公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 铠侠表示，该公司已开发出可高度堆叠的氧化物半导体沟道晶体管，能够支持高密度 3D DRAM。 这项技术的发展有望通过降低每 GB 的制造成本，并通过高导通电流和超低关断电流晶体管提高能源 效率，从而带来更便宜、更快的内存。 然而，这项技术需要精确的多层对准、集成到标准制造工艺中以及长期可靠性测试，所有这些都可能 需要数十年时间。 该技术在最近于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议上进行了展示，演示了堆叠成八层垂直结构的 晶体管的运行情况。 垂直层由水平排列的晶体管组成，这些晶体管是通过用氧化物半导体材料 InGaZnO 取代传统的氮化 硅区域而形成的。 这种设计方案无需依赖传统的平面DRAM结构即可增加内存容量。 氧化物半导体沟道晶体管将成熟的氧化硅和氮化硅薄膜与新型 InGaZnO 材料相结合。 Kioxia 推出的 3D 存储单元结构扩大了垂直间距，使得单位体积内可以堆叠更多的存储单元。 在该工艺中形成的水平晶体管具有超过 30 微安的高导通电流。 它还表现出低于 1 阿安培的超低关断电流，从而最大限度地减少了刷新周期中的能耗。 通过降低刷新功耗，该设计 ...

文章核心观点 - 字节跳动旗下豆包手机助手的发布是消费电子行业的标志性事件，其以系统级交互和跨APP执行等颠覆性功能，正式宣告手机端侧AI进入"Agent时代"，并可能成为智能手机行业换机潮的起点[4][5] - 端侧AI在技术和生态上正接近"奇点"，2025年12月至2026年上半年将是端侧AI硬件的密集发布期，多玩家同台竞技将加速技术迭代与场景渗透[9][10][11] - 端侧AI的技术落地与生态扩张正在重塑消费电子产业链的价值逻辑，在SOC芯片、端侧存储、消费电子三条主线中已浮现清晰的投资机遇[14] 手机交互逻辑被重新定义 - 豆包手机助手的核心颠覆性在于实现了"类人化"的手机操作能力，凭借系统级操作权限与大模型语义理解能力，可模拟点击、滑动、输入等动作完成复杂的跨应用任务，任务成功率超80%，大幅超出市场预期[7] - 其核心亮点集中在三大维度：系统级交互支持语音、侧边AI键、蓝牙耳机三重唤醒，无需打开APP即可随时召唤助手[8]；跨APP执行是核心突破，可指令助手对比多平台商品价格并下单，或自动修改图片并回传，完成复合任务[8]；定时任务功能可实现自动化操作，后台静默运行设计不占用前台操作界面[8] 端侧AI生态多点开花 - 从行业维度看，2025年12月至2026年上半年是端侧AI硬件的密集发布期，包括理想AR眼镜、三星、百度、360的AI眼镜及字节、Pico的头显产品将陆续落地，谷歌与合作伙伴的AR眼镜则深度集成端侧模型[10][11] - 阿里千问正强化端侧AI与消费场景的融合，聚焦低价购物需求的智能匹配[11] - 端侧模型技术的突破是生态扩张的底层支撑，2025年以来模型压缩、低比特量化、架构减法等技术已成为标配，大幅降低手机存储与算力消耗[12]；"快慢双模式"的引入让模型可按需切换推理路径，实现算力灵活分配[12] - 展望2026年，模型架构创新、多模态融合将成为核心方向，吸收注意力等机制将降低计算复杂度，而文本、图像、语音的多模态协同处理将推动端侧AI智能度与渗透率的双重跃升[12] 端侧AI浪潮下的机会：SOC芯片 - SOC芯片是端侧AI的算力核心，其需求随AI手机及AIoT硬件放量而持续增长[15] - 恒玄科技与字节AI眼镜深度绑定，将充分受益生态扩张[16] - 乐鑫科技作为端侧AI行情的强竞争属性标的，其IP与豆包生态的协同将打开估值空间，12月火山引擎大会有望催化其短期行情[16] - 瑞芯微凭借NPU方案与先发优势，在市场份额争夺中具备看点[16] - 泰凌微等谷歌链标的，也存在估值重定价的机会[16] 端侧AI浪潮下的机会：端侧存储 - 端侧AI的本地推理需求催生了对高带宽、低成本存储的强劲需求[17] - 兆易创新成为板块核心标的，其3D DRAM产品具备技术先发优势，已与多家手机厂商开展项目合作[18] - 2026年，兆易创新的产品在AI PC、汽车座舱、机器人等场景有望实现阶段性突破，叠加汽车、机器人等场景，其市值弹性将进一步释放[18] - 公司在云端存储产品的同步布局，使其完美卡位云端与端侧的AI算力风口，当前千亿市值具备显著的布局价值[18] 端侧AI浪潮下的机会：消费电子 - 消费电子板块的机遇集中在ODM制造、AR眼镜核心部件等细分领域[19] - 天岳先进的高硅波导片作为AR眼镜显示功能的核心材料，将充分享受硬件放量红利[19] - 歌尔股份、立讯精密等代工厂商，也将在AIoT硬件量产中获得订单增量[19]

行业与公司 * 行业涉及DRAM存储技术、近存计算/存算一体技术、3D DRAM封装技术以及AI芯片（NPU）领域 [1] * 主要提及的公司包括国际厂商三星、海力士、美光、NVIDIA、高通、联发科（MTK） 国内及台湾厂商长鑫半导体、长存、兆易创新、华邦电子、武汉新芯（XMC）、立基电、南亚、金正公司、巨星科技等 [1][5][16][25][26][29][51] 核心技术与观点 **1 近存/存算一体技术路线与现状** * PIM（Processing in Memory）技术由三星积极推广 将其与DRAM合封 直接置于DDR处 预计未来将成为发展热点 [1][3] * 海力士也在推动HBM PIM及DDR、LPDDR PIM等协议 高通和MTK未来可能会适配相关技术 [1][3] * PNM（Process near Memory）技术主要应用于服务器领域 若能接入NVIDIA体系 前景可期 但目前NVIDIA的PCI Switch多由其自身制造 市场参与者较少 [1][4] * 存算一体（CIM）适用于小型应用（如耳机唤醒） 但在大模型领域由于参数量巨大 难以获得功耗和面积收益 基本无人采用 [32][33] **2 3D DRAM技术特点与发展** * 3D DRAM采用Die-to-Die或Wafer-to-Wafer封装 对SOC大小、功耗等有限制 与传统DIMM差异显著 [1][8] * 当前成熟技术支持DRAM 8层堆叠 容量随层数增加而增大 带宽甜蜜点约为1-2TB [1][9] * 芯片设计需权衡面积和堆叠层数 根据云端（推理重带宽 训练重带宽和容量）或端侧（重尺寸和功耗管理）应用场景调整 [1][10] * 3D DRAM设计环节壁垒不高 本质是在传统DRAM基础上增加TSV通孔 [30] **3 定制化存储与HBM的对比与前景** * HBM散热好、容量大 适用于GPU等高带宽应用 但成本较高 [20] * 3D DRAM成本低、功耗低 适用于端侧设备 但总容量相对较小且存在散热挑战 [20] * 两者将根据具体需求共存 定制化存储不太可能完全替代HBM [21] * 长期来看 更看好传统方案（先进工艺标准化逻辑加3D DRAM）以及原厂将计算能力集成到HBM中的方案 [34][50] **4 国内厂商与技术格局** * 国内长鑫半导体专注于DRAM生产 具备较强竞争力 在国内3D DRAM市场占据主导地位 用户粘性较高 有望成为事实标准 [1][5][7] * 武汉新芯（XMC）封装技术出色 采用TSV加HyperBonding（XSTACK工艺） 但其没有自己的Fab 目前隶属于长存系 仅有一条中试线 [26][27] * 兆易创新采用TSV加HyperBonding技术 华邦电子采用Micro bump TSV Hyper Bonding技术 前者密度更高（Hyper bonding密度是Micro bump的10倍以上） 但后者良率稍高 [16][18] * 在3D DRAM市场中 与Fab关系良好的企业更易获得产能支持 [28] 其他重要内容 **1 技术细节与性能** * PIM通过将带宽需求最大的部分置于Memory内来优化大模型推理 但对主SoC带宽提升不明显 [6] * HyperBonding通过铜与硅表面键合 更薄且通孔密度更高 Micro bump良率稍高但厚度较大、XY密度较低 [16] * 功耗方面 Micro bump方案比HyperBonding方案差约一倍 带宽可能接近但布局舒适度不如HyperBonding [17] * 当前DRAM制造良率可达90%以上 TSV封装良率接近99.99% 但多层绑定后最终产品良率会逐步下降（例如增加一层后良率打9折 多层后可能仅50%-60%） [45] **2 成本与价值量** * DRAM厂商在定制化存储环节价值量最高 成本占比超过芯片一半 [14][15] * 例如RK3,588的2.5GB存储容量售价70美元 两层5GB售价100美元 其中很大部分成本来自DRAM [14] * 一颗1GB 3D DRAM在台湾厂商公开市场报价约为10美元 国内厂商如兆易创新和长鑫根据供货量不同 曾报过每GB 3至5美元的价格 [46] * 定制化存储价格会随工艺成熟和成本摊平而下降 但目前处于存储警惕期 价格短期内不会显著下降 [31] **3 应用场景与市场展望** * 手机对芯片功耗、面积、容量和性能要求严格且量产规模最大 PC需求多样（轻薄本重功耗 性能机重性能） [22] * 其他终端如车载座舱、机器人、家用NAS、小型服务器等场景展现出不同程度的需求增长 [23] * 终端市场相关落地产品（如AI PC、家庭NAS）有望在明年初或年中推出 但可穿戴设备暂时难以量产 [24] * NPU领域竞争激烈 关键是对算力和带宽利用率的优化 而不仅仅是提升算力 [52] **4 产能与供应链** * 兆易创新与长鑫存储合作紧密 长鑫具备快速响应市场需求的能力 若未来需求增加 有可能扩大生产 [41] * 国内3D DRAM封装主要由长鑫负责 封装价格占总价值量的5%至10% 且随堆叠层数增加而提高 [42][43] * DDR4与DDR5制造工艺基本相同 但DDR5需求增加导致更多产能转向生产DDR5颗粒 挤占了DDR4的产能 [40]

公司战略举措 - 公司于2025年10月通过战略投资合肥鑫丰科技有限公司以及与华东科技（苏州）有限公司建立合作，正式切入存储芯片封装测试赛道 [1] - 公司采用直接受让股权和通过私募股权基金间接持股的组合投资模式，以9048.41万元直接受让股权，最终合计持有相关标的27.5445%的股权 [1] - 此次布局旨在构建“显示+存储”双核心业务格局，推动公司从显示驱动封测细分龙头向综合型半导体封测服务商转型 [3][4] 产业集群优势 - 公司依托合肥半导体产业集群的协同优势，特别是以长鑫存储为核心的存储产业链生态，可大幅降低存储封测业务的供应链成本与响应周期 [1][2] - 合肥本地完善的晶圆制造、基板供应等配套体系，以及公司在显示驱动封测领域积累的生产管理体系、客户服务流程及资金储备，可直接复用于存储业务 [2] - 凭借对本地区产业集群的深刻理解，公司能高效协调资源，推动存储业务从布局阶段快速转向规模化运营 [2] 市场机遇与技术布局 - 全球存储芯片市场因AI基建需求迎来结构性机遇，3D DRAM等先进存储产品需求爆发，过去半年全球存储芯片价格持续上涨 [3] - 国内正加速存储芯片产业链自主化进程，投资逻辑由单一厂商向全链条蔓延 [3] - 公司与掌握3D CUBE解决方案的华东科技合作，有望在3D DRAM先进封装领域实现突破，填补国内相关市场空白，契合AI时代对高密度存储封装的需求 [3] 业务规划与风险管控 - 相关存储封测业务规划在2027年底前实现产能显著提升 [2] - 公司通过非控股的股权布局（不纳入合并报表）来降低短期盈利压力，并联合本地投资平台共同推进产能扩张以分散投入风险 [3] - 公司将把显示驱动封测领域的周期应对经验复用于存储业务，以应对DRAM行业的波动 [3]

行业与公司 * 纪要涉及的行业为半导体存储行业及其上游设备行业[1] * 纪要重点分析的公司为拓荆科技和中微公司[1] 核心观点与论据 **存储行业资本开支趋势** * 存储行业资本开支预计呈现显著上升趋势 主要驱动力包括价格周期和技术周期[2] * 技术周期方面 NAND产品迭代从200多层到300多层 单万片资本开支斜率接近20%-30%[1][2] * DRAM技术创新如DDR5份额提升 3D DRAM项目落地以及国产HBM产业化 将推动资本开支增长[1][2] **存储行业变化对上游设备公司的影响** * 存储行业的周期性变化显著影响上游设备公司收入 在2019年开始的存储大周期中 海外设备公司存储链收入复合增速达25%-30%[1][3] * 国内市场 中微公司和拓荆科技受益于长存设备国产化 两家公司来自于存储端的收入敞口分别达到60%-70%[1][4] **推荐拓荆科技和中微公司的原因** * 两家公司受益于长存扩产带来的订单增长 中微公司预计明年订单增速保持在30%-40%[1][5] * 拓荆科技除扩产受益外 还具备盈利能力快速提升及混合键合两大逻辑[1][5] * 拓荆科技盈利能力提升因素包括订单交付加速推动收入增长 毛利率回升至40%以上 费用率压缩至20%-25% 利润率有望快速提升[1][6] **混合键合技术的影响** * 混合键合技术对拓荆科技至关重要 满足长春需求并延伸至长兴等市场[3][7] * 展望2026年 下游客户验证顺利且需求量级扩大 包括SOIC GPO及智能眼镜需求[3][7] * 随着HBM 5产业化 该技术方案将从PCB键合同步转换为混合键合同步方案 为公司带来远期成长弹性[7] 其他重要内容 * 除核心标的外 小类设备企业如焦成超声和精智达也值得关注 这些企业可能会随着2026年HBM 0~1产业化进程迎来较好的订单弹性[3][8]

汇成股份关于新风科技的电话会议纪要关键要点 涉及的行业与公司 * 纪要主要涉及半导体行业中的存储芯片（特别是DRAM）封测领域 [2] * 核心公司为汇成股份及其战略投资的公司新风科技 [2] 股权结构与控制权变更 * 新风科技近期完成重大股权调整 汇成及其合作方共同持有约57%股份 其中汇成直接持股18.44% 并通过苏州巨星和合肥巨星基金间接持有27.5%权益 [2][3] * 股权交易分为两部分 汇成以9048万元购买18.44%股权 合作基金等受让44.57%股权 合计转让63.01%股权 [3] * 汇成与华东科技签署战略合作协议 将以新风科技为平台共同拓展存储芯片封测业务 [3] * 汇成直接和间接持股比例为27% 具有重大影响但不构成实际控制 近1至2年内没有对新风科技进行并表的计划 [15] 新风科技背景与技术优势 * 新风科技于2019年由合肥长鑫 台湾华邦电子及团队共同设立 专注DRAM封测 [2][5] * 公司具备从晶圆测试到封装测试的完整能力 技术积累深厚 在多层存储POP工艺和3D DRAM技术上保持行业领先地位 [2][5] * 在3D DRAM封装领域优势显著 在平整度 孔洞和翘曲等关键指标上处于国内领先 国际第一梯队水平 [2][11] * 在POP封装上具有显著优势 包括处理薄片工艺 信号间距控制等方面积累了丰富经验 [28] 客户关系与市场定位 * 新风科技主要客户是长鑫存储 作为其兄弟公司紧密配合 [2][8] * 内存芯片全球市场规模超过1万亿人民币 中国年需求超过6000亿人民币 [8] * 全球内存芯片生产商共六家 长鑫目前月产能约25万片 预计2026年增至40万片 有望进入全球前三 [8] * 新风科技目标是成为长鑫前几位的重要供应商 目标占据其20%至30%的份额 [8][22] * 全中国6500家封测厂中 只有5家能够进行3D DRAM封装 新风具有独特优势 [8] 产能规划与融资计划 * 当前产能为2万片/月 基本满产 计划2026年扩展至4万片/月 2027年进一步至6万片/月 最终目标10万至12万片/月 [2][6][9][10] * 计划2025年第四季度启动4至5亿元股权融资 并进行1至2亿元银行债项融资 用于产能扩张 [3][14] * 预计2026年下半年产能达到4万片后 将开展一轮约5亿元的市场化融资 [14] * 在当前扩产阶段 预计在3万片至4万片的量级之前 损益端可能无法贡献正向收益 [23] 新业务发展与增长潜力 * 拓展两块新业务 一是与国内消费电子巨头合作定制类似UFS的产品 二是合作开发3D CUBE相关产品 市场规模均预计达百亿级别 [2][12] * 新业务产品单价和利润率远高于传统业务 有望显著提升公司盈利能力 [12] * 若新风能占据国内DDR和LPDDR封装市场20%份额 将新增16.5亿元收入 [13] * 技术端进展较快 商业落地需考虑产能扩充 预计2026年底初步呈现成果 2027年更大规模释放 [18] * 目前6万片产能规划中不包含HBM相关业务 定制化产品主要针对端侧应用 [27] 竞争格局与行业周期 * 在3D DRAM领域 全球仅有台湾华邦电和大陆赵毅青云两家公司走得较快 新风凭借与华邦电的亲密关系及长鑫核心供应商地位具有天然优势 [11][19] * AI出现后对高端存储需求激增 存储行业周期可能会持续更长时间 [21] 汇成股份的战略规划与协同 * 汇成所有存储及相关业务将以新风为平台开展 本体内不再做相关布局 [29] * 汇成本部二期项目（如车规芯片封测项目）将与3D DRAM形成协同效应 [3][29][31] * 汇晨（汇成关联方）为新风的战略投资者 主要提供业务资源导入 资金支持及管理赋能 业务运营仍以新风原团队为主 [24] * 长期规划可能将新风科技注入上市公司 但保留其独立IPO的可行性 [30] * 汇成存储业务整体规划以"6+X"模式展开 即以新风为核心的平台进行布局 [31]

公司研发进展 - 北京君正有在研3D DRAM技术 [1] 行业技术动态 - 3D DRAM作为新型存储技术正处于研发阶段 [1]

嗯 这是一份关于下一代DRAM技术的行业研究报告 需要仔细研读并提取关键信息 先快速浏览全文 发现这是一份由Yole Group发布的《Next-Generation DRAM 2025》报告 主要聚焦HBM和3D DRAM技术 报告内容非常详细 包含了市场预测、技术趋势、主要厂商动态等多个方面 需要系统性地整理这些信息 注意到报告中有大量的数据指标 特别是关于HBM市场的增长预测和DRAM技术路线图 这些都需要准确提取 报告还提到了中国在DRAM领域的发展情况 包括CXMT的技术进展和美国出口限制的影响 这也是一个重要方面 现在按照要求的结构来组织这些信息 确保引用正确的文档编号 行业分析：下一代DRAM技术（聚焦HBM和3D DRAM） 涉及的行业和公司 **行业** * DRAM存储器行业 特别是高性能计算和人工智能应用领域[2][13] * 半导体制造和先进封装行业[16][17] **涉及的公司** * DRAM制造商：三星 SK海力士 美光 南亚科 华邦电 力积电 长鑫存储(CXMT)[44][87][150] * GPU和AI芯片厂商：英伟达 AMD 英特尔 谷歌 亚马逊 华为 阿里巴巴[44][80] * 设备和材料供应商：应用材料 泛林集团 东京电子 ASML KLA[44][92] * 中国相关企业：长鑫存储 华为 长江存储 中芯国际 长电科技等[44][90][131] 核心观点和论据 **HBM市场爆发式增长** * HBM市场受AI和HPC驱动呈现指数级增长 2023年HBM比特出货量同比增长187% 2024年增长193%[52] * HBM收入预计从2024年170亿美元增长到2030年980亿美元 CAGR24-30为33%[52][85] * HBM在DRAM市场中的收入份额将从2024年18%增长到2030年50%[52] * 三大DRAM厂商的HBM产能已全部排期到2025年 供应紧张[52] **技术发展趋势** * HBM技术路线：HBM3E(2024)→HBM4(2026)→HBM4E(2027-2028)→HBM5(2029)[78][79] * 堆叠高度从8Hi/12Hi向16Hi/20Hi发展 HBM4最大容量48GB HBM5将超过20Hi[78][79] * 键合技术从TCB/MR-MUF向混合键合过渡 预计HBM5(2029)开始采用晶圆到晶圆混合键合[125][126] **厂商竞争格局** * SK海力士领先市场 已开始生产12Hi HBM3E并送样HBM4 2024年Q4营业利润56亿美元首次超越三星[53] * 三星在HBM3E遇到良率和散热问题 正在改进设计 组建了专门的HBM团队[53] * 美光跳过HBM3 直接进入HBM3E 目前产能较小但快速扩张 目标2025年底达到6万片/月[53] **中国DRAM产业发展** * 中国消费全球25%以上的DRAM产品 但自给率低于15%[131] * 长鑫存储跳过G2节点 直接量产G3(约185nm)技术 2024年DDR4出货量大幅增加[47][131] * 中国企业积极投资HBM技术 华为组建联盟 CXMT投资24亿美元建设先进封装厂[90][131] * 中国技术落后领先厂商约6年 但通过政府支持和国内市场 有望在未来几年获得市场立足点[131] **3D DRAM技术演进** * 2D DRAM缩放预计持续到0c/0d节点(2033-2034) 之后向3D架构过渡[129][132] * CBA(CMOS键合阵列)技术预计从0a节点(约2029年)开始采用 可实现30%的比特密度提升[20][117] * 所有主要DRAM厂商都在探索3D DRAM技术路径 包括1T-1C水平和2T-0C无电容器方案[25][132] * 3D DRAM将减少对EUV光刻的依赖 需要更多的沉积和刻蚀设备 对中国厂商有利[132] 其他重要内容 **市场数据预测** * 2024年DRAM市场总收入970亿美元 同比增长87%[59][139] * DRAM比特出货量从2024年254Eb增长到2030年651Eb[63][161] * HBM晶圆产量从2024年216K WPM增长到2030年590K WPM CAGR24-30为18%[85][177] * DRAM平均售价2024年038美元/Gb 2025年预计045美元/Gb[61][144] **EUV光刻在DRAM制造中的应用** * 三星最早在1z节点采用EUV光刻 SK海力士2021年跟进[114] * 美光采取成本优先策略 直到1γ节点才采用EUV光刻[114] * EUV层数预计从1z节点的1层增加到1c节点的6-7层[110] **地缘政治影响** * 美国对AI芯片和HBM实施出口限制 影响中国获取先进技术[130] * 中国企业转向国内替代方案 华为昇腾芯片性能约为英伟达H100的60%[130] * 美国2024年12月实施新的HBM出口管制 2025年可能进一步扩大限制范围[130] **制造技术挑战** * CBA DRAM的采用推迟约2年 主要厂商将在0d节点继续使用传统6F2技术[47][122] * 由于严格的间距和对准要求 CBA DRAM预计采用熔融键合而非混合键合[47][122] * 从2D向3D DRAM过渡将需要大量沉积(ALD PE-CVD)和刻蚀(HAR)设备投资[132]

HBM市场增长前景 - 全球HBM市场规模预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元 年复合增长率达33% [1] - HBM解决带宽瓶颈 功耗过高及容量限制问题 成为AI芯片主流选择 [1] - SK海力士2025年出货全球首批HBM4样品 三星计划2025年底实现HBM4量产 美光计划2026年推出HBM4 [1] 3DDRAM技术发展 - 3DDRAM通过垂直化架构突破传统制程极限 成为高密度DRAM长期解决方案 [2] - 三星开发垂直通道晶体管(VCT)DRAM SK海力士推进垂直栅极(VG)DRAM 均采用4F2核心技术架构 [2] - 3DDRAM工艺流程中图形化步骤精简 高难度蚀刻/沉积工序增加 产业价值从光刻设备向蚀刻 沉积环节迁移 [2] 键合技术市场机遇 - 3DDRAM增加晶圆对晶圆(W2W)键合需求 bonder市场规模预计从2025年1000亿日元增至2030年3000亿日元 [3] - HBM4(12层)和HBM4e(16层)可能2026年开始采用W2W键合 2028年HBM5(20层)起W2W或成主流 [1] 中国厂商发展机遇 - 中国大陆光刻资源受限 3DDRAM更倚重蚀刻 薄膜 键合等技术而非EUV 中国厂商或有望实现弯道超车 [4] - 长鑫采用横向堆叠方式简化垂直整合工艺 外围电路通过混合键合整合 整体思路与早期3D NAND类似 [4] - 2024年海力士展示5层堆叠3DDRAM原型产品良率达56.1% 美光拥有多项3DDRAM专利 [4] 定制化存储应用进展 - 定制化存储成为端侧AI优选方案 华邦CUBE具有高带宽 低功耗特性 首批导入国外穿戴类设备 [5] - 南亚科定制化存储目标2025年底完成验证 2026年导入量产 应用涵盖AI服务器 AIPC AI手机等 [5] - 兆易创新子公司青耘科技为AI手机 AIPC 汽车等领域提供定制化解决方案 客户拓展进展顺利 [6]

存储产品与技术进展 - 公司18纳米和16纳米工艺DDR4/LPDDR4产品已逐步推出，包括8G LPDDR4及16G/32G产品 [2][3] - 新产品将重点进入智能汽车市场（智能座舱/ADAS），替代原有25纳米节点产品 [2] - LPDDR5产品处于规划阶段，尚未送样 [6] - 开展3D DRAM研发以适配大模型对高带宽大容量存储的需求 [7] 产品结构与市场规划 - 当前DDR3占存储收入近50%，DDR4/LPDDR4将成为未来出货主力 [3] - 车规级DRAM市场规模约20多亿美元，其中高可靠性领域（含汽车）占利基DRAM100亿美元市场的约50% [4][5] - 新产品通过全球销售渠道向客户送样推广，与Tier1厂商及主控芯片商（高通/NXP/瑞芯微）合作 [2][5] 财务表现与预测 - 存储产品毛利率长期维持在30%左右，16纳米产品虽不直接提升毛利率但可增强性价比带动销量增长 [3] - 2023年Q3消费电子环比增长30%，但2024年季节性规律不明显 [3] - 2025年Q1-Q2汽车市场持续复苏，收入环比增长但欧洲市场同比下滑 [4] 计算与AI业务布局 - 计算业务分为安防监控（摄像头芯片）和嵌入式MPU（打印机/扫地机）两条产品线 [6] - 2025年将推出算力从1T提升至4T的摄像头芯片，进军中高端市场 [7] - 启动AI MCU研发，布局边缘侧算力需求（16T及以上） [7] 汽车市场机遇 - 智能座舱配置需求达8G/16G/32G LPDDR4，自动驾驶推动DDR4需求增长 [5] - 车规产品导入无切换成本障碍，核心竞争优势包括高可靠性、技术支持及长期供货能力 [5]