公司业绩表现 - ASML于2025年第二季度公布财报 但股价反应再次呈负面趋势[1] 投资组合特征 - 投资组合侧重高质量企业 具备行业领先盈利能力、低杠杆率和增长空间[2] - 投资标的主要集中于美国和欧洲地区[2] - 投资策略注重长期持有 关注组合战略与资本配置[2] 持仓情况 - 持仓包含ASML、NVDA、AMZN及MSFT等多只证券 通过股票、期权或其他衍生工具持有[3]

光刻机行业格局演变 - ASML凭借EUV技术垄断高端光刻机市场，尤其在EUV领域形成一家独大格局[1] - 上世纪八九十年代佳能和尼康曾占据全球光刻机市场大半份额，ASML当时处于技术追赶阶段[2] - 技术路线选择偏差导致佳能尼康在157nm浸没式和EUV技术跨越中落后，ASML通过整合全球资源实现超越[3] 佳能的纳米压印技术突破 - 佳能押注纳米压印技术(NIL)，2023年推出FPA-1200NZ2C设备实现14nm线宽，有望推进至10nm[5] - 通过收购Molecular Imprints和与铠侠合作加速技术研发，2024年向美国TIE研究所交付设备[8][9][10] - 相比EUV光刻机，纳米压印设备价格低一个数量级，能耗仅为EUV的10%，设备投资成本降低至40%[14] - 该技术已应用于5nm芯片制造，打破EUV垄断，并在3D NAND闪存领域展现竞争力[12][15] 尼康的技术转型策略 - 计划2028年推出兼容ASML生态的新型ArFi光刻机，采用创新镜头和工件台设计[23] - 2024年推出NSR-S636E浸润式ArF光刻机，生产效率提升10-15%，价格比竞品便宜20-30%[24][25] - 2025年推出首款面向先进封装的无掩模光刻系统DSP-100，支持600mm×600mm基板，每小时处理50片[27][28] 新兴光刻技术探索 - 美国Inversion Semiconductor开发激光尾场加速技术，目标波长6.7nm，设备成本为EUV的1/3[34] - 欧洲Lace Lithography的原子光刻技术分辨率达2nm，成本降低50%以上，能耗仅为EUV的1/10[35] - 德国默克与三星合作开发嵌段共聚物自组装技术(DSA)，可减少30%EUV曝光次数，单晶圆成本降低20%[36] 行业竞争态势 - 佳能通过纳米压印技术开辟新路径，聚焦3D NAND等细分市场[12] - 尼康在浸没式ArF和先进封装领域寻求突破，逐步构建技术竞争力[26][32] - 多家企业探索替代EUV方案，未来光刻领域可能从垄断走向多技术并存[36][39]

公司业绩与市场表现 - ASML股价在过去一周下跌近5%，过去一个月累计下跌11%，主要受贸易紧张局势影响导致财务预测软化 [2] - 2025年Q2财报显示，公司无法保证2026年收入增长，第三季度收入预期为74至79亿欧元，略低于预期，毛利率预计为52%，此前预估为51%-53% [2] - 半导体行业整体表现强劲，台积电2025年美元计销售增长预期上调至30% [2] 贸易与地缘政治风险 - 美国前总统特朗普威胁对欧盟进口商品征收30%关税，可能显著影响ASML等半导体设备制造商 [3] - ASML关键客户包括美国英特尔、亚洲台积电和三星电子，高价值设备（如单价达4亿美元的High-NA EUV机器）进口成本可能上升 [3] - 美国对中国技术出口管制加剧，ASML需获得许可才能向中国出口浸没式DUV或更先进设备 [4] 技术与产品需求 - ASML旗舰产品EUV光刻机是制造5纳米及以下先进芯片的核心设备，支撑摩尔定律延续 [5][6] - AI需求激增推动EUV设备部署，2025年预计增长30%，行业正从DUV向EUV技术过渡 [7] - 公司2025年Q1净订单额55亿欧元（64亿美元），超预期25%，未交货订单达330亿欧元（380亿美元），交付周期12-18个月 [8] 估值与行业地位 - ASML当前股价对应2025年预期市盈率27倍，收入预计增长14%，估值合理 [8] - 公司在半导体价值链中占据关键地位，拥有尖端专利技术，并受益于生成式AI趋势 [8]

科技股表现 - 美股盘前科技股多数上涨 [1] - 阿斯麦涨幅超过3% [1] - 特斯拉上涨1.4% [1] - 英伟达小幅上涨0.6% [1]

欧盟与美国贸易协议对半导体行业的影响 - 荷兰半导体公司阿斯麦、恩智浦、艾司摩尔和索泰克的股价在欧盟与美国达成贸易协议后上涨2 6%至3 8%不等 [1]

纪要涉及的行业和公司 - **行业**：光刻机行业、半导体行业 - **公司**：ASML（阿斯麦尔）、佳能、尼康、中芯国际、华虹半导体、福晶科技、阿石创、惠程真空、迈莱光学、波盛光电 纪要提到的核心观点和论据 市场格局 - **全球市场**：全球光刻机市场高度集中，ASML 占据超 80%份额，佳能和尼康已落后；低端 IE 光刻机领域佳能出货多，KRF 领域 ASML 一年出货超 150 台，尼康和佳能约 50 台，干法 ARF 领域年出货约 28 台，静默式 ARF 领域达 129 台，EUV 领域基本仅 ASML 能生产[1][10]。 - **国内市场**：国内半导体行业在先进制造和光刻机领域处于从 0 到 1 阶段，因海外对高端光刻机禁运，发展迫切性高；国内在先进制程中使用静默式光刻机多，是国产替代迫切方向，但面临巨大挑战[2][11]。 技术发展 - **光刻技术**：经历接触式、接近式到投影式发展，投影式成主流，还引入液浸式技术优化成像效果；光刻机发展从机线光刻机（波长约 430 纳米）到 i 线（365 纳米）、KRF（248 纳米）、ARF（193 纳米）、EUV（13.5 纳米）[1][5][9]。 - **核心组成部分**：光源系统决定波长和功率，影响加工精度和良率；照明系统将激光传输到掩模版，含关键部件可优化光束形状；投影物镜系统将掩模版图案投影到硅片，设计与制造难度大，价值量最高[1][12][15]。 国产替代 - **重点方向**：未来国产替代卡脖子环节重点关注中芯国际代表的先进制造，以及福晶科技、阿石创等代表的光刻机产业链，这些方向有巨大市场空间和长期成长潜力[1][7]。 产品与部件 - **ASML 产品**：产品编号越大越高端，不同型号根据分辨率适用于不同精度加工任务，高分辨率支持更先进制程、提高良率[13]。 - **光源系统**：是光刻机制成核心，由发光部件等组成，影响加工精度和良率，是决定分辨率重要因素之一[12]。 - **光学公式**：分辨率由光源波长、物镜数值孔径、工艺因子决定，短波长、高数值孔径和优化工艺因子可提升分辨率[14]。 - **不同光源**：汞灯适用于低分辨率需求，KrF 和 ArF 可实现更短波长提高分辨率，EUV 采用二氧化碳激光击打锡滴产生 13.5 纳米极紫外线，是最先进复杂技术[16]。 其他重要但可能被忽略的内容 - **产业链差异**：全球以 ASML 为例，镜头由蔡司公司制造并运送；国内由供应商设计镜头，交给专业公司制造[19][20]。 - **工件台**：在曝光过程中关键，技术难点包括抗震能力和稳定运行速度，配备高精度传感器确保芯片与光束精确定位，部分高端传感器依赖手工制作[21]。 - **市场看法**：市场看好光刻机赛道，与先进制程密切相关，不受短期业绩和估值波动影响，重点推荐中芯国际、福晶科技、阿石创等公司，福晶科技股价从 2024 年底至今滞涨，板块有机会可能迎来行情[22]。

光刻技术核心 - 光刻是半导体制造中最重要且技术壁垒最高的环节，通过光刻机将掩模版图案转移至晶圆，直接决定产线技术水平 [8][9] - 光刻工艺分为曝光、显影和清洗三阶段，需涂覆光刻胶并通过化学反应实现图案转移 [9][14] - 分辨率是光刻机核心指标，由瑞利公式决定，与光源波长λ、数值孔径NA及工艺因子k1相关 [2][15][25] 光刻机技术演进 - 光源波长从436nm汞灯光源迭代至13.5nm EUV光源，优化跨度最大 [35][36][38] - 数值孔径NA通过浸润式技术（折射率1.44）和透镜设计提升，浸没式光刻机NA达1.35 [41][53][57] - 工艺因子k1通过RET技术突破0.25理论极限，包括OPC、OAI、PSM等方法 [59][60][62] 光刻机核心部件 - 光源系统：EUV光源由CO2激光轰击锡靶液滴产生，全球仅Cymer和Gigaphoton能供应 [3][39][69] - 光学系统：DUV采用29片透镜组，EUV采用蔡司反射镜（平整度<0.05nm） [73][74][76] - 工件台系统：ASML双工件台技术使生产效率达295片/小时，精度控制是关键 [78][79] 行业竞争格局 - ASML凭借双工件台、浸润式和EUV技术垄断市场，EUV市占率100% [80][83][84] - 尼康聚焦DUV（38nm分辨率），佳能主攻KrF/i线等低端市场 [113][114][115] - 全球光刻机CR3近100%，ASML占60%份额 [83][84] 国产化进展 - 上海微电子已实现90nm DUV光刻机量产，封装光刻机全球市占40% [131] - 华卓精科突破双工件台技术，国科精密研发NA=0.75物镜系统 [128][131] - 中科院22nm超分辨光刻装备通过验收，结合双重曝光可达10nm级 [128]

报告行业投资评级 - 看好丨维持 [11] 报告的核心观点 - 通过对光刻机关键技术、关键工艺环节的分析以及对光刻机行业格局的复盘，我国光刻机产业或可充分发挥后发优势，集中力量攻克核心环节，最终实现国产自主之路 [4] 根据相关目录分别进行总结 灿若星河，光刻机加冕半导体皇冠 - 光刻是晶圆制造中最重要的技术之一，核心设备光刻机直接决定晶圆制造产线的技术水平，也是晶圆制造工艺中价值量和技术壁垒最高的设备之一 [22] - 光刻技术的核心是使用光刻机将芯片的设计图案转移至硅片，加工步骤分为曝光、显影和清洗三个阶段 [24] - 分辨率是光刻系统能够实现的最小精度，也是光刻曝光系统最重要的技术指标之一，为提高分辨率，工程中常用的方式包括增大投影光刻物镜的数值孔径、采用更短的工作波长、减小光刻工艺因子等 [28][32] - 光刻机的关键尺寸（分辨率）与集成电路的核心物理参数存在对应关系，ASML 将光刻工艺的关键尺寸（分辨率）定义为半周期间距 [34][35] - 影响光刻机加工的集成电路关键尺寸的因素有光源波长λ、数值孔径 NA 以及工艺因子 k1，减小特征尺寸提高精度的主要方式为光源波长的缩短，当波长缩短到当时科技的极限时，主要的攻克方向逐渐变为增大 NA 以及缩小 k1，直到更短波长的光源被发现并大规模应用 [39] - 光源波长的发展历程经历汞灯、准分子激光器、EUV 光源三个阶段，减小光刻机所用光源波长是优化分辨率最直接有效的方式 [43] - 当光源演进触及技术瓶颈时，增大数值孔径成为减小光刻机分辨率另一有效的方式，数值孔径的计算公式为 NA=nsinθ，增大 NA 的方式包含增大透镜工作介质的折射率或增大透镜的收光能力 [51] - 工艺因子 k1 包含因素多样，RET 技术可增大 k1，增强分辨率，主要方法包括邻近效应修正、离轴照明、使用具有相移的掩模版、添加亚分辨率的辅助图形等 [74] 百川归海，光刻机零件聚焦三大核心 - 光刻机内部最核心的环节主要在于光源系统、光学系统、工件台系统，除以上三大核心环节，光刻机内部还包括晶圆传输系统、减震系统、外部的操纵台，并且光刻机的曝光还需要在特制的洁净室 [77] - 光源系统为光刻过程提供能量，是光刻机最关键的环节，由早期的高压汞灯，发展至准分子激光器系统，再到现在的 EUV 光源，光源系统的升级极大缩小了波长，是提高光刻机分辨率最重要的方式 [82] - 光源系统具备极高壁垒，全球供应商寥寥可数，目前全球仅 ASML 的子公司 Cymer 和日本的 Gigaphoton 可供应 EUV 光源，我国科益虹源紧随其后成为目前全球第三家 DUV 光源供应商 [83] - 光学系统不仅是光的传播路径，同时可以缩小像差，增大收光角，进而提高分辨率，对于 DUV 光刻机需要采用 29 片透镜，而 EUV 光刻机则需要蔡司定制的平整度小于 0.05nm 的反射镜 [88][89] - 工件台系统主要功能是负责控制硅片步进运动，同时重点要兼顾掩模版、晶圆和双工件台的实时对准，ASML 提出的双工件台系统极大提升光刻的精度与效率，目前除 ASML 外，我国华卓精科打破技术壁垒，最先进的水平可实现支持浸润式光刻机 ArFi 的双工件台 [91] 筚路蓝缕，复盘光刻机龙头波澜历程 - 光刻机发展历史大致可分为三个主要阶段，各大龙头相互替代关键因素在于技术迭代升级，根据光刻机产业重心来看，经历了美国—日本—荷兰（ASML）的迁移过程 [94] - 凭借极高的技术壁垒，全球光刻机市场“一超双强”格局基本稳定，从销售台数看，21 世纪后光刻机市场基本由三巨头 ASML，佳能以及尼康垄断，CR3 接近 100%，其中 ASML 市占率近 60%独占鳌头，从产品布局看，ASML 在先进制程优势显著，尼康占据 ArFi 光刻机剩下的不到 10%份额，而佳能光刻机主要覆盖 i 线以及 KrF 等相对低端制程 [97] - 1960~1980 年，美国作为半导体技术的发源地，在早期近乎垄断了半导体制造业，其中具备代表性的龙头为 GCA 以及 Perkin Elmer，美国光刻机行业的先发优势受到严重冲击 [94][110] - 1980~2000 年，受益于 PC 崛起带动的存储需求爆发以及政府的大力扶持，日本半导体产业迅速崛起，尼康与佳能两大光刻机巨头实现对美国的反超，日本光刻机的崛起见证了举国体制下后发优势的充分发挥，或可成为我国良好的借鉴 [94][111][130] - 2000 至今，在光源波长达到 193nm 后，尼康选择攻克下一代 157nm 但遇到较大阻力，而 ASML 联合台积电转向浸润式光刻机，实现等效的 134nm 波长，而后续 ASML 在 EUV 光刻机的垄断正式奠定全球光刻机龙头地位 [94] 风起青萍，国产光刻路虽远行则将至 - 我国光刻机产业起步并不晚，但早期缺乏产业链的全面布局以及自主化的决心，发展历程缓慢，90 年代光刻机发展趋于停滞，没能延续起步阶段积累的优势 [145] - 自主化战略确立，政策扶持下国内光刻机行业扬帆再起，近年来在政府扶持和统一规划明确分工的前提下，后发优势凸显 [146] - 上海微电子是“02”专项光刻机项目承担主体，其封装光刻机在全球市场占有 40%以上的份额，国内市场占有率超 90%，在 IC 前道制造领域，公司 SSX600 系列步进扫描投影光刻机可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求 [150] - 国内多家公司在光刻机光学、整机、功能件等领域取得进展，可应用于光刻机等设备 [151]

投资组合与策略 - 投资组合中股票与看涨期权各占50% [1] - 采用逆向投资风格 具有高风险特征 常涉及非流动性期权交易 [1] - 投资期限通常为3-24个月 偏好因非经常性事件导致近期抛售的股票 [1] 选股方法 - 重点关注内部人士在低价位增持的公司 [1] - 通过基本面分析评估公司健康状况 包括杠杆水平和财务比率 并与行业均值进行比较 [1] - 对增持的内部人士进行专业背景调查 [1] - 使用技术分析优化买卖点 主要采用多色线条分析周线图的支撑位和阻力位 [1] 投资范围 - 主要投资美国市场股票 但也可能持有新兴市场公司股份 [1] - 筛选流程覆盖数千只股票 [1]

美股市场表现 - 道指跌316.38点，跌幅0.70%，报44693.91点；纳指涨37.94点，涨幅0.18%，报21057.96点；标普500指数涨4.44点，涨幅0.07%，报6363.35点 [3] - 纳指与标普500指数再创新高 [2][3] - 银行股多数上涨：高盛涨0.25%，摩根士丹利涨0.18%，美国银行涨0.57%，富国银行涨0.2%；摩根大通跌0.05%，花旗跌0.61% [6][7] 特朗普与美联储动态 - 特朗普造访美联储，与鲍威尔讨论利率问题，称若利率降低3个百分点至1%，美国可省下1万亿美元 [5] - 特朗普提及可能解雇鲍威尔，但未明确行动 [5] - 美国财长贝森特称可能在12月或明年1月宣布新一任美联储主席提名人选 [5] 美联储银行资本监管会议 - 美联储史上首次召开银行资本监管公开会议，副主席鲍曼主持，鲍威尔未发言 [5] - OpenAI CEO山姆·阿尔特曼参与“炉边对谈”，首次将AI对金融监管的影响纳入公开议程 [5] 科技股与芯片股表现 - 大型科技股多数上涨：英伟达涨1.73%，亚马逊涨1.73%，谷歌涨1.02%，微软涨0.99%，脸书涨0.17%；苹果跌0.18%，特斯拉跌8.20% [7][8] - 芯片股涨跌不一：超威半导体涨2.19%，博通涨1.77%，英伟达涨1.73%，阿斯麦涨1.14%；英特尔跌3.66%，格芯跌2.24% [9][10] 公司动态与财报 - 特斯拉股价大跌8.20%，特朗普否认要“摧毁”马斯克公司 [7][8] - 英特尔Q2每股收益-0.67美元（预期-0.26美元），营收129亿美元（预期119.2亿美元），净亏损29亿美元（预期-12.6亿美元） [10][11] - 英特尔计划裁员15%，预计Q3营收126亿至136亿美元（分析师预期126.4亿美元） [11] 行业前瞻 - 马斯克旗下Neuralink目标2031年实现年收入10亿美元，每年为2万人植入脑机接口设备 [9] - 微软工程师为OpenAI GPT-5准备服务器容量，预计最早下月发布 [9]