芯片制造技术进展 - 中国北京大学展示FlipFET设计 实现与CFET类似PPA而无需单片或顺序集成难题 [2] - FlipFET工艺在晶圆正面形成FinFET NMOS 背面形成FinFET PMOS 两者性能良好 [8] - FlipFET关键工艺步骤包括晶圆翻转和背面晶体管形成 共8个主要步骤 [11] - FlipFET优势在于自对准晶体管堆叠 无需高纵横比工艺 但面临成本和良率挑战 [12] - 中国实验室进一步创新FlipFET设计 包括自对准栅极和4堆叠晶体管方案 [13] DRAM技术发展 - DRAM面临4F2和3D两个拐点 6F2架构只能扩展到1D节点 [16] - 4F2单元尺寸为6F2三分之二 理论上密度可提高30% [23] - 4F2关键推动因素是垂直沟道晶体管 但制造难度更高 [24] - 4F2架构面临高纵横比蚀刻和沉积挑战 需EUV图案化 [31] - 3D DRAM同步开发中 中国芯片制造商可能成为该领域颠覆者 [36] 台积电技术创新 - 台积电研发BEOL金属层内eDRAM阵列 释放前端晶体管和底层金属层 [38] - 台积电4Mbit宏位密度63.7 Mb/mm² 未来几代技术潜力巨大 [41] - 台积电展示CVD生长二维材料NSFET 采用新颖"c形"接触方案降低电阻 [50][52] - 台积电广泛讨论forksheet架构 可能预示未来技术路线 [59] 二维材料应用 - 二维材料预计将在10A节点(约2030年)成为必要 聚焦TMD单层材料 [47] - 台积电展示NMOS器件 英特尔展示PMOS和NMOS器件 并在300mm晶圆试产 [52] - 二维材料生长是工业化关键障碍 目前主要采用CVD直接生长方案 [50] - 英特尔改进二维晶体管接触工艺 但仍依赖材料转移而非生长 [55] 先进晶体管架构 - Forksheet是GAA演进 通过介电壁使NMOS和PMOS更紧密连接 [56] - Forksheet面临制造挑战 需开发能承受工艺处理的超低k材料 [58] - CFET预计2030年左右推出 台积电/英特尔/三星/IMEC方案趋同 [63][64] - 英特尔展示CFET+背面供电集成方案 解决供电难题 [67] 英特尔18A工艺 - 英特尔18A工艺SRAM尺寸比Intel 3缩小30% [72] - 结合GAA晶体管和PowerVia背面供电 形成新金属堆叠架构 [74] - 在1.1V下时钟速度提高25% 0.75V下性能提高18%功耗降40% [74] - 预计2025年下半年量产 密度略低于台积电N3P [78] 数字孪生技术 - 数字孪生涵盖原子级到晶圆厂级模拟 加速设计优化 [79][80] - 新思科技QuantumATK套件用于原子级材料工程模拟 [82] - Lam Research SEMulator3D软件用于虚拟晶圆制造优化 [87] - 目标实现"无人值守"晶圆厂 设备需具备预测性维护能力 [89][92]

中国存储半导体产业发展 - 2018年7月合肥长鑫首条12寸DRAM晶圆产线投片，标志中国大陆存储半导体进入新时代 [1] - 长鑫科技启动A股上市进程，长江存储新芯股份递交科创板IPO材料，行业进入资本市场新阶段 [3] - 中国存储企业从产业政策扶持转向独立市场竞争，迎来"成年礼" [3][17] 市场格局变化 - 全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光垄断，中国份额曾接近零 [3] - 长鑫DRAM产能从2023年162万片增至2024年273万片，增幅68%，接近SK海力士规模 [4] - 中国企业通过激进定价策略已对传统巨头财务业绩产生实质性影响 [4] 技术突破与竞争策略 - 采用"农村包围城市"路径，从中低端市场切入并快速扩产 [10] - 在HBM高带宽内存和3D DRAM等前沿技术加速布局 [10][14] - 打破传统"三足鼎立"格局，推动全球市场向多强竞争转变 [14] 资本运作与产业协同 - 兆易创新向长鑫科技增资15亿元，参与其108亿元融资，估值达1400亿元 [8][9] - 清华校友网络形成的产业协同模式成为重要发展范式 [6][7] - 兆易创新与长鑫建立从研发到生产的全产业链闭环合作 [7] 产能与市场影响 - 长鑫存储已在DRAM市场站稳脚跟，长江存储在NAND领域同步扩张 [4] - 中国存储企业改变全球DDR4/DDR5市场定价权平衡 [5] - 打破"失火-涨价"行业潜规则，为全球消费者创造正外部性 [14] 未来发展前景 - 人工智能、云计算、5G等新兴领域带来高端存储需求增长机遇 [14] - 上市进程将推动企业接受更严格市场检验，建立可持续商业模式 [17] - 中国企业从技术追赶者向并跑者甚至领跑者转变 [18]

报告行业投资评级 - 维持买入评级，目标价从140.20元上调至149.50元 [2][5] 报告的核心观点 - 看好长鑫存储供应结构调整下兆易创新特种DRAM的供需动态，预计其2025-26年DRAM收入分别增长22%和28% [3] - 认为兆易创新3D DRAM业务进展顺利，有望在2025年下半年开始产生收入 [4] - 引入2027年营收和净利润预测，分别为146.11亿元和2.659亿元 [31] 根据相关目录分别进行总结 公司表现 - 过去两个月兆易创新股价上涨11%，同期沪深300指数上涨3% [2] - 预计2024-27年净利润复合年增长率为34%，低于2018-22年50%的历史平均水平 [5] DDR4市场情况 - 三星、SK海力士、美光等DDR4主要供应商发出产品停产通知，预计2025-27年将为其他供应商分别腾出120亿、450亿和460亿元的市场空间 [3] - 由于当前产能短期内无法填补缺口，急单可能进一步推高DDR4产品价格 [3] 业务发展 - 预计兆易创新2025年特种DRAM平均销售价格将从10%提高到35%，并将继续扩大4Gb/8Gb DDR4产能 [3] - 3D DRAM业务与智能手机和AIPC客户进展顺利，预计2025年下半年开始产生收入 [4] 财务预测调整 - 下调2025-26年每股收益预测2%和1%，主要考虑NOR闪存和MCU毛利率低于预期 [2][31] - 上调2025-26年营收预测3%和6%，主要因DRAM收入增加和子公司贡献 [33] - 下调2025-26年毛利率预测2.3和1.6个百分点，主要因NOR闪存价格反弹幅度低于预期和MCU定价压力 [33] 估值与目标价 - 采用市盈率倍数估值，目标市盈率倍数为52.3倍，基于12个月远期每股收益预测2.86元，目标价上调至149.50元 [5]

报告行业投资评级 - 看好（维持） [5] 报告的核心观点 - AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔存储需求回暖，5月DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度AI已成为存储需求增长的关键动力，全球AI驱动存储市场预计将从2024年的287亿美元激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达24.4%中国存储产业链有望受益于AI自主可控政策双重驱动，国产化前景广阔 [8] - DRAM利基市场格局重塑中，3D DRAM走向产业利基DRAM领域供需不平衡下价格持续高企，Tier2厂商有望快速提升市场份额和盈利能力3D DRAM产业化进程加速，定制化存储市场规模有望随端侧AI渗透率提升快速成长 [8] - FlashAI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速AI技术发展促使Flash市场容量和总需求显著上升，企业级市场尤为突出国内存储模组厂市场份额有望提升，NOR Flash市场有望保持增长 [8] 根据相关目录分别进行总结 1. AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔 1.1 存储需求回暖，价格上涨趋势持续 - 5月存储器半导体DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨NAND Flash方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑；DRAM方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4系列有望大幅上涨 [8][11] 1.2 AI浪潮已成为存储市场增长的强劲动力 - 全球DRAM市场规模及HBM规模预计保持增长，AI芯片相关产品迭代促使HBM单机搭载容量扩大，推动HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上 [19] - MRDIMM新型内存模组有望缓解AI时代“内存墙”问题，随着技术成熟，预计更多服务器CPU将支持MRDIMM，推动终端市场对其的需求增长 [20] - CXL技术凭借其内存池化、缓存一致性和低延迟特性，有望成为重构算力基础设施的关键，市场规模有望快速增长 [21] - AI技术发展带来更多数据创建和存储需求，对存储系统提出更高要求大容量、高性能的AI存储系统能够显著节省训练所需的时间，并确保AI集群计算能力的高可用性 [22] - 分布式存储技术通过将数据分散到多个节点上存储，提高了系统的可扩展性和容错性，为AI应用的训练和推理过程提供有力支持 [23] - 边缘侧计算能力增长需存储能力同步提升，业界预测边缘存储的增长速度是核心存储的2倍 [26] - 高阶智能驾驶时代，数据闭环是核心要素，存储系统需要具备灵活的数据管理能力和高可靠性 [27] - 全球AI驱动存储市场预计保持高速增长，越来越多企业正在积极寻求更智能、更灵活的数据管理解决方案 [28] 1.3 存储行业国产化前景广阔 - 国内存储晶圆厂商在技术进步和产能扩张方面持续展现出强劲的发展势头，国内半导体存储企业在核心技术领域不断加强自主研发，持续提升半导体存储产业的综合竞争力 [30] - 目前存储芯片国产化率较低，国产化前景广阔国产存储产业前景广大，国内上市公司主要覆盖利基DRAM芯片，NOR Flash芯片、小容量NAND Flash芯片和EEPROM芯片领域，与存储原厂形成差异化格局 [30][32] - 国内上市公司已实现嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存条等产品线的广泛覆盖，并在主控芯片领域有所延伸 [33] 2. DRAM：利基市场格局重塑中，3D DRAM走向产业 2.1 利基DRAM：原厂计划逐步停产，供需平衡重建机会多 - 头部厂商明确2025年逐步停产DDR4，原厂退出导致供应收缩，而DDR4/4x及LPDDR4/4x市场需求仍然可观 [43] - 回顾DDR3的迭代过程，DRAM代际更迭的完整周期或在15年以上，新一代DRAM产品推出后上一代产品行情仍可与主流存储市场景气度保持较长时间相关 [47][48] - DDR4和LPDDR4利基市场有望一段时间内持续处于行情优于主流存储市场的“倒挂”，兆易创新等全球Tier2供应商有望深度受益 [50] 2.2 堆叠DRAM：各大原厂持续迭代HBM，3D DRAM走向产业 - 高带宽堆叠DRAM能够更好满足AI计算的需求，市场对其需求正在大幅上升，预计2024 - 2029年将保持超过25.2%的复合年增长率 [51] - HBM和堆叠晶圆是实现高带宽堆叠DRAM的两条技术路径，HBM已成为数据中心新一代内存解决方案，预计HBM4 2026年量产 [52][55] - HBM市场高度集中，海力士具有领先优势，HBM迭代依赖制程和封装技术的升级 [57] - 多家存储设计公司已投入3D DRAM技术研发和应用中，定制化存储受关注，兆易创新、北京君正等存储IC公司也已开展3D DRAM相关产品开发工作 [60][67] 3. Flash：AI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速 3.1 NAND：数据中心和服务器需求驱动企业级SSD市场增长 - 24Q4到25Q1，受库存压力和终端需求疲软影响，NAND Flash整体产业营收连续两个季度环比下滑，预计二季度有望反弹 [68] - 二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑，AI投资持续强劲，带动NAND需求增长和技术迭代 [70] - 云端服务业者持续加强AI投资，中国企业级SSD市场有望快速增长，国内存储模组厂市场份额有望快速提升 [71][72][77] 3.2 NOR：端侧AI带动NOR Flash扩容和总需求增长 - 受益于物联网、汽车电子、5G等新兴领域的发展和端侧AI的拉动，NOR Flash市场有望保持增长 [78] - 端侧AI的发展有望进一步加速NOR Flash容量和总需求量的提升 [81] - NOR Flash市场为寡头垄断格局，国内企业逐步形成竞争优势 [82] 投资建议 - 存储需求回暖，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，建议关注存储产业链存储IC设计、存储互联和控制等芯片、存储模组、封测、系统级解决方案等相关公司 [3][83]

3D DRAM技术开发进展 - 三星电子和SK海力士加速开发下一代3D DRAM，计划年底前完成垂直结构"4F² DRAM"早期原型测试[1] - 4F²架构采用垂直堆叠方法，相比传统6F²平面架构减少两条线(位线和字线各减一条)，晶体管垂直放置以提升密度[1] - 该设计预计提升性能、数据传输速率和能效，被定位为向成熟3D DRAM过渡的技术[1] 技术路线差异 - 三星和SK海力士采取渐进路线，先验证4F² DRAM商业可行性再进军3D DRAM领域[2] - 美光科技选择跳过4F²阶段直接开发3D DRAM，形成技术路线差异[2] 行业转型背景 - 平面DRAM微缩面临技术瓶颈，10纳米以下工艺导致复杂度与成本激增[5] - 目前最先进为第六代(1c)DRAM，三星第七代(1d)后拟推出4F²，SK海力士可能在下一代产品采用[5] - 垂直结构DRAM有望三年内量产，性能预计比现有型号提升近50%[5] 产业链协同准备 - 芯片制造商正与设备商(如应用材料公司)合作开发4F²专用制造工艺[6] - 需同步建立可扩展的制造基础设施，涉及工艺、材料、设备全面升级[6] - 学术界认为垂直架构是突破平面DRAM物理极限的唯一可行路径[6]

纪要涉及的公司 兆易创新 纪要提到的核心观点和论据 - **市场地位**：兆易创新是中国A股半导体行业龙头企业之一，存储芯片领域NOR Flash市场占有率高，MCU业务国内领先，积极布局大容量存储产品并与多家企业合作[4] - **发展历程**：2005年成立专注存储芯片，2008年推出国内首颗BSI NOR Flash产品，2013年推出中国首颗ARM Cortex - M内核32位通用型MCU，2016年上市，依托合肥长鑫在DRAM领域进展迅速，成中国大陆市场DRAM布局最广、制程水平最高公司[5] - **财务表现**：上市后收入和利润持续稳步增长，2021 - 2022年业绩显著提升，2023年受行业下行周期影响需求下滑，2024年业绩回升，2025年第一季度表现出色[6] - **主营业务结构**：主要业务为存储芯片、MCU和传感器，存储芯片贡献收入最多，包括NOR Flash、NAND Flash、DRAM业务；MCU业务收入占比稳定；传感器业务每年贡献稳定收入；新布局模拟芯片业务[7] - **研发投入**：过去几年持续增加研发投入，支持老产品迭代升级及新产品研发，带来需求增长和利润率回暖[8][9] - **存储芯片业务** - **NOR Flash**：应用于AI端侧可穿戴设备，2024年市占率超旺宏电子，成全球第二大供应商[11] - **NAND Flash**：持续布局大容量产品，与中芯国际合作确保产能和工艺支持[11] - **DRAM**：2023年自研利基型产品，因海外大厂退出利基型市场，2024年第三季度后供需反转价格上涨公司受益；布局定制化3D DRAM业务，预计2025 - 2026年有显著业绩表现和应用突破[11][12] - **MCU业务**：传统主营业务，全球市场竞争激烈分散，国产替代趋势下中低端消费级领域份额提升，公司向高端市场拓展，包括车规级和机器人领域，优化竞争格局并缓解价格压力，产品在智能机器人领域广泛应用[13] - **模拟芯片业务**：通过内生外延策略布局，拥有六条产品线，未来将倾斜更多资源，使其成业绩重要组成部分[14] - **未来预期** - **收入利润**：预计2025 - 2027年收入分别为93亿、115亿和135亿元，未来三年利润保持约30%增长[2][16] - **业绩增长因素**：短期内DDR4产品供不应求价格上涨、合作的3D DRAM产品发布推动业绩增长；中长期3D DRAM应用突破、模拟芯片资源倾斜、MCU在高端汽车机器人占比提升、NOR Flash稳定发展推动增长[17][18] 其他重要但是可能被忽略的内容 存储行业分为非易失性存储（NOR Flash、NAND Flash等）和易失性存储（DRAM等）两大类，兆易创新在这些领域技术突破和产能扩展，取得领先地位[10]

SK海力士下一代DRAM技术路线图 核心观点 - SK海力士在IEEE VLSI Symposium 2025上发布未来30年DRAM技术路线图，重点突破传统微缩工艺瓶颈，推进4F平方VG平台和3D DRAM技术 [1] - 公司计划通过结构、材料与元件创新实现高密度、高速、低功耗DRAM，并解决3D DRAM成本问题以巩固竞争力 [2] - 技术路线图旨在为年轻工程师提供中长期研发方向，并与产业合作推动DRAM持续演进 [3] 技术细节 4F平方VG平台 - 采用垂直栅极结构（VG），单元面积从传统6F（2F×3F）缩小至4F（2F×2F），提升集成密度 [2] - 垂直栅极设计使通道环绕栅极四周，区别于传统平面结构，优化性能与功耗 [2] 3D DRAM技术 - 通过垂直堆叠存储单元突破平面结构限制，尽管堆叠层数增加可能推高成本，但公司计划以技术创新控制成本 [2] 行业背景与公司战略 - IEEE VLSI Symposium是全球半导体领域顶级学术会议，展示AI芯片、存储器等前沿成果 [1] - 公司对比2010年行业对DRAM技术停滞于20纳米的预测，强调持续创新是突破技术极限的关键 [3] - 未来技术研究院院长车善镕提出"为可持续未来推动DRAM创新"的研发理念 [1] 后续动态 - 公司副总裁朴柱东将在大会闭幕日公开VG结构与晶圆键合技术的DRAM电性验证成果 [3]

公司基本信息 - 投资者关系活动类别为特定对象调研 [2] - 参与单位有西部证券、摩根大通、平安证券 [2] - 活动时间为 2025 年 6 月 5 日，方式是现场交流会 [2] - 上市公司接待人员为董事会秘书张敏 [2] 存储芯片情况 产品结构 - 市场分类上，汽车占比 40%多，工业医疗占比 30%多，其他占比 20%左右 [2] - 产品分类上，DRAM 占比一半左右 [2] 代工厂 - 目前在力积电，更高工艺会在其他家 [2] 3D DRAM - 还在研发中，进展基本符合预期 [2] - 因可满足个性化需求，能提供更好带宽和功耗支持，不少客户感兴趣，但市场总体在探索阶段，今年无量产产品 [2] 产品线占比 - 2024 年存储芯片收入占比 61.47% [3] DDR4 及相关 - DDR4、LPDDR4 占比不大，25nm 工艺成本高影响销售，20nm、18nm、16nm 工艺 DRAM 产品预计今年陆续推向市场后，其占比会提升 [3] 汽车领域应用 - 可用于车身、仪表盘、座舱、域控等 [3] 计算芯片情况 市场产品分类占比 - 主要是消费市场，消费类安防市场收入占比约 80%，其他包含生物识别、二维码设备等各类智能硬件市场 [3] 产品线占比 - 2024 年计算芯片收入占比 25.88% [3] 模拟与互联芯片情况 产品线占比 - 2024 年模拟与互联芯片收入占比 11.19% [3] 毛利率 - 今年一季度将近 50%，相对稳定，未来因市场竞争可能有一定波动但幅度不大 [3] 其他情况 并购计划 - 目前没有合适项目 [3] SRAM 市场 - 全球市场不具成长性，公司的 SRAM 相对稳定 [3] EDA 限制影响 - 目前还不好确定 [3] 研发情况 - 三个产品有不同研发团队，根据需求规划人员和研发计划，近年来研发人员每年略有增长 [3] 芯片价格调整 - 计算芯片消费市场竞争激烈，价格波动大 [3][4] - 存储芯片行业市场价格相对稳定 [4] - 模拟芯片因 TI、英飞凌等价格策略激进，且有国内友商，市场竞争激烈，可能需适当调整价格获取市场 [4]

宏观 - 全球货币体系重构源于国际信任基础变化 去美元化进程缓慢但持续 黄金长期牛市具备历史性支撑 [3] - 美国经济纠偏能力仍存 但中短期需关注美元信用下降风险 美债利率与通胀预期存上行压力 日元欧元或升值 [3] - 中国2025年5%增长目标需政策加码 预计下半年财政边际发力 7月后或全面降息 [3] - 美国减税法案隐含三大风险：美债供给压力(融资风险) 收入分配失衡(经济风险) 国际税收冲突(信任风险) [6] 资产策略 - 贸易摩擦缓和期资产价格规律：股市汇率敏感度高 债市影响弱 黄金配置价值随摩擦持续上升 [7] - 转债市场或迎供需错配牛市 需求端受低利率环境驱动 供给端受科创债挤出效应压制 高价品种配置时机临近 [9] - 债市短期票息策略占优 Q3可布局久期 关注科创债/REITs等新资产及债基ETF轮动机会 [12][13] - 指数调样套利策略历史表现显著 2019年来单次调样多空收益达23 89% 年度超额收益33 47% [15] 行业 - 快递行业价格竞争加剧 2025年1-4月单票收入同比降8 3% 但监管约束下仍属良性竞争 龙头份额集中趋势明确 [18] - 3D DRAM技术或成端侧AI下一代趋势 海外大厂布局NPU协处理器+3D架构组合方案 [20] - 纺织服装行业运动赛道与家纺板块具结构性机会 电商流量向头部品牌倾斜加速分化 [22][23] - 黄酒行业龙头推动高端化改革 24年收入/净利同比+10 0%/27 7% 气泡黄酒等新品瞄准年轻消费群体 [25] - 券商自营转型聚焦固收交易能力与跨境配置 财富管理业务受益公募基金差异化发展政策 [27] - AI ASIC芯片需求多元化驱动增长 博通/Marvell等全球龙头已实现业绩放量 国内厂商依托本土化优势崛起 [29][30] 市场动态 - IPO市场改革深化 2025年新规推动中长期资金入市 中性预测5亿规模A类账户打新增厚收益2 23% [16][17] - 智能眼镜产业链迎催化 豆包视觉通话模型落地或加速AR设备普及 [32]

固收转债市场 - 2024年6-8月转债市场信用冲击主因是权益市场持续下跌而非评级下调，64只转债被下调评级（6月达40只），远超2022年（25只）和2023年（26只）同期 [1] - 信用冲击深层原因包括：权益市场退市规则趋严、转债平价低位（2022-2024年持续下跌）、信用风险暴露、回售/到期压力集中导致定价锚失效 [1] - 评级下调常见原因：行业景气度恶化、连续亏损或利润大幅下滑（商誉/存货减值）、偿债指标弱化（高负债率）、负面事件（实控人风险等） [2] - 2025年信用冲击难再现：正股退市风险可控、平价支撑力增强、到期转债偿债压力有限、投资者认知改善 [3] 交运行业 **航空** - 2025年4月航空客流量同比增9%（较2019年增15%），扣油票价同比上升叠加航油成本降17%，Q2盈利改善可期 [5] - 行业进入供给低增阶段，需求超预期恢复，油价下行与票价修复驱动长期逻辑 [5][7] **油运** - OPEC+加速增产（5-6月超计划，7月或延续），中东-中国VLCC TCE淡季中枢仍超4万美元，需求增长确定性提升 [5][6] - 原油增产强化未来两年油运供需向好趋势，具备油价下跌期权 [6][7] **高速公路** - 2025Q1公路人员流动量同比增3.9%，货运量增5.4%，LPR下调与债务优化推动业绩稳健增长 [6] - 收费公路管理条例修订列入2025年立法计划，政策优化或降低再投资风险并提升长期回报 [6][7] 军工行业 - 歼-10CE性价比突出（单价约2亿美元vs西方同级机型），实战表现优异且受国际市场关注 [10] - 美国拟投入1750亿美元建设"金穹"反导系统，大国博弈加剧推动军工长期向好，十四五期间装备补短板加速 [10][11] - 首艘弹射型航母加紧海试，海军主战装备迭代提速 [9] 东南亚国别研究 - 越南、马来西亚对美"抢出口"显著，消费领域表现稳健但投资放缓 [13] - 半导体产业政策加码：越南、马来西亚重点支持，泰国聚焦中小企业与外资吸引 [13] - 股市表现分化：越南、印尼修复较好，马来西亚、泰国仍下跌 [13] - 外交动态：越南与美国展开第二轮贸易谈判，印尼与中国拓宽本币结算合作 [14]