文章核心观点 - 存储行业正迎来超级周期 由人工智能驱动的HBM需求激增所推动 三大存储厂商美光 三星和SK海力士竞争激烈 行业前景乐观 [5][6][27] 美光HBM业务进展 - 美光本季度营收达113.2亿美元 上一季度为93.0亿美元 全年营收从251.1亿美元增长至373.8亿美元 [5] - HBM 高容量DIMM和LP服务器DRAM总收入达100亿美元 较2024财年增长五倍 人工智能对HBM的需求支撑近50%收入增长 [5] - HBM营收增长至近20亿美元 年化运营率接近80亿美元 与几乎所有客户就2026年HBM3E绝大部分供应达成定价协议 [9] - 已向客户交付HBM4样品 实现业界领先11Gbps速度 带宽超过2.8 TB/s 预计HBM4E于2027年上市 [10] - 有六家HBM客户 DRAM市场份额约22.5% 预计2026年HBM市场规模500亿至600亿美元 公司目标份额125.8亿美元 2030年HBM潜在市场达1000亿美元 [11] 三星HBM业务动态 - 第二季度HBM市场份额跌至17% 低于美光21% 但预计明年份额将超过30% 因HBM3E产品认证和HBM4出口扩大 [13][14][18] - HBM3内存预计用于Nvidia DGX B300显卡 AMD Instinct MI350显卡已销售HBM3E芯片 [16] - HBM4样品通过NVIDIA可靠性测试 进入预生产阶段 最早年底量产 数据传输速度达11Gbps 能效提高40% [17][18][19] - 第三季度营业利润预计首次突破10万亿韩元 HBM和晶圆代工业务好转 [19] SK海力士HBM领先地位 - HBM市占率高达62% 反超三星成为全球DRAM龙头 [21] - 计划到2027年购置约20台EUV光刻机 设备数量翻番 提升下一代DRAM和HBM产能 [21] - 已完成HBM4内部验证和质量保证 准备大规模生产 实现每个引脚超过10Gbps吞吐量 速度提高25% [23] - 采用10纳米至10纳米工艺和MR-MUF技术 降低生产风险 产品开发完成并准备出货 [24] 存储市场趋势与预测 - 由于供应紧张 主要供应商将产能分配给利润更高的服务器DRAM和HBM PC内存价格预计上涨8%至13% 算上HBM涨幅可能达13%至18% [25] - 摩根大通将存储器半导体总可寻址市场预期上调高达24% 预计2027年HBM占DRAM市场43% 降低价格波动并提高盈利能力 [25] - NAND闪存价格可能呈上涨趋势 因eSSD普及和过去两年缺乏投资 [26]

美光科技业绩与HBM进展 - 本季度营收为113.2亿美元，上一季度为93.0亿美元；全年营收从251.1亿美元增长至373.8亿美元 [2] - HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM的总收入达到100亿美元，较2024财年增长五倍；人工智能对HBM的需求支撑了公司本财年近50%的收入增长 [2] - 来自HBM的营收增长至近20亿美元，年化运营率接近80亿美元，得益于HBM3E产品的增长 [3] - 公司已向客户交付HBM4样品，实现业界领先的11Gbps速度和超过2.8 TB/s的带宽 [3][4] - 与几乎所有客户已就2026年HBM3E的绝大部分供应达成定价协议，并正就HBM4的规格和供应量进行磋商 [3] - 预计到2026年，HBM市场规模将达到500亿至600亿美元，公司希望获得22.5%份额，即125.8亿美元；到2030年，HBM潜在市场总额预计达到1000亿美元 [5] - 公司有六家HBM客户，HBM份额有望再次增长，并与今年第三季度的整体DRAM份额（约22.5%）保持一致 [4] 三星电子HBM市场动态 - 第二季度在全球高带宽内存芯片市场的排名下滑至第三位，市场份额为17%，低于美光科技的21% [7][9] - 公司12层HBM3E产品此前未通过英伟达质量测试，但目前已获得认证，可以开始出货 [9][10] - HBM3内存预计将很快应用于Nvidia DGX B300显卡，HBM3E芯片已为AMD Instinct MI350显卡销售 [10] - 公司已完成HBM4的开发并向主要客户发送样品，预计最早于年底实现量产；HBM4样品已通过NVIDIA可靠性测试 [11][12] - 公司HBM4通过提高单元集成密度，能效提高40%，数据处理速度据称可达11Gbps [12] - Counterpoint预测，明年公司在HBM市场的份额将超过30% [12] - 公司预计今年第三季度营业利润将在一年左右时间里首次突破10万亿韩元 [12] SK海力士HBM市场领导地位 - 公司在HBM市场的市占率高达62%，帮助其反超三星成为全球领先的DRAM龙头 [14] - 计划到2027年再购置约20台EUV光刻机，使现有设备数量翻一番，以支持下一代DRAM和HBM生产 [14] - 已完成HBM4的内部验证和质量保证流程，准备大规模生产；HBM4开发的完成被视为行业新的里程碑 [15] - HBM4标准接口宽度为2048位，每个引脚吞吐量为8Gbps，公司正在实现每个引脚"超过10Gbps"的吞吐量，速度至少提高25% [15] - 公司采用10纳米至10纳米工艺和大规模回流模塑底部填充技术，以帮助降低生产风险 [15] 存储行业市场展望 - 由于供应紧张，主要供应商将先进工艺产能分配给利润更高的服务器DRAM和HBM，限制了PC、移动和消费芯片的产能 [17] - 传统DRAM价格预计将比上一季度上涨8%至13%，如果算上HBM，涨幅可能高达13%至18% [17] - 摩根大通预计，到2027年，HBM将占据DRAM内存市场的43%，这将降低价格波动并提高盈利能力 [17] - 摩根大通将全球存储器半导体总可寻址市场的预期较此前预估上调高达24% [17] - 随着企业固态硬盘的普及，NAND闪存产品价格可能会呈上涨趋势 [17]