全球金融市场宏观动态 - 前美联储主席鲍威尔即将卸任 特朗普政府提名偏向“鹰派”的凯文·沃什接替 市场对未来美联储政策路径的确定性发生动摇[1] - 尽管美国1月制造业PMI回升至52.6 创近三年半以来新高 但美元指数周二下跌0.12%至97.42 终结此前1.5%的涨势 显示对长期货币政策透明度的担忧压倒了短期经济数据支撑[1] - 受美联储人事更迭不确定性驱动 现货黄金周二狂飙超6% 创自2008年金融危机以来的最大单日涨幅 亚市早盘企稳于4974美元附近[1] 美股市场表现 - 道琼斯指数报49,240.99点 下跌167.42点 跌幅0.34% 市场在冲击50,000点心理大关前持续震荡 权重股抛售压力因美联储主席提名不确定性而增加[6] - 标普500指数报6,918.08点 微跌0.01% 科技板块获利了结与防御性板块流入形成对冲平衡[6] - 纳斯达克100指数报25,432.00点 微跌0.08% AI与半导体此前极度拥挤的头寸面临去杠杆化带来的技术性压力[6] - 英特尔报49.25美元 上涨0.90% 存储板块与复苏逻辑支撑其日内逆市走强[2] 外汇市场动态 - 美元指数报97.381 下跌0.23% 凯文·沃什获提名后 其“缩表+降息”的潜在政策导向导致美元流动性预期修正 美元阶段性承压[6] - 欧元/美元报1.1814 微跌0.02% 欧元区疲软的通胀预期限制了其反弹高度[6] - 美元/日元报155.88 上涨0.11% 日本首相高市早苗暗示日元疲软有利于出口的言论 减弱了市场对日本央行短期加息的押注[6] 贵金属与大宗商品行情 - 现货黄金报4,979.33美元/盎司 日内反弹0.66% 经历前期单日最大跌幅后超跌反弹 5,000美元关口成为关键宏观心理防线[6] - 现货白银报85.0932美元/盎司 下跌0.27% 在剧烈波动后处于技术性高位盘整 工业需求与避险逻辑博弈激烈[6] - WTI原油报63.88美元/桶 下跌0.09% 地缘政治风险溢价快速回吐 油价回撤至64美元下方寻底[4] 加密资产市场 - 比特币报75,890美元 反弹0.30% 在跌破80,000美元后 投机性资产对美元流动性修整表现出极高敏感性[5] - 以太坊报2,243.6美元 上涨0.58% 受技术性买盘支撑在2,200美元附近企稳 但相对强弱指标显示其仍处于弱势跟随状态[7]

公司战略扩张 - 英特尔宣布将开始制造图形处理器GPU，正式进军由英伟达主导的芯片市场，标志着这家传统CPU巨头在新任CEO领导下的重大战略扩张 [1] - 公司的GPU项目将瞄准数据中心场景，目标直指利润丰厚的数据中心AI芯片业务 [1] - 公司计划先与客户合作，再据此定义产品需求，切入策略以实际部署需求为导向 [1][2] 市场与产品定位 - GPU目标明确指向数据中心市场，该领域GPU常用于训练人工智能模型等任务，是英伟达的核心业务优势 [2] - 相较英特尔长期主导的CPU，GPU更偏向特定工作负载 [2] - 公司的GPU计划目前尚处于策略与需求定义阶段，项目仍在早期 [4] 关键人事任命 - 公司已聘请高通资深高管Eric Demmers担任GPU首席架构师 [1] - Eric Demmers已于1月加入英特尔，此前在高通任职超过13年，最近的职位为工程高级副总裁 [3] - 该首席GPU架构师将向Kevork Kechichian汇报 [3] 代工业务进展 - 已有“几家客户”正深度接洽英特尔晶圆代工业务Intel Foundry，关注点集中在14A制程 [1][5] - 14A制程的量产爬坡可能在今年晚些时候启动 [1][5] - 公司表示，客户需要说明需求量及对应产品，以便公司进行产能规划与建设 [4]

市场表现与资金流向 - 2月4日，上证科创板芯片设计主题指数下跌2.91% [1] - 指数成分股中，国芯科技上涨超3%，盛科通信与灿芯股份上涨超1%，睿创微纳上涨近1% [1] - 科创芯片设计ETF天弘（589070）当日成交额为3217.7万元，实时折价率为0.13% [1] - 截至2月3日，该ETF近5个交易日累计资金净流入超1.2亿元，已连续2个交易日获资金净流入 [1] - 该ETF最新流通份额为6.53亿份，最新流通规模为6.41亿元 [1] 产品与指数特征 - 科创芯片设计ETF天弘（589070）具备20%的涨跌幅空间 [1] - 该ETF紧密跟踪上证科创板芯片设计主题指数，指数聚焦芯片设计核心环节 [1] - 指数相关行业含量接近95%，行业集中度较高，“含芯量”突出 [1] - 指数成分股涵盖50家科创板芯片领域龙头企业 [1] 行业动态与观点 - 英特尔首席执行官表示，公司已任命新的首席架构师全面推进GPU研发，以把握AI数据中心需求增长机遇 [2] - AI算力需求激增正显著推高对GPU和存储芯片的依赖 [2] - 当前存储芯片短缺已成为AI发展面临的“最大挑战”，相关供需失衡预计要到2028年才可能缓解 [2] - 银河证券表示，模拟芯片行业供需关系或将迎来变化 [2] - 数字芯片方面，以AI算力、国产CPU为代表的先进设计领域表现强势，国产数字芯片自主可控仍将是长期方向 [2]

文章核心观点 - 近期市场传闻的CPU涨价潮呈现显著的结构性分化，而非全品类普涨 [3] - 消费级CPU终端价格保持稳定，而服务器CPU价格在销售终端出现分化，部分型号有涨有跌 [1] - 行业观点对后市走向存在分歧，但普遍认为消费级市场平稳，服务器端受AI算力需求驱动存在短期波动，长期大幅持续上涨可能性不高 [3][18][21] 市场现状与价格表现 - **消费级CPU市场**：深圳华强北终端市场价格较12月几乎没有变化，未见普遍及明显上涨 [1][6][7] - **服务器级CPU市场**：销售终端价格出现分化，以英特尔至强6530处理器为例，不同商家报价从8000元出头到9000元不等，呈现涨价、不变、降价三种情况 [1][8][9] - **渠道商行为变化**：不少CPU商家近期转向主要销售存储产品，因CPU价格变化小且之前持续下行，而存储行情热、利润更高 [1][12][14] - **存储市场热度**：根据TrendForce报告，本季DRAM整体合约价季增90-95%，NAND Flash整体合约价季增55-60% [15] 上游厂商动态与市场传闻 - **产能与涨价传闻**：有市场消息称，因超大规模云服务商扫货，英特尔与AMD的2026年服务器CPU产能已基本售罄，两家公司计划将服务器CPU价格上调10%-15% [4] - **厂商回应**：接近英特尔人士称该消息非官方口径；AMD方面未予回应；英特尔CEO在财报会上表示正积极扩大供应以满足强劲需求 [4][5] - **分析师观点**：为冲击2026年服务器CPU份额目标，AMD大概率不会涨价，即便涨价预计比例不超过15%且限于最新代际产品；英特尔对第四代和第五代服务器CPU预计涨价10%-15%，以引导客户转向第六代新平台 [18] 需求驱动因素与后市展望 - **AI算力需求驱动**：AI服务器中大部分机头CPU仍是英特尔产品，用于模型推理的设备（如搭配5090显卡）对特定CPU（如至强6530）有需求 [9][10][11] - **行业需求预期**：国内算力需求持续上升，有服务器分销商和从业者预测CPU等配件涨价是必然趋势，CPU因推理需求巨大，预估涨幅15%可能算少 [19] - **大厂囤货行为**：互联网大厂为应对未来应用爆发后的算力需求，正在进行持续储备和积极囤货，这也与涨价有关 [20] - **长期角色转变**：在AI时代，CPU角色正从单一算力提供者转向系统调度和通用计算中枢，未来关注方向包括面向AI服务器的高并发低延迟CPU、异构计算架构及专用场景解决方案 [21]

核心观点 - 分析师在11月底重申对英特尔公司的持有评级 认为其投资机会窗口已经关闭 [1] 分析师背景与立场 - 分析师为全职投资者 专注于科技领域 拥有金融专业商学士学位并以优异成绩毕业 [1] - 分析师强调其核心价值为卓越、诚信、透明和尊重 [1] - 分析师声明未持有任何所提及公司的股票、期权或类似衍生品头寸 且在接下来72小时内也无建立此类头寸的计划 [1] - 文章内容代表分析师个人观点 未从所提及公司获得报酬 [1]

核心观点 - 分析师在11月底重申对英特尔公司的持有评级 认为其投资机会窗口已经关闭 [1] 分析师背景与立场 - 分析师为全职投资者 专注于科技领域 拥有金融专业商学士学位并以优异成绩毕业 [1] - 分析师声明未持有任何所提及公司的股票、期权或类似衍生品头寸 且在未来72小时内无相关建仓计划 [1] - 文章内容代表分析师个人观点 未从所提及公司获得报酬 [1]

公司战略与业务动态 - 英特尔任命新的首席架构师负责开展图形处理器业务 以加强在GPU领域的布局[1] - 新任高管加入英特尔的过程“花了一番功夫” 但公司未透露其姓名[1] - 英特尔过去几年在半导体竞争中落后于台积电等主要企业 这些企业受益于AI数据中心建设浪潮[1] - 过去一年英特尔股价有所反弹 得益于来自美国政府、软银及英伟达的一系列重大投资 以及市场对其代工业务的乐观情绪升温[1] - 英特尔目前仍主要为自身制造芯片[1] - 公司近期生产瓶颈和供应问题掩盖了好于预期的季度业绩[1] - 投资者希望公司能在其代工业务的“锚定客户”方面给出更清晰的指引[1] 行业供需与市场趋势 - 英特尔CEO表示 当前席卷科技行业的存储芯片短缺状况至少还将持续两年[1] - 存储芯片短缺“完全没有缓解的迹象” 与两家关键参与者的交流显示“2028年之前都不会有缓解”[2] - AI数据中心持续扩张推动全球存储产业呈现结构性分化 行业层面出现“有意义的供给缓解”最早也要到2028年前后[2] - 始于2025年下半年的“存储行业超级周期”将至少延续至2027年 真正有意义的新增供给最早要到2028年初期才会出现[2] - AI基础设施大规模扩张推高了对存储芯片的需求 压缩了传统电脑和智能手机可获得的供应[2] - 供应短缺和价格上涨可能削弱消费者对相关产品的购买意愿[2] - 英伟达最新推出的Rubin平台以及下一代产品将进一步推高对存储芯片的需求[3] - AI将会“吞噬”大量存储资源[3] 产品与竞争格局 - GPU是大型语言模型的算力核心 由英伟达、AMD等企业研发[1] - 随着各大企业争相布局人工智能基础设施和数据中心 图形处理器的市场需求激增[1] - 英特尔是个人电脑处理器的最大制造商 而个人电脑依赖存储芯片来存储和管理数据[2] - 全球主要的存储芯片制造商包括三星电子、SK海力士以及美光科技[2] - 英特尔CEO指出 英伟达是AI处理器领域的领先供应商[3]

涉及的行业与公司 * **行业**：全球半导体行业，特别是先进封装技术领域 [1] * **公司**： * **英特尔 (Intel)**：提出EMIB-T技术作为台积电CoWoS的潜在替代方案 [2] * **台积电 (TSMC)**：当前AI芯片封装技术CoWoS的主导者 [2] * **揖斐电 (Ibiden)**：高端IC基板供应商，被视为EMIB-T技术潜在的主要受益者 [5] * **联发科 (MediaTek)**：与谷歌合作，考虑为其2027年TPU采用EMIB-T [2] * **其他潜在客户**：博通 (Broadcom)、迈威尔科技 (Marvell) [3] 核心观点与论据 * **技术对比：EMIB-T vs. CoWoS** * **EMIB-T优势**： * **更大封装尺寸支持**：采用矩形基板作为生产载体，相比CoWoS的圆形晶圆，能更高效地支持大尺寸封装，减少边缘浪费 [3][34] * **尺寸路线图领先**：英特尔声称EMIB在2024年已支持6倍光罩尺寸，目标在2026-2027年扩展到8-12倍；而台积电CoWoS-S目前支持约3.3倍，CoWoS-L目标在2027年扩展到9.5倍 [3][34] * **地缘政治优势**：英特尔在美国拥有先进封装产能，可与台积电在美国的前端晶圆厂配合，实现全流程美国本土生产，这对某些客户具有吸引力 [3][13][35] * **潜在成本优势**：由于生产载体浪费更少，EMIB-T工艺整体应比CoWoS更便宜（不考虑良率）[46] * **EMIB-T劣势/风险**： * **缺乏验证记录**：作为外部代工服务，尚未经过大规模生产验证 [3] * **潜在良率挑战**：将硅桥嵌入基板涉及不同材料整合，难度大，可能导致生产良率低于成熟的CoWoS [3][34] * **技术差距**：在凸点间距等键合技术指标上，英特尔明显落后于台积电 [44] * **财务影响评估** * **对台积电 (TSMC)**： * 若有100万颗芯片从CoWoS转向EMIB-T，台积电收入损失可能接近**10亿美元** [4] * 这相当于台积电2027年先进封装收入的**5-10%**，但仅为其总收入的约**0.5%** [4] * 实际影响可能更小，因为释放的先进封装产能可能被其他客户填补 [52] * **对英特尔 (Intel)**： * 承接100万颗芯片的EMIB-T封装，可为英特尔带来**数亿美元**（接近10亿美元）的收入增长 [4] * 这相当于英特尔2027年总收入的**1-2%** [4] * 英特尔管理层曾表示，单个客户的高级封装机会价值可能“超过**10亿美元**” [4][51] * **对揖斐电 (Ibiden)**： * **主要受益者**：EMIB-T将封装复杂性从中介层转移至基板，显著提升了基板的价值和利润率 [5] * EMIB-T基板价值预计将升至约**300美元**（以Rubin等效芯片计），远高于Blackwell基板（**80-100美元**）和Rubin基板（**180-200美元**）[5][49][50] * 每100万颗芯片从CoWoS转向EMIB-T，可为揖斐电在FY28/3E财年带来约**8%** 的额外收入和超过**10%** 的营业利润增长 [5][56] * **投资观点与催化剂** * **揖斐电 (Ibiden) 为最佳投资标的**：报告认为揖斐电是把握EMIB-T技术转移趋势的更好选择，因其在价值链中捕获的价值增长比例最高 [5][53] * **揖斐电的催化剂**： * 英伟达Rubin及Rubin Ultra GPU的升级（揖斐电基板份额恢复至**100%**）[5][53] * 在ASIC市场的份额增长 [5] * 英特尔内部芯片对EMIB的采用预计在2026年下半年增加，将提振揖斐电的收入和产能利用率 [54] * 若EMIB-T在2027年获外部客户采用，将带来进一步的收入和利润上行空间 [54] * **公司评级与目标价**： * 揖斐电：**跑赢大盘**，目标价 **8,250日元** [8][60] * 台积电：**跑赢大盘**，目标价 **1,800新台币**（美股TSM目标价330美元）[9][61] * 联发科：**跑赢大盘**，目标价 **1,640新台币** [10][62] * 英特尔：**与大市同步**，目标价 **36美元** [11][63] 其他重要内容 * **技术细节**： * EMIB-T是英特尔现有EMIB封装技术的增强版，通过在基板中集成硅通孔和硅桥，实现直接供电和高速互连，适用于高性能计算 [14][26] * 英特尔自2017年起已在内部广泛使用EMIB技术于高端CPU、GPU、FPGA等产品 [15][16] * 英特尔还在开发结合EMIB（2.5D）与Foveros Direct（3D）的**3.5D封装**技术，以更直接地与台积电的CoWoS+SoIC组合竞争 [42][43] * **供应链与产能布局**： * 英特尔的先进封装产能位于美国（主要是新墨西哥州）和马来西亚 [13] * 公司也已在韩国Amkor的Songdo K5工厂建立了工艺，并计划在未来亚利桑那州工厂外包此类高端封装 [13] * **风险提示**： * **揖斐电风险**：行业供应过剩导致持续价格压力、在英伟达产品中份额加速流失、资本支出及折旧负担高于预期 [64] * **台积电风险**：市场整体估值收缩、英特尔重获并保持技术优势、地缘政治不确定性 [65] * **联发科风险**：高通在5G市场竞争压力加大、5G采用放缓（尤其在中国）、全球智能手机需求疲软、智能手机外业务多元化进程慢、半导体市场下行周期 [65] * **英特尔风险**：宏观逆风、技术路线图进一步延迟、利润率面临更大压力、市场份额进一步流失 [66]

英特尔GPU业务与代工进展 - 英特尔首席执行官宣布公司计划生产面向数据中心的图形处理器（GPU）[2] - 英特尔已聘请高通前高管埃里克·德默斯担任首席GPU架构师，他将向数据中心芯片负责人汇报工作[2] - 该GPU计划旨在瞄准数据中心市场，英伟达已在该领域建立庞大业务[2] - 英特尔晶圆代工业务正与多家客户合作，客户对英特尔的14A制造技术感兴趣，预计今年晚些开始量产[2] - 英特尔需要客户明确订购数量和产品，以便进行产能规划[2] 行业竞争与华为动态 - 英特尔首席执行官在招聘活动中发现华为聘用了约100名“顶尖”芯片设计师[3] - 尽管美国限制华为获取芯片设计软件和工具，但华为设计师表示有替代方法并能完成任务[3] - 英特尔首席执行官认为华为紧随其后，若不谨慎，其可能迅速超越[3] - 过去几年，英特尔已落后于其他受益于人工智能数据中心建设而蓬勃发展的主要半导体厂商[3] 公司运营与行业挑战 - 英特尔近期的生产中断和供应问题掩盖了其好于预期的季度业绩[4] - 投资者希望英特尔能更明确其芯片代工业务的核心客户[4] - 人工智能数据中心需求增长导致内存芯片供需失衡，价格持续上涨[4] - 人工智能被视为内存芯片面临的“最大挑战”，预计供需紧张局面到2028年之前都不会缓解[4]

公司概况与成立背景 - 公司SAIMEMORY由软银、英特尔和东京大学共同成立，成立于2024年12月，并于2025年6月开始全面运营[2] - 公司主要业务是存储器及相关产品的研发、制造和销售[2] - 公司名称中的“SAI”源自汉字“天才”或“天赋”，亦有观点认为可能代表Softbank AI Memory[4] 核心技术：ZAM内存结构 - 公司首次公开介绍其正在开发的新型内存结构“ZAM”（Z字形内存），该命名源于Z轴，意味着芯片是垂直堆叠[2] - 传统存储器结构为平面堆叠，受限于功率和散热，目前16层已接近极限，预计最大层数在20层左右[2] - ZAM通过垂直堆叠芯片，可实现比传统DRAM更低的功耗、更大的容量和更宽的带宽[2] - 垂直堆叠设计使每个芯片产生的热量可均匀向上扩散，有望解决传统平面堆叠的散热问题[2] - 软银发言人表示ZAM“就像是DRAM的升级版，将采用全新的技术”，技术细节虽未公布，但考虑采用垂直堆叠结构[6] 技术定位与市场目标 - 公司将技术定位为“突破内存散热和性能瓶颈”，旨在实现低功耗、大容量和宽带宽[4] - 公司希望通过ZAM技术，在人工智能数据中心等领域实现大容量、宽带数据处理、提高处理性能并降低功耗[6] - 公司预计在当前AI发展的环境下，变革将超越第一和第二产业，并可为该变革时期提供解决方案[4] 合作伙伴关系与研发支持 - 公司建立了强大的合作伙伴关系，重点与软银和英特尔合作，并在日本及海外有各项投资和供应链布局[4] - 公司将利用英特尔的技术专长，推进下一代存储架构和制造技术的研发，这包括英特尔在美国能源部支持下推进的先进存储技术（AMT）项目所建立的基础技术，以及下一代DRAM键合（NGDB）计划展现的技术专长[5] - 公司项目将得到先进存储技术（AMT）研发计划的支持，该计划由美国能源部和国家核安全管理局通过桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室进行管理[4] - 公司计划未来与英特尔以外的其他公司和研究机构合作，以加速研发进程[6] 项目投资与财务 - 2025年6月有报道称，英特尔和软银合作开发堆叠式DRAM以替代HBM，项目预计耗资7000万美元，其中软银计划投资2100万美元[5] - 日本政府预计也将提供资金，理研研究所和新光电气也在考虑投资[5] - 软银将在2027财年原型机研制成功之前，投资约30亿日元[6] 行业背景与市场需求 - 公告发布之际，行业正努力应对存储和内存硬件短缺问题，今年宣布的许多AI数据中心建设项目的规模和范围让市场措手不及，导致容量紧张[6] - 存储芯片制造商三星和SK海力士警告称，存储芯片短缺的情况可能会持续到2027年[7] - 随着产能越来越多地分配给AI基础设施项目，消费电子产品可能受到持续短缺的影响最大[7] - 根据TrendForce数据，2026年全球生产的内存中，高达70%将被数据中心消耗[6] 技术评价与行业展望 - 英特尔院士表示，其下一代DRAM键合（NGDB）计划展示了一种全新的内存架构和革命性的组装方法，可显著提升DRAM性能、降低功耗并优化内存成本[5] - 标准内存架构无法满足人工智能的需求，因此NGDB定义了一种全新的方法，以加速迈向未来[5]