欧盟批准对德国半导体制造的国家援助 - 欧盟委员会批准向德国提供6.23亿欧元（约合51亿人民币）的国家援助，用于支持两个新的半导体制造项目 [1] - 此举是欧洲推进芯片自主权的切实步骤，标志着《欧洲芯片法案》下公共资金的具体流向 [1] - 该援助是欧盟根据《芯片法》框架批准的第十项和第十一项援助，使欧盟迄今获批的半导体制造援助总额达到约132亿欧元 [2] GlobalFoundries “SPRINT”项目 - 获得援助资金中最大的一笔，即4.95亿欧元，用于其在德累斯顿的项目 [1] - 项目计划扩建并改造现有工厂，以新增300毫米晶圆制造产能 [1] - 将对在微电子和通信技术综合计划下开发的技术进行改造，以适应航空航天、国防和关键基础设施等军民两用市场 [1] - 将增加特定的安全性和可靠性功能，并确保整个制造过程都在欧洲完成，这将是欧洲首次大规模生产这些技术 [1] X-FAB “Fab4Micro”项目 - 将获得1.28亿欧元的资金，用于其在埃尔福特的“Fab4Micro”项目 [2] - 项目将建设一座全新的开放式晶圆代工厂，结合其MEMS技术以及先进的封装和集成工艺 [2] - 目标应用领域为汽车、人工智能和医疗电子 [2] - 该工厂将为无晶圆厂企业（包括初创企业和中小企业）提供开放式晶圆代工服务，预计2029年开始商业运营 [2] 项目战略意义与承诺 - 两个项目将促成两座欧洲目前尚无的新工厂的建设，有助于减少对欧盟以外晶圆代工厂的依赖，增强欧洲整个行业的韧性 [2] - 开放式晶圆代工厂被认为对于促进欧洲半导体行业的竞争和创新至关重要 [2] - 两家公司同意接受多项条件，包括继续创新、支持下一代技术、在供应危机时优先满足欧盟订单，以及投资技能培训以扩大本地人才储备 [2] - 两家公司也承诺根据《欧洲芯片法》申请成为欧盟开放晶圆代工厂，以巩固其在欧洲供应链中的战略地位 [2] 政策背景与执行进展 - 援助依据《欧盟运作条约》第107条第3款(c)项批准，被认定为必要、适度且仅限于弥补已证实的资金缺口 [2] - 2024年底启动的全国性招标已将这两个德国项目列入首批选择名单，表明《芯片法》正迅速转化为欧洲各地的具体晶圆厂投资 [3]

台积电2纳米（N2）技术量产与GAA转型 - 台积电2纳米（N2）技术已于2025年第四季开始量产，采用纳米片（Nanosheet）晶体管结构，这是自2011年FinFET以来晶体管架构最重大的变革[1] - 与3纳米N3E制程相比，2纳米在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%，芯片密度增加大于15%[2] - 台积电规划在高雄建置5座2纳米晶圆厂，总投资金额逾1.5万亿新台币，P1厂已于2025年底量产，P2厂预计2026年第二季量产，将创造7,000个高科技职缺[2] - 预计2025年2纳米制程最大月产能将高达14万片，超过市场预估的10万片，直逼3纳米制程今年将放大到的16万片月产能[2] - GAA纳米片架构通过将栅极包裹在水平堆叠的硅带四面，解决了FinFET在5纳米以下因漏极感应势垒降低（DIBL）导致的漏电问题，仿真显示DIBL降低了65-83%[5][6] - 台积电的NanoFlex技术允许在同一芯片上采用可变宽度的纳米片，实现低功耗核心与高性能核心的集成，提供了架构设计自由[8] - GAA转型引入了4-5个全新工艺模块，使制造流程延长约20%，每片晶圆的生产设备密集度将增加30%至50%[1][11] - 应用材料公司量化指出，每10万片晶圆/月产能的设备收入，因GAA和背面供电技术，从约60亿美元增长到70亿美元[14] - 2纳米（GAA）晶圆成本预计为25,000-30,000美元，较5纳米（约17,000美元）增长约50%；晶圆厂建设成本（以5万片/月产能计）预计为280亿美元，较5纳米（约150亿美元）增长约40%[15] 先进封装（CoWoS）成为AI芯片发展瓶颈 - 先进封装能力，而非晶体管密度，已成为制约人工智能芯片领先地位的关键瓶颈[2][15] - 英伟达占据了台积电CoWoS-L芯片产能的70%以上，博通旗下的超大规模数据中心客户（如谷歌、苹果、Meta等）争夺剩余产能[3] - 单次极紫外光刻曝光的光罩面积限制约为858平方毫米，英伟达GB100芯片面积已达814平方毫米，接近极限，要构建更大系统必须依赖多芯片封装技术[17] - CoWoS-L等先进封装面临热膨胀系数不匹配的挑战，材料差异在高压下可能导致翘曲、开裂，这是英伟达Blackwell处理器推迟发布的原因之一[17] - HBM3e内存堆叠集成复杂度高，微凸点间距为20-30微米，预计2026年推出的HBM4将间距缩小至10微米，良率要求极其苛刻[18] - 台积电CEO魏哲家证实CoWoS供应紧张情况可能持续到2025年，希望2026年能缓解[21] - 尽管2024年和2025年产能翻番，需求仍超过供应，先进封装平均售价每年增长10-20%，而逻辑晶圆平均售价仅增长5%[21] - 台积电封装业务约占其营收的7-9%，毛利率接近公司平均水平（约53%）[21] - 国内法人已上修台积电2026年底CoWoS产能预估14%，达到125千片/月，预计2027年底将进一步提升至170千片/月[23] - 台积电先进封装技术多元化发展，包括CoWoS、SoIC（已获AMD MI300应用）、WMCM（预计用于苹果A20芯片）以及正在开发的CoPoS技术[23][24] 主要客户产能分配与竞争格局 - 摩根士丹利分析揭示了台积电2025年CoWoS产能分配：英伟达占60-63%，博通占约13%，AMD占约10%，Marvell占约8%，其他（英特尔、联发科等）占约6%[21] - 博通在定制AI加速器市场占据约70%份额，2024财年AI收入达122亿美元，同比增长220%[32] - 博通为超大规模数据中心提供定制AI加速器，客户包括谷歌（TPU v7）、苹果、Meta（MTIA v2）、字节跳动、OpenAI和Anthropic[33] - AI芯片市场竞争加剧，进入英伟达、AMD、博通与英特尔“四强争霸”时代，竞争焦点从算力转向效率、成本与架构[35] - 英伟达下一代Rubin平台预计2026年下半年推出，采用N3P制程与CoWoS-L封装，并整合Vera CPU[30][35] - AMD专注于“开放标准”，推出Helios机架级AI架构，可在单一机架整合72颗MI450系列GPU，已获甲骨文承诺采用，OpenAI被视为重要早期客户[36] - 英特尔计划推出名为“Crescent Island”的数据中心AI GPU，强调能源效率与推理效能，主打“每美元效能”[37] 技术发展路线图与行业影响 - 台积电技术路线图显示：N2于2025年下半年量产；N2P作为2纳米家族延伸，计划2026年下半年量产；A16（1.6纳米）采用背面供电，预计2026年下半年量产，英伟达将是其首家客户；N2X预计2027年推出；A14预计2028年推出，将首次采用High-NA EUV光刻[29][30][41] - 纳米片之后的晶体管路线图明确：叉状片（Forksheet）预计2028年左右推出，CFET（互补场效应晶体管）预计2032年左右推出[8] - GAA转型驱动半导体设备需求增长，KLA报告称与FinFET相比，GAA驱动高端薄膜计量层增加30%，关键检测层增加50%[12] - 在Lam Research在5纳米以下选择性蚀刻领域占据约80%市场份额，其Selis和Prevos平台在纳米片释放蚀刻步骤中几乎不可替代[11] - 由于台积电CoWoS产能紧张且云端服务供应商考虑分散风险，委外封测代工（OSAT）业者成为第二波成长动能，其CoWoS扩产将在2026年进入加速期[43] - 日月光投控的先进封装产能预计从2025年底的5千片/月，快速成长至2026年底的20千片/月[43] - OSAT业者为优化成本并应对芯片尺寸增长，正积极发展面板级封装方案，以追求生产效益最大化[43]

AI基础设施市场供应现状 - 英伟达AI加速器H200供不应求，凸显全球AI基础设施市场严重供应短缺 [1] - 预计今年GPU订单量高达200万块，但目前可用GPU仅约70万块，存在巨大供需缺口 [1] - 若GPU无法按时供应，数据中心建设进度可能受影响，促使大型科技公司寻求ASIC作为替代方案 [1] GPU供应瓶颈与风险 - 尽管GPU用途广泛、性能卓越且部署迅速，但其供应链风险预计在今年达到顶峰 [1] - GPU的生产工艺、封装和高带宽内存（HBM）相互关联，任一环节瓶颈都可能导致整体供应中断 [1] - 市场对英伟达AI半导体需求激增，但英伟达与台积电的产能甚至无法满足50%的需求 [1] - 台积电正在扩建CoWoS等先进封装生产线，但产能扩张需要时间，导致订单量与出货量之间存在差距 [2] ASIC市场增长趋势与驱动力 - 市场研究机构TrendForce预计，今年AI服务器市场中，云服务公司对自研ASIC的需求增速将超过GPU [1] - 云公司ASIC的增长率预计为44.6%，显著高于GPU的16.1% [1] - GPU供应受限正加速ASIC普及，成为结构性信号 [1] - 业界普遍认为今年将是ASIC市场增长的关键转折点 [3] - 大型科技公司视角下，GPU不再是稳定的“基本商品”，而成为易受外部因素影响的战略资产，因此降低GPU依赖度、提高ASIC占比成为切实可行的替代方案 [3] ASIC的技术优势与市场前景 - ASIC芯片为特定AI工作负载设计，初始开发成本较高，但在能效、性能和总体拥有成本（TCO）方面具有长期优势 [2] - 谷歌已通过TPU处理相当一部分AI训练和推理任务，亚马逊也在利用Trainium和Inferentia等专用芯片重塑云成本结构 [2] - Mordor Intelligence预测，AI加速器市场的ASIC机构用户到2030年将保持约28%的复合年增长率（CAGR） [2] - Credence Research预测，生成式AI ASIC市场规模将从2024年的约249亿美元增长到2032年的约1867亿美元，年均增长率约28.6% [2]

全球半导体市场展望 - 2026年全球半导体市场预计将接近1万亿美元，同比增长超过25%，达到约9750亿美元 [1][3] - 存储器领域将成为关键驱动力，预计2026年增长率将达到30%，市场规模将超过4400亿美元 [3] - 市场转型由人工智能基础设施扩张驱动，导致AI基础设施中内存和存储占比结构性增加 [3] 存储器行业“超级周期” - 行业将2024年以来的强劲增长形容为“超级周期”，美国银行将2026年比作上世纪90年代的繁荣时期 [5] - 预计2026年全球DRAM收入将同比增长51%，NAND收入同比增长45% [5] - DRAM和NAND的平均售价预计将分别上涨33%和26% [5] - 以HBM为核心的AI专用内存需求预计从2025年至2028年快速增长，2028年HBM市场规模可能超过2024年整个DRAM市场 [5] HBM市场增长与结构 - 2026年HBM市场规模预计达到546亿美元，较上年增长58% [7] - 用于定制ASIC芯片的AI芯片的HBM需求预计飙升82%，占据市场份额的三分之一 [7] - HBM3E预计仍是2026年HBM市场的旗舰产品，将占HBM总出货量的约三分之二 [9] - HBM4的份额将逐步增长 [9] - 2026年被视为HBM3E成为市场黄金标准的元年，而HBM4和通用内存勾勒出中长期增长轨迹 [19] SK海力士的市场地位与优势 - SK海力士被美国银行评为全球存储器行业“首选股”，并预测其将成为此次超级周期的主要受益者之一 [5] - 截至2025年第二季度，SK海力士HBM出货量占比高达62%，营收占比达到57%，稳居市场第一 [11] - 高盛评估认为，SK海力士至少在2026年之前将保持其在HBM3和HBM3E领域的领先地位，HBM总市场份额将超过50% [11] - 瑞银强调SK海力士是谷歌最新款张量处理单元（TPU）v7p和v7e的首家HBM3E供应商 [12] - SK海力士是唯一一家能够可靠地交付HBM3E和下一代HBM4的供应商 [1] - 该公司已获得全球首个HBM4量产系统，并通过加强封装合作、建设新晶圆厂、建立专门部门等措施完成应对AI内存需求的准备 [14] - 瑞银预测，SK海力士将在2026年NVIDIA下一代Rubin平台的HBM4市场占据约70%的市场份额 [14] - 行业专家强调，SK海力士将占据AI内存超级周期的中心位置 [19] 需求驱动因素与技术趋势 - AI训练和推理服务器投资增加，推动每台服务器的DRAM和HBM内存容量稳步增长 [3] - 对企业级固态硬盘（eSSD）等存储设备的需求也在上升 [3] - 包括谷歌和AWS在内的全球大型科技公司正在扩大其基于ASIC的专有AI芯片开发，并选择HBM3E作为最佳解决方案 [9] - 对HBM的集中投资正在形成良性循环，提升通用内存市场的盈利能力，随着资源向HBM转移，通用DRAM的供需平衡正在改善 [19] - 到2026年，服务器DDR5模块的需求预计将与HBM一起构成DRAM市场的两大支柱，NAND闪存的主要增长点在于面向AI数据中心的eSSD [19]

交易公告与核心观点 - 2025年12月30日，紫光国微发布重大资产重组公告，拟通过发行股份及支付现金方式收购瑞能半导体控股权或全部股权，并同步募集配套资金 [1] - 若交易完成，公司将通过整合瑞能半导体，构建“设计+制造”的完整产业链，抓住汽车电子、工业控制等领域的国产化机遇，改变中国功率半导体市场竞争格局 [4] - 此次交易折射出新紫光集团加速半导体全产业链整合的战略动向 [4] 瑞能半导体核心优势 - 瑞能半导体前身为恩智浦半导体标准产品事业部，继承了欧洲老牌半导体产业的成熟工艺平台、质量管控体系及全球客户网络，技术积淀深厚 [6] - 市场地位领先：2019年其可控硅在中国市场市占率达36.2%（国内第一），全球市场份额约为21.8%（全球第二）；最新数据已实现全球可控硅市场份额第一 [6] - 产品覆盖高增长领域：其深耕的可控硅、功率二极管、IGBT及SiC器件，覆盖了新能源汽车单车功率器件需求量较传统燃油车提升5-10倍的高增长领域 [6] - 拥有垂直一体化制造体系：位于北京顺义的6英寸车规级功率半导体晶圆生产基地即将投产，满产后年产能可达24万片，将覆盖主流车企国产化芯片需求 [6] - 通过增资中电化合物布局SiC外延材料，形成从上游材料到中游制造的协同闭环 [6] 产业链协同效应分析 - 产业链环节补强：紫光国微设计见长，瑞能拥有Fab厂及成熟制造工艺，双方协同可实现“设计定需求、制造保供给”的业务合作模式 [10] - 瑞能的6英寸车规晶圆产能有望为紫光国微未来汽车电子芯片业务提供专属产能，并通过工艺协同优化芯片性能，降低中间环节成本 [10] - 业务战略协同：紫光国微将汽车电子作为第二增长曲线，瑞能已完成车规级产品技术积累与市场验证，其1200V SiC二极管、车规IGBT模块等产品可直接嵌入紫光国微的车载系统解决方案 [10] - 此次并购将帮助紫光国微快速切入功率半导体高增长赛道，形成“安全芯片+功率器件+控制算法”的车规级产品矩阵 [10] - 技术融合创新：瑞能承袭的恩智浦双极工艺与紫光国微的数字电路设计能力，可加速车规级混合信号芯片研发；双方在SiC领域的布局协同，有望推出性能更优的车规级SiC功率模块 [11] 战略意义与产业影响 - 此次收购是国内半导体企业从“单点突破”向“产业链协同”转型的必然趋势，也是“新紫光体系”进行优质资产平台化整合的标志性举措 [13] - 交易可理解为控股股东智路建广将旗下优质功率半导体制造资产注入上市公司，实现内部资产优化配置，并降低交易溢价与整合风险 [13] - 汽车电子业务在新紫光集团层面地位举足轻重，近期在天津落地的“黑灯工厂”及与一汽集团的合作均证明了这一点 [14] - 此次收购将快速补齐紫光国微在功率半导体领域的短板，将其打造成为综合性半导体产业平台，极大拓展其在国产替代进程中的产业想象空间 [14] - 此次收购或将成为智路建广“先投资培育、后注入上市”模式的优秀范本，其旗下还拥有安谱隆半导体、日月光大陆封测厂、UTAC、AAMI等优质资产 [14] - 后续若进一步将这些资产纳入上市公司，将有效实现产业链整合后的协同效应和资产价值释放，有望为上市公司带来“戴维斯双击”，打开长期增长空间 [15]

公司里程碑与技术验证 - 太空初创公司Space Forge成功启动了一座微波炉大小的轨道工厂，其熔炉能够达到接近1000摄氏度的高温 [1] - 该原型机于今年夏季搭乘SpaceX火箭发射升空，旨在测试太空环境对材料性能的提升 [1] - 在轨测试图像显示炉内产生了明亮的等离子体，温度约1000°C，验证了在微重力下实现稳定等离子体生成的能力 [3] 太空制造半导体的优势与潜力 - 在微重力环境下，半导体原子可以形成近乎完美的晶体结构，而太空的真空环境几乎完全消除了空气中颗粒物的污染 [1] - 这种组合有望生产出结构均匀性更高、电子效率更强的材料 [1] - 公司首席执行官表示，太空制造出的半导体纯度可比地球制造高出4000倍 [1] - 这种高纯度材料对5G基站、电动汽车充电系统和下一代飞机等现代基础设施具有实际意义 [1] 公司发展路线与未来计划 - 此次任务被视为一次在轨技术演示，验证了实现太空制造的“核心要素” [3] - 测试初步证明了半导体生产所需的热环境和等离子体环境可以在轨道上建立和控制 [3] - 公司正在开发一座更大的轨道代工厂，旨在生产足够制造多达1万个芯片的半导体材料 [3] - 团队正准备测试一种名为“普里德温”（Pridwen）的隔热罩，以解决将材料安全送回地球的挑战 [3] 行业趋势与背景 - 太空研究领域正发生更广泛的转变，从理论阶段迈向早期实践阶段 [4] - 世界各地的组织和私营公司都在探索利用轨道制造药品、生物组织和其他先进材料 [4]

文章核心观点 - 半导体行业正面临功耗和散热限制带来的根本性挑战，传统的工艺尺寸缩放优势减弱，微架构创新与工艺技术必须进行协同设计，以实现系统级效率并满足人工智能等爆炸式增长的计算需求 [1][3][34] 热密度挑战与架构应对 - 更高的集成度导致热密度急剧上升，单位面积功率增加，芯片从安全温度升至临界温度的速度极快，散热挑战已从高性能系统蔓延至主流和移动设备 [5][7][9] - 传统散热方案如散热片和风扇已不再适用，液冷等方案存在成本与尺寸局限，微架构和芯片布局成为散热管理的首要工具 [10] - 微架构师采用多种热管理策略：热感知布局规划以扩散热量、通过复制关键发热逻辑并轮换活动以实现局部冷却、嵌入温度传感器以动态调整工作负载和电压/频率设置、利用面积空间分散功率以降低峰值温度 [11] 高效节能性能 - 在CPU设计中，性能随电压增加而提高，但功耗呈指数级增长，凸显了降低漏电和减少电容的工艺技术的必要性 [13] - 工艺技术进步可在恒定功耗下实现更高性能，或在恒定性能下降低功耗，但激进的尺寸缩小可能加剧热密度，需要架构应对 [16] - 微架构特性如增大结构尺寸可提高性能但增加电容，而简化微架构可减小面积、降低目标频率，从而降低电容和漏电，结合高性能与低功耗内核是优化系统功耗的有效方法 [18][20] 系统级扩展限制 - 阿姆达尔定律限制了多处理器性能的可扩展性，并行程序的性能渐近地接近由程序串行部分决定的极限 [23] - 硬件和软件共享资源导致多处理器可扩展性受限，对于整数工作负载，可扩展性很少超过0.97，对于浮点工作负载很少超过0.90 [25][26] - 典型工作负载条件下，最常见的情况是只有一个核心处于活动状态，其次才是所有核心都活动，活动核心数动态变化影响功耗和带宽共享，进而影响核心数量、类型和微架构优化的设计 [27][28] 工艺与架构协同设计方向 - 关键工艺研究方向需与架构需求契合：低漏电、低电容材料以支持频率扩展、热感知3D集成以管理堆叠芯片中的垂直热流、精细化电源门控以实现每个模块的功耗控制 [31] - 工艺和架构团队需紧密协作，架构热图必须指导器件布局和封装，工艺限制必须指导架构布局规划和性能目标，通过协同优化实现更明智的权衡 [32] - 下一代计算需要更智能的系统，通过将能效和散热约束视为共同责任，以延伸摩尔定律至可持续的高性能未来 [34]

台湾当局2026年IC设计业补助计划 - 台湾当局公告2026年“驱动岛内IC设计业者先进发展补助计划”，旨在通过芯片创新带动产业发展，稳固台湾半导体在全球的关键地位[1] - 该计划是“芯片驱动台湾产业创新方案”（晶创台湾）下的业界科专补助计划，目标是将台湾打造成全球民主科技阵营中不可或缺的信赖伙伴[1] 补助计划申请细节 - 补助对象以岛内IC设计业者与系统业者为主，可由单一企业或多家企业联合申请，联合申请须由IC设计业者主导[1] - 申请企业须为岛内依法登记成立的台湾公司，非银行拒绝往来户，且不得为陆资投资企业，业者须自筹50%经费，申请截止日期为今年3月31日[1] 补助经费与类别 - 今年总经费为17.5亿元新台币，计划期程不超过三年[2] - 第一类“优势芯片”开发采用单一申请，每案补助上限2亿元，优先支持无人机、机器人与卫星通讯等领域的创新优势芯片开发[2] - 第二类“核心芯片与系统开发”采用联合申请，每案补助上限3亿元，优先支持机器人与卫星通讯等领域的系统核心芯片与模组/系统开发[2] 重点支持领域与芯片规格 - 计划今年优先支持IC设计业者投入开发无人机、机器人、卫星通讯三大领域的优势芯片及核心芯片模组[1] - 明确列出补助的芯片类型及规格，包括无人机领域的通讯芯片、机器人领域的复合感知芯片与控制芯片、卫星通讯领域的Ku band射频芯片等[2] 计划目标与产业影响 - 鼓励IC设计业者深化创新与自主芯片设计能力，并结合岛内系统业者加速落地应用，以开拓多元、高值终端市场[1] - 针对产业技术缺口与市场需求，旨在让台湾成为全球芯片供应的关键核心角色[1]

行业背景与市场机遇 - 人工智能训练和推理工作负载的增长推动了对数据中心人工智能半导体的需求，预计到2029年，人工智能处理半导体收入将达到4385亿美元，五年复合年增长率为25.9% [1] - 国际竞争态势为本土GPU厂商带来了巨大的市场机遇，天数智芯作为国内厂商正加入国产GPU发展新浪潮 [1] 公司概况与市场地位 - 天数智芯是国内首家通用GPU芯片企业，成立于2015年，拥有行业先发优势 [3] - 公司已成功跻身中国通用GPU市场五大核心参与者之列，市场份额位居国内前三，其中训练型产品市场份额第三，推理型产品市场份额第二 [6] - 公司收入呈现显著增长，2022年至2024年收入分别为1.894亿元、2.890亿元和5.395亿元，复合年增长率高达68.8% [6] - 截至2025年6月30日止六个月，营收达3.243亿元，较2024年同期的1.974亿元增长64.2% [6] 产品与技术布局 - 产品线分为天垓系列（训练专用）和智铠系列（推理专用），实现了AI计算从模型开发到生产部署的全链路覆盖 [4] - 天垓系列是国内首款实现量产的通用GPU产品，智铠系列是国内首款推理专用通用GPU产品 [4] - 产品历经三代迭代：2021年推出天垓Gen1，2022年推出智铠Gen1及Gen1X，2023年推出天垓Gen2，2024年发布天垓Gen3 [4] - 公司坚持软硬件协同设计与优化，构建了从芯片、板卡到驱动、开发框架的一体化全栈技术能力 [8] - 硬件产品兼容PCIe Gen5、OAM等国际标准接口，支持x86、ARM及RISC-V架构 [8] - 软件栈针对主流AI框架与推理引擎优化，驱动程序支持多种主流操作系统，实现了与国内主流软件的低成本迁移适配 [9] 客户与业务成果 - 截至2025年6月30日，已向超290家客户交付逾5.2万片通用GPU产品 [5] - 在金融服务、医疗保健、交通运输等关键任务领域完成超900次部署应用，覆盖20多个行业 [5] - 交付模式包括产品销售（提供加速卡或独立芯片）和解决方案部署（提供定制化方案） [10] - “产品+方案”的双轨模式能高效满足市场差异化需求并提升客户满意度 [11] 研发实力与投入 - 截至2025年6月30日，公司拥有超480人的专业研发团队，超三分之一研发人员拥有10年以上芯片设计及GPU软件开发经验 [11] - 研发投入持续高强度：2022年、2023年、2024年研发开支分别为4.566亿元、6.159亿元、7.728亿元，占各年度总营收的241.1%、213.1%、143.2% [12] - 截至2024年及2025年6月30日止六个月，研发开支分别为3.337亿元和4.515亿元，占同期总营收的169.0%及139.2% [12] 资本市场进展与未来规划 - 公司于近期启动港股招股，每股招股价144.6港元，计划募资37亿港元 [13] - 募资将用于通用GPU芯片及加速卡的研发、商业化，以及软件栈和AI算力解决方案的持续投入 [13] - 获得了包括中兴通讯(香港)、UBS AM Singapore、第四范式等在内的众多基石投资者认可 [13] - 未来规划包括：推进下一代天垓、智铠产品研发；扩大市场开拓，深化客户合作；加强产业链生态协同；并凭借技术底蕴积极参与全球市场竞争 [14]

台积电在AI芯片供应链中的关键地位 - 台积电控制着先进的CoWoS封装产能，决定了哪些AI芯片制造商可以扩大生产规模，掌握着人工智能爆炸性成长的关键 [1] - 随着先进封装技术成为新的产业瓶颈，台积电的CoWoS产能将决定谁能扩展运算规模，这种“造王者”的能力可以决定AI市场的赢家和输家 [1] - 供应链瓶颈（尤其是在先进制造业领域）、电力供应和零件短缺限制了AI新技术的规模化发展速度，而台积电是决定其发展速度和规模的关键因素之一 [1] CoWoS封装产能的分配与影响 - 由于无法取得台积电的CoWoS封装技术，Google已将其2026年TPU产量目标从400万个减少到300万个 [3] - 英伟达已获得台积电CoWoS一半以上的产能，效期至2027年，这使得Google等竞争对手的产能受到限制 [3] - CoWoS将处理器与高频宽记忆体整合在矽中介层上，对于高效能AI加速器至关重要，产能不足会导致成品芯片无法大规模部署 [3] - 供应分配对人工智能硬体格局的影响，其影响甚至超过了设计或需求本身，芯片制造商和设计商正在激烈争夺台积电的生产排位 [3] 台积电的产能扩张与行业竞争动态 - 台积电正加速产能扩张，计画在2028年前将先进晶圆产能翻倍，同时将部分200毫米晶圆厂改造用于先进封装 [4] - 如果这些产能得到充分利用，到2028年营收翻倍也并非不可能 [4] - CoWoS的短缺可能会加剧竞争，促使其他厂商填补空缺，例如英特尔的目标是在晶圆代工服务领域与台积电竞争 [4] - Google探索了其他方案，例如采用英特尔的EMIB封装技术来制造预计在2027年左右推出的v9加速器 [4] - 据称，博通已向英特尔下单，而苹果可能会从2027年开始在其入门级M系列芯片中使用英特尔的18A制程 [4] - 三星正向Google、超微和亚马逊等超大规模资料中心营运商提供包含DRAM和代工服务的先进封装解决方案 [4] - 尽管台积电仍占据主导地位，但其产能问题为竞争对手提供了发展机会，例如验证了英特尔扭亏为盈的策略 [5]