全球功率半导体行业格局变化 - AI芯片和HBM等新兴技术热点覆盖了功率半导体行业的光环 使该领域显得冷清 [2] - 日本厂商扩产进程屡屡陷入拖延困境 从项目启动到产能落地的节奏远不及预期 [2] - 国内功率半导体产业抓住机遇加速突围 在技术攻坚 产能建设与市场份额争夺中持续发力 [2] 日本厂商市场地位变化 - 高峰时三菱电机 富士电机 东芝 瑞萨 罗姆等日本厂商在全球功率半导体市场占有率排名前十中占据五个席位 [3] - 据Omdia 2021年数据显示 五家企业合计占有全球20%以上的功率芯片市场份额 [3] - 从2024年全球功率半导体市场TOP10榜单来看 日本厂商仅剩三席 且全球市占率均不足5% [6][7] 日本主要厂商动态与财务表现 罗姆 - 截至2025年3月的财年 罗姆公司录得500亿日元净亏损 这是其12年来首次全年亏损 [9] - 2025财年第一季度营收为1162.05亿日元 同比下降1.8% 营业利润大幅下降84.6%至1.95亿日元 [9] - 原计划在2025财年起的三年内对碳化硅半导体投资2800亿日元 如今考虑将投资额缩减至1500亿日元 [9] - 预测2025财年资本支出较上一财年下降36%至850亿日元 预计折旧费用下降26%至616亿日元 [9] - 新工厂已开始SiC基板试生产 计划于2026年春季开始SiC功率半导体量产 但目前投资势头已放缓 [10] - 第六代产品将比原计划提前一年上市 从2028年提前至2027年 第七代产品提前至2028年上市 [10] 东芝 - 2023年将功率半导体业务定位为增长领域 计划在截至2026财年的三年内共计投资约1000亿日元 [13] - 兵库县姬路半导体工厂新厂房竣工 将承担IGBT等功率半导体后道封装业务 [13] - 石川县加贺工厂建成用于制造12英寸IGBT晶圆 投入运营后汽车功率半导体产能比2022财年增加一倍以上 [13] - 与罗姆的深度合作陷入僵局 2024年初宣布的深化合作讨论已停滞 [12] - 与天岳先进签署谅解备忘录 将探讨合作提升碳化硅功率半导体晶圆的特性和质量 [14] 瑞萨电子 - 2025年上半年净亏损1753亿日元 创下同期历史最高亏损记录 [15] - 宣布放弃进入碳化硅市场的计划 [15] - 受到美国公司Wolfspeed破产的沉重打击 曾支付20亿美元定金锁定未来十年SiC晶圆供应 [17] - 截至2024年12月的三个月内 公司制造设施产能利用率仅约30% 相较于上一季度的约40%进一步下滑 [17] - 计划在日本和海外的21000个岗位中裁减不到5%（约1050人）的员工 [17] 三菱电机 - 2023年3月宣布计划在5年内投资约1000亿日元用于建设新的8英寸SiC工厂并加强相关生产设施 [19] - 原定今秋投产的功率半导体新工厂的扩建计划已被推迟 [19] - 原本规划在2026至2030财年的五年间豪掷3000亿日元用于发展 如今却陷入了投资额缩减的考量之中 [19] 富士电机 - 2024财年净利达到1188亿日元 同比增长10.1% 但2025会计年度净利预计下降12.2%至810亿日元 [21] - 半导体设备营收下降5.8% 营益锐减42%仅剩215亿日元 [22] - 欧美外资品牌在中国市场掀起了降价潮 降价幅度超过30% [22] - 比亚迪半导体 中车时代等国产IGBT厂商在新能源汽车市场的份额从2019年的20%跃升至2023年的60%以上 [22] 中国功率半导体产业崛起 - 天科合达以17.3%的市场份额位居全球碳化硅衬底市场第二 天岳先进以17.1%的份额位列全球第三 [28] - 天岳先进实现8英寸衬底量产 还率先推出12英寸衬底 推动单片晶圆芯片产出量提升40%以上 [28] - 英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基GaN晶圆量产的企业 自2023年以33.7%的收入份额稳居全球GaN功率器件市场第一 [29] - 英诺赛科市值突破740亿港元大关 上市短短不到一年时间便跃升为功率器件企业市值TOP1 [29] - 中国企业凭借成本优势 规模效应以及对市场的快速响应能力 从多方面对日本产业和企业造成冲击 [31] 日本产业困境原因分析 - 企业内部对专有技术过度保护 难以建立起深度信任 阻碍了企业间的合作进程 [25] - 日本功率半导体领域缺乏一个能够主导整合的龙头企业 [25] - 各企业战略重心不同 难以达成一致 [25] - 日本企业高估了本土电动汽车市场的发展潜力以及自身在全球的竞争力 [27] - 全球电动汽车市场的发展态势并未如日本企业预期的那样乐观 欧洲等地电动汽车市场增速低于预期 [30] 行业趋势与挑战 - 功率半导体产业将迎来更加广阔的发展 随着新能源汽车 光伏 风电等产业的快速发展以及宽禁带半导体材料等新技术的应用推广 [2] - 碳化硅虽未退潮 但泡沫与现实的边界正逐渐显现 SiC不再是所有厂商的必选项 [15] - 技术投入不再是唯一护城河 资本结构 产能兑现节奏 客户结构与供应链安全正在成为决定生死的新变量 [16] - 日本政府发布增长战略草案 旨在到2030年前将日本企业在全球功率半导体的市占由目前20%左右提高至40% [6]

人工智能基础设施投资 - 大型科技公司2025年人工智能基础设施投资预计达5000亿美元 较2024年3750亿美元增长33% [2] 博通业务表现 - 人工智能收入上季度同比增长46%至44亿美元 预计本季度达51亿美元且增速加速至60% [3] - 人工智能相关收入约占销售额30% 未来几年将继续攀升 [3] - 收购VMware后超过87%客户过渡到新订阅服务 年度经常性收入实现两位数增长 [3] - 股价自2023年初上涨逾五倍 市值达1.4万亿美元 [2] 博通估值水平 - 预期市盈率达45倍 营收同比增长率仅20%左右 [5] - 未来利润率预计逐步提升 盈利增长不足以支撑高市盈率 [5] 台积电市场地位 - 半导体制造市场份额超三分之二 为英伟达和博通等公司制造尖端芯片 [6] - 技术领先优势形成良性循环 获得大订单后投入产能扩张和研发 [6] 台积电技术进展 - 尖端工艺节点N2较前代N3每片硅片价格高66% 需求强劲 [6] - 新工艺节点初期良率较低但定价策略有助于维持利润率 [6] 台积电增长前景 - 2024至2029年人工智能相关收入年均增长率预计40% 推动整体收入增长20% [7] - 营业利润增长预计超20% 预期市盈率约24倍 [7] - 若保持20%盈利增长和当前市盈率 2028年市值有望达2万亿美元 [7] 台积电财务数据 - 市值1.2万亿美元 毛利率57.27% 股息收益率1.17% [9] - 当日交易区间230.58-235.85美元 年交易区间134.25-248.28美元 [9]

美国撤销在华半导体公司VEU授权事件 - 美国商务部撤销英特尔半导体（大连）有限公司、三星中国半导体有限公司和SK海力士半导体（中国）有限公司的"验证最终用户"（VEU）授权 [1] - 中国商务部表示坚决反对美方将出口管制作为工具的做法 认为此举将对全球半导体产业链和供应链稳定造成严重负面影响 [1] - 中方呼吁美方立即纠正错误做法 并称将采取必要措施维护中国企业合法权益 [1] 半导体行业全球化特征 - 半导体被描述为高度全球化的产业 经过数十年发展已形成由市场力量和商业决策共同塑造的紧密互联生态系统 [1] - 行业具有高度全球化和紧密互联的特征 [1] 美国对华芯片设备出口政策背景 - 拜登政府2023年曾允许韩国芯片制造商采购在华维持和扩展业务所需设备 [1] - 华盛顿已无限期豁免禁止向中国出口先进芯片制造设备的更广泛限制 [1]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ：内容来自 Androidheadlines 。 芯片制造业一度竞争激烈，如同两强争霸。台积电一直遥遥领先，三星则在苦苦追赶。尽管这家韩国 巨头过去取得了长足进步，但下一个重大考验即将到来。三星的2纳米芯片技术（SF2P）可能成为该 公司在高风险代工领域未来成败的关键。 三星第二代 2nm 工艺（SF2P）是其代工部门的关键 https://www.androidheadlines.com/2025/08/samsung-foundry-future-2nm-chip-sf2p-tech-tesla.html *免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该 观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。 END 今天是《半导体行业观察》为您分享的第 4142 期内容，欢迎关注。 这一新挑战的核心在于三星的第二代2纳米芯片制造工艺，即SF2P。该公司已计划于今年晚些时候开 始量产其第一代2纳米工艺节点。即将推出的Exynos 2600 SoC有望成为首款基于该新架构的芯片。 ...

员工薪酬与福利 - 2024年员工薪资福利总额达357万元新台币，较2020年247万元新台币增长44.5% [2] - 84%员工认为薪酬合理，显著高于全球高绩效企业（66%）和高科技公司（61%） [2][3] - 全球员工购股计划覆盖全体正职员工，提供15%购股补助，超过85%员工参与 [2] - 2024年台湾厂区现金奖金及酬劳总额达1,405.93亿元新台币 [3] - 全球员工总体薪酬中位数约为246万元新台币，总裁与员工薪酬比为1:384 [3] 人力资源规模 - 全球员工总数达84,512人，全年新增员工超过10,000人 [2] - 研发团队规模年均复合成长率达7.7% [4] - 带动台湾地区约35.8万人就业机会 [5] 财务表现 - 2024年合并营收897亿美元，税后净利润364亿美元 [4] - 资本支出达296亿美元 [4] - 研发投入63.61亿美元，占营收比重7.1%，较十年前增长3.1倍 [4] - 2020至2024年员工整体薪资福利费用总额从1,408亿元新台币增至3,018亿元新台币 [2] 技术竞争力 - 69%营收来自7纳米及以下先进制程，较上年提升11个百分点 [4][5] - 全球专利获准件数突破70,833项 [5] - 全年交付1,290万片十二吋晶圆当量，服务客户522家 [5] 产业影响力 - 带动台湾地区产值逾760亿美元 [5] - 通过资本螺旋（超高资本支出）、研发螺旋（持续加码研发）和人才螺旋（高薪资福利）形成三重螺旋竞争力模型 [5]

先进封装驱动后端设备市场增长 - 后端设备总收入预计从2025年69亿美元增长至2030年92亿美元，复合年增长率5.8% [2] - 增长主要由HBM堆栈、小芯片模块和高I/O衬底技术推动，重塑代工厂、IDM和OSAT的供应链及工厂建设 [2] - 高精度放置、对准、键合和保护系统成为市场核心驱动力 [2] 技术细分领域增长动力 - AI和高性能计算需求推动模块级带宽、近邻性和电源效率提升，要求封装不影响良率或节拍时间 [3] - 高精度键合机、热压集群和混合键合机成为关键设备，配套材料包括先进塑封料和底部填充化学品 [3] - 供应商涵盖互连（BESI、ASMPT、Kulicke & Soffa等）、晶圆准备（DISCO、ACCRETECH）、塑封（TOWA）和计量（KLA、Nova）领域 [3] 热压键合（TCB）技术现状 - TCB通过微凸块互连提供可靠堆叠，2025年收入预计5.42亿美元，2030年增至9.36亿美元，复合年增长率11.6% [6] - 订单量受HBM3E产能爬坡和堆栈厚度增加驱动，SK海力士和美光在2025年上半年大额采购 [6] - Hanmi处于领先地位，ASMPT强于逻辑应用，Hanwha Semitech凭借早期系统进入市场，其他参与者包括Kulicke & Soffa、Shinkawa等 [6] TCB技术挑战 - 无助焊剂工艺和更细间距要求更洁净铜表面、精准计量和精确温度控制 [9] - 设备供应商需整合无氧化物处理、实时反馈和混合键合升级能力，否则将面临堆叠高度增加带来的瓶颈 [9] 混合键合技术发展 - 混合键合消除凸点并将间距推至5微米以下，是未来小芯片和HBM的战略性技术 [11] - 设备营收预计从2025年1.52亿美元增至2030年3.97亿美元，复合年增长率21.1% [11] - 晶圆对晶圆（W2W）用于3D NAND，晶粒对晶圆（D2W）成为加速器封装焦点，AMD MI300展示逻辑-内存堆叠潜力 [11] 混合键合竞争格局 - BESI处于领先地位，ASMPT、SET和Shibaura市场份额随试产转量产增加 [12] - K&S、Hanwha Semitech和Capcon计划2025年发布新平台，EV Group、SUSS MicroTec和TEL活跃于W2W领域 [12] 生态系统合作与整合 - Applied Materials收购BESI 9%股份，加速开发集成晶粒对晶圆生产线，结合放置、清洗和计量技术 [15] - 前端与后端专业知识融合，以实现亚微米级套准和低损伤表面准备目标 [15] 倒装芯片键合市场 - 2025年倒装芯片键合机市场规模4.92亿美元，2030年预计达6.22亿美元 [17] - 高端FCBGA需求来自AI加速器和大型网络ASIC，ABF基板建设推动技术发展 [17] - 工艺向无助焊剂流程推进，减少残留物并提高可靠性，仍是先进基板和桥接设计的核心 [17] 晶圆制备与保护环节 - 晶圆减薄市场2025年规模5.82亿美元，2030年增至8.45亿美元，受TSV显露和超薄晶粒普及驱动 [19] - DISCO领先减薄领域，ACCRETECH紧随其后，瓶颈在于精度、应力管理和更洁净脱胶流程 [19] - 复杂堆叠和更大封装需要更好机械保护和翘曲控制，推动封装和塑封环节发展 [19] 结构性行业转变 - 封装已成为系统本身，带宽和能耗目标在中介层和堆栈中解决，性能瓶颈转移至晶粒级组装 [21] - 资本追随前端工艺控制引入封装生产线，供应商需跨越界限合作以实现表面准备、计量和放置性能一致 [22] 测试领域影响 - HBM堆叠后增加测试步骤，提高分类测试覆盖率以确保"已知良好晶粒" [22] - 小芯片模块推动系统级测试更广泛应用，验证不同域间交互，测试供应商针对AI设备的利用率和能力需求上升 [22]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 从左到右：采用钨坩埚和脱氧绝缘体的新晶体生长技术示意图，以及新型单晶示例。 图源：Scientific Reports (2025) 最终，他们已成功研发出超越现有闪烁体的高密度单晶。这一发现将带来重大的现实影响，直接改善 世界各地人们的生活。例如，这些晶体可应用于PET设备，从而在更短的时间内检测出早期癌症。 现有氧化物、氟化物和卤化物闪烁体单晶的熔点和带隙。图中显示了使用铱、铂铑和铂坩埚可进行晶体生长 的区域。 图源：Scientific Reports (2025) 吉川说："这些结果是令人兴奋的，因为这意味着我们可以创造出大量适用于广泛应用的新材料。" 这项研究有望加速开发用于半导体、光学材料、闪烁体和压电材料的、工作温度在2200°C以上的新 型功能性单晶。目前，在日本科学技术振兴机构（JST）的支持下，其量产方法正在开发中。 目前用于半导体、电子设备和光学设备的单晶无法承受高温。这是因为通常用于制造它们的材料（例 如铱和铂）的熔点低于 2,200°C。制造能够承受这种极端温度的单晶是一项迄今为止尚未攻克的难 题。 横田雄衣副教授和吉川彰教授（东北大学 ...

台积电2纳米制程扩张与设备商竞争格局 - 台积电在2纳米先进制程领域处于全球绝对领先地位 进入"一个人的武林"状态 因应AI芯片强劲需求 公司正进行前所未有的大规模扩产 包括台湾竹科2座厂、高雄5-6座厂以及美国厂都将投产2纳米制程 [4][6] 蚀刻设备市场规模与采购策略 - 每座2纳米晶圆厂需要超过100台蚀刻设备 单台高精密蚀刻设备价格达300-400万美元（约新台币上亿元） 创造庞大设备采购需求 [4][6] - 台积电采用多元供应商策略 主要采购美日三大设备厂商：科林研发（Lam Research）、应用材料（Applied Materials）和东京电子（TEL） 其中科林研发主导前段导体蚀刻设备 应用材料覆盖前后段 TEL偏重后段非导体蚀刻设备 [5][6] 设备供应商竞争态势 - 东京电子在黄光制程微影涂布/显影机台设备市占率近100% 炉管设备市占率达70-80% 但在蚀刻设备领域面临三强鼎立竞争格局 [5] - 各供应商为争取后续量产订单 需全力改善设备以满足台积电量产需求 竞争异常激烈 TEL正试图从前段蚀刻设备市场分食订单 [4][6] 技术泄密事件概况 - 东京电子工程师为改善蚀刻设备性能 通过私人关系远程登录台积电数据库 大量翻拍制造流程图照片 被公司资安系统发现 [7] - 案件涉及台湾核心关键技术 三名涉案人员被起诉 最高求刑14年 目前资料未外流至第三方 对台积电营运未造成实际损失 [7][8]

会议基本信息 - 2026年10月27日至30日在中国杭州举办第18届IEEE国际固态和集成电路技术会议(ICSICT 2026) [3][4] - 会议由IEEE中国联合会、IEEE北京分会、四川省电子学会及武汉理工大学联合主办，电子科技大学长三角研究院（湖州）承办 [4] - 会议是中国每两年一届的顶尖学术盛会，是固态器件与集成电路领域规模最大、影响力最深远的国际会议之一 [4] 会议规模与形式 - 预计有来自世界各国和地区学术界、产业界的500余位杰出代表参会 [4] - 会议为期四天，将通过口头报告、海报展示、专题研讨及特色活动等多元形式开展 [4] 技术聚焦领域 - 会议聚焦固态数字集成电路与系统设计、模拟电路、器件研发、工艺技术等核心方向 [4] - 征稿主题包括四大方向：数字与系统级IC、模拟电路、器件技术、工艺与技术 [9][15][18][19] - 具体涵盖12个细分轨道：数字架构与系统、数字电路、设计方法与EDA、RF与无线、有线通信、通用模拟、CMOS逻辑器件与传感器、功率器件与功率IC、器件可靠性与安全性、半导体工艺技术、光电子与硅光子集成、封装技术 [9][15][18][19][22][23] 学术委员会组成 - 荣誉主席由北京大学王阳元教授担任 [8] - 会议设立共同主席多人，包括美国宾夕法尼亚大学、法国波尔多大学、北京航空航天大学、浙江大学、电子科技大学等多所国内外知名院校专家 [11] - 各技术轨道由国内顶尖高校教授担任主席和共同主席，包括清华大学、复旦大学、上海交通大学、中山大学、东南大学等机构学者 [9][10][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][25][26][27] 投稿与重要时间节点 - 投稿需按照论文模板撰写，提交至少3页的英文文章，被录用文章将收录于会议论文集 [23] - 征稿截止日期为2026年6月25日，录用通知日期为2026年7月25日 [31] - 专家学者可在2026年2月1日前提交特别分会提案 [31]

GPU架构与性能瓶颈 - GPU核心包含大量SIMD单元，存在于Nvidia的流多处理器(SM)和AMD的工作组处理器(WGP)中，充分利用这些单元对提升渲染性能至关重要[3] - 固定功能单元(如TEX单元、寄存器文件、ROP单元)可能成为瓶颈，导致矢量/标量ALU运算单元无法工作或输出结果[5] - 不同渲染工作负载存在特定瓶颈：阴影贴图通道受VRAM内存带宽和顶点输入约束，GTAO通道受L2缓存约束，光线追踪阴影通道受RT核心约束[7] 性能优化技术 - 针对内存延迟限制的绘制调用，可通过减少矢量寄存器分配或重新设计着色器布局来提升内存占用率[8] - 高着色器占用率可能导致缓存抖动，可通过增加矢量寄存器分配或组共享内存分配来降低占用率[9] - 计算着色器相比像素着色器具有优势：无固定功能单元依赖、可访问组共享内存、更适合发散执行场景[10] - 像素着色器具备计算着色器缺乏的快速路径：专用颜色缓存、硬件可变速率着色、深度/模板操作优化等[11] 着色器类型选择策略 - 顶点着色器与像素着色器的工作分配需权衡缓存一致性与数据局部性，当前三角形密度下将工作移至顶点着色器吸引力有限[16] - RDNA架构上像素着色器以wave64运行，计算着色器以wave32运行，wave64更适合依赖wave内部函数的着色器，wave32更适合执行发散的任务[17] - 计算着色器支持异步计算，可与图形管道并行运行，重叠不同瓶颈类型的通道以提高ALU利用率[18] 异步计算优化 - 异步计算可重叠存在固定功能单元瓶颈的通道，利用图形管道无法使用的GPU资源[21] - 异步计算可能对图形管道产生负面影响，需要通过线程组大小和资源分配进行调优[21] - 在某些GPU架构上，图形管道上的计算工作可与像素/顶点着色器工作重叠，前提是没有屏障限制[21]