嗯 这是一份关于下一代DRAM技术的行业研究报告 需要仔细研读并提取关键信息 先快速浏览全文 发现这是一份由Yole Group发布的《Next-Generation DRAM 2025》报告 主要聚焦HBM和3D DRAM技术 报告内容非常详细 包含了市场预测、技术趋势、主要厂商动态等多个方面 需要系统性地整理这些信息 注意到报告中有大量的数据指标 特别是关于HBM市场的增长预测和DRAM技术路线图 这些都需要准确提取 报告还提到了中国在DRAM领域的发展情况 包括CXMT的技术进展和美国出口限制的影响 这也是一个重要方面 现在按照要求的结构来组织这些信息 确保引用正确的文档编号 行业分析：下一代DRAM技术（聚焦HBM和3D DRAM） 涉及的行业和公司 **行业** * DRAM存储器行业 特别是高性能计算和人工智能应用领域[2][13] * 半导体制造和先进封装行业[16][17] **涉及的公司** * DRAM制造商：三星 SK海力士 美光 南亚科 华邦电 力积电 长鑫存储(CXMT)[44][87][150] * GPU和AI芯片厂商：英伟达 AMD 英特尔 谷歌 亚马逊 华为 阿里巴巴[44][80] * 设备和材料供应商：应用材料 泛林集团 东京电子 ASML KLA[44][92] * 中国相关企业：长鑫存储 华为 长江存储 中芯国际 长电科技等[44][90][131] 核心观点和论据 **HBM市场爆发式增长** * HBM市场受AI和HPC驱动呈现指数级增长 2023年HBM比特出货量同比增长187% 2024年增长193%[52] * HBM收入预计从2024年170亿美元增长到2030年980亿美元 CAGR24-30为33%[52][85] * HBM在DRAM市场中的收入份额将从2024年18%增长到2030年50%[52] * 三大DRAM厂商的HBM产能已全部排期到2025年 供应紧张[52] **技术发展趋势** * HBM技术路线：HBM3E(2024)→HBM4(2026)→HBM4E(2027-2028)→HBM5(2029)[78][79] * 堆叠高度从8Hi/12Hi向16Hi/20Hi发展 HBM4最大容量48GB HBM5将超过20Hi[78][79] * 键合技术从TCB/MR-MUF向混合键合过渡 预计HBM5(2029)开始采用晶圆到晶圆混合键合[125][126] **厂商竞争格局** * SK海力士领先市场 已开始生产12Hi HBM3E并送样HBM4 2024年Q4营业利润56亿美元首次超越三星[53] * 三星在HBM3E遇到良率和散热问题 正在改进设计 组建了专门的HBM团队[53] * 美光跳过HBM3 直接进入HBM3E 目前产能较小但快速扩张 目标2025年底达到6万片/月[53] **中国DRAM产业发展** * 中国消费全球25%以上的DRAM产品 但自给率低于15%[131] * 长鑫存储跳过G2节点 直接量产G3(约185nm)技术 2024年DDR4出货量大幅增加[47][131] * 中国企业积极投资HBM技术 华为组建联盟 CXMT投资24亿美元建设先进封装厂[90][131] * 中国技术落后领先厂商约6年 但通过政府支持和国内市场 有望在未来几年获得市场立足点[131] **3D DRAM技术演进** * 2D DRAM缩放预计持续到0c/0d节点(2033-2034) 之后向3D架构过渡[129][132] * CBA(CMOS键合阵列)技术预计从0a节点(约2029年)开始采用 可实现30%的比特密度提升[20][117] * 所有主要DRAM厂商都在探索3D DRAM技术路径 包括1T-1C水平和2T-0C无电容器方案[25][132] * 3D DRAM将减少对EUV光刻的依赖 需要更多的沉积和刻蚀设备 对中国厂商有利[132] 其他重要内容 **市场数据预测** * 2024年DRAM市场总收入970亿美元 同比增长87%[59][139] * DRAM比特出货量从2024年254Eb增长到2030年651Eb[63][161] * HBM晶圆产量从2024年216K WPM增长到2030年590K WPM CAGR24-30为18%[85][177] * DRAM平均售价2024年038美元/Gb 2025年预计045美元/Gb[61][144] **EUV光刻在DRAM制造中的应用** * 三星最早在1z节点采用EUV光刻 SK海力士2021年跟进[114] * 美光采取成本优先策略 直到1γ节点才采用EUV光刻[114] * EUV层数预计从1z节点的1层增加到1c节点的6-7层[110] **地缘政治影响** * 美国对AI芯片和HBM实施出口限制 影响中国获取先进技术[130] * 中国企业转向国内替代方案 华为昇腾芯片性能约为英伟达H100的60%[130] * 美国2024年12月实施新的HBM出口管制 2025年可能进一步扩大限制范围[130] **制造技术挑战** * CBA DRAM的采用推迟约2年 主要厂商将在0d节点继续使用传统6F2技术[47][122] * 由于严格的间距和对准要求 CBA DRAM预计采用熔融键合而非混合键合[47][122] * 从2D向3D DRAM过渡将需要大量沉积(ALD PE-CVD)和刻蚀(HAR)设备投资[132]

HBM市场增长前景 - 全球HBM市场规模预计从2024年170亿美元增长至2030年980亿美元 年复合增长率达33% [1] - HBM解决带宽瓶颈 功耗过高及容量限制问题 成为AI芯片主流选择 [1] - SK海力士2025年出货全球首批HBM4样品 三星计划2025年底实现HBM4量产 美光计划2026年推出HBM4 [1] 3DDRAM技术发展 - 3DDRAM通过垂直化架构突破传统制程极限 成为高密度DRAM长期解决方案 [2] - 三星开发垂直通道晶体管(VCT)DRAM SK海力士推进垂直栅极(VG)DRAM 均采用4F2核心技术架构 [2] - 3DDRAM工艺流程中图形化步骤精简 高难度蚀刻/沉积工序增加 产业价值从光刻设备向蚀刻 沉积环节迁移 [2] 键合技术市场机遇 - 3DDRAM增加晶圆对晶圆(W2W)键合需求 bonder市场规模预计从2025年1000亿日元增至2030年3000亿日元 [3] - HBM4(12层)和HBM4e(16层)可能2026年开始采用W2W键合 2028年HBM5(20层)起W2W或成主流 [1] 中国厂商发展机遇 - 中国大陆光刻资源受限 3DDRAM更倚重蚀刻 薄膜 键合等技术而非EUV 中国厂商或有望实现弯道超车 [4] - 长鑫采用横向堆叠方式简化垂直整合工艺 外围电路通过混合键合整合 整体思路与早期3D NAND类似 [4] - 2024年海力士展示5层堆叠3DDRAM原型产品良率达56.1% 美光拥有多项3DDRAM专利 [4] 定制化存储应用进展 - 定制化存储成为端侧AI优选方案 华邦CUBE具有高带宽 低功耗特性 首批导入国外穿戴类设备 [5] - 南亚科定制化存储目标2025年底完成验证 2026年导入量产 应用涵盖AI服务器 AIPC AI手机等 [5] - 兆易创新子公司青耘科技为AI手机 AIPC 汽车等领域提供定制化解决方案 客户拓展进展顺利 [6]

存储产品与技术进展 - 公司18纳米和16纳米工艺DDR4/LPDDR4产品已逐步推出，包括8G LPDDR4及16G/32G产品 [2][3] - 新产品将重点进入智能汽车市场（智能座舱/ADAS），替代原有25纳米节点产品 [2] - LPDDR5产品处于规划阶段，尚未送样 [6] - 开展3D DRAM研发以适配大模型对高带宽大容量存储的需求 [7] 产品结构与市场规划 - 当前DDR3占存储收入近50%，DDR4/LPDDR4将成为未来出货主力 [3] - 车规级DRAM市场规模约20多亿美元，其中高可靠性领域（含汽车）占利基DRAM100亿美元市场的约50% [4][5] - 新产品通过全球销售渠道向客户送样推广，与Tier1厂商及主控芯片商（高通/NXP/瑞芯微）合作 [2][5] 财务表现与预测 - 存储产品毛利率长期维持在30%左右，16纳米产品虽不直接提升毛利率但可增强性价比带动销量增长 [3] - 2023年Q3消费电子环比增长30%，但2024年季节性规律不明显 [3] - 2025年Q1-Q2汽车市场持续复苏，收入环比增长但欧洲市场同比下滑 [4] 计算与AI业务布局 - 计算业务分为安防监控（摄像头芯片）和嵌入式MPU（打印机/扫地机）两条产品线 [6] - 2025年将推出算力从1T提升至4T的摄像头芯片，进军中高端市场 [7] - 启动AI MCU研发，布局边缘侧算力需求（16T及以上） [7] 汽车市场机遇 - 智能座舱配置需求达8G/16G/32G LPDDR4，自动驾驶推动DDR4需求增长 [5] - 车规产品导入无切换成本障碍，核心竞争优势包括高可靠性、技术支持及长期供货能力 [5]

北京君正2025年上半年业绩及业务发展分析 公司及行业概述 * 北京君正专注于计算芯片、存储芯片和模拟互联芯片三大产品线 主要面向汽车、工业、通信、智能安防及消费电子等行业[2] * 存储芯片市场在经历下行周期后于2025年开始温和复苏 汽车智能化和AI应用推动高容量存储需求增长[2][12][22] 财务表现 * 2025年上半年总收入22.5亿元 同比增长6.75% 净利润2.03亿元 同比增长不足3%[4] * 计算芯片收入6.04亿元 同比增长15.6% 其中一季度同比增长12% 二季度同比增长18%[2][7] * 存储芯片收入13.8亿元 同比增长5.2% 毛利率33.48% 同比下降约2%[2][11][13] * 模拟互联芯片收入2.4亿元 同比增长5% 毛利率51.0% 保持在50%以上[2][17] 产品与技术进展 **计算芯片** * 智能视频产品占计算芯片收入80% 嵌入式SoC占20%[7] * 推出T42、C200等新产品 启动AI MCU研发 整合NPU IP增强竞争力[2][7] * 现有算力1T 2025年推出4T算力芯片进军中高端摄像头市场 规划16T-32T算力产品满足边缘侧需求[31][32] * 毛利率32.37% 与2024年的32.64%基本持平[10] **存储芯片** * DRAM产品是主要增长动力 占比50% 利基型市场容量超100亿美元[13] * 产品向18纳米和16纳米工艺升级 已送样DDR4/LPDDR4 预计2026年量产[3][12] * 研发3D DRAM技术 通过TSV和混合键合整合DRAM与逻辑芯片 配合AI及高算力客户需求[5][30] * 车载LPDDR4需求增长显著 推出8GB/16GB/32GB大容量产品[18][23] **模拟互联芯片** * 50%收入来自车规LED驱动芯片 产品线覆盖车内/外灯及智能灯[14] * 拓展工业级人机交互、办公设备、白色家电及消费级游戏设备 每年推出20-30款新产品[14][15] 市场与客户策略 * 存储芯片超80%收入来自汽车、工业、通信行业[11] * 在二维码扫描市场占有率超50% 逐步进入生物识别、扫地机器人、打印机等新兴市场[29] * 与Tier One供应商及主控芯片厂商（如高通、NXP、瑞芯微）合作 确保长期供货稳定性[24][25] * 海外拓展持续推进 预计成为未来重要增长动力[10] 战略布局与风险应对 * 推动港股上市支持全球化战略 实现境内外双轮驱动[2][6] * 持有约20亿美元库存缓冲应对供应压力[26] * 消费电子涨价未直接影响长期客户 但新客户参考市场价格[16] * 汽车市场复苏 2025年Q1和Q2环比增长 中国表现较好 欧洲同比仍下降[22] 未来展望 * 预计2026年下半年开始送样LPDDR5[3][27] * DDR4及后续技术将成为出货主力 占比显著提升（当前DDR3占50% DDR4/LPDDR4不足20%）[19] * 2025年是关键一年 行业复苏与新布局（如新工艺DRAM、3D DRAM、大算力芯片）将推动未来增长[33]

研究背景与突破 - 比利时微电子研究中心与根特大学在300毫米晶圆上成功堆叠120层硅和硅锗材料 实现三维DRAM制造的关键进展[2] - 通过交替生长硅和硅锗材料层 每层厚度为纳米级 层间存在晶格失配导致的原子间距差异[2] - 采用应变控制技术 通过调整硅锗层中锗含量并添加碳元素缓解应力 同时保持沉积过程温度均匀性[2] 技术工艺特点 - 使用先进外延沉积技术 通过硅烷和锗烷气体在晶圆表面分解形成精确纳米薄层[4] - 严格控制每层厚度 成分和均匀性 微小偏差会导致缺陷在整个堆叠结构中放大[4] - 成功构建120个双层结构 证明垂直扩展可行性 单位面积可容纳数千存储单元[4] 行业应用前景 - 该技术突破将推动3D DRAM发展 使存储芯片在相同占用空间内容纳更多存储单元[4] - 多层结构生长技术可应用于3D晶体管 堆叠逻辑器件及量子计算架构领域[6] - 与栅极环绕场效应晶体管和互补场效应晶体管技术开发形成协同效应 支持电子设备进一步小型化[6] 产业影响 - 三星已将3D DRAM列入发展规划并设立专门研发机构[6] - 该技术突破可能重塑芯片设计方式 实现更密集 更快速 更可靠的存储设备[6]

行情表现 - 中证芯片产业指数今日上涨1.43% 本周连续五天上涨 昨日盘中涨幅接近4% [2] - AI芯片涨幅最大 ASIC芯片头部公司涨幅可观 光刻机及光刻胶等国产替代重点领域公司涨幅较大 [2] 行业景气度 - 全球半导体6月销售额达599.1亿美元创历史新高 同比增长19.6% 环比增长1.5% [3] - 中国半导体6月销售额172.4亿美元创历史新高 同比增长13.1% 环比增长0.8% [3] - 7月集成电路出口金额178.88亿美元创历史新高 同比增长29.16% 出口数量318.4亿块创历史新高 同比增长16.63% [3] - 出口金额与进口金额比例达47.95% 行业第三季度有望保持高景气 [3] 国产化进程 - 芯片整体国产化率约20% 距70%目标仍有较大空间 [4] - 高端国产替代加速推进 包括先进制程/先进存储/先进封装/AI芯片/车规芯片等领域 [4] - 贸易战短期缓和不影响中长期自主可控战略 2018-2020年半导体行业上涨53.70% [4] 政策与产业催化 - "科八条"、"并购六条"及重组管理办法修订支持产业链并购整合 如北方华创收购芯源微案例 [10] - Q4华为Mate 80面世将推动SoC芯片迭代 利好先进制程产业链 [10] - 3D DRAM研发进展披露预期利好先进存储产业链 [10]

芯片制造技术进展 - 中国北京大学展示FlipFET设计 实现与CFET类似PPA而无需单片或顺序集成难题 [2] - FlipFET工艺在晶圆正面形成FinFET NMOS 背面形成FinFET PMOS 两者性能良好 [8] - FlipFET关键工艺步骤包括晶圆翻转和背面晶体管形成 共8个主要步骤 [11] - FlipFET优势在于自对准晶体管堆叠 无需高纵横比工艺 但面临成本和良率挑战 [12] - 中国实验室进一步创新FlipFET设计 包括自对准栅极和4堆叠晶体管方案 [13] DRAM技术发展 - DRAM面临4F2和3D两个拐点 6F2架构只能扩展到1D节点 [16] - 4F2单元尺寸为6F2三分之二 理论上密度可提高30% [23] - 4F2关键推动因素是垂直沟道晶体管 但制造难度更高 [24] - 4F2架构面临高纵横比蚀刻和沉积挑战 需EUV图案化 [31] - 3D DRAM同步开发中 中国芯片制造商可能成为该领域颠覆者 [36] 台积电技术创新 - 台积电研发BEOL金属层内eDRAM阵列 释放前端晶体管和底层金属层 [38] - 台积电4Mbit宏位密度63.7 Mb/mm² 未来几代技术潜力巨大 [41] - 台积电展示CVD生长二维材料NSFET 采用新颖"c形"接触方案降低电阻 [50][52] - 台积电广泛讨论forksheet架构 可能预示未来技术路线 [59] 二维材料应用 - 二维材料预计将在10A节点(约2030年)成为必要 聚焦TMD单层材料 [47] - 台积电展示NMOS器件 英特尔展示PMOS和NMOS器件 并在300mm晶圆试产 [52] - 二维材料生长是工业化关键障碍 目前主要采用CVD直接生长方案 [50] - 英特尔改进二维晶体管接触工艺 但仍依赖材料转移而非生长 [55] 先进晶体管架构 - Forksheet是GAA演进 通过介电壁使NMOS和PMOS更紧密连接 [56] - Forksheet面临制造挑战 需开发能承受工艺处理的超低k材料 [58] - CFET预计2030年左右推出 台积电/英特尔/三星/IMEC方案趋同 [63][64] - 英特尔展示CFET+背面供电集成方案 解决供电难题 [67] 英特尔18A工艺 - 英特尔18A工艺SRAM尺寸比Intel 3缩小30% [72] - 结合GAA晶体管和PowerVia背面供电 形成新金属堆叠架构 [74] - 在1.1V下时钟速度提高25% 0.75V下性能提高18%功耗降40% [74] - 预计2025年下半年量产 密度略低于台积电N3P [78] 数字孪生技术 - 数字孪生涵盖原子级到晶圆厂级模拟 加速设计优化 [79][80] - 新思科技QuantumATK套件用于原子级材料工程模拟 [82] - Lam Research SEMulator3D软件用于虚拟晶圆制造优化 [87] - 目标实现"无人值守"晶圆厂 设备需具备预测性维护能力 [89][92]

中国存储半导体产业发展 - 2018年7月合肥长鑫首条12寸DRAM晶圆产线投片，标志中国大陆存储半导体进入新时代 [1] - 长鑫科技启动A股上市进程，长江存储新芯股份递交科创板IPO材料，行业进入资本市场新阶段 [3] - 中国存储企业从产业政策扶持转向独立市场竞争，迎来"成年礼" [3][17] 市场格局变化 - 全球DRAM市场长期被三星、SK海力士、美光垄断，中国份额曾接近零 [3] - 长鑫DRAM产能从2023年162万片增至2024年273万片，增幅68%，接近SK海力士规模 [4] - 中国企业通过激进定价策略已对传统巨头财务业绩产生实质性影响 [4] 技术突破与竞争策略 - 采用"农村包围城市"路径，从中低端市场切入并快速扩产 [10] - 在HBM高带宽内存和3D DRAM等前沿技术加速布局 [10][14] - 打破传统"三足鼎立"格局，推动全球市场向多强竞争转变 [14] 资本运作与产业协同 - 兆易创新向长鑫科技增资15亿元，参与其108亿元融资，估值达1400亿元 [8][9] - 清华校友网络形成的产业协同模式成为重要发展范式 [6][7] - 兆易创新与长鑫建立从研发到生产的全产业链闭环合作 [7] 产能与市场影响 - 长鑫存储已在DRAM市场站稳脚跟，长江存储在NAND领域同步扩张 [4] - 中国存储企业改变全球DDR4/DDR5市场定价权平衡 [5] - 打破"失火-涨价"行业潜规则，为全球消费者创造正外部性 [14] 未来发展前景 - 人工智能、云计算、5G等新兴领域带来高端存储需求增长机遇 [14] - 上市进程将推动企业接受更严格市场检验，建立可持续商业模式 [17] - 中国企业从技术追赶者向并跑者甚至领跑者转变 [18]

报告行业投资评级 - 维持买入评级，目标价从140.20元上调至149.50元 [2][5] 报告的核心观点 - 看好长鑫存储供应结构调整下兆易创新特种DRAM的供需动态，预计其2025-26年DRAM收入分别增长22%和28% [3] - 认为兆易创新3D DRAM业务进展顺利，有望在2025年下半年开始产生收入 [4] - 引入2027年营收和净利润预测，分别为146.11亿元和2.659亿元 [31] 根据相关目录分别进行总结 公司表现 - 过去两个月兆易创新股价上涨11%，同期沪深300指数上涨3% [2] - 预计2024-27年净利润复合年增长率为34%，低于2018-22年50%的历史平均水平 [5] DDR4市场情况 - 三星、SK海力士、美光等DDR4主要供应商发出产品停产通知，预计2025-27年将为其他供应商分别腾出120亿、450亿和460亿元的市场空间 [3] - 由于当前产能短期内无法填补缺口，急单可能进一步推高DDR4产品价格 [3] 业务发展 - 预计兆易创新2025年特种DRAM平均销售价格将从10%提高到35%，并将继续扩大4Gb/8Gb DDR4产能 [3] - 3D DRAM业务与智能手机和AIPC客户进展顺利，预计2025年下半年开始产生收入 [4] 财务预测调整 - 下调2025-26年每股收益预测2%和1%，主要考虑NOR闪存和MCU毛利率低于预期 [2][31] - 上调2025-26年营收预测3%和6%，主要因DRAM收入增加和子公司贡献 [33] - 下调2025-26年毛利率预测2.3和1.6个百分点，主要因NOR闪存价格反弹幅度低于预期和MCU定价压力 [33] 估值与目标价 - 采用市盈率倍数估值，目标市盈率倍数为52.3倍，基于12个月远期每股收益预测2.86元，目标价上调至149.50元 [5]

报告行业投资评级 - 看好（维持） [5] 报告的核心观点 - AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔存储需求回暖，5月DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨，价格上涨趋势有望持续到第三季度AI已成为存储需求增长的关键动力，全球AI驱动存储市场预计将从2024年的287亿美元激增至2034年的2552亿美元，年复合增长率达24.4%中国存储产业链有望受益于AI自主可控政策双重驱动，国产化前景广阔 [8] - DRAM利基市场格局重塑中，3D DRAM走向产业利基DRAM领域供需不平衡下价格持续高企，Tier2厂商有望快速提升市场份额和盈利能力3D DRAM产业化进程加速，定制化存储市场规模有望随端侧AI渗透率提升快速成长 [8] - FlashAI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速AI技术发展促使Flash市场容量和总需求显著上升，企业级市场尤为突出国内存储模组厂市场份额有望提升，NOR Flash市场有望保持增长 [8] 根据相关目录分别进行总结 1. AI浪潮驱动行业上行，存储国产化前景广阔 1.1 存储需求回暖，价格上涨趋势持续 - 5月存储器半导体DRAM和NAND闪存月平均价格连续两月上涨NAND Flash方面，二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑；DRAM方面，受原厂停产计划影响补货需求，DDR4系列有望大幅上涨 [8][11] 1.2 AI浪潮已成为存储市场增长的强劲动力 - 全球DRAM市场规模及HBM规模预计保持增长，AI芯片相关产品迭代促使HBM单机搭载容量扩大，推动HBM之于DRAM产能及产值占比均大幅向上 [19] - MRDIMM新型内存模组有望缓解AI时代“内存墙”问题，随着技术成熟，预计更多服务器CPU将支持MRDIMM，推动终端市场对其的需求增长 [20] - CXL技术凭借其内存池化、缓存一致性和低延迟特性，有望成为重构算力基础设施的关键，市场规模有望快速增长 [21] - AI技术发展带来更多数据创建和存储需求，对存储系统提出更高要求大容量、高性能的AI存储系统能够显著节省训练所需的时间，并确保AI集群计算能力的高可用性 [22] - 分布式存储技术通过将数据分散到多个节点上存储，提高了系统的可扩展性和容错性，为AI应用的训练和推理过程提供有力支持 [23] - 边缘侧计算能力增长需存储能力同步提升，业界预测边缘存储的增长速度是核心存储的2倍 [26] - 高阶智能驾驶时代，数据闭环是核心要素，存储系统需要具备灵活的数据管理能力和高可靠性 [27] - 全球AI驱动存储市场预计保持高速增长，越来越多企业正在积极寻求更智能、更灵活的数据管理解决方案 [28] 1.3 存储行业国产化前景广阔 - 国内存储晶圆厂商在技术进步和产能扩张方面持续展现出强劲的发展势头，国内半导体存储企业在核心技术领域不断加强自主研发，持续提升半导体存储产业的综合竞争力 [30] - 目前存储芯片国产化率较低，国产化前景广阔国产存储产业前景广大，国内上市公司主要覆盖利基DRAM芯片，NOR Flash芯片、小容量NAND Flash芯片和EEPROM芯片领域，与存储原厂形成差异化格局 [30][32] - 国内上市公司已实现嵌入式存储、固态硬盘、移动存储、内存条等产品线的广泛覆盖，并在主控芯片领域有所延伸 [33] 2. DRAM：利基市场格局重塑中，3D DRAM走向产业 2.1 利基DRAM：原厂计划逐步停产，供需平衡重建机会多 - 头部厂商明确2025年逐步停产DDR4，原厂退出导致供应收缩，而DDR4/4x及LPDDR4/4x市场需求仍然可观 [43] - 回顾DDR3的迭代过程，DRAM代际更迭的完整周期或在15年以上，新一代DRAM产品推出后上一代产品行情仍可与主流存储市场景气度保持较长时间相关 [47][48] - DDR4和LPDDR4利基市场有望一段时间内持续处于行情优于主流存储市场的“倒挂”，兆易创新等全球Tier2供应商有望深度受益 [50] 2.2 堆叠DRAM：各大原厂持续迭代HBM，3D DRAM走向产业 - 高带宽堆叠DRAM能够更好满足AI计算的需求，市场对其需求正在大幅上升，预计2024 - 2029年将保持超过25.2%的复合年增长率 [51] - HBM和堆叠晶圆是实现高带宽堆叠DRAM的两条技术路径，HBM已成为数据中心新一代内存解决方案，预计HBM4 2026年量产 [52][55] - HBM市场高度集中，海力士具有领先优势，HBM迭代依赖制程和封装技术的升级 [57] - 多家存储设计公司已投入3D DRAM技术研发和应用中，定制化存储受关注，兆易创新、北京君正等存储IC公司也已开展3D DRAM相关产品开发工作 [60][67] 3. Flash：AI驱动容量和总需求上升，企业级市场增长迅速 3.1 NAND：数据中心和服务器需求驱动企业级SSD市场增长 - 24Q4到25Q1，受库存压力和终端需求疲软影响，NAND Flash整体产业营收连续两个季度环比下滑，预计二季度有望反弹 [68] - 二季度价格上涨受国际形势变化影响，三季度企业级SSD需求增长成主要价格支撑，AI投资持续强劲，带动NAND需求增长和技术迭代 [70] - 云端服务业者持续加强AI投资，中国企业级SSD市场有望快速增长，国内存储模组厂市场份额有望快速提升 [71][72][77] 3.2 NOR：端侧AI带动NOR Flash扩容和总需求增长 - 受益于物联网、汽车电子、5G等新兴领域的发展和端侧AI的拉动，NOR Flash市场有望保持增长 [78] - 端侧AI的发展有望进一步加速NOR Flash容量和总需求量的提升 [81] - NOR Flash市场为寡头垄断格局，国内企业逐步形成竞争优势 [82] 投资建议 - 存储需求回暖，AI服务器和AI终端有望持续带动存储需求增长，同时叠加国产替代机遇，建议关注存储产业链存储IC设计、存储互联和控制等芯片、存储模组、封测、系统级解决方案等相关公司 [3][83]