越南半导体产业发展的核心观点 - 越南正通过国家战略与标志性项目，从全球电子制造承接地向半导体技术国转型，其核心标志是2026年1月由Viettel主导的首个晶圆制造厂破土动工，目标在2027年底试生产，旨在补齐本土制造能力短板 [1] - 越南政府制定了清晰的半导体产业发展路线图，目标到2030年实现100家设计企业、1家晶圆制造厂、约10家封测厂，产业收入250亿美元，并将本地增加值提升至10–15% [1] - 越南半导体产业的崛起是“顺势而为”与“主动求变”的结合，既抓住了全球供应链重构的窗口期，也旨在突破“中等技术陷阱”，提升制造业层级 [3][5] 越南发展半导体的战略动因 - **全球供应链重构窗口期**：中美博弈与供应链再平衡促使跨国企业将产能向东南亚分散，越南被视为低成本、低摩擦的制造与封测落点，目前半导体领域已有超170个外商投资项目，总投资额近116亿美元 [5] - **AI需求放大战略价值**：半导体和人工智能是越南科技发展的两大重点，AI需求的激增被视为助力越南实现科技发展目标的机遇，政府也推出税收减免、签证优惠等激励措施吸引海外专家 [5] - **突破产业升级瓶颈**：越南硬件产品出口额在2024年已达1320亿美元，但若长期停留在劳动密集型装配环节，产业升级空间将受限，发展半导体被视为提升制造业层级的“硬路径” [1][5] 越南半导体国家战略与规划 - **国家战略公式**：越南总理于2024年9月批准《越南半导体产业2030年发展国家战略及2050年愿景》，其核心公式为 C = SET + 1，分别代表芯片、专用集成电路、电子、人才及越南作为可靠投资目的地 [4] - **三阶段发展计划**： - 第一阶段（2024-2030年）：建立至少100家设计公司、1家小型制造厂和10家封测厂 [4] - 第二阶段（2030-2040年）：扩大到200家设计公司、2家制造工厂和15个封测中心 [6] - 第三阶段（2040-2050年）：建立300家设计公司、3家制造厂和20家OSAT工厂，使越南成为全球领导者 [6] 越南半导体产业链现状与格局 - **外资主导，本土企业崛起**：产业链底盘主要由外资企业构成，如英特尔（全球最大封测基地之一）、Amkor、Hana Micron、高通、英飞凌等 [8]。本土“双子星”FPT和Viettel正崭露头角，FPT在芯片设计领域卡位，计划到2025年订购7000万片芯片；Viettel则通过建设晶圆厂填补制造环节空白 [8] - **地理布局呈现“三中心”**： - **河内**：政治与资源中心，聚集Viettel、高通、英飞凌、东芝等公司及FPT Software等本土平台 [10] - **岘港**：定位为EDA/设计服务/软件工程外包高地，有新思科技、瑞萨、FPT等公司 [11] - **胡志明市**：真实的产业发动机，企业数量最多、类型最全，拥有英特尔封测厂、美满电子、新思科技、楷登电子等众多国际公司与设计服务公司 [12] - **产业规模与成熟环节**：越南半导体市场收入在2023年已达约170亿美元，预计到2027年将达312.8亿美元，年复合增长率约11.6% [13]。封测和设计服务是当前最成熟的环节，但仍高度依赖外资力量 [13] 外资投资与关键项目进展 - **外资加速器作用显著**：过去两年一系列重量级项目密集落地，加速了越南半导体产业发展 [15] - **关键外资项目包括**： - **英伟达**：2024年12月与越南政府签署AI合作协议，并计划投资2亿美元与FPT建设AI驱动工厂 [15] - **Coherent**：2025年7月在越南启用投资额约1.27亿美元的新工厂，生产碳化硅材料等，标志着产业向更高附加值板块延伸 [15] - **Amkor Technology**：在北宁省建设先进封装测试基地，规划到2035年前累计投资约16亿美元 [16] - **Hana Micron**：计划在2026年前累计投资约9.3亿美元扩张芯片封装能力 [16] - **ASML**：表示对扩大在越供应链有浓厚兴趣，计划探索建立培训研发中心及提供设备 [16] Viettel晶圆厂项目的战略意义 - **项目概况**：由Viettel在河内和乐高科技园建设，占地27公顷，目标2027年底试生产，服务航空航天、电信、汽车等多个领域 [18] - **三大象征意义**： 1. 从“外资生态”迈向“国家能力”，开始将工艺与制造掌握在自己手中，形成战略缓冲 [19] 2. 打通“研发—设计—试产—量产”的本土闭环，为本土设计公司提供试产与小批量量产能力 [19] 3. 为后续民营与外资晶圆项目“探路”，其先行试错可为未来更多商业化晶圆厂铺路 [19] 越南半导体产业面临的关键挑战 - **本土生态薄弱**：产业链关键环节如EDA、IP、先进封装工艺、关键材料等基本掌握在跨国公司手中，本土供应商与研究机构数量有限 [22] - **专业人才缺口巨大**：当前半导体相关工程师约6000人，未来五年需求估计超2万人，国家目标到2030年将相关人才提升至5万人（其中1.5万为IC设计工程师） [23]。FPT计划到2030年培养1万名芯片/AI工程师，约20所大学已开设相关课程 [23] - **基础设施与能源安全**：2023年夏季限电事件暴露出电力基础设施不足的问题，这对电力质量敏感的晶圆厂和封测厂构成风险 [24]。越南正通过发展可再生能源和强化电网建设来改善，但短期内仍是投资尽调重点 [24] 越南半导体的发展轨迹与全球定位 - **清晰的三步走轨迹**： 1. 借助全球供应链重构，做大电子制造与传统封测 [26] 2. 通过Amkor、Hana、Coherent等项目，将封测做深并向材料与高端器件延伸 [26] 3. 在FPT、Viettel等本土龙头带动下，以AI与专用芯片设计占位，并以Viettel晶圆厂为标志补上制造环节 [26][27] - **务实的全球定位**：越南不太可能复制台湾或韩国的路径，而是在东南亚半导体集群中扮演重要支点，在封测与系统集成上承接订单，在专用芯片与AI应用上形成局部优势，并通过代表性晶圆厂确保制造环节不缺位 [27]

台积电2nm工艺需求与竞争格局 - 台积电2nm工艺需求旺盛，其流片数量估计是3nm工艺的1.5倍 [1] - 苹果、高通和联发科均在争夺2nm工艺供应以保持竞争力 [1] - 苹果据传已拿下台积电超过一半的2nm初始产能 [1][4] - 高通和联发科将争相抢购改进后的2nm"N2P"制程，以期在晶圆出货量方面占据优势并有望实现更高CPU频率 [1] 芯片设计策略的转变 - 消费者对工艺节点缩小的兴趣正在减弱，迫使苹果、高通和联发科等无晶圆厂半导体制造商转向其他策略，例如引入架构改进和增加内存缓存 [1] - 提升系统与SoC的整体集成度被视为释放性能潜力的关键一步，而采用尖端制造工艺已不再是消费者关注的焦点 [2] - 苹果A19 Pro芯片的能效核心通过架构改进，在几乎零功耗的情况下，性能提升高达29% [2] - 联发科天玑9500s通过配备19MB的CPU缓存来超越竞争对手 [2] - 消费者更关注实际用户体验，而非厂商宣传的20%到30%的性能提升幻灯片 [2] 台积电客户结构与定价策略变化 - 由于人工智能的蓬勃发展，苹果不再是台积电的头号客户，台积电将不再优先为苹果供货 [4] - 台积电2024年来自苹果的收入占比为24%，而英伟达预计将在2025年超越苹果成为其最大客户 [4] - 台积电CEO要求苹果支付"近年来最大幅度的价格" [4] - 台积电因2nm晶圆供应紧张和市场需求旺盛，被迫从2026年起连续四年提高其先进制程工艺的价格 [6] - 苹果A20 SoC的单价估计为280美元，暗示价格上涨可能已经生效 [6]

英特尔晶圆代工业务进展 - 2022年，公司宣布投资280亿美元在俄亥俄州新建两座尖端芯片工厂，作为其打造世界一流晶圆代工厂计划的一部分，最初生产计划于2025年开始 [1] - 由于难以赢得外部客户，俄亥俄州项目多次推迟，首座晶圆厂预计芯片生产将推迟至2030年开始 [1] - 2025年初新任CEO陈立武明确表示，原定于2027年推出的英特尔14A工艺节点只有在公司能够赢得大量外部客户的情况下才会推进 [1] - 英特尔18A制程节点目前正在亚利桑那州量产，用于公司的Panther Lake PC CPU，但据报道开局并不顺利，在良率方面遇到困难，且仍未获得大型外部客户 [1] - 近期情况有所好转，有分析师指出英特尔18A处理器的良率目前已超过60%并且持续提升，足以支撑Panther Lake处理器的发布 [1] - 该分析师还重申，苹果除了考虑使用英特尔14A处理器制造未来芯片外，很可能还会委托英特尔为其部分芯片生产18A处理器 [1] 英特尔14A工艺与俄亥俄州工厂 - 英特尔14A工艺被视为公司代工业务真正的试金石，为了确保成功，公司必须在量产前赢得大量外部客户 [2] - 近期两个迹象表明英特尔14A项目进展顺利：负责俄亥俄州晶圆厂建设的建筑公司发布了新的相关职位，可能表明建设正在加速推进 [2] - CEO陈立武在近期视频中发表了与之前谨慎态度相反的言论，表示将大力推进14A工艺，并期待在良率和知识产权组合方面取得巨大进展以服务客户 [2] - 该声明表明公司对14A工艺赢得大量外部客户充满信心，结合招聘消息，可能表明公司正试图加快俄亥俄州晶圆厂的建设进度 [2] - 如果芯片生产要到2030年才能开始，对于支持14A工艺而言可能为时已晚 [2] - 英特尔位于俄亥俄州的首座晶圆厂很可能在2028年或2029年投产 [3] - 有传言称，苹果公司正在考虑在2029年的部分芯片中使用英特尔14A芯片 [3] 行业竞争格局与客户动态 - 随着AI掀起芯片需求热、台积电产能持续满载，超微、英伟达、高通及苹果开始急寻第二供应商 [5] - 德意志银行观察指出，三星电子成为这些科技巨头委外代工的首选，比起英特尔的晶圆代工服务更具吸引力 [5] - 台积电3纳米产能极度吃紧，2026年被抢订一空，订单甚至一路排队到2027年，迫使台积电将2026年资本支出大幅提高至520-560亿美元 [6] - 德银报告指出，当前状况不只是CoWoS封装产能不足，核心晶圆制造尤其是3纳米制程更出现严重供应短缺 [6] - 尽管三星、英特尔晶圆代工服务过去的纪录好坏不一，但苹果、英伟达、AMD、博通、高通及联发科如今已别无选择 [6] - 德银预计，台积电在先进制程晶圆代工市场的占有率会从原本的95%下降至90% [6] - 德银分析认为，三星位于德州泰勒的晶圆代工厂，比起英特尔可能更具吸引力，是高通、AMD等客户最有可能考虑的选择 [6] - 据传苹果、博通则在评估英特尔的技术，但德银认为英特尔的14A制程虽确有潜力，仍有许多工作尚待完成 [6] - 台积电已告知英伟达及博通，目前无法提供他们所要求的庞大产能 [7] - KeyBanc分析师John Vinh认为，尽管英特尔不太可能靠18A制程挑战台积电的产业龙头地位，却有机会从三星手中夺下全球第二大晶圆代工商的位置 [7] 市场机会与公司前景 - 英特尔14A芯片成功的可能性增加，部分原因是代工厂巨头台积电的先进制造产能长期短缺，且这种情况短期内不会改变 [3] - 未来几年，随着芯片设计商争相获取产能，英特尔有望从中受益 [3] - 在2025年大部分时间里，英特尔的晶圆代工业务似乎岌岌可危，既没有重要的外部客户，良率也令人担忧 [3] - 但到了2026年，情况已大为好转，如果俄亥俄州的招聘消息和CEO的声明属实，那么英特尔明年可能会在晶圆代工领域发布重大公告 [3] - 如果英特尔能够消除外界对其晶圆代工战略的任何疑虑，随着公司充分利用市场对先进芯片制造的强劲需求，其股价可能会继续上涨 [3]

梅赛德斯-奔驰自动驾驶战略调整 - 自动驾驶是公司的长期目标，但监管框架限制了“无人值守”系统的运行方式和范围，公司当前专注于在限制条件下完善可靠解决方案，而非过早推进完全自动化 [1] - 公司暂停了其Drive Pilot自动驾驶辅助系统项目，原因是成本攀升、可用性有限及供应商格局变化，该系统是美国首款也是目前唯一获得L3级认证的产品 [1] - Drive Pilot系统原计划2023年搭载于EQS和S级车型，但预计本月发布的新款S级轿车将不会配备该系统 [1] Drive Pilot系统详情与局限 - Drive Pilot系统标志着量产车具备真正的L3级自动驾驶能力，但应用范围局限于美国加利福尼亚州和内华达州的特定高速公路路段，且仅限晴朗白天以最高40英里/小时的速度行驶 [1] - 司机需预先购买硬件并每年支付2500美元订阅费才能激活服务，技术实施成本高昂且客户收益有限，难以大规模推广 [1] - 该系统依赖Luminar公司提供的传感器技术，包括激光雷达，但Luminar后来破产，公司因Luminar未能履行合同条款于去年终止供货协议，这限制了系统扩展 [2] 新研发重心：MB.Drive Assist Pro系统 - 公司将研发重心转向MB.Drive Assist Pro，这是现有驾驶辅助技术的升级版，被定义为L2++级，与Drive Pilot不同，新系统需要驾驶员保持专注，但能应对更广泛的驾驶环境，包括城市和高速公路路况 [2] - MB.Drive Assist Pro系统结合了10个摄像头、5个雷达传感器、12个超声波传感器以及基于英伟达的计算平台，在即将上市的CLA车型测试中，在各种交通状况下展现出可靠稳定的性能 [2] - 公司视MB.Drive Assist Pro为通往未来可全球推广系统的桥梁，认为未来两三年内将推出能为客户带来更多益处的系统 [3]

文章核心观点 - 高带宽闪存（HBF）作为一种结合了高带宽与大容量的下一代存储器技术，正受到行业关注，预计将快速商业化以应对AI数据需求的爆炸式增长，并有望在未来市场规模上超越高带宽存储器（HBM）[1][2][3] HBF技术概述与特点 - HBF是一种将多个3D NAND闪存垂直堆叠（类似于HBM堆叠DRAM）的存储器概念，通过硅通孔（TSV）连接，旨在同时实现高带宽和高容量[2] - HBF的带宽预计将超过1638 GB/s，远超当前基于NVMe PCIe 4.0的标准SSD存储带宽（最高7000 MB/s）[3] - HBF的容量可达512 GB，远高于HBM4的64 GB，但其写入次数有限制（约10万次），读取次数则无限制[3][4] - HBF读取速度慢于HBM，但容量约为HBM的10倍，适用于需要处理海量数据的AI推理等读取密集型任务[4] 技术发展进程与商业化预期 - 三星电子、SK海力士已与美国SanDisk公司签署了关于HBF标准化的谅解备忘录，并通过联盟进行标准化工作，旨在2027年前推出产品[3] - SK海力士计划在本月晚些时候发布并演示HBF的试用版本[3] - 三星电子和SanDisk计划在2025年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中[2] - HBF预计将在HBM6发布后开始得到广泛应用，并从未来2-3年起成为行业常见术语[4][5] - 到2038年左右，HBF市场有望超越HBM市场[1][5] 行业背景与技术驱动 - 仅基于DRAM的HBM容量已接近极限，难以满足爆炸式增长的AI数据需求，因此对高容量的新型NAND闪存解决方案（如HBF）的需求预计将迅速增长[1] - 主要存储器制造商（如三星电子、SK海力士）预计将基于其在HBM领域积累的设计和工艺技术，迅速转向HBF的开发[1] - HBM技术研发耗时超过10年，但HBF技术的研发速度预计会更快，因为HBM的工艺和设计经验已应用于HBF[1][2] 应用场景与系统架构 - 在AI推理中，GPU需要从HBM读取称为KV缓存的可变数据，而HBF有望被用于处理这项任务[4] - HBF预计将与HBM一同安装在GPU等人工智能加速器旁边[4] - 未来系统架构可能演进为“内存工厂”，即HBM7将实现直接从其后端（如连接的HBF）处理数据，缩短数据从存储到GPU的路径[5]

英伟达AI PC与数据中心战略布局 - 公司正强化数据中心布局并推进个人与边缘AI计算平台发展 规划了从N1/N1X到下一代N2/N2X系列的AI时代演进路线 [1] - 公司凭借AI优势强势进军PC市场 给x86架构的英特尔和AMD施加压力 并在Windows on Arm阵营中重获领先地位 [1] 产品路线图与发布计划 - 基于N1X架构的Windows on Arm平台笔记本电脑型号预计2026年第一季度发布 初期目标消费级 其他三个版本第二季度上市 [1] - 下一代N2系列预计2027年第三季度接棒 采用N2X技术的DGX Spark型号预计最早2027年第四季度发布 [1][3] - 搭载N1X/N1平台的笔记本电脑原计划2025年中期上市 但在CES 2026上仍未亮相 最初计划在COMPUTEX 2025发布并于9月上市 最终推迟至2026年 [1][2] - 公司于2025年10月开始发售采用N1X平台的DGX Spark台式机 该产品号称全球最小的AI台式电脑 [1][2] 产品性能与市场定位 - N1和N1X均定位为高端PC平台 N1X计算能力更强 包括更多CPU核心、GPU单元和更大内存配置 目标高性能AI PC和专业市场 [3] - DGX Spark采用桌面式设计 可提供1 petaflop的AI性能 使开发者能在本地对2000亿参数模型进行推理 并对高达7000亿参数的AI模型进行微调 [4] - 公司未刻意区分N1与N1X平台 而是将它们统称为“高端AI计算平台” [3] 生态系统构建与合作 - 与英特尔达成合作 英特尔将为其数据中心定制x86处理器 并开发集成英伟达RTX GPU的x86系统芯片用于PC领域 [4] - 公司向英特尔投资了50亿美元 [4] - 公司正与联发科及多家PC巨头合作 瓜分x86 PC市场 [5] - 为加速生态系统构建 公司计划推出AVL和RVL系统 分别列出通过全面验证的供应商和符合规范但未全面验证的推荐供应商 [3] - 由于资源限制 公司未复制英特尔的PCL系统生态 其内部FAE团队负责编写参考设计文档以帮助OEM和ODM厂商采用平台 [3] - 在英伟达支持下 包括宏碁、华硕、戴尔、技嘉、惠普、联想和微星在内的多个品牌推出了各自的DGX Spark系统 [2] 市场反馈与延迟原因 - DGX Spark台式机市场接受度超出预期 支持AI代理和完整软件栈 [4] - 笔记本电脑推出延迟源于多种因素 包括微软操作系统发布计划推迟、英伟达芯片修改 以及对受外部政治经济因素影响的笔记本电脑市场整体状况的评估 [2] - 尽管内存短缺和价格上涨 公司仍决定重返笔记本电脑市场 [2]

英特尔俄亥俄一号项目进展 - 项目承包商贝克特尔集团发布新招聘信息，暗示项目将加速推进，至少八条招聘信息直接提及项目所在地新奥尔巴尼市[1] - 项目一期工程占地250万平方英尺，钢材用量相当于八座埃菲尔铁塔[1] - 项目最初计划建设两座晶圆厂，未来最多可容纳八座，但投产时间已从最初乐观的2025年显著延迟至2030-2031年[1] - 1号晶圆厂将率先投产，2号晶圆厂预计一年后投产，届时英特尔或已完成下一代14A工艺研发[1] 英特尔制程工艺与产能规划 - 英特尔最新的Panther Lake移动CPU采用其18A制程工艺，在美国亚利桑那州和俄勒冈州工厂生产，被视为美国本土芯片制造的突破[2] - 18A制程目前缺乏大型外部客户，公司希望通过14A制程改变现状[2] - 14A工艺预计将在2027年实现量产，其衍生产品可能在俄亥俄一号园区启用前就已占据产品组合很大部分[2] - 俄亥俄一号园区被定位为领先的逻辑芯片研发园区，未来新工艺可在此进行流片[2] 英特尔获得的政府支持与资金 - 白宫从《芯片法案》剩余资金中拨给英特尔89亿美元，以换取该公司10%的股份[3] - 英特尔还与英伟达达成价值50亿美元的合作[3] 台积电面临的产能挑战与市场格局变化 - 台积电3纳米制程产能极其紧张，订单已排满至2026年并延至2027年，迫使公司大幅增加资本支出计划[5] - 台积电预计2026年资本支出为520亿至560亿美元，远超德意志银行500亿美元的预期和市场普遍预期的460亿美元[5] - 产能瓶颈反映出核心晶圆制造产能，尤其是3nm工艺的严重短缺，而不仅仅是CoWoS封装产能过剩[5] - 台积电计划到2026年底将3nm月产能扩大至19万片晶圆，但仍无法满足客户需求[6] - 由于产能极度紧张，台积电正推迟新的3nm工艺研发项目，并鼓励客户将更多产品转向2nm GAA工艺，同时通过价格策略促进转型[6] 客户寻求替代供应商与市场份额变化 - 台积电的顶级客户，包括苹果、英伟达、AMD、博通、高通和联发科，正认真考虑将三星和英特尔作为替代方案[5] - 台积电在先进工艺节点晶圆代工市场的份额预计将从95%下降至90%[6] - 在寻求替代供应时，三星的泰勒晶圆厂比英特尔更有可能成为客户首选[7] - 高通和AMD最有可能考虑三星，而苹果和博通正在评估英特尔[7] - 尽管英特尔的14A工艺有潜力，但分析师认为仍有很多工作要做[7]

台积电先进封装产能扩张计划 - 全球最大晶圆代工厂台积电计划在台湾台南地区再建四座最先进的先进封装工厂，以解决CoWoS产能不足问题，具体地点包括嘉义科学园和南方科学园[1] - 台积电高级副总裁侯永庆将于近期宣布该扩建计划，公司还计划于今年上半年在紫怡科技园的AP工厂1开始量产，并将设备运至工厂2[1] - 采用先进封装技术“晶圆基芯片封装”的生产已在AP8工厂开始，该工厂是台积电于2024年收购的群创光电工厂翻新而成[1] 先进封装成为AI硬件发展关键瓶颈 - 随着AI革命进入资本密集阶段，行业最大挑战已从设计算法或采购硅片，转向对“先进封装”技术的争夺，特别是台积电首创的CoWoS技术[4] - 2026年AI GPU供应的主要瓶颈在于将计算芯片与高速存储器连接的复杂组装工艺，台积电的CoWoS生产线已基本售罄至年底，确保封装产能成为最终竞争优势[4] - 现代AI硬件物理结构复杂，例如NVIDIA的Rubin R100 GPU芯片尺寸超过光刻机一次可印刷的最大尺寸，必须采用CoWoS-L技术利用硅桥将多个芯片拼接，导致良率更低、生产周期更长[5] - 集成第六代高带宽内存进一步加剧技术复杂性，需要极高的互连密度，促使台积电转向“混合键合”技术，该技术对洁净室环境要求堪比前端晶圆制造，将封装变成了代工厂的高风险延伸环节[5][6] 产能短缺重塑行业竞争格局 - 英伟达已锁定2026年近60%的台积电CoWoS总产能，以支持其向12个月密集型发布周期的转型，这迫使AMD和博通等竞争对手争夺剩余的40%产能[7] - 市场呈现分层格局：规模最大的企业能够维持可预测的产品路线图，而规模较小的AI初创公司和各国政府的“自主AI”计划则面临着高端硬件超过9个月的交付周期[7] - 为应对台积电产能瓶颈，先进封装的二级市场迅速发展，英特尔将其“Foveros”和EMIB封装技术定位为可行替代方案，微软和亚马逊在2026年初已将部分定制芯片订单转移至英特尔的美国封装工厂[8] - 三星电子正积极推广其“交钥匙”解决方案，承诺在单一合同中同时提供HBM4内存和I-Cube封装，旨在削弱台积电分散的供应链[8] 行业影响与未来趋势 - 封装瓶颈为全球AI计算能力的增长设置了“硬性上限”，加速了AI能力向少数几家万亿美元级实体的集中，这种“封装税”导致大型语言模型的训练成本居高不下，可能阻碍AI的普及化[9] - 各国政府已大幅增加对“后端”制造的补贴，例如美国的《芯片法案》，最终将封装厂的优先级与晶圆厂置于同等重要的地位[10] - 解决产能瓶颈的近期方案包括大规模扩建台积电位于嘉义的先进后端工厂7号厂以及将原显示面板工厂改造为“AP8”[11] - 行业的长期发展方向在于从晶圆级封装向扇出型面板级封装的转型，通过使用大型矩形面板而非300毫米圆形晶圆，制造商可以将单批次芯片的处理量提高高达300%，预计到2027年底或2028年将成为量产标准[11] - 另一个重大挑战是向“玻璃基板”的过渡，英特尔在玻璃基板研究方面已取得先机，专家预测“玻璃基板竞赛”的赢家很可能主导2028-2030年的AI硬件市场[11] 地缘政治与供应链考量 - 台积电此次扩建计划也被视为消除外界对其可能变成“美国台积电”的担忧，因为公司近期在美国的工厂扩张削弱了其“硅盾”[1] - 尽管台积电正在向亚利桑那州和日本扩张，但这些工厂主要专注于晶圆制造；最先进的CoWoS-L和SoIC封装仍然集中在台湾的AP6和AP7晶圆厂，使得全球AI经济仍然与台湾海峡的地缘政治稳定息息相关[8] - 美国商务部长曾表示，目标是将台湾40%的半导体供应链和生产转移到美国[1] - 台湾经济部长估计，如果采用5纳米或更小的先进工艺，到2030年台湾与美国的工业产能比将为85%对15%，到2036年将为80%对20%[2]

研讨会概况 - 佰维存储与英特尔将于2026年1月26日在深圳英特尔大湾区科技创新中心联合举办“Mini SSD生态应用研讨会” [1] - 研讨会主题为“源起深圳，共创商机”，聚焦Mini SSD在AI端侧、轻薄终端、移动设备等多元场景的生态合作与商业落地 [1] - 活动采用定向邀请和审核制，旨在确保高质量交流与精准对接 [4] 产品技术与荣誉 - 佰维Mini SSD凭借超小体积、高性能、高可靠的优势脱颖而出，通过技术研发与封测的创新融合改变了SSD的固有形态 [4] - 该产品极大弥补了传统存储卡的制约，完美匹配AI端侧时代的发展需求 [4] - 产品荣获《TIME》“2025年度最佳发明”榜单，成为全球唯一入选的存储产品 [4] - 产品还斩获了Embedded World North America 2025 “Best-in-Show”大奖，以及在CES 2026期间荣膺媒体TWICE的“2026 CES Picks Awards winner”和媒体AVRONA的“最佳创意奖”两项殊荣 [4] - 这些荣誉彰显了中国存储创新在国际舞台上的影响力 [4] 产业价值与会议议程 - 研讨会将围绕Mini SSD的产业价值、标准演进、生态协同与商业应用展开深度探讨 [5] - 佰维存储将联袂大湾区生态合作伙伴，分享前沿趋势，探索合作模式，以推动创新成果商业化落地和产业共赢 [5] - 该产品在移动计算与边缘智能迅猛发展的浪潮中，释放出无限市场潜力 [4]

核心观点 - 全球NAND闪存市场两大主导厂商三星电子和SK海力士计划在2026年继续减产，叠加AI服务器等领域需求激增，预计将导致NAND闪存供应紧张并推动价格全面上涨 [1][2] - 三星电子和SK海力士正大幅提升HBM（高带宽存储器）产能，以应对AI加速器带来的强劲需求，并在此领域展开激烈竞争 [4][6] NAND闪存市场：减产与供应紧张 - **主要厂商计划减产**：三星电子预计2026年NAND闪存晶圆产量从2025年的490万片降至468万片，SK海力士预计从190万片降至170万片 [1] - **减产原因**：NAND闪存盈利能力长期下滑，公司优先投资于利润更高的DRAM；同时，为满足AI数据中心需求，生产线正从TLC技术向QLC技术转换，此过程伴随自然减产 [2] - **供应紧张与价格上涨**：AI兴起带动需求激增，主要供应商减产可能加剧供应短缺，影响范围从AI服务器扩展至移动设备和PC等领域；市场研究机构TrendForce预测，2026年第一季度NAND闪存合约价格将环比上涨33%至38% [1][2][3] - **需求驱动因素**：英伟达下一代AI加速器Vera Rubin的SSD容量高达1152TB，是其现有产品Blackwell的10倍以上；预计该产品2026年出货3万台，2027年出货10万台，将分别在2027年和2028年创造3460万TB和1.152亿TB的新增NAND需求 [2] - **市场竞争格局变化**：中国长江存储自2025年以来稳步提高NAND闪存产量，市场地位日益稳固；三星和SK海力士为应对竞争，调整产品组合，减少用于移动和PC的NAND供应以保障盈利，同时增加用于服务器和企业级应用的供应 [3] HBM市场：产能扩张与技术竞争 - **三星电子大幅扩张HBM产能**：为满足英伟达等客户大量订单，三星计划到2026年将HBM产能同比提升50%；公司正内部审查扩大HBM生产的可能性，并投资约415亿美元在京畿道平泽市新建P5工厂，预计2028年投产 [4][5] - **三星HBM技术取得领先**：三星第六代HBM（HBM4）在英伟达内部测试中表现超越SK海力士和美光等竞争对手；其单引脚数据传输速度达到11Gbps，超过了英伟达Rubin平台10Gbps的标准要求 [6] - **三星HBM出货量与市场份额预测**：KB证券预测，到2026年底，三星HBM晶圆月产量将从目前的17万片增至25万片，增长超过47%；预计三星2026年HBM出货量将同比增长三倍，达到112亿Gb，其中HBM4约占一半；其HBM市场份额预计在2026年飙升至35%，较2025年预计的16%增长一倍以上 [6] - **SK海力士的产能投资**：SK海力士投资超过20万亿韩元建设M15X工厂，该工厂将运营两个洁净室，预计2027年中期全面投产后月产量约为5万片晶圆；公司还计划大幅增加对龙仁芯片集群和美国印第安纳州HBM封装工厂的基础设施投资 [7] - **通用芯片产能同步提升**：三星和SK海力士也在提高从HBM到DDR等更通用芯片以及基于NAND闪存的SSD的产量，以满足全面需求 [4]