文章核心观点 - 中国本土先进封装产业在扇出型封装领域已具备技术竞争力，但当前高阶、高附加值订单有限，产业发展需从体量大、应用面广的低附加值产品切入，以维持运营、积累经验，为未来高阶需求爆发做准备 [2][4] 先进封装产业发展现状与挑战 - 受台积电InFO、CoWoS-R规模化订单驱动，产业界对扇出晶圆重构技术未来预期高，纷纷开发FOWLP和FOPLP技术以抢占市场先机 [2] - 全球高阶扇出产品需求有限，高价值量订单主要被国际龙头企业承接 [2] - 中国本土扇出型封装玩家数量快速增长，但本土高附加值晶圆的扇出订单需求有限 [2] 中国扇出型封装市场规模与技术路径 - 预计2025年中国本土扇出型封装市场规模将突破1亿美元，同比增长29% [4] - 其中FOWLP规模占比达73%，晶圆级扇出封装需求不到1万片/月 [4] - 长电科技在中国大陆FOWLP领域拥有绝对市场份额，全球排名预计第四位 [4] - 未来五年，FOWLP技术预计将保持30%以上的高增速渗透 [4] 产业发展策略与未来方向 - 产业需向分立器件、功率芯片/模组、音频/射频/雷达模块等对封装要求不高、附加值相对较低的体量大、应用面广的扇出晶圆产品方向开拓 [2] - 此举旨在保证产线正常运转、积累扇出封装经验及案例，是本土企业发展高阶扇出技术的必经之路 [2] - 本土厂商需尝试从模拟芯片等更多产品应用切入，做大市场规模，保证现金流，积累工艺案例，持续研发升级技术 [4] - 随着技术成熟和产线利用率提升，FOPLP可能在量大面广的低附加值应用场景中率先成为首选解决方案 [4] - FOWLP长期将在高附加值晶圆重构领域凸显成本优势，在低附加值产品领域也已出现8英寸WLCSP产品向12英寸FOWLP过渡的趋势 [4]

行业市场前景与需求 - AI算力需求激增推动800G光模块成为AI数据中心主流配置，预计2024年全球800G模块出货量约800万只，2025年预计增至2000万只左右 [1] - 1.6T模块预计将从2024年的270万只增至2025年的420万只，全球光模块市场规模将达235亿美元 [1] - 作为光模块核心器件的光芯片市场规模随之增长，预计到2030年全球光芯片市场规模将超过110亿美元，年复合增长率达20%以上 [1] - 中国25G以上高速光芯片国产化率仍处于较低水平，整体市场存在巨大替代空间 [1] 主流光芯片技术路线：EML与VCSEL - EML（电吸收调制激光器）融合了DFB激光器和电吸收调制器功能，拥有低成本、低频率啁啾、高调制速率和长距离传输等特点 [2] - EML单芯片结构可使光模块体积缩小40%，是单模光模块的主流光芯片 [2] - EML芯片通常采用磷化铟衬底，工艺要求高，导致单颗成本较高，尤其在单波速率超过100G后制造成本难以下降 [2] - VCSEL（垂直腔面发射激光器）是目前多模光模块的主流光芯片，其光斑呈对称圆形，发散角低至10°以内，便于高效耦合 [2] - VCSEL具有高速调制、高电光转换效率、预期寿命长、可密集排列成二维阵列等优点，其激光线宽较窄（0.35nm），波长对温度漂移较小（0.06nm/℃），阈值电流较低（0.1mA），功耗也较低 [3] - 长波长（1310nm、1550nm）VCSEL因输出功率不足和制造工艺复杂等问题尚未大规模应用，其DBR反射率需达99.99%，且存在热管理、技术壁垒、可靠性验证及成本等问题 [3] 高速率时代的技术挑战与新技术趋势 - 随着数据中心进入400G/800G及更高速率时代，传统多通道方案面临技术壁垒攀升、功耗增加等挑战，产业需求激发了对新光芯片集成技术的开发 [4] - 新技术方向主要包括硅光芯片、薄膜铌酸锂芯片、Micro LED光子芯片等 [4] 硅光集成技术 - 硅光集成是基于硅基衬底，利用现有CMOS工艺进行光器件开发和集成的新一代技术，可实现光元件的单片集成 [5] - 在800G、1.6T等高速率场景下，硅光芯片能够整合调制器和无源光路，降低制造成本，并形成更短的内部互连、更低的传输损耗和更高的带宽密度 [5] - 硅光技术可利用CMOS晶圆厂设备进行晶圆级批量制造，降低制造复杂度与成本，被认为是下一代光芯片的主流发展方向之一 [5] - 预计硅光技术在光模块市场份额将从2025年的30%左右提升至2030年的60% [5] - 硅光芯片面临的主要技术难点包括：激光器需作为外置光源耦合，对激光器的功率、耦合效率、工作温度要求高；载流子色散效应引起调制带宽受限；以及大规模集成和可靠封装等问题 [5][6] 薄膜铌酸锂技术 - 薄膜铌酸锂调制器具有超大带宽（>100GHz）、超低半波电压和优异的线性度，相比硅光调制器可大幅降低功耗 [7] - 铌酸锂晶体具有高居里温度（~1140℃）、良好的稳定性，适用于恶劣环境 [7] - 薄膜铌酸锂在1550纳米波长下折射率高，光束限制能力出色；透明窗口范围宽（350纳米至5550纳米）；电光系数高达31皮米每伏特，可实现快速电控 [7] - 该技术可实现器件尺寸缩小至微米级，半波电压-长度乘积低至<2.5V·cm，功耗显著降低，并支持大规模光子集成 [8] - 结合其非线性效应，薄膜铌酸锂是未来量子通信、量子计算和量子传感的理想材料 [8] - 薄膜铌酸锂可与硅基工艺兼容，通过键合技术实现混合集成，“硅基底+铌酸锂薄膜”的混合集成技术被认为是未来光芯片发展的一大趋势 [8] Micro LED光芯片技术 - Micro LED光芯片技术目前较为前端，尚未进入实际应用验证环节 [9] - 其核心是利用Micro LED低功耗、低成本、高可靠性的优势，通过“数量”堆叠弥补“速度”不足，属于多通道低速方案 [9] - 该方案每通道速率仅2Gb/s，通过同时布局400通道来实现800G通信要求，被称为“慢但宽”光通信方案，整体功耗可控 [9] - 技术瓶颈在于高带宽器件开发、高效算法配套以及巨量转移良率等芯片制程及成本问题，距离商业化尚远 [9] - 随着Micro LED在显示领域的技术突破与发展，有望同步推动其在光互连领域的发展 [10]

文章核心观点 - 硅芯科技在ICCAD-Expo 2025上发布了“2.5D/3D EDA⁺新范式”，旨在通过重构先进封装全流程设计、仿真与验证的协同框架，以解决当前先进封装产业化中“工艺复杂、设计难以调用”的鸿沟，推动先进封装从“单点突破”迈向“可规模化的体系化应用” [2][4][5][9] 行业背景与挑战 - AI、智能汽车、高带宽存储等应用推动算力需求攀升，先进封装已从后端封测环节转为前端系统架构设计 [4] - 尽管多家工艺厂已具备成熟的2.5D/3D先进封装关键工艺能力，但用户端普遍面临“工艺复杂、设计难以调用”的鸿沟 [4] - 大量AI、边缘计算与高带宽场景的设计公司发现，在跨工艺、跨介质的多芯粒布局布线、互联分析和系统级可靠性验证方面，传统EDA方法已难以应对 [4] EDA⁺新范式的内涵与目标 - 先进封装EDA必须重构设计范式，形成跨工艺、跨芯粒、跨物理场的系统协同 [5] - 新范式以工艺为基础、以设计场景为驱动、以跨芯粒协同为目标 [5] - 目标是使设计端能够以统一的数据模型使用封装工艺，使工艺端能够通过标准化接口进入多芯粒流程，并使多物理场、互联、可靠性等关键环节提前进入设计早期，形成真正能落地的工程体系 [5] 硅芯科技的具体实践与成果 - 公司已与多家先进封装厂合作，构建覆盖RDL、硅中介层、玻璃基板、TSV/TGV等多类工艺的标准化数据库，将分散在流程文档和经验规则中的工艺参数转换为可被设计工具直接调用的模型 [7] - 随着这些模型接入3Sheng Integration平台，设计端能够在早期完成跨工艺互联规划、寄生参数评估和热应力预测，大幅减少后期返工，使多芯粒系统从设计到验证顺畅推进 [7] - 这一机制让工艺规则与设计流程实现有效衔接，使多芯粒系统能够在一致的数据基础上完成从架构规划到设计、仿真与验证的全流程协同 [9] 对EDA工具发展趋势的看法 - 随着先进封装带来新的协同需求，EDA工具之间原本清晰的分工开始出现交叉 [10] - 在工艺能力演进和多芯粒设计普及背景下，传统单芯片EDA并非被替代，而是更可能与多芯片设计方法形成互补 [11] - 许多在单芯片流程中已高度成熟的能力（如验证、仿真和版图方法学）在多芯片架构中依然是每颗die的基础环节，同时还需要与跨die的系统级流程协同运作 [11] - 随着工艺数据和设计数据的协同基础逐步建立，单芯片方法与多芯片设计之间的边界变得更具弹性，为两类工具的横向组合创造了空间 [11] 硅芯科技的合作策略与产业愿景 - 相比依赖大规模并购整合，公司认为围绕具体场景开展工具级协作，更符合当前国产EDA的发展节奏 [13] - 例如，在多芯片互联和跨工艺仿真场景中，单芯片工具擅长处理每颗die的时序、版图和功能验证，而多芯片设计工具则承担芯片间互联规划、电源/信号完整性以及热行为等系统级分析 [13] - 公司希望与更多本土EDA企业协同合作，共同完善国产工具链的能力布局 [16] - 公司旨在通过纵向联动产业链、横向连接生态伙伴，推动国内半导体构建更具协同力的“合纵连横”格局，为先进封装与国产EDA的进一步发展提供持续动力 [16]

全球晶圆代工产业增长态势 - 2025年第三季度全球晶圆代工产业产值达到471.19亿美元，同比增长27% [3] - 台积电第三季度产值占比达到70%，较去年同期提升7个百分点 [3] - 从增速看，台积电为第一梯队，中芯国际、华虹集团及晶合集成属于增速第二梯队，其他厂商增速为低个位数或负增长 [3] 晶圆代工产业增长驱动力 - 增长驱动力主要来自数据中心、工业及汽车、智能手机三大细分应用 [4] - 台积电第三季度业务同比增长近41%，驱动力为数据中心AI算力芯片、存储芯片及网络通信芯片 [4] - 工业及汽车、智能手机市场复苏拉动功率半导体、电源管理芯片等需求，驱动中芯国际、华虹集团、晶合集成第三季度营收分别同比增长近10%、26%、20% [4] 晶圆厂产能利用率与行业周期展望 - 全球晶圆代工产业平均产能稼动率从2023年第三季度的71%持续攀升至2025年的86% [6] - 行业已进入良好运营阶段，预计2026年半导体产业将持续高质量增长 [6] - 预计2027年第二季度将出现行业大回调 [6]

论坛活动概况 - 2025异质异构集成前沿论坛暨甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台验证线通线仪式于11月18-19日在宁波举行 [3] - 论坛吸引了国内外相关领域的龙头企业和科研机构参会，围绕前沿成果、技术趋势和关键挑战进行深入交流 [3] - 11月19日上午举行了Micro LED异质集成微显示论坛 [5] 工艺与材料技术发展 - 未来工艺优化方向包括极限厚度减薄到3-5微米，极限TTV小于0.5微米，并拓展其他功能半导体晶圆减薄材料 [8] - 持续攻关硅芯片晶圆如柔性硅衬底、功率/射频芯片性能提升，厚膜/特种SOI、硅基传感器应用 [8] - 开发铌酸锂/钽酸锂材料用于压电传感器、热释电红外探测器、压电扬声器等器件 [8] - GaN-on-Si外延技术面临熔蚀刻蚀法产量低、17%的氮化镓与硅晶格不匹配、晶圆翘曲与裂纹等挑战 [21] Micro LED与显示技术进展 - 溢彩芯光已完成量子点光刻胶、大尺寸GaN外延片、双色/全彩Micro LED微显示芯片研发，正在进行中试放大 [10] - 高稳定性、高转光效率是量子点在应用中面临的最主要挑战 [10] - 紫外LED光通信具有保密性能好、适应复杂环境等特点，但器件效率较低和传输距离过短是当前主要问题 [12] - 无损Micro-LED技术路线可彻底解决材料损伤问题及其带来的量产难题 [14] - 混合键合是半导体异质集成的最佳桥梁，实现Micro-LED光与电的芯片级互联 [14] 制造与封装能力 - 慕德微纳具备一站式光波导后道制程能力，可多工艺路线实现贴合和涂墨 [16] - 通过质量策划、控制、改进全方位管控产品关键特性，确保外观、表面洁净度、尺寸精度等参数质量 [16] - 基于玻璃基板优秀机械性能和先进封装制程能力，重新定义MLED单板尺寸，减少拼缝，提升视觉感受 [17] - 可实现单板尺寸从15英寸进阶到18英寸再到27英寸，搭配专属巨量转移设备，重点对应P0.3~P0.9近距离应用场景 [17] 芯片性能与成本优势 - 芯元基晶圆重构GaN Die产品具备低位错密度+无损化学剥离带来的性能优势，大幅提高产品均匀性、亮度和可靠性 [19] - 晶圆重构可使GaN利用率达到90%以上，有较大成本优势，大大提高量产效率 [19]

微纳平台通线仪式与论坛概况 - 2025年11月18日，甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台（微纳平台）8英寸验证线正式通线，并同期举办2025异质异构集成前沿论坛 [1] - 通线仪式与论坛由地方政府领导、实验室主任及行业专家学者共同见证，吸引了国内外龙头企业和科研机构参与交流 [1] 微纳平台硬件与团队配置 - 平台建筑面积12000平方米，其中洁净室面积6000平方米 [3] - 平台配备165台（套）高端精密设备，并拥有一支60余人的运营团队 [3] 微纳平台战略定位与服务目标 - 平台聚焦“异质异构集成”特色方向，致力于提供从“科学发现—技术验证—工程实现”的全链条研发验证服务 [5] - 平台定位为开放、共享的科创服务平台，旨在支撑前沿科技创新、引领微纳制造共性技术、赋能产研生态 [5] - 平台恪守“中立”精神，不做特定赛道竞争者，而是作为前沿赛道的铺路人，为高校院所和企业提供基础设施与工艺验证支撑 [14] - 平台以核心半导体技术为根基，旨在解决创新想法在量产前无处验证的产业痛点 [16] 微纳平台的意义与影响 - 平台打破了“科学发现与工程验证”之间的壁垒，成为产学研协同攻关的“硬核支撑”，将为异质异构集成技术突破提供关键引擎 [7] - 验证线通线是从“6英寸”到“8英寸”的尺寸升级，更是从“概念验证”到“工程验证”的能力跃迁 [14] - 平台是甬江科创区打造世界一流科创策源中心的关键一环，将提升宁波在微纳制造领域的工程验证能力，为新一代半导体产业提供更高水平的公共服务与创新支撑 [9] - 平台致力于构建原创技术“策源地”、营造高端人才集聚“强磁场”、打造全链创新转化“加速器” [9] 异质异构集成的行业背景与机遇 - 随着晶体管尺寸逼近物理极限，传统“微缩”路径难以为继，异质异构集成技术是应对挑战的创新方案，也是实现半导体产业“变道超车”的重要战略机遇 [11] - 平台将助力探索Chiplet系统重构、CPO光电共封装、混合键合原子级制造、Micro-LED跨材料集成等前沿技术从中试走向量产的可行路径 [20] 平台构建的创新生态 - 平台旨在构建一个开放共享的基础设施、一个中立可信的赋能平台、一个链接产学研用的创新枢纽，为产业提供关键的“临门一脚” [20] - 平台将与学界、产业界一道积累关键验证数据，共同推动创新成果转化落地，贯通创新链与产业链 [14][20]

异质异构集成与光电融合技术趋势 - 2025异质异构集成前沿论坛吸引了国内外龙头企业和科研机构，围绕前沿成果、技术趋势和关键挑战进行深入交流[3] - 人工智能技术是先进封装需求增长最显著的驱动力，将直接推动FO、2.5D/3D封装需求增长[18] - 异质异构集成/光电融合是未来重要发展方向[18] 高速光互连与芯片制造挑战 - 国内部分高速光互连芯片在设计、工艺和样品演示有基础，但批量制造存在工艺依赖外部、芯片可靠性不过关、成品率波动大等产业问题[8] - 异质异构集成芯片Chiplet新技术挑战主要在于信号完整性、电源完整性、多物理场、射频和电磁干扰等问题[9] - 光学互连从封装外进入封装体内是突破AI算力瓶颈的必然路径，CPO/OIO技术优势释放需依赖器件、先进封装技术和架构协同创新[16] 光互联技术应用与发展 - 光互联方案已基本完全覆盖智算中心Scale-out网络，并正逐步向Scale-up网络发展[11] - 阿里云基于NPO光互联技术提出UPN512，旨在基于单层ETH+和光互联技术实现大规模、高性能、高可靠、可扩展智算超节点[11] - CPO带宽扩展可通过增加ASIC周围光引擎数量、扩大每个引擎通道数量以及提升每个通道速度来实现[20] 关键器件与材料进展 - 仕佳电子O波段100 mW至1 W的CW DFB光源为高速硅光模块和CPO提供高温、高饱和功率稳定光源，满足800G、1.6T光模块和CPO需求[13] - 5G时代射频滤波器趋向小型化、集成化、轻量化、高频化，手机通信从2G进入5G后，单机射频器件价值量从0.5美元提升至12.0美元以上[22] - 精诚时代集团精密涂布模头可加工范围达4000 mm，腔体粗糙度≤Ra0.02µm，应用于氢燃料电池、光学膜、锂电池、MLCC陶瓷电容、钙钛矿等领域[27]

行业技术趋势 - 人工智能、高速计算、5G/6G等先进芯片驱动多芯片异构集成技术发展，其核心工艺混合键合技术拥有介质材料与介质材料直接互联、更小Pitch（<2微米）、更高I/O密度（1000倍）、更高带宽、更好导热性、更低功耗等优势 [8] - 2.5D/3D堆叠芯片是时代趋势，其中2.5D Chiplet部分设计工具成熟，但设计前移、各环节协同、可靠性测试仍需探索；3D IC设计方法学全局优化复杂度极高，产业发展需要芯片设计、封装制造、EDA设计通力配合 [12] - 先进Chiplets整合技术的延伸和快速发展，使得HDFO、2.5D、3D等异质/异构整合集成技术方案及结构正突破封IC集成的痛点，极大推进先进性能晶圆级封装技术的发展 [14] - 2026-2028年是全球先进封装技术加速渗透以及新技术从1到100突破的关键期，先进封装技术将推动供应链材料与装备市场的增长，同时驱动供应链产品升级迭代 [16] 关键工艺与技术挑战 - 晶圆级键合要求很高的单片晶圆良率，且整合时要求Pixel和逻辑芯片面积相同，逻辑电路虽随工艺提升缩小，但碍于Pixel芯片尺寸无法缩小逻辑芯片面积，带来系统整体成本和性能的相互制约 [10] - 半导体混合键合集成技术中的关键挑战在于键合气泡的控制、芯片边缘质量的改善、键合能的片内均匀性、键合后偏差（OVL）等 [31] - 先进封装量产难点在于表面光滑度、表面清洁度、键合对准精度、键合热力控制、键合效率与良率等 [39] - 随着3D IC等先进封装技术的发展，对晶圆减薄与划切提出更薄、更平、更干净的极致要求，减薄设备可将晶圆从775微米减薄至7微米，同时保持卓越平整度与洁净度 [33] 材料与设备创新 - 高密度集成电路制造与先进封装用高分子材料对于半导体产业链建设具有关键性保障作用和很大商业价值，除国产替代材料外还有创新材料应用，建议把握发展机遇推动高技术材料国产化及产业化 [24] - 在超高真空条件下实现的金刚石常温直接键合技术，通过快原子束表面活化与高精度对准系统，实现金刚石与多种半导体材料高强度、低热阻、无中间层结合，键合界面热阻降低至传统方法1/3，耐热性可达1000℃ [29] - 混合键合通过提升对准精度以实现更高Cu-Cu互连密度；熔融键合通过优化晶圆畸变控制能力以实现更先进晶背工艺，随着键合技术发展更多突破性AI芯片架构将得以实现 [35] - 采用优化后的chuck降低键合波引入局部应力，显著降低IPD残余量至5纳米左右，有利于提高背部光刻叠加性能 [37] 检测与仿真技术 - 跨尺度探针量测平台设计及验证已达到混合键合在线测量技术要求，并在多条产线验证，原子力显微镜高速测量技术与压缩传感成像比传统技术提升60倍效率，但距离芯片二维在线应用仍有两个量级差距 [20] - COMSOL多物理场仿真平台使用统一用户界面模拟各种工程领域物理现象以优化产品设计和开发流程，通过模型开发器实现多种物理现象耦合，通过App开发器将仿真模型开发为仿真App，通过模型管理器对仿真模型和App高效管理 [22] - 在半导体制程中，因各道工艺存在损害材料可能性，在2D/3D封装时需结合高通量亚微米检测解决方案用于检测晶圆缺陷，还可配备3D计量传感器使其适用于多种材料、厚度和晶圆尺寸 [41] 市场与产业链生态 - 磁传感器市场广、应用范围大，在工业控制、医疗、汽车、消费电子等领域有巨大市场需求，每年销售数十亿颗，金额达百亿美元 [18] - Chiplet普及需要从EDA工具、IP供应商到晶圆厂、封测厂再到终端品牌的全产业链协同，通过材料创新、架构创新和制程创新组合可同时实现超高密度与大规模、低成本制造 [26]

会议核心信息 - 会议名称为“2025异质异构集成前沿论坛（HHIC）”，由甬江实验室联合势银智库（TrendBank）、宁波电子行业协会主办，指导单位为宁波市科技局 [2][5] - 会议将于2025年11月18-19日在宁波泛太平洋大酒店召开，11月17日下午安排甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台8英寸验证线参观及闭门会 [2][5] - 会议规模预计为300-500人，普通票价格为2500元人民币/人，早鸟优惠价2000元，学生优惠价1500元 [50] 会议议程与主题方向 - 主论坛议题涵盖异构集成与先进封锁方向、新Foundry战略创新、2.5D/3D Chiplet EDA产业化、大算力Chiplet互连设计、Chiplet模组制造平台等 [6][26][28][29] - 平行论坛一聚焦光芯片与CPO技术创新，包括CPO光芯片发展趋势、智算中心光互联方案、新型光波导技术、硅基光子集成等话题 [6][30][31] - 平行论坛二围绕Micro LED异质集成微显示，讨论量子点全彩Micro LED、深紫外Micro-LED光通信、8英寸无损Micro-LED芯片、AR光波导等技术 [6][33][35][36] - 平行论坛三关注异质异构集成工艺与装备，涉及化合物半导体异质集成、混合键合、3D IC磨划设备、键合技术等前沿工艺装备 [38][39][40] 参会机构与人员 - 参会企业覆盖半导体全产业链，包括华为、华润微电子、荣芯半导体、应用材料、EVG Group、Onto Innovation等知名公司 [43][44][45][46][47] - 科研院所及高校参与积极，如甬江实验室、浙江大学、中国科学院、西湖大学、深圳技术大学等机构专家将发表演讲 [6][26][29][34][45] - 投资机构代表包括光大证券、华兴资本、朝希资本、元璟资本、深圳市创新投资集团等，显示资本对异质异构集成领域的关注 [44][45][46] 配套活动与设施 - 会议同期举行甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台8英寸验证线投运仪式并开放参观，凸显产学研结合特色 [2][5][26] - 会议安排全体晚宴及自助午餐，提供酒店协议价，泛太平洋大酒店房型协议价格为500元/间/晚（单早）或600元/间/晚（双早） [5][11] - 签到采用二维码方式，通过势银小程序完成，签到越早座位越靠前，体现会议数字化管理能力 [7][8][9][10]

会议基本信息 - 会议名称为“2025异质异构集成前沿论坛”，将于2025年11月18-19日在宁波泛太平洋大酒店召开 [2][33] - 会议由甬江实验室联合势银智库及宁波电子行业协会主办，指导单位为宁波市科技局 [2][33] - 会议规模预计为300-500人，普通参会票价2500元/人，早鸟票和学生票分别为2000元/人和1500元/人 [33][34] 会议核心内容与特色 - 会议旨在探讨异质异构集成技术在芯片应用中的挑战与突破，以及先进封装产业现状与前沿趋势 [3] - 同期将举行甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台8英寸验证线的投运仪式并开放参观 [3] - 会议将汇集业内权威学术机构专家、产业集团、上下游供应链专家、新兴企业和投资机构，以促进产业交流合作与创新发展 [3] 参会及参展企业 - 目前已确定参与论坛并设置展位的企业包括甬江实验室、北京维开、全芯微、牛津仪器、朗铭电子科技、硅芯科技、新耕、六方科技、雷博科仪、青禾晶元、亚科电子、芯慧联芯、特思迪、材料分析与检测中心、COMSOL中国等 [3] 甬江实验室平台能力 - 甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台是一个集材料生长、器件制备、先进封装测试和可靠性验证于一体的开放式共享平台 [5] - 平台拥有6,000平方米的洁净室设施，通过合作研发、委托开发等多种模式提供服务 [5] 参展商核心产品与技术 - **北京维开科技有限公司**：主营高端PVD真空镀膜设备，包括磁控溅射系统、电子束蒸发系统等，具备年产百台设备的能力，客户包括三安集成、EPSON、中科院半导体所等 [7] - **宁波润华全芯微电子设备有限公司**：专注于半导体工艺设备如勾胶显影机、去胶剥离机、刻蚀清洗机的研发与销售，服务于化合物半导体、光通讯、MEMS、先进封装等领域 [11] - **牛津仪器**：提供激光器芯片前道制程生产优化方案，专注于InP激光器和GaAs基VCSEL的刻蚀工艺 [12] - **硅芯科技**：提供针对2.5D/3D IC先进封装和Chiplet技术的一体化协同设计EDA工具及解决方案 [16] - **新耕（上海）贸易有限公司**：提供TSV关键工艺解决方案，包括深硅刻蚀与薄膜沉积，其深硅刻蚀技术可实现侧壁粗糙度≤20nm，角度控制90°±1° [17][19] - **浙江六方半导体科技有限公司**：专注于半导体领域CVD-SiC涂层技术，生产用于半导体长晶、外延、刻蚀等工艺的零部件及耗材 [20] - **青禾晶元**：提供先进半导体键合集成技术与方案，包括高端键合装备系列和精密键合工艺代工服务 [22] - **亚科电子**：作为先进封装及微纳加工平台设备集成服务商，提供D2W/W2W混合键合设备方案、SOI/POI/LNOI晶圆量产设备方案等 [23] - **芯慧联芯(江苏)科技有限公司**：提供三维集成技术解决方案，主营半导体先进键合设备及相关量测、解键合设备，实现100%全流程工艺自研 [24] - **北京特思迪半导体设备有限公司**：提供半导体晶圆薄化与平坦化解决方案 [27] - **甬江实验室材料分析与检测中心**：提供材料分析、可靠性验证、失效分析等服务，截至2025年10月底已服务超过1100家高校、科研院所及企业客户 [29][30]