摩尔定律的挑战与芯粒技术的兴起 - 摩尔定律指出半导体芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番，但近年来芯片电路尺寸缩小至几纳米级别后，面临物理极限、制造复杂性增加和成本上升的挑战 [2] - 电路尺寸缩小导致制造良率降低，使得生产大量可用芯片变得更加困难，建造和运营半导体代工厂需要大量资金和专业知识 [2] - 芯粒是执行特定功能的小芯片，多个芯粒可组合成一个封装以组成完整系统，此方法通过只使用"已知良好芯片"来极大地提高制造良率和效率 [2] 芯粒技术的优势与应用 - 异构集成工艺允许将不同工艺制造、具有不同功能的芯片组合到单个封装中，高性能计算部件可用最新半导体工艺制造，而存储器和模拟部件可采用更传统、更具成本效益的技术 [3] - 汽车行业使用该技术开发未来汽车的片上系统，计划在2030年后应用于量产汽车，以提升汽车半导体的性能、AI计算和图形处理能力 [3] - 芯粒技术能帮助制造商将功能安全部件与用于自动驾驶的AI处理器结合，更快地根据汽车制造商需求定制片上系统 [3] - 该技术正扩展到人工智能和电信等其他领域，推动众多行业创新，并迅速成为未来半导体行业的关键技术 [5] 芯粒集成与封装技术 - 中介层是实现芯粒紧凑高速连接的关键组件，通常由硅制成，位于芯片下方以帮助芯片间通信，其性能直接影响连接紧密度和电信号交换速度 [5] - 先进的芯粒集成技术在高效供电方面发挥重要作用，通过添加微小金属连接点为电流和数据传输提供路径，实现高速数据传输并充分利用有限空间 [5] - 当前主流方法是2.5D集成，将多个芯片放入单个封装中，而下一代重大进展是3D集成，该技术使用硅通孔垂直堆叠芯片以实现更高集成度 [5] - 将灵活芯片设计与3D集成结合可构建更快、更小、更节能的半导体，将内存和处理单元直接堆叠可实现高速数据访问，有利于人工智能等高性能流程 [7] 芯粒技术的挑战与前景 - 垂直堆叠芯片导致热量更容易积聚，使热管理和保持高制造良率变得更加困难 [8] - 全球研究人员正在研究先进封装技术的新方法以更好地应对热挑战，芯粒与3D集成的结合被视为一项颠覆性创新，有可能取代摩尔定律 [8]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 过去五年，全球半导体制造几乎等同于一场光刻机的地缘政治。ASML的EUV光刻系统成为先进制程 的唯一通行证，任何想进入 5nm 以下节点的公司，都必须经由这台价值超过 3 亿美元、由 45 万个 零件组成的巨兽。 从苹果到台积电，从三星到英特尔，整个行业的创新速度被EUV产能和供应节奏间接锁定。 而另一边， 非EUV 领域——电子束直写（E-Beam Lithography）、 纳米压印（NIL ）、掩模直写 （ML2）——曾多次被寄予"平替"希望，却始终未能进入量产体系。它们像漂浮在摩尔定律边缘 的"幽灵技术"，时而被提起，又悄然沉寂。 然而，AI的爆发正悄然改变这一切。一台EUV光刻机，不可能为每一家AI公司开启一条产线。在先 进封装、异构集成、Chiplet、SiP等多工艺、多材料混合的环境中，光学光刻难以覆盖全部需求层 级。在这种需求转折点上，制造业开始寻找新的可能。那些曾被遗忘的"非EUV技术"正在以新的形式 回归。 6.5 万束电子光束光刻，瞄准AI芯片 SecureFoundry成立于2016年，总部位于沃斯堡，是一家兼顾国家安全与商业需求的半导体 ...

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容来自半导体行业观察综合 。 据印度媒体报道，印度总理纳伦德拉·莫迪周六会见了高通公司总裁兼首席执行官克里斯蒂亚诺·阿 蒙，讨论了印度在人工智能、创新和技能方面的进步。印度总理对高通公司对印度半导体和人工智能 项目的承诺表示赞赏。他指出，印度拥有无与伦比的人才和规模，能够打造塑造共同未来的技术。 克里斯蒂亚诺·阿蒙感谢总理就加强高通与印度之间的合作伙伴关系，以支持印度人工智能和印度半 导体项目以及向6G转型所进行的丰富讨论。他强调了在人工智能智能手机、个人电脑、智能眼镜、 汽车、工业等领域发展印度生态系统的机遇。 莫迪总理在X新闻网的一篇帖子中表示："与克里斯蒂亚诺·R·阿蒙先生的会面非常愉快，我们讨论了 印度在人工智能、创新和技能培养方面取得的进步。很高兴看到高通公司对印度半导体和人工智能事 业的承诺。印度拥有无与伦比的人才和规模，可以打造塑造我们共同未来的技术。 " 克里斯蒂亚诺·阿蒙在回应莫迪总理的帖子时表示，他们对在人工智能智能手机、个人电脑和智能眼 镜等领域发展印度生态系统的机会感到鼓舞。 高通首席执行官表示："感谢纳伦德拉莫迪总理就促进 ...

事件概述 - 荷兰经济事务与气候政策部于2025年9月30日对安世半导体全球30个主体下达部长令，要求其资产、知识产权、业务及人员不得进行任何调整，有效期一年 [1] - 2025年10月1日，安世半导体部分外籍高管向阿姆斯特丹上诉法院企业法庭提交紧急请求，法庭随即生效紧急措施，包括暂停CEO张学政的董事及CEO职务，并将控股股东裕成控股持有的安世半导体控股股份（除一股外）托管给独立第三方 [2] - 2025年10月7日，企业法庭裁决临时紧急救济措施，包括暂停张学政相关董事职务、任命拥有决定性投票权的独立外籍非执行董事，以及将安世半导体几乎所有股份出于管理目的托管 [3] 事件影响与公司回应 - 该事件导致闻泰科技对安世半导体的控制权暂时受限，裕成控股暂时失去对安世半导体控股99股（除保留一股外）的股东权利，但经济收益权不受影响 [4] - 安世半导体日常经营持续运转，但短期内面临决策链条临时变更/延长、资源配置灵活度下降等问题，可能影响运营效率 [3] - 闻泰科技表示将积极与供应商、客户沟通，维系员工队伍和生产秩序，并寻求法律救济方案及政府支持 [4] 荷兰政府行动背景 - 荷兰政府部门声明采取行动的原因是安世半导体内部存在严重的治理缺陷和行为，旨在防止其生产的商品在紧急情况下断供 [5] - 荷兰媒体指出，此紧急措施旨在防止芯片相关知识产权流失到海外，并提及《商品可用性法案》这一在特殊情况下使用的法律 [6] - 美国于2025年10月1日对中国企业实施更严格出口限制并将闻泰科技子公司列入“禁止名单”，安世半导体于9月30日收到荷兰经济部函件 [7] 安世半导体业务背景 - 安世半导体前身为恩智浦半导体的标准件业务，闻泰科技于2018年以251.54亿元人民币收购其75.86%股权，实现向半导体业务的转型 [11] - 安世半导体是全球领先的标准器件半导体IDM企业，总部位于荷兰，在全球拥有12500多名员工，年出货量超过1100亿件产品 [11] - 2024财年，安世半导体营收为20.6亿美元，在其定义的市场中份额从2023年的8.9%增长至2024年的9.7% [12] 公司技术与财务表现 - 2024年安世半导体研发投入增长6.2%，重点投资于碳化硅和氮化镓等宽带隙技术 [13] - 公司营收在2022年达到23.6亿欧元的峰值，毛利率从2020年的25%大幅提升至2022年的42.4% [17] - 至2024年10月，安世半导体已还清所有前期债务，实现“零负债”运行 [17] - 研发投入从2019年的1.12亿欧元增至2024年的2.84亿欧元，全球新专利申请量从往年每年10-20件增至2023年的95件和2024年的110件 [17] 公司战略声明 - 闻泰科技坚决反对荷兰政府以“国家安全”为由对安世半导体实施全球运营冻结，认为这是基于地缘政治偏见的过度干预 [15] - 公司强调收购后安世半导体经营质量全面跃升，近三年研发投入增长超150%，近五年来为荷兰贡献了1.3亿欧元企业所得税 [16] - 公司认为内部部分管理层的法律行动是外部施压的恶意延伸，旨在剥夺股东权利、颠覆公司合法治理结构 [18]

核心观点 - 公司作为中国射频前端芯片企业，在5G高端模组领域实现技术突破，其5G L-PAMiD产品2024年收入达3.81亿元，成功进入全球主流手机品牌旗舰机型，打破了国际厂商的垄断 [1] - 公司通过持续高强度研发投入（2022-2024年累计研发投入98,017.11万元，占近三年累计营收的20.77%）和构建纯国产供应链，在技术门槛最高的高端模组市场（国产化率不足10%）实现破局 [3] - 公司市场拓展路径清晰，实现从白牌到品牌的三级跃升，高价值5G PA及模组收入占比从2022年的17.36%提升至2024年的42.96%，并积极布局车载通信、卫星通信等新兴领域 [7][9] 技术突破 - 全球移动设备射频前端市场规模预计2028年将增长至269亿美元，但该市场长期被Skyworks、Qorvo、村田、高通等国际厂商垄断，国产厂商市场份额长期低于20%且主要集中于中低端领域 [3] - 在技术壁垒最高的5G高集成度模组市场（如L-PAMiD），国产化率不足10%，2019年的华为、中兴事件成为行业转折点，国内手机厂商开始主动扶持国产射频前端芯片 [3] - 公司近三年研发投入金额累计为98,017.11万元，占近三年累计营业收入的比例为20.77%，高强度研发投入支撑了其在高端模组领域的技术突破 [3] 生态构建 - 公司早于行业意识到供应链安全的重要性，主动构建完整的国产供应链体系，与国产GaAs、SOI工厂合作，成为不少供应链的首家验证客户 [5] - 射频前端芯片设计涉及GaAs、SOI、CMOS、滤波器等多种工艺，需要晶圆厂、封装厂的全产业链协同，公司与长电科技、立昂微等本土伙伴深度合作，推动晶圆代工、封装测试全链条国产化 [5] - 维持海外+国产双供应链导致研发投入巨大，但公司通过战略定力最终在5G L-PAMiD产品上取得成功，证明了纯国产供应链的可行性 [5] 市场进阶 - 公司的市场拓展路径体现其战略思维：从白牌市场获取现金流，向品牌市场要利润，朝高端市场树品牌 [7] - 公司早期通过2G/3G产品在白牌市场建立基本盘，2016年成为三星首家国产PA直供商，目前其射频前端芯片已覆盖除苹果外的全球前十大手机品牌 [9] - 公司高价值的5G PA及模组收入占比从2022年的17.36%迅速提升至2024年的42.96%，显示公司正持续向价值链高端攀升，并进一步向车载通信、卫星通信、低空经济等新兴领域拓展 [9] 战略布局 - 公司采取“射频前端+射频SoC+混合信号芯片”的三轮驱动战略，射频前端芯片是主阵地，低功耗蓝牙SoC芯片2025年上半年收入增长超20%，成为第二增长曲线 [11] - 混合信号芯片（电量计）切入毛利率高、竞争相对温和的细分市场，打造第三增长极，三大业务共享技术平台、供应链资源和客户渠道，形成显著的协同效应 [11] 资本视角 - 公司目前仍处于亏损状态，2022-2024年净利润分别为-2.9亿元、-4.5亿元和-6470.92万元，但这种亏损是战略性投入期的阶段性现象 [13] - 亏损构成显示公司长期高强度进行研发投入，采取审慎的存货储备策略以保障供应链安全，并通过股权激励稳定核心团队，2024年亏损额大幅收窄，毛利率从2022年的17.06%提升至2024年的20.22%，盈利状况正在积极改善 [13] 未来征程 - 公司制定了清晰的发展路径：短期完成科创板上市，扩大5G射频前端产品市场份额；中期拓展汽车电子、工业控制等高端应用领域，进军国际市场；长期成为国际一流的射频前端和无线通信芯片供应商 [15] - 第二波国产替代成为公司近期最重要的增长机遇，中美关税升级背景下，小米、OPPO、vivo、荣耀等一线手机品牌在中高端市场寻求国产供应，为已具备模组化能力的国产厂商打开巨大市场空间 [15] - 公司已启动5G-Advanced和6G技术预研，同时瞄准毫米波、低轨卫星通信等前沿领域，这些新兴技术将重塑未来通信格局，为中国芯片企业提供换道超车的战略机遇 [15]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容 编译自chosun 。 截至当日上午9点11分，SK海力士股价报40.65万韩元，较上一交易日下跌2.15万韩元（5.02%）。 与此同时，三星电子股价下跌3.28%，报91,300韩元；韩美半导体股价下跌4.03%，报114,300韩 元。 此前：三星、SK海力士在人工智能半导体热潮中飙升 中秋长假结束后，韩国股市于10日重新开市，外国投资者纷纷涌入韩国半导体股。休市期间，包括美 国公司英伟达和AMD宣布与OpenAI达成大规模投资协议在内的重大利好消息不断涌现。这些利好消 息推动三星电子股价飙升6.07%，至9.44万韩元，SK海力士股价上涨8.22%，至42.8万韩元，两者均 创下收盘新高。以美林、高盛和摩根首尔等全球券商为首的外国投资者延续了"买入韩国"的势头，仅 在韩国综合股价指数（KOSPI）就净买入超过1万亿韩元。其中，超过8000亿韩元集中在三星电子及 其优先股上。 费城半导体指数（包含英伟达、博通、台积电和阿斯麦等全球半导体巨头）在韩国股市休市期间创下 历史新高，引领主要股市上涨。这一上涨趋势也延续到了韩国股市。尽管日本日经22 ...

据"央视新闻"最新报道，日前，市场监管总局反垄断二司负责人就对高通公司违反《中华人民共和国反 垄断法》（以下简称《反垄断法》）立案调查事回答了记者提问。 此前报道：高通公司涉嫌违反反垄断法 市场监管总局依法决定立案调查 据市场监管总局消息，因高通 公司收购Autotalks公司未依法申报经营者集中，涉嫌违反《中华人民共和国反垄断法》，市场监管总局 依法对高通公司开展立案调查。 据了解，Autotalks是一家总部位于以色列的无晶圆半导体公司，成立 于2008年，长期专注于V2X通信芯片的研发与商用落地。其核心产品能够支持DSRC（专用短程通信） 和C-V2X（基于蜂窝的车联网通信）标准，使车辆能够直接与其他车辆、行人及交通基础设施进行实时 通信，从而提升驾驶安全和交通效率。 2023年5月，高通宣布拟收购Autotalks，计划将其V2X技术整合 进Snapdragon Digital Chassis平台，用以强化其在智能网联汽车通信、安全预警与自动驾驶协同方面的 能力。业内普遍认为，这笔交易是高通扩展汽车电子版图的重要一步。 尽管双方早在2023年达成初步 收购协议，但交易推进过程并不顺利。由于涉及汽车通信 ...

文章核心观点 - 人工智能数据中心耗电量飙升，但超过一半的芯片能量以热量形式被浪费，散热成为关键瓶颈 [1] - 人造金刚石因其卓越的导热性能（比铜快几倍）被视为解决芯片散热问题的革命性材料 [1] - 多家公司和研究机构正积极开发将金刚石集成到芯片中的技术，以提升计算性能、延长芯片寿命并降低数据中心冷却成本 [2][5][6] 芯片散热挑战与金刚石优势 - 现代芯片中超过一半的能量在晶体管层面以漏电流形式被浪费，转化为热量 [1] - 热量会浪费能源、缩短芯片寿命并降低运行效率，对数据中心平稳运行构成挑战 [1] - 金刚石的导热性能是所有材料中最好的，其导热速度比常用的散热材料铜快几倍 [1] - 金刚石的高导热性源于其碳原子间的强键，能有效传递振动使热量在晶体中传递 [2] 金刚石散热技术发展现状 - Diamond Foundry公司开发出将单晶金刚石薄层附着于芯片硅片背面的技术，能彻底消除芯片热点 [2][3][4] - 该公司通过高温气体沉积碳原子并使其在完美有序的钻石层上结晶，制造出4英寸宽的金刚石圆盘，表面平整度达到原子级别 [2][3] - 隶属于戴比尔斯集团的元素六公司生产用于工业及通信设备芯片冷却的金刚石，并推出金刚石与铜的复合材料，旨在提供性价比更高的热管理方案 [5] - 麻省理工学院专家指出该技术可显著降低热阻，但尚未得到商业验证 [5] 技术挑战与未来前景 - 斯坦福大学研究团队尝试使用更易制造的多晶金刚石层散热，但面临晶体水平散热效率低及沉积温度过高（超过700摄氏度）会损坏硅基芯片的挑战 [6] - 美国国防部高级研究计划局资助相关研究，认为结合低温技术与其他散热方法可释放目前无法实现的计算能力 [6] - 随着人工智能发展，芯片发热问题呈“曲棍球棒”式急剧恶化，其重要性迅速提升 [6] - 业界预期几年内，家用电脑或手机的处理器都可能安装金刚石散热器 [2]

文章核心观点 - 半导体晶圆厂设备（WFE）市场在产能过剩和地缘政治驱动的重复建设背景下，仍保持稳定增长，预计到2030年总规模将达到1840亿美元，其中设备1510亿美元，服务330亿美元，2024-2030年设备和服务复合年增长率分别为4.6%和4.8% [2] - 市场增长由技术主权和供应链韧性需求驱动，而非纯粹的终端市场逻辑，导致设备供应商受益于地缘政治造成的市场扭曲 [4][7] - 市场竞争格局高度集中，"五大巨头"（ASML、应用材料、泛林集团、东京电子、科磊）在2024年合计占据近70%市场份额，ASML凭借EUV光刻领先地位占据约20%份额 [15] - 行业创新由器件架构演进驱动，逻辑器件向GAA和CFET转变，DRAM采用EUV光刻，NAND向多层堆栈发展，设备供应商需提供多功能、模块化解决方案以保持竞争力 [19][25][26] WFE市场现状与预测 - 行业面临严重产能过剩和晶圆厂利用率低下，但设备投资持续，因政府和企业在技术主权和供应链韧性优先于短期盈利能力 [4] - 多地重复建设本地制造生态系统导致晶圆厂冗余，抑制芯片制造商短期回报，但支撑WFE工具需求 [7] - 2030年WFE市场总规模预计1840亿美元，2024-2030年设备出货量复合年增长率4.6%，服务出货量复合年增长率4.8% [2] 竞争格局 - "五大巨头"市场集中度显著，2024年合计占近70%份额，反映行业资本密集、技术专长和长期关系的高进入壁垒 [9][10][15] - ASML在2023-2024年稳居龙头，份额约20%，主导EUV光刻领域；应用材料2022年份额略低于20%，优势在沉积和材料工程；泛林集团和东京电子各占约10%，强项在蚀刻和沉积；科磊份额约7%，为检测和计量标杆 [15] 设备技术细分 - 2024年图案化设备占主导，占市场26.5%，其次为沉积、蚀刻与清洗、量测与检测 [12] - 2024-2030年各技术复合年增长率：蚀刻和清洗最快达5.5%，图案化4.7%，沉积4.0%，计量和检测4.3%，减薄和化学机械抛光4.3%，离子注入最慢2.0%，晶圆键合最快10.4% [16] - 晶圆键合增长迅速，因应先进封装需求；蚀刻和清洗高增长由器件微缩驱动 [16][24] 器件应用驱动 - 2024-2030年资本支出以≤7纳米先进逻辑器件为主导，复合年增长率7%，凸显尖端逻辑在推动WFE需求的核心作用 [15] - 其他增长应用包括DRAM（受益EUV光刻采用）、7纳米以上逻辑工艺、NAND存储器（超晶格层和多层堆栈创新）、专用器件（非硅材料和定制架构） [17] 行业创新趋势 - 逻辑器件从FinFET向GAA、带供电GAA网络、CFET演进；DRAM采用EUV并向4F²密集架构发展；NAND规模扩大，层数增加，可能向多堆栈过渡；专用器件扩展非硅材料应用 [25] - 创新驱动因素包括先进存储器和逻辑封装、工程晶圆和光掩模、先进封装方案发展 [24][25] - 设备供应商竞争焦点为工艺多功能性、技术改进（内部开发或合作并购）、设备形态多样化（如湿法与干法处理、单晶圆与多晶圆平台） [26]

蜂窝物联网市场格局预测 - ABI Research预测2024年至2029年间5G RedCap模块出货量将达到8000万台 [1] - 其中增强型RedCap模块预计占总出货量的71%，即5600万个模块 [1][2] - 这标志着物联网应用将快速转向成本和功率优化的5G连接 [1] 5G RedCap技术定位与演进 - 5G RedCap定义于3GPP Release 17，旨在填补高速eMBB与低功耗LPWA技术之间的空白 [1] - 该技术提供与LTE相当的数据速率，同时简化设备设计并降低功耗 [1] - 下一代eRedCap在Release 18中推出，进一步降低了设备复杂性和成本 [2] 市场影响与迁移路径 - 5G RedCap成为LTE Cat-4和Cat-6的自然继承者，为不需要全频段5G功能的物联网设备OEM提供经济实惠的5G接入途径 [2] - 对于欧洲物联网设备制造商，该技术指明了一条从LTE Cat-1或Cat-4向5G设计迁移的重要路径 [1] - eRedCap将作为LTE Cat-1和Cat-1bis的替代品，广泛应用于物联网设备连接 [2] 产业链竞争态势 - 主要芯片供应商包括高通、联发科、紫光展锐和翱捷科技已进入RedCap芯片组市场 [2] - Sequans等公司已宣布开发eRedCap芯片，表明半导体制造商之间正展开激烈竞争 [2] - 芯片组和模块制造商将寻求尽早赢得客户忠诚度以应对快速扩张的细分市场 [2]