费者将是受关税影响最大的群体 初期由公司通过较低利润率承担 长期大部分成本转嫁消费者 [8] - 政策带来行业不确定性 尚不清楚美国政府执行能力 且缺乏具体实施细节的指导 [8] 地缘政治与战略维度 - 针对半导体的关税旨在实现加强美国技术霸权和遏制中国的战略目标 超越单纯贸易逆差问题 [6] - 特朗普政府已对中国半导体行业启动301条款调查 并对进口芯片使用启动232条款国家安全调查 [6] - 美国在与中国就"互惠关税"税率谈判时 可能利用该关税作为筹码 [6]
SRAM停止微缩,怎么办?
半导体行业观察· 2025-09-17 09:30
核心观点 - 内存技术面临扩展性和信号传输两大工程障碍,传统通过构建大型共享内存池来提升系统性能的方法已不可行 [2][4] - 提出相反路径:将内存分解为与计算单元紧密耦合的小型片,形成计算-内存节点,通过先进的2.5D/3D集成技术提升局部访问效率 [2][5] - 软件需显式管理由近及远的内存层次结构,包括私有本地内存、封装内共享内存和封装外DRAM,以实现数据布局和迁移的高效管理 [2][5][15] 内存技术瓶颈分析 - 二维半导体缩放技术已走到尽头,SRAM和DRAM的每字节成本十余年来停滞不前,导致内存成本在系统总成本中占比日益攀升 [4][7][9] - 信号传输障碍表现为:访问远端内存的成本随距离急剧增加,通过电路板走线访问DRAM的能耗比芯片片内访问高出一个数量级,通过CXL或RDMA访问远程内存的开销更大 [4][5] - 每插槽核心数量的增长已超越或匹配DRAM带宽提升幅度,自2018年以来服务器处理器的单核带宽指标已陷入停滞 [10] 新型集成技术与性能对比 - 更紧密的物理集成可实现更高的引脚密度、更宽的带宽及更低的能耗,集成方式从优到劣依次为:片上集成、混合键合、微凸点、C4焊料凸点 [12][13] - 具体数据对比:片上集成(如SRAM)能耗为5 fJ/bit,带宽达131 TB/s;混合键合(如V-Cache)能耗约600 fJ/bit,带宽2.5 TB/s;微凸点(如HBM)能耗约2,000 fJ/bit,带宽1.2 TB/s;C4焊料凸点(如DDR)能耗约10,000 fJ/bit,带宽0.1 TB/s [13] - HBM3E堆栈通过硅通孔技术实现1024个引脚与更短互连距离,相比DDR5的288个引脚,引脚数量显著差异直接转化为带宽优势 [12] 物理可组合的解耦架构方案 - 架构核心是计算内存节点,通过3D集成技术将计算单元与本地内存堆叠,典型代表是AMD的VCache设计和Milan-X处理器 [5][14] - 内存层次被明确划分:私有本地内存用于节点独占数据,通过微米级距离访问;封装内共享内存(如HBM)用于跨节点共享状态;封装外DRAM用于大型工作集和冷数据的主内存 [2][14][15] - 该方案强调优先提升内存利用率,即使可能导致计算利用率小幅下降,系统关注点从原始容量转向局部性、带宽和能效 [14]
龙芯首款GPU,准备好了
半导体行业观察· 2025-09-16 09:39
产品研发进展 - 龙芯首款GPGPU芯片9A1000研发基本完成 计划2024年第三季度交付流片 最终成功需等待流片后测试结果[1] - 该产品于2023年开始研发 是公司从处理器向显卡领域拓展的重要里程碑[1] - 流处理器面积缩小20% 工作频率提升25% 轻负载下功耗优化70%[4] 产品定位与竞争格局 - 产品定位为支持AI加速的入门级显卡 不与声称可匹敌GeForce RTX 4060的中国显卡Lisuan G100直接竞争[1] - 性能相当于八年前发布的Radeon RX 550[3] - 相比2K3000处理器内置集成显卡LG200速度提升4倍[5] 技术规格与性能参数 - 支持PCIe 4.0系统总线 适配128-bit LPDDR4X高速显存[3] - 像素填充速率达16GP/s(每秒160亿像素点) 纹理填充速率32GT/s(每秒320亿纹理元素)[4] - 浮点运算能力:FP32精度下1TFLOPS(每秒1万亿次) FP64精度下64GFLOPs(每秒640亿次) INT8整数运算达32TFLOPS(每秒32万亿次)[4] - AI计算能力达40 TOPS 略低于AMD Ryzen AI Max+芯片内置XDNA 2 NPU的50 TOPS[5] - 布局八大计算集群 配备片上互联网络与二级缓存机制[3] 软件与接口支持 - 全面支持OpenGL 4.0、OpenCL 3.0行业主流图形与计算API[3] - 支持OpenCL ES 3.2 API[4] - 内置专业级视频处理组件 硬解码能力覆盖H.264、H.265编解码标准[3] - 支持HDMI 2.1、DisplayPort 1.4及VGA等多种显示输出协议[3] 产品路线图 - 正在研发9A2000显卡 速度比9A1000快10倍 性能水平堪比GeForce RTX 2080[5] - 计划推出9A3000作为9A2000后续产品 具体规格尚未公布[5]
苹果新芯片,乏善可陈
半导体行业观察· 2025-09-16 09:39
文章核心观点 - 苹果公司发布新一代iPhone 17系列智能手机,搭载了最新的A19和A19 Pro系统级芯片(SoC)[2] - A19系列芯片在制造工艺、CPU架构、GPU性能、内存带宽及安全功能等方面进行了多项重要升级,并首次引入了自研的N1无线网络芯片[2][28] A19系列芯片制造工艺 - A19系列芯片采用台积电最新的3nm工艺节点(N3P)生产,该节点是A18所用N3E节点的光学缩减版[3] - N3P工艺在硬件相同的情况下,可使晶体管密度提高约4%,性能提升5%,功耗降低5-10%[3] - 尽管工艺改进,但A系列SoC的功耗已基本受限,芯片规模扩大的机会有限[4] A19系列CPU架构与性能 - A19系列CPU延续了2个性能核心加4个能效核心的配置[5] - 性能核心进行了前端带宽提升和分支预测单元改进[7] - A19 Pro的最后一级缓存(LLC)从A18 Pro的24MB增加至36MB,增幅达50%[9] - 苹果声称iPhone 17 Pro的持续性能比iPhone 16 Pro提升高达40%,iPhone 17 Pro相比iPhone 15 Pro的CPU速度最高提升20%[9][10] - 标准版iPhone 17相比使用A16芯片的iPhone 15,CPU性能提升40%[10] - CPU核心设计集成了名为“内存完整性强制”的安全技术,硬件层面支持Arm增强型内存标记扩展(EMTE),以防范内存攻击[10][11][12] A19系列GPU架构与性能 - A19系列引入新一代Apple10 GPU架构,A19配置5个GPU核心,A19 Pro配置6个GPU核心[14] - Apple10架构将FP16性能提升至FP32性能的两倍[16] - 苹果声称iPhone 17的GPU性能比iPhone 16快20%,iPhone 17比iPhone 15快80%,iPhone 17 Pro比iPhone 15 Pro快50%[18] - GPU架构中首次集成了张量核心(神经加速器),用于提升机器学习任务的矩阵运算性能[19][21][22] - 苹果承诺A19 Pro SoC可提供A18 Pro峰值GPU计算吞吐量的4倍,A19 Air版为3倍[23] A19系列其他功能模块 - A19芯片搭载了更快的内存,A18系列为LPDDR5X-7500,新一代LPDDR5X速度已超过8000 MT/秒[24] - 神经引擎模块核心数仍为16个,但内存带宽和整体性能得到提升[26] - A19 Pro SoC新增对Apple ProRes RAW录制的支持,标准版A19仅支持H.264和HEVC编码[27] - A19 Pro支持10 Gbps的USB数据速率(USB 3.2 Gen 2),标准版A19限于480 Mbps(USB 2.0)[27] 苹果自研无线芯片N1 - 苹果首次推出自研短距离无线芯片N1,集成蓝牙、Wi-Fi及Thread网络技术支持[28] - N1支持Wi-Fi 7和蓝牙6.0,蓝牙6.0的信道探测功能可改进“查找”功能[28] - 此举意味着苹果设备将减少对博通等外部芯片制造商的依赖[28][29]
美国正在扰乱全球芯片
半导体行业观察· 2025-09-16 09:39
美国政府入股英特尔计划 - 惠誉警告美国政府入股英特尔可能扰乱全球芯片行业 导致资本投资扭曲和供应链重复建设 增加资源配置低效风险 [1] - 美国政府计划入股英特尔9.9% 旨在复制台积电公私合作模式 重振国内芯片制造业 [3][4] - 该举措可能迫使英特尔加速推进俄亥俄州工厂等耗资项目 尽管缺乏外部客户订单 [1][3] 英特尔经营困境 - 英特尔代工业务持续亏损 去年9月决定剥离并考虑出售 俄亥俄州工厂投产时间从2025年推迟至2030年或更晚 [3] - 公司技术优势减弱 7月承认1.4纳米芯片开发可能不经济 较原定2027年上市计划显著落后 [7] - 76%收入来自海外市场 政府干预可能加剧其在国际市场的业务萎缩风险 [7] 地缘政治与产业政策背景 - 美国将台积电视为典范 其政府下属基金仍是台积电最大股东 [4] - 地缘政治风险促使美国加强国内芯片产能 避免台湾供应链中断影响经济安全 [4] - 全球出现国家支持半导体企业趋势 如中芯国际获中国资金 Rapidus获日本2万亿日元(135亿美元)援助 [10] 潜在行业影响 - 美国政府可能对英伟达、AMD等公司施压 要求从英特尔等第二来源采购芯片 [1] - 过度国家干预可能导致管理者忽视维持自给运营 形成依赖政府资金的"僵尸企业" [10] - 美国历史上少有将政府资助企业转化为国际竞争力成功案例 多数干预限于企业救助 [10]
台积电市占,再创新高
半导体行业观察· 2025-09-16 09:39
台积电市场份额与增长动力 - 台积电在半导体代工市场份额从2024年第二季度的31%飙升至2025年第二季度的38% [1] - 晶圆代工行业收入同比增长19% 主要受AI先进工艺和封装需求及中国补贴计划拉动 [1] - 预计2025年第三季度晶圆代工收入将实现中等个位数增长 [1] 先进封装与OSAT产业表现 - OSAT产业营收年增率从5%加速至11% 日月光贡献最大 京元电受惠AI GPU需求年增超30% [2] - 先进封装成为OSAT厂商重要成长动能 AI GPU与AI ASIC预计在2025/2026年成为关键推手 [2] - 非内存IDM重回正成长 车用市场订单上半年未明显回温 预期下半年复苏 [2] 智能手机应用处理器市场主导 - 台积电在5纳米或更小制程应用处理器制造市场占据近90%份额 [3] - 全球高端智能手机大多数移动应用处理器采用5纳米或更低先进工艺制造 [3] - 苹果iPhone和三星Galaxy系列应用处理器均采用3纳米工艺 2025年起台积电和三星将采用2纳米工艺生产新产品AP [3] 制程技术竞争格局 - 台积电在3纳米以下AP制造市场相对三星具有优势 垄断苹果A系列、高通骁龙系列、联发科天玑系列及小米自研AP芯片生产 [4] - 联发科、苹果和高通在AP市场全球份额分别为34%、23%和21% 三家合计占80%市场份额 [4] - 三星在3纳米GAA工艺良率提升中遇到困难 导致客户流失和市场份额下降 [4] 2纳米制程发展现状 - 台积电2纳米工艺良率稳定在60%以上 将用于量产苹果新产品AP 联发科和高通计划2025年下半年采用该工艺 [5] - 三星成功量产3纳米Exynos 2500芯片 专注于2纳米Exynos 2600开发 报道称其2纳米良率超40% [5] 行业范式转型 - Foundry 2.0定义扩展至纯晶圆代工、非内存IDM、OSAT与光罩制造厂商 不再限于传统纯代工模式 [2] - 行业从单纯制造链向技术整合平台转型 强调垂直整合、创新速度与深度价值创造 [2]