文章核心观点 - HBM4基础芯片制造工艺从DRAM转向代工工艺 成为行业技术转折点 三星电子和SK海力士积极采用代工工艺 美光科技则采取保守策略暂缓转型 [1][3][4][5] HBM基础芯片技术演进 - 基础芯片作为HBM的"大脑"和"信号控制中心" 通过TSV互连技术堆叠DRAM芯片 决定整体性能和稳定性 [3] - HBM3E之前基础芯片采用DRAM工艺制造 DRAM制造商直接设计逻辑电路并在自有产线生产 [3] - DRAM工艺在速度/信号完整性/功率效率方面落后于代工厂FinFET工艺 [3][4] - AI计算量指数级增长使基础芯片作用愈发重要 不仅实现存储器堆叠 还决定信号处理和功率效率 [3] 三大存储器厂商技术战略 **三星电子与SK海力士** - 将HBM4基础芯片转换为代工工艺 解决高性能计算过程中的发热和信号延迟问题 [4] - 采用代工工艺可实现更细线宽和更复杂晶体管结构 打造适用于高速计算的基础芯片 [4] - 转型原因在于DRAM工艺已超出NVIDIA和AMD等GPU客户需求 为确保技术领先地位必须采用代工工艺 [5] **美光科技** - 继续使用现有DRAM工艺生产基础芯片直至HBM4量产 HBM4E才利用台积电代工厂 [4] - 策略基于眼前生产效率和成本考虑 通过最大化利用现有DRAM工艺基础设施保持成本竞争力 [5] - 保守策略可能有利于短期成本节约 但对注重性能客户的竞争可能造成不利影响 [5] 行业影响与竞争格局 - 基础芯片逻辑性能决定整体系统性能的阶段已到来 [5] - 工艺转移并非简单制造方法改变 而是重新定义HBM竞争格局的战略转变 [5] - 市场信任将优先给予技术率先得到验证的公司 [5]

技术突破 - 中国研究人员研制出全球首款全频6G芯片 实现0.5GHz至115GHz全频谱集成于11mm×1.7mm芯片中 传统方案需九个独立无线电系统[5][6] - 采用光子电子融合技术 通过宽带电光调制器将无线信号转换为光信号 利用可调谐激光器混频实现传输 所有功能单元集成于单一芯片[7] - 测试期间通信质量保持稳定 在180微秒内实现6GHz频率调谐 单通道数据速率超过100Gbps 较美国农村平均20Mbps移动网速提升显著[7] 性能优势 - 支持毫米波/太赫兹通信与低频微波波段无缝切换 高频段提供巨大带宽与超低延迟 低频段实现广域覆盖 适用于远程山区/海底/太空场景[6][7] - 具备频率导航功能 可在干扰发生时自动切换至清晰频道 切换过程如"经验丰富的驾驶员变换车道" 确保通信持续不间断[7] - 实现多用途可编程和动态频率调节 在尺寸/功耗/性能间取得平衡 适用于音乐会/体育场等设备高密度连接场景[7][8] 应用前景 - 为AI原生网络奠定硬件基础 可通过内置算法动态调整通信参数以应对复杂电磁环境 同时进行实时环境感知[8] - 研究人员计划开发不大于USB记忆棒的即插即用通信模块 可嵌入智能手机/基站/无人机/物联网设备 加速灵活智能6G网络落地[8] - 技术突破有望通过扩大无线频谱覆盖范围 帮助缩小城乡数字鸿沟 推动下一代网络发展[5]

美国对韩国芯片制造商在华业务实施新限制 - 美国商务部撤销三星和SK海力士在中国接收美国半导体制造设备的授权 这些公司需获得许可证才能为中国购买设备 撤销将在120天后生效[2] - 美国计划授予许可证允许这些公司在中国运营现有设施 但不打算授予扩大产能或升级技术的许可证[2] - 提交联邦申请的公司还包括英特尔 尽管已完成出售中国子公司交易 但仍失去中国授权[2] 韩国政府与企业回应 - SK海力士表示将与韩国和美国政府保持密切沟通 采取必要措施将业务影响降至最低[2] - 三星未回应置评请求[2] - 韩国产业通商资源部强调中国半导体企业稳定运营对全球供应链的重要性 将继续与华盛顿讨论最小化影响[2] 对美国设备制造商的潜在影响 - 许可证改变可能减少美国设备制造商KLA Corp、Lam Research和应用材料公司对中国的销售[3] - 美国公司向中国出口商品和技术的数千份许可证申请悬而未决 造成价值数十亿美元的半导体制造设备积压[5] 对中国本土企业和美光科技的潜在影响 - 此举可能有利于中国本土设备制造商 因其设备可填补市场空白[5] - 美光科技可能受益 作为三星和SK海力士在存储芯片领域的主要美国竞争对手[5] - 若不对中国芯片制造商采取进一步措施 可能以牺牲韩国企业为代价为中国企业打开市场空间[5] 贸易背景与相关资格变更 - 美国和中国处于关税休战状态 对中国商品征收30%关税 对美国商品征收10%关税 有效期至11月[4] - 三星和海力士等外国芯片制造商拥有的"验证最终用户"资格将被取消 该资格原本允许美国供应商更轻松快速地向其发货[5]

美国芯片法案政策转向 - 特朗普政府将芯片法案补贴转化为股权投资 标志着美国半导体产业战略从市场修复转向国家掌控 [2] - 政策演变与美国长期倡导的市场至上理念形成鲜明对比 成为美国产业政策史上最具讽刺意味的案例 [2] 芯片法案背景与目标 - 美国半导体产量占比从1990年40%下降至2020年12% 而台湾地区和韩国分别控制63%和18%先进芯片产能 [4] - 2020年芯片短缺危机导致汽车制造商损失2100亿美元 消费电子产品交付周期延长40-60天 [4] - 法案授权527亿美元用于半导体制造激励 目标使美国在2030年生产全球20%尖端芯片 [4] 主要企业实施情况 英特尔 - 获得78.6亿美元补贴 承诺投资1000亿美元建设四州晶圆厂 [6] - 2024年第二季度净亏损16.54亿美元 市值蒸发超过60% 工厂建设成本比亚洲同行高出40% [6] - 政府谈判收购10%股权 将补贴转化为政府投资 [6] 台积电 - 获得66亿美元补贴 承诺投资650亿美元建设亚利桑那州三座工厂 [8] - 文化冲突导致设备调试周期延长 第一工厂量产从2024年推迟至2025年 [8] - 通过扩大投资规模避免政府控股 但付出巨额财务成本 [9] 三星 - 获得47.5亿美元补贴 投资170亿美元建设德克萨斯州泰勒工厂 [10] - 2纳米和3纳米生产良率低于20% 量产推迟到2026年 [10] - 被迫接受不得在华扩建14nm以下产能的限制条款 [10] 美光 - 获得61亿美元资助 生产DRAM和HBM内存 [12] - 在HBM市场份额远落后于韩国竞争对手 SK海力士和三星占据约90%市场份额 [12] 德州仪器与格芯 - 德州仪器获得16亿美元补贴生产嵌入式芯片 [13] - 格芯获得15亿美元补贴 宣布追加160亿美元投资成熟制程和先进封装 [14] 研发机构支持中断 - 美国商务部取消给予NATCAST的74亿美元补贴 [16] - NATCAST负责运营国家半导体技术中心 重点研发设计自动化和芯片设计 [16] - 亚利桑那州坦佩研发中心项目因资金缺口难以为继 [17] 法案实施效果评估 - 法案试图通过政府干预重塑全球半导体供应链 但违背市场规律和分工协作现实 [19] - 美国制造业生态系统存在技能工人缺口、供应链断裂和生产成本高企等结构性问题 [19] - 政策加速产业格局裂变 推高全球产业复杂性与成本 削弱全球创新效率 [20]

业绩表现与市场预期 - 公司预测第三季度营收为20.6亿美元（±5%），低于华尔街预期的21.1亿美元 [2][3] - 第二季度营收为20.1亿美元，符合分析师预期 [3] - 股价在盘后交易下跌超过8% [2] 业务部门表现 - 数据中心部门收入增长3%至14.9亿美元，但低于预期的15.1亿美元 [3] - 汽车、工业和运营商基础设施终端市场需求疲软，因客户推迟购买 [2] - 公司以25亿美元现金出售汽车以太网业务给英飞凌科技 [3] 技术突破与产品创新 - 推出业界首款2纳米64 Gbps双向芯片间互连技术，支持3纳米工艺 [4][5] - 单线实现32 Gbps同步双向连接，带宽密度超过30 Tbps/mm，是UCIe的三倍以上 [5] - 芯片面积需求减少15%，接口功耗降低高达75%（正常负载）和42%（峰值流量） [5] - 通过冗余通道和自动修复功能提高良率并降低误码率 [5] 战略布局与行业定位 - 定制业务下半年仍有望增长，但呈现非线性，第四季度增长显著强于第三季度 [2] - 公司专注于满足超大规模计算需求，genAI应用推动定制芯片需求增长 [2][6] - 结合系统与半导体设计 expertise，提供完整解决方案堆栈缩短客户上市时间 [5][7] - 2024年3月成为首家宣布2nm平台的基础设施芯片公司，2025年3月演示可运行2nm芯片 [6]

技术进展与生产目标 - 日本Rapidus公司已成功流片2纳米GAA架构测试芯片，并计划于2027年实现量产，该节点已达到所有预设电气特性[3] - 量产目标下，其IIM-1晶圆厂计划每月生产约25,000片晶圆[3] - 公司采用ASML的EUV工具制造2纳米芯片，并设定了通过定制后端流程实现快速周转的目标[3][6] - 公司专有的全单晶圆概念可将定制硅片的周转时间从约120天缩短至50天，对于热批次晶圆生产时间承诺仅为15天[5][6] - 公司建设进度显著：自2023年9月破土动工，2024年完成洁净室建设，至2025年6月已连接超过200台全球最先进半导体设备[8] 公司背景与战略定位 - Rapidus成立于2022年，是日本经济产业省与八家龙头企业（包括丰田、NTT、索尼、软银）共同出资的政府-民间合资企业，旨在重振日本先进芯片制造业[9][10] - 公司战略定位为通过敏捷性在竞争中脱颖而出，专注于利基市场，避免与台积电、三星等巨头正面竞争[5][18] - 公司计划采用结合前端和后端制造工艺的集成方法，使产品交付周期比竞争对手缩短两到三倍[18] - 日本决策者出于供应链安全、地缘政治风险及人工智能驱动经济增长等战略原因，支持重建国内先进芯片制造业[9] 面临的挑战与障碍 - 公司面临约5万亿日元（345亿美元）的巨大资金缺口，目前仅获得政府补贴1.72万亿日元及私人创始投资730亿日元，资金短缺是项目推进的瓶颈[12][13] - 技术上面临从研发到商业化量产的“死亡之谷”挑战，需克服GAA架构和EUV光刻等复杂技术的转移与成熟度问题，日本当前最佳逻辑芯片制造能力仅为40纳米[14][15] - 客户基础薄弱是关键风险，公司尚未获得足够客户，计划通过硅谷子公司拓展客户，并与博通合作交付原型芯片，但面临台积电、三星等老牌厂商在2025年量产2纳米的竞争压力[16][17] - 原型芯片计划于今年7月交付，其结果将成为评估项目进展、调整投资与合作决策的关键试验场[10][19]

品牌焕新与战略升级 - 公司宣布品牌从"一微半导体"焕新为"一微科技"，旨在构建智能移动机器人技术平台新生态 [1] - 公司以"用芯定义机器人"为核心理念，通过自主研发机器人主控芯片技术底座，布局家用、商用及工业级全场景应用 [3] - 品牌焕新及AM970和uSLAM技术平台推出标志公司从"技术深耕者"向"平台引领者"转型 [3][4] 技术平台与产品创新 - 推出AM970全场景智能机器人主控SoC，采用先进工艺实现5T NPU算力，可同步处理6路高清视频流 [6] - AM970支持芯片级联扩展，满足消费级轻量化需求及工业级高负载场景，实现全场景无缝适配 [6] - uSLAM（ultra fusion SLAM）技术平台实现毫米级精度环境模型构建，且全速运转时对CPU算力零侵占 [5][6] - 六目融合相机在复杂光线条件下实现高精度避障，配套视觉模组即装即用，提升开发效率 [6] 全栈技术与跨场景赋能 - 公司构建"芯片-算法-系统解决方案"全链路技术链，升级为以智能移动机器人技术平台为核心的开放赋能体系 [8] - 环境感知算法、运动规划系统及高精度控制模块可快速复制适配至清洁机器人、割草机器人、商用配送机器人和工业AMR等品类 [8][9] - 技术平台具备强大跨场景赋能潜力，推动智能移动能力向具身智能方向拓展 [8][9] 市场地位与生态合作 - 公司机器人专用主控芯片及解决方案赋能国内外知名品牌，在全球清洁机器人市场品牌覆盖度超50% [11] - 公司凭借"SLAM主控"核心技术优势稳居全球市场占有率榜首 [11] - 生态模式类比联发科手机平台及英伟达CUDA生态，以高算力"大小脑"（主控芯片+AI算法）为底层引擎 [11] - 通过模块化软硬件一体化方案降低合作伙伴技术门槛，加速行业普及与深化 [11] 行业影响与未来趋势 - 品牌焕新反映中国机器人产业从"跟跑"向"领跑"、从"单品爆款"向"平台化生态"跨越 [13] - "芯机融合"成为产业发展主旋律，半导体技术为机器人提供算力保障，而机器人场景反馈倒逼芯片与算法创新 [15] - 技术协同推动机器人向环境深度理解、自主决策及多机协作的高阶智能化阶段演进 [15]

寒武纪核心公告要点 - 公司股价在2025年7月28日至8月28日期间上涨133.86%，显著高于同行业公司及科创综指、科创50、上证综指等指数涨幅，存在脱离基本面的风险 [2][4] - 2025年全年营业收入预计为50亿元至70亿元，但该预测系管理层初步估算，不构成实质承诺 [2] - 公司明确表示未有新产品发布计划，近期市场传闻均为不实信息 [2] - 采用Fabless经营模式，因被列入"实体清单"可能对供应链稳定性造成不利影响 [3] - 截至2025年8月28日，公司滚动市盈率达5117.75倍、市净率达113.98倍，显著高于软件和信息技术服务业平均水平（市盈率88.97倍、市净率5.95倍） [5] - 经核查未发现其他重大股价敏感信息，公司管理层及控股股东近期无股票买卖行为 [6] 东芯股份停牌核查要点 - 因2025年7月29日至8月28日期间股价累计涨幅达207.85%，且2次触及异常波动、2次触及严重异常波动，公司自8月29日起停牌核查，预计停牌不超过3个交易日 [7][8][14] - 同期股票平均换手率为11.77%，显著高于前期水平，存在市场情绪过热和非理性炒作风险 [9][11] - 公司滚动市盈率为负值，显著偏离所属的"计算机、通信和其他电子设备制造业"行业平均市盈率53.35 [9][11] - 对参股企业砺算科技的GPU产品"7G100"相关风险进行说明：该产品应用于个人电脑及云游戏等场景，非大模型算力集群，且面临产业化进度、市场竞争、产品单一、业绩及资金流等多重风险 [10][12][13] - 特别强调砺算科技GPU业务高度依赖单一产品，且全球显卡市场由英伟达与AMD主导，国产GPU技术存在显著差距 [12]

行业竞争格局分析 - 射频前端行业存在结构性内卷 主要集中在ODM市场 Cat1市场和分立滤波器市场 这些领域完全按招标价格采购 对公司资质和品质要求低 竞争激烈[2] - 品牌客户市场竞争有序且有利于行业迭代 品牌手机厂家通常选择3-5家国产射频前端企业进入资源池 基于研发水平 公司规模 财务健康度 配合程度 品质管控和商务报价等综合评估 不会仅按价格选择供应商[2] - 品牌客户市场能保持合理利润水平 头部手机终端要求供应商管脚相互兼容 综合考虑供应商能力 价格因素和供应商平衡 不会出现一家独大或某家毛利率特别高的情况[2] 市场空间与分布 - 全球消费类射频前端市场规模约1200亿元 其中苹果和Google市场占600亿元 主力供应商为高通 博通 Skyworks Qorvo和村田 中国射频前端企业短期内难以进入美国市场[3] - 非美国手机市场（包括三星和中国市场）规模约600亿元 其中三星和中国市场中高端市场仍以高通 Qorvo和村田为主 国内射频前端公司整体销售额不到200亿元[3] - ODM市场规模约4亿部手机 集中在中低端市场 大部分为4G手机 单位ASP较低 整体射频前端采购额约30亿元 市场机会主要集中于品牌客户[3] - 中国射频前端市场总量预计还有一倍成长空间 从业者应在潜在400亿市场中争取更大份额[3][4] 毛利率与经营策略 - 射频前端行业20%-30%的毛利率是健康发展的合理水平 头部企业卓胜微和唯捷创芯半年报毛利率确实落在此区间[2] - 企业决策需考虑该毛利率区间和总体市场空间 产能建设要特别慎重 避免每家企业都大力建厂搞IDM模式导致产能过剩加剧竞争[2] - 企业应加强上下游协同 避免过度产能建设 头部企业与国内滤波器公司合作利用其产能优势和技术积累 共同发展壮大[6] - 较小企业需考虑差异化发展 管理好现金流 避免无谓亏损 滤波器企业可考虑非手机市场需求或转型MEMS和传感器业务[6] 产品发展方向 - 国内企业市场份额主要集中在分立方案或接收模组 发射端中高端模组被美国高通和Qorvo垄断[5] - 增长需依靠中高端模组（包含发射模组和接收模组） 这些模组集成度高 单颗ASP很高 对销售额带动更大[5] - 除华为外 其他中国手机品牌厂商开始尝试导入国产射频前端模组 这是巨大利好[5] - 品牌客户端存在大量替代机会 包括Sub6G模组 高性能开关/tuner LNA Bank 卫星PA 高性能WiFi FEM 汽车相关射频前端和低空相关射频前端等[5] - 头部企业应加快产品研发迭代 在高集成度 超薄化 高功率 优异信号强度等方面打磨产品 解决客户痛点 通过适度差异化竞争稳步健康发展[5] 行业生态建议 - 从业者不应有动辄翻倍增长的过高预期 要做好长期持久战准备[4] - 可参考手机ODM市场华勤的多元化策略 其在坚持手机ODM业务同时 很早布局服务器 平板 穿戴和汽车市场 非手机ODM业务占比达50% 发展状态良好[5]

内存技术规模化停滞 - SRAM和DRAM已停止规模化发展 无法降低单位成本(每GB) [2][4] - 内存现占服务器硬件成本50%以上 成为系统主要瓶颈 [4] - 7nm工艺节点后SRAM单元尺寸停止显著缩小 DRAM成本过去15年停滞不前 [10][13] 新兴内存技术优势与局限 - RRAM在相同工艺节点下密度可达最先进HBM4的10倍 且可继续向更小工艺尺寸规模化 [17][20] - 增益单元嵌入式DRAM密度达SRAM的2-3倍 允许片上集成 [16][17] - 新兴技术存在固有局限：RRAM耐久性有限且写入能耗高 增益单元RAM需定期刷新 [21] 专用内存架构提案 - 提出两类新型内存：短期内存(StRAM)针对瞬态数据优化 长期内存(LtRAM)针对持久性读密集型数据优化 [6][23] - StRAM适用于生命周期亚秒级数据 如神经网络激活缓冲区 服务器临时数据结构 [26] - LtRAM适用于生命周期分钟级以上数据 如机器学习模型权重 代码页 静态数据页 [26][27] 工作负载适配案例 - 大型语言模型推理中 模型权重适合LtRAM 激活值适合StRAM [28][31] - 服务器应用中Redis/Memcached等读密集型工作负载适合LtRAM 日志/事件缓冲系统适合StRAM [29] - 处理器内核内短期临时数据(函数调用栈/中间结果)适合StRAM替代SRAM [32][33] 系统集成挑战 - 需打破传统内存层次结构 实现非层次化数据放置策略 [36] - 一致性协议需适配StRAM有限保留时间和LtRAM不对称读写特性 [40] - 内存功耗占系统显著比例 专业化需协同优化单元特性/互连/封装/数据分配 [41][43] 行业影响与趋势 - HBM封装超过20层裸片后密度增长将停止 受限于封装复杂性和成本 [10][14] - AI机架功耗预计2027年达600kW 内存专业化成为降低功耗关键手段 [41] - 需跨学科合作解决材料科学、器件物理、电路设计、系统架构等多方面问题 [46]