锚定存储市场热点，汇成股份打造双轮增长引擎 当前全球存储芯片市场因AI基建需求迎来结构性机遇，3D DRAM等先进存储产品需求爆发。过去半年 时间里，全球存储芯片价格"涨声一片"，国内亦在加速存储芯片产业链自主化进程，国内存储芯片领域 的投资逻辑正逐步由单一厂商蔓延至全链条。汇成股份此时切入存储封测赛道，展现出清晰的战略前瞻 性与市场洞察力。结合市场、技术等多方面情况，存储封测市场规模更广、技术迭代空间更大，此次布 局将推动公司构建"显示+存储"双核心业务格局，有效为长期增长注入新动能。 值得关注的是，汇成股份通过与掌握3D CUBE解决方案的华东科技合作，有望在3D DRAM先进封装领 域实现突破填补国内相关市场空白，这一技术布局不仅契合AI时代对高密度存储封装的需求，更成为 公司吸引市场关注的核心亮点。面对存储业务拓展中的潜在挑战，汇成股份通过非控股的股权布局（不 纳入合并报表），降低短期盈利压力。此外依托过往资金优势与产业资源，联合本地投资平台共同推进 产能扩张，分散投入风险。同时，将显示驱动封测领域的周期应对经验复用于存储业务，为应对DRAM 行业波动提供保障。 汇成股份此次布局存储封测，是基于产业趋 ...

行业与公司 * 纪要涉及的行业为半导体存储行业及其上游设备行业[1] * 纪要重点分析的公司为拓荆科技和中微公司[1] 核心观点与论据 **存储行业资本开支趋势** * 存储行业资本开支预计呈现显著上升趋势 主要驱动力包括价格周期和技术周期[2] * 技术周期方面 NAND产品迭代从200多层到300多层 单万片资本开支斜率接近20%-30%[1][2] * DRAM技术创新如DDR5份额提升 3D DRAM项目落地以及国产HBM产业化 将推动资本开支增长[1][2] **存储行业变化对上游设备公司的影响** * 存储行业的周期性变化显著影响上游设备公司收入 在2019年开始的存储大周期中 海外设备公司存储链收入复合增速达25%-30%[1][3] * 国内市场 中微公司和拓荆科技受益于长存设备国产化 两家公司来自于存储端的收入敞口分别达到60%-70%[1][4] **推荐拓荆科技和中微公司的原因** * 两家公司受益于长存扩产带来的订单增长 中微公司预计明年订单增速保持在30%-40%[1][5] * 拓荆科技除扩产受益外 还具备盈利能力快速提升及混合键合两大逻辑[1][5] * 拓荆科技盈利能力提升因素包括订单交付加速推动收入增长 毛利率回升至40%以上 费用率压缩至20%-25% 利润率有望快速提升[1][6] **混合键合技术的影响** * 混合键合技术对拓荆科技至关重要 满足长春需求并延伸至长兴等市场[3][7] * 展望2026年 下游客户验证顺利且需求量级扩大 包括SOIC GPO及智能眼镜需求[3][7] * 随着HBM 5产业化 该技术方案将从PCB键合同步转换为混合键合同步方案 为公司带来远期成长弹性[7] 其他重要内容 * 除核心标的外 小类设备企业如焦成超声和精智达也值得关注 这些企业可能会随着2026年HBM 0~1产业化进程迎来较好的订单弹性[3][8]

汇成股份关于新风科技的电话会议纪要关键要点 涉及的行业与公司 * 纪要主要涉及半导体行业中的存储芯片（特别是DRAM）封测领域 [2] * 核心公司为汇成股份及其战略投资的公司新风科技 [2] 股权结构与控制权变更 * 新风科技近期完成重大股权调整 汇成及其合作方共同持有约57%股份 其中汇成直接持股18.44% 并通过苏州巨星和合肥巨星基金间接持有27.5%权益 [2][3] * 股权交易分为两部分 汇成以9048万元购买18.44%股权 合作基金等受让44.57%股权 合计转让63.01%股权 [3] * 汇成与华东科技签署战略合作协议 将以新风科技为平台共同拓展存储芯片封测业务 [3] * 汇成直接和间接持股比例为27% 具有重大影响但不构成实际控制 近1至2年内没有对新风科技进行并表的计划 [15] 新风科技背景与技术优势 * 新风科技于2019年由合肥长鑫 台湾华邦电子及团队共同设立 专注DRAM封测 [2][5] * 公司具备从晶圆测试到封装测试的完整能力 技术积累深厚 在多层存储POP工艺和3D DRAM技术上保持行业领先地位 [2][5] * 在3D DRAM封装领域优势显著 在平整度 孔洞和翘曲等关键指标上处于国内领先 国际第一梯队水平 [2][11] * 在POP封装上具有显著优势 包括处理薄片工艺 信号间距控制等方面积累了丰富经验 [28] 客户关系与市场定位 * 新风科技主要客户是长鑫存储 作为其兄弟公司紧密配合 [2][8] * 内存芯片全球市场规模超过1万亿人民币 中国年需求超过6000亿人民币 [8] * 全球内存芯片生产商共六家 长鑫目前月产能约25万片 预计2026年增至40万片 有望进入全球前三 [8] * 新风科技目标是成为长鑫前几位的重要供应商 目标占据其20%至30%的份额 [8][22] * 全中国6500家封测厂中 只有5家能够进行3D DRAM封装 新风具有独特优势 [8] 产能规划与融资计划 * 当前产能为2万片/月 基本满产 计划2026年扩展至4万片/月 2027年进一步至6万片/月 最终目标10万至12万片/月 [2][6][9][10] * 计划2025年第四季度启动4至5亿元股权融资 并进行1至2亿元银行债项融资 用于产能扩张 [3][14] * 预计2026年下半年产能达到4万片后 将开展一轮约5亿元的市场化融资 [14] * 在当前扩产阶段 预计在3万片至4万片的量级之前 损益端可能无法贡献正向收益 [23] 新业务发展与增长潜力 * 拓展两块新业务 一是与国内消费电子巨头合作定制类似UFS的产品 二是合作开发3D CUBE相关产品 市场规模均预计达百亿级别 [2][12] * 新业务产品单价和利润率远高于传统业务 有望显著提升公司盈利能力 [12] * 若新风能占据国内DDR和LPDDR封装市场20%份额 将新增16.5亿元收入 [13] * 技术端进展较快 商业落地需考虑产能扩充 预计2026年底初步呈现成果 2027年更大规模释放 [18] * 目前6万片产能规划中不包含HBM相关业务 定制化产品主要针对端侧应用 [27] 竞争格局与行业周期 * 在3D DRAM领域 全球仅有台湾华邦电和大陆赵毅青云两家公司走得较快 新风凭借与华邦电的亲密关系及长鑫核心供应商地位具有天然优势 [11][19] * AI出现后对高端存储需求激增 存储行业周期可能会持续更长时间 [21] 汇成股份的战略规划与协同 * 汇成所有存储及相关业务将以新风为平台开展 本体内不再做相关布局 [29] * 汇成本部二期项目（如车规芯片封测项目）将与3D DRAM形成协同效应 [3][29][31] * 汇晨（汇成关联方）为新风的战略投资者 主要提供业务资源导入 资金支持及管理赋能 业务运营仍以新风原团队为主 [24] * 长期规划可能将新风科技注入上市公司 但保留其独立IPO的可行性 [30] * 汇成存储业务整体规划以"6+X"模式展开 即以新风为核心的平台进行布局 [31]

公司研发进展 - 北京君正有在研3D DRAM技术 [1] 行业技术动态 - 3D DRAM作为新型存储技术正处于研发阶段 [1]

嗯 这是一份关于下一代DRAM技术的行业研究报告 需要仔细研读并提取关键信息 先快速浏览全文 发现这是一份由Yole Group发布的《Next-Generation DRAM 2025》报告 主要聚焦HBM和3D DRAM技术 报告内容非常详细 包含了市场预测、技术趋势、主要厂商动态等多个方面 需要系统性地整理这些信息 注意到报告中有大量的数据指标 特别是关于HBM市场的增长预测和DRAM技术路线图 这些都需要准确提取 报告还提到了中国在DRAM领域的发展情况 包括CXMT的技术进展和美国出口限制的影响 这也是一个重要方面 现在按照要求的结构来组织这些信息 确保引用正确的文档编号 行业分析：下一代DRAM技术（聚焦HBM和3D DRAM） 涉及的行业和公司 **行业** * DRAM存储器行业 特别是高性能计算和人工智能应用领域[2][13] * 半导体制造和先进封装行业[16][17] **涉及的公司** * DRAM制造商：三星 SK海力士 美光 南亚科 华邦电 力积电 长鑫存储(CXMT)[44][87][150] * GPU和AI芯片厂商：英伟达 AMD 英特尔 谷歌 亚马逊 华为 阿里巴巴[44][80] * 设备和材料供应商：应用材料 泛林集团 东京电子 ASML KLA[44][92] * 中国相关企业：长鑫存储 华为 长江存储 中芯国际 长电科技等[44][90][131] 核心观点和论据 **HBM市场爆发式增长** * HBM市场受AI和HPC驱动呈现指数级增长 2023年HBM比特出货量同比增长187% 2024年增长193%[52] * HBM收入预计从2024年170亿美元增长到2030年980亿美元 CAGR24-30为33%[52][85] * HBM在DRAM市场中的收入份额将从2024年18%增长到2030年50%[52] * 三大DRAM厂商的HBM产能已全部排期到2025年 供应紧张[52] **技术发展趋势** * HBM技术路线：HBM3E(2024)→HBM4(2026)→HBM4E(2027-2028)→HBM5(2029)[78][79] * 堆叠高度从8Hi/12Hi向16Hi/20Hi发展 HBM4最大容量48GB HBM5将超过20Hi[78][79] * 键合技术从TCB/MR-MUF向混合键合过渡 预计HBM5(2029)开始采用晶圆到晶圆混合键合[125][126] **厂商竞争格局** * SK海力士领先市场 已开始生产12Hi HBM3E并送样HBM4 2024年Q4营业利润56亿美元首次超越三星[53] * 三星在HBM3E遇到良率和散热问题 正在改进设计 组建了专门的HBM团队[53] * 美光跳过HBM3 直接进入HBM3E 目前产能较小但快速扩张 目标2025年底达到6万片/月[53] **中国DRAM产业发展** * 中国消费全球25%以上的DRAM产品 但自给率低于15%[131] * 长鑫存储跳过G2节点 直接量产G3(约185nm)技术 2024年DDR4出货量大幅增加[47][131] * 中国企业积极投资HBM技术 华为组建联盟 CXMT投资24亿美元建设先进封装厂[90][131] * 中国技术落后领先厂商约6年 但通过政府支持和国内市场 有望在未来几年获得市场立足点[131] **3D DRAM技术演进** * 2D DRAM缩放预计持续到0c/0d节点(2033-2034) 之后向3D架构过渡[129][132] * CBA(CMOS键合阵列)技术预计从0a节点(约2029年)开始采用 可实现30%的比特密度提升[20][117] * 所有主要DRAM厂商都在探索3D DRAM技术路径 包括1T-1C水平和2T-0C无电容器方案[25][132] * 3D DRAM将减少对EUV光刻的依赖 需要更多的沉积和刻蚀设备 对中国厂商有利[132] 其他重要内容 **市场数据预测** * 2024年DRAM市场总收入970亿美元 同比增长87%[59][139] * DRAM比特出货量从2024年254Eb增长到2030年651Eb[63][161] * HBM晶圆产量从2024年216K WPM增长到2030年590K WPM CAGR24-30为18%[85][177] * DRAM平均售价2024年038美元/Gb 2025年预计045美元/Gb[61][144] **EUV光刻在DRAM制造中的应用** * 三星最早在1z节点采用EUV光刻 SK海力士2021年跟进[114] * 美光采取成本优先策略 直到1γ节点才采用EUV光刻[114] * EUV层数预计从1z节点的1层增加到1c节点的6-7层[110] **地缘政治影响** * 美国对AI芯片和HBM实施出口限制 影响中国获取先进技术[130] * 中国企业转向国内替代方案 华为昇腾芯片性能约为英伟达H100的60%[130] * 美国2024年12月实施新的HBM出口管制 2025年可能进一步扩大限制范围[130] **制造技术挑战** * CBA DRAM的采用推迟约2年 主要厂商将在0d节点继续使用传统6F2技术[47][122] * 由于严格的间距和对准要求 CBA DRAM预计采用熔融键合而非混合键合[47][122] * 从2D向3D DRAM过渡将需要大量沉积(ALD PE-CVD)和刻蚀(HAR)设备投资[132]

HBM市场增长前景 - 全球HBM市场规模预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元 年复合增长率达33% [1] - HBM解决带宽瓶颈 功耗过高及容量限制问题 成为AI芯片主流选择 [1] - SK海力士2025年出货全球首批HBM4样品 三星计划2025年底实现HBM4量产 美光计划2026年推出HBM4 [1] 3DDRAM技术发展 - 3DDRAM通过垂直化架构突破传统制程极限 成为高密度DRAM长期解决方案 [2] - 三星开发垂直通道晶体管(VCT)DRAM SK海力士推进垂直栅极(VG)DRAM 均采用4F2核心技术架构 [2] - 3DDRAM工艺流程中图形化步骤精简 高难度蚀刻/沉积工序增加 产业价值从光刻设备向蚀刻 沉积环节迁移 [2] 键合技术市场机遇 - 3DDRAM增加晶圆对晶圆(W2W)键合需求 bonder市场规模预计从2025年1000亿日元增至2030年3000亿日元 [3] - HBM4(12层)和HBM4e(16层)可能2026年开始采用W2W键合 2028年HBM5(20层)起W2W或成主流 [1] 中国厂商发展机遇 - 中国大陆光刻资源受限 3DDRAM更倚重蚀刻 薄膜 键合等技术而非EUV 中国厂商或有望实现弯道超车 [4] - 长鑫采用横向堆叠方式简化垂直整合工艺 外围电路通过混合键合整合 整体思路与早期3D NAND类似 [4] - 2024年海力士展示5层堆叠3DDRAM原型产品良率达56.1% 美光拥有多项3DDRAM专利 [4] 定制化存储应用进展 - 定制化存储成为端侧AI优选方案 华邦CUBE具有高带宽 低功耗特性 首批导入国外穿戴类设备 [5] - 南亚科定制化存储目标2025年底完成验证 2026年导入量产 应用涵盖AI服务器 AIPC AI手机等 [5] - 兆易创新子公司青耘科技为AI手机 AIPC 汽车等领域提供定制化解决方案 客户拓展进展顺利 [6]

存储产品与技术进展 - 公司18纳米和16纳米工艺DDR4/LPDDR4产品已逐步推出，包括8G LPDDR4及16G/32G产品 [2][3] - 新产品将重点进入智能汽车市场（智能座舱/ADAS），替代原有25纳米节点产品 [2] - LPDDR5产品处于规划阶段，尚未送样 [6] - 开展3D DRAM研发以适配大模型对高带宽大容量存储的需求 [7] 产品结构与市场规划 - 当前DDR3占存储收入近50%，DDR4/LPDDR4将成为未来出货主力 [3] - 车规级DRAM市场规模约20多亿美元，其中高可靠性领域（含汽车）占利基DRAM100亿美元市场的约50% [4][5] - 新产品通过全球销售渠道向客户送样推广，与Tier1厂商及主控芯片商（高通/NXP/瑞芯微）合作 [2][5] 财务表现与预测 - 存储产品毛利率长期维持在30%左右，16纳米产品虽不直接提升毛利率但可增强性价比带动销量增长 [3] - 2023年Q3消费电子环比增长30%，但2024年季节性规律不明显 [3] - 2025年Q1-Q2汽车市场持续复苏，收入环比增长但欧洲市场同比下滑 [4] 计算与AI业务布局 - 计算业务分为安防监控（摄像头芯片）和嵌入式MPU（打印机/扫地机）两条产品线 [6] - 2025年将推出算力从1T提升至4T的摄像头芯片，进军中高端市场 [7] - 启动AI MCU研发，布局边缘侧算力需求（16T及以上） [7] 汽车市场机遇 - 智能座舱配置需求达8G/16G/32G LPDDR4，自动驾驶推动DDR4需求增长 [5] - 车规产品导入无切换成本障碍，核心竞争优势包括高可靠性、技术支持及长期供货能力 [5]

北京君正2025年上半年业绩及业务发展分析 公司及行业概述 * 北京君正专注于计算芯片、存储芯片和模拟互联芯片三大产品线 主要面向汽车、工业、通信、智能安防及消费电子等行业[2] * 存储芯片市场在经历下行周期后于2025年开始温和复苏 汽车智能化和AI应用推动高容量存储需求增长[2][12][22] 财务表现 * 2025年上半年总收入22.5亿元 同比增长6.75% 净利润2.03亿元 同比增长不足3%[4] * 计算芯片收入6.04亿元 同比增长15.6% 其中一季度同比增长12% 二季度同比增长18%[2][7] * 存储芯片收入13.8亿元 同比增长5.2% 毛利率33.48% 同比下降约2%[2][11][13] * 模拟互联芯片收入2.4亿元 同比增长5% 毛利率51.0% 保持在50%以上[2][17] 产品与技术进展 **计算芯片** * 智能视频产品占计算芯片收入80% 嵌入式SoC占20%[7] * 推出T42、C200等新产品 启动AI MCU研发 整合NPU IP增强竞争力[2][7] * 现有算力1T 2025年推出4T算力芯片进军中高端摄像头市场 规划16T-32T算力产品满足边缘侧需求[31][32] * 毛利率32.37% 与2024年的32.64%基本持平[10] **存储芯片** * DRAM产品是主要增长动力 占比50% 利基型市场容量超100亿美元[13] * 产品向18纳米和16纳米工艺升级 已送样DDR4/LPDDR4 预计2026年量产[3][12] * 研发3D DRAM技术 通过TSV和混合键合整合DRAM与逻辑芯片 配合AI及高算力客户需求[5][30] * 车载LPDDR4需求增长显著 推出8GB/16GB/32GB大容量产品[18][23] **模拟互联芯片** * 50%收入来自车规LED驱动芯片 产品线覆盖车内/外灯及智能灯[14] * 拓展工业级人机交互、办公设备、白色家电及消费级游戏设备 每年推出20-30款新产品[14][15] 市场与客户策略 * 存储芯片超80%收入来自汽车、工业、通信行业[11] * 在二维码扫描市场占有率超50% 逐步进入生物识别、扫地机器人、打印机等新兴市场[29] * 与Tier One供应商及主控芯片厂商（如高通、NXP、瑞芯微）合作 确保长期供货稳定性[24][25] * 海外拓展持续推进 预计成为未来重要增长动力[10] 战略布局与风险应对 * 推动港股上市支持全球化战略 实现境内外双轮驱动[2][6] * 持有约20亿美元库存缓冲应对供应压力[26] * 消费电子涨价未直接影响长期客户 但新客户参考市场价格[16] * 汽车市场复苏 2025年Q1和Q2环比增长 中国表现较好 欧洲同比仍下降[22] 未来展望 * 预计2026年下半年开始送样LPDDR5[3][27] * DDR4及后续技术将成为出货主力 占比显著提升（当前DDR3占50% DDR4/LPDDR4不足20%）[19] * 2025年是关键一年 行业复苏与新布局（如新工艺DRAM、3D DRAM、大算力芯片）将推动未来增长[33]

研究背景与突破 - 比利时微电子研究中心与根特大学在300毫米晶圆上成功堆叠120层硅和硅锗材料 实现三维DRAM制造的关键进展[2] - 通过交替生长硅和硅锗材料层 每层厚度为纳米级 层间存在晶格失配导致的原子间距差异[2] - 采用应变控制技术 通过调整硅锗层中锗含量并添加碳元素缓解应力 同时保持沉积过程温度均匀性[2] 技术工艺特点 - 使用先进外延沉积技术 通过硅烷和锗烷气体在晶圆表面分解形成精确纳米薄层[4] - 严格控制每层厚度 成分和均匀性 微小偏差会导致缺陷在整个堆叠结构中放大[4] - 成功构建120个双层结构 证明垂直扩展可行性 单位面积可容纳数千存储单元[4] 行业应用前景 - 该技术突破将推动3D DRAM发展 使存储芯片在相同占用空间内容纳更多存储单元[4] - 多层结构生长技术可应用于3D晶体管 堆叠逻辑器件及量子计算架构领域[6] - 与栅极环绕场效应晶体管和互补场效应晶体管技术开发形成协同效应 支持电子设备进一步小型化[6] 产业影响 - 三星已将3D DRAM列入发展规划并设立专门研发机构[6] - 该技术突破可能重塑芯片设计方式 实现更密集 更快速 更可靠的存储设备[6]

行情表现 - 中证芯片产业指数今日上涨1.43% 本周连续五天上涨 昨日盘中涨幅接近4% [2] - AI芯片涨幅最大 ASIC芯片头部公司涨幅可观 光刻机及光刻胶等国产替代重点领域公司涨幅较大 [2] 行业景气度 - 全球半导体6月销售额达599.1亿美元创历史新高 同比增长19.6% 环比增长1.5% [3] - 中国半导体6月销售额172.4亿美元创历史新高 同比增长13.1% 环比增长0.8% [3] - 7月集成电路出口金额178.88亿美元创历史新高 同比增长29.16% 出口数量318.4亿块创历史新高 同比增长16.63% [3] - 出口金额与进口金额比例达47.95% 行业第三季度有望保持高景气 [3] 国产化进程 - 芯片整体国产化率约20% 距70%目标仍有较大空间 [4] - 高端国产替代加速推进 包括先进制程/先进存储/先进封装/AI芯片/车规芯片等领域 [4] - 贸易战短期缓和不影响中长期自主可控战略 2018-2020年半导体行业上涨53.70% [4] 政策与产业催化 - "科八条"、"并购六条"及重组管理办法修订支持产业链并购整合 如北方华创收购芯源微案例 [10] - Q4华为Mate 80面世将推动SoC芯片迭代 利好先进制程产业链 [10] - 3D DRAM研发进展披露预期利好先进存储产业链 [10]