光刻产业技术发展 - 半导体芯片集成高密化和线路精细化进程中，光刻与刻蚀工艺起决定性作用，尤其在前道制程中光刻机与刻蚀机分辨率直接影响集成电路精细化水平[1] - 光刻机技术演进路径清晰：从g-line(436nm)、i-line(365nm)到KrF(248nm)、ArF(193nm)，再到浸没式ArFi(134nm)和EUV(13.5nm)，制程节点从0.5µm逐步突破至3nm[2] - 金属材料随制程升级从铝(Al)过渡到铜(Cu)，晶圆尺寸从200mm全面转向300mm[2] 中国光刻机研发现状 - 中国光刻机研制始于70年代接触式曝光系统，但产业化滞后受早期"造不如买"思潮影响[3] - 国家战略推动发展：2002年ArF光刻机列入"863计划"，2008年启动"02专项"，形成科研院所+高校+整机厂的类ASML协作模式[3][4] - 主要研发机构包括中科院微电子所、长春光机所、上海光机所及清华、浙大、哈工大等高校[3] 国产光刻机产业链突破 - 整机领域：上海微电子已实现90nm ArF光刻机(SSA600系列)出货，上海芯东来完成i-line/KrF光刻机出货[5] - 核心子系统： - 光源系统：科益虹源193nm ArF激光器完成出货，40W 4kHz KrF激光器量产[5] - 光学系统：国望光学交付90nm ArF曝光系统，28nm浸没式系统在研[5] - 双工件台：华卓精科干式光刻机工件台已供货，浸没式工件台(DWSi)研发中[5] - 浸没系统：启尔机电提供超洁净流控系统及零部件[5] 行业活动与平台 - 势银(TrendBank)将于2025年7月9-10日举办第五届光刻产业大会，聚焦先进光刻技术、材料及设备的最新进展与挑战[7] - 势银定位为产业研究与数据平台，提供数据产品、研究服务及行业会议，覆盖半导体等领域[13]

会议概况 - 会议名称：2025势银（第五届）光刻产业大会，主办单位为势银（TrendBank），协办单位为深芯盟，承办单位为势银芯链 [14] - 会议时间：2025年7月9日-10日，地点为合肥新站利港喜来登酒店，规模300人 [14][15][6] - 会议内容涵盖极紫外光刻（EUV）、电子束光刻、纳米压印等前沿技术，以及光刻胶、湿电子化学品、掩膜版等材料的国产化现状与技术瓶颈 [15] 会议议程 - **7月9日上午**：先进光刻技术与产业发展专场，包括主办方致辞、合肥长鑫集成电路有限责任公司关于AI时代先进制程的演讲、京东方TFT-LCD光刻胶技术思考、南开大学罗锋教授的低成本纳米压印/电子束/DSA技术报告等 [11] - **7月9日下午**：光刻胶与湿电子化学品专场，包括势银分析师应颖的中国大陆光刻胶市场分析、彤程新材料集团先进光刻材料技术演进、北京波米科技PSPI光刻胶研究进展等 [12] - 其他环节：圆桌论坛、茶歇、自助午餐及晚宴 [11][12][18] 演讲嘉宾 - 南开大学罗锋教授：讲席教授，研究方向包括极紫外光刻胶合成与评估，将分享低成本多场景应用的纳米压印/电子束/DSA技术 [7][11] - 其他嘉宾：合肥长鑫集成电路、京东方、张江实验室、宁波天璇新材料、华睿芯材等企业及研究机构代表 [11][12] 会议亮点 - 20+光刻产业链嘉宾演讲，覆盖先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备三大专场 [16] - 学术研讨与“会+展”形式结合，促进产学研用融合及上下游供应链对接 [17] 报名与费用 - 早鸟价（6月30日前）：2600元/人，7月1日后调整为2800元/人，含会议资料、自助午餐及晚宴 [18] - 酒店协议价：合肥新站利港喜来登酒店，报会议名称可享优惠 [20] 行业背景 - 光刻技术是半导体制造关键环节，国内面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品依赖进口、掩膜版技术不足、光刻机被国外垄断等挑战 [21] - 大会旨在推动产学研合作，加速技术创新与成果转化，提升产业链自主可控能力 [22] 产业链企业 - 光刻胶产业链：东京应化、住友化学、陶氏杜邦、锦湖石油化学、北京科华、彤程新材等 [24] - 湿电子化学品：德国巴斯夫、江化微、晶瑞电材、光华科技等 [25] - 设备与掩膜版：上海微电子、清溢光电、龙图光罩等 [25][26] 主办方信息 - 势银（TrendBank）：中国领先的产业研究与数据公司，提供数据、研究、咨询及会议服务 [32]

会议概况 - 2025势银（第五届）光刻产业大会将于7月9日-10日在合肥新站利港喜来登酒店举行，规模300人 [15] - 会议采用"会+展"形式，包含三大专场：先进光刻技术、光刻胶与湿电子化学品、掩膜版与光刻设备 [13] - 18家产学研单位确认参会并发表演讲，包括京东方、嘉庚实验室、波米科技等头部企业及研究机构 [2][3][4][6] 参会企业及演讲内容 光刻胶领域 - **华睿芯材**：聚焦半导体光刻胶及配套化学品的产业化生产，演讲主题为全球百款高分辨率电子束光刻胶 [6][9] - **波米科技**：专注光敏性聚酰亚胺材料研发，分享PSPI光刻胶产业化应用进展 [3][9] - **星泰克**：开发新型硅基光刻胶，董事长Sam Sun将发表技术演讲 [3][9] 湿电子化学品领域 - **润晶科技**：国内主要显影液（TMAH）生产商，分析显示用湿电子化学品关键技术 [6][9] - **永光化学**：探讨绿色感光材料在先进封装中的ESG应用 [3][10] 设备与材料 - **矽磐微电子**：研发扇出型面板封装技术，探讨先进封装光刻技术难点 [3][9] - **奥格流体**：聚焦洁净搅拌罐反应釜制造，分享生产线试车优化经验 [4][9] 行业现状与挑战 - 中国光刻产业面临高端光刻胶自给率低、湿电子化学品纯度不足、掩膜版原料依赖进口等问题，EUV光刻机等核心设备被国外垄断 [20] - 会议将重点讨论极紫外光刻（EUV）、电子束光刻等前沿技术，以及光刻材料国产化进程中的技术瓶颈 [12] 会议议程亮点 - **学术研讨**：设置光刻技术基础研究专题，如南开大学材料科学与工程学院、张江实验室等机构参与 [3][14] - **产业链对接**：覆盖光刻胶树脂（圣泉集团）、光酸（集萃研究所）、涂胶设备（芯基微电子）等上下游环节 [4][9][10] - **数据分享**：势银分析师应颖将发布2025年中国大陆光刻胶市场分析报告 [9] 会议背景与目标 - 大会旨在推动产学研合作，加速光刻技术自主创新，应对全球半导体供应链安全挑战 [21] - 通过搭建产业链互动平台，促进资源整合与生态构建，提升国内光刻产业竞争力 [21][22] 拟邀企业覆盖范围 - 光刻胶产业链：东京应化、住友化学、陶氏杜邦等国际巨头，以及北京科华、徐州博康等国内企业 [23] - 设备与材料：上海微电子、ASML（未直接提及但隐含于讨论）、清溢光电（掩膜版）等 [24][25]

公司核心技术 - 自研3Sheng Integration Platform集成系统级规划、物理实现与分析、可测试性设计五大引擎，支持三维异构集成系统的敏捷开发与协同设计优化[3] - 独创性技术包括统一数据底座、跨Die测试诊断及容错修复机制，保障三维系统可靠性[5][25] - 3Sheng Ocean工具提供堆叠芯片系统级测试设计功能，覆盖键合前后全流程可测性需求[5][21] 堆叠芯片测试挑战 - 三维堆叠芯片新增Die间互连接口测试需求，需解决兼容性、连通完整性及缺陷识别问题[10] - 高密度互连场景下信号走线复杂度陡增，测试方案需具备灵活性与可复用性[10][15] - 不可逆的互连测试流程（Pre-Bond/Mid-Bond/Post-Bond）对测试准确性和成本效益要求极高[13] 测试技术方案 - 采用混合测试方案（扫描链/BIST/边界扫描），符合IEEE 1149.1-1838标准，支持多厂家Die统一测试接口[17][19] - 测试修复IP集成故障采集、自修复电路，通过扫描隔离单元实现跨Die信号访问控制[21][23] - 自适应测试向量生成技术缩短CP测试时间50%，故障覆盖率提升至99.99%[25][27] 容错与可靠性设计 - eFPGA可编程技术实现动态路由与协议转换，冗余修复覆盖85%堆叠芯片有效面积[29][31] - TSV互连策略分组设计解决热电耦合干扰，支持RDL/TSV故障在线识别与冗余切换[29][31] - 自修复补偿电路可修复聚簇IO故障，降低15%布局布线开销[27][31] 行业应用价值 - 三维堆叠EDA技术填补国产软件差距，推动AI/GPU/RISC-V等领域高性能芯片发展[34] - 方案助力实现更高集成度（2.5D/3D/3.5D/SoW）、更低功耗的芯片系统[34][36] - 技术已在高性能计算芯片HBM总线互连等场景验证，优化测试成本效益[10][27]

掩膜版行业现状 - 掩膜版在半导体与显示面板线路制作中起关键作用 面板领域国内企业产品集中在8 5代线及以下 欠缺超高世代线 高世代高精度LTPS AMOLED Gray-tone Half-tone掩膜等量产能力 与国际厂商存在差距 [2] - 半导体领域中国专业掩膜厂商可稳定量产90nm及以上制程BIM解决方案 仅2-3家企业具备65nm 55nm节点PSM产品开发能力 90nm以下制程仍需依赖国际第三方厂商技术合作及采购 [2] 国内主要掩膜版企业布局 - 清溢光电实现180nm节点半导体掩膜版量产 150nm节点测试认证通过 正在推进130nm-65nm节点开发 规划28nm技术路线 生产8 6代及以下高精度掩膜版 满足8寸和12寸晶圆厂需求 [3] - 路维光电覆盖G8 5代线 G10 5代线及以下产品 以IC掩膜为主 [3][4] - 华润迪思微2024年完成90nm量产 2025年达40nm量产 2026年实现28nm量产 [4] - 龙图光罩客户包括中芯集成 士兰微 积塔半导体 华虹半导体等主流厂商 [4] - 晶合集成专注高精度光刻掩膜版 可提供28-150nm半导体掩膜版服务 [4] - 睿昌半导体布局180nm到28nm产品制程 可定制化提供BIM KrF PSM ArF PSM等多种类型光掩模产品 [4] 国际厂商及合资企业动态 - 合肥丰创(Photronics旗下)支持6代线到10 5代线全系列面板掩膜产品 [5] - 美日丰创(Photronics和DNP合资)实现40nm和28nm节点量产 将引入14nm及以上节点半导体掩膜版 [5] - 冠石科技计划2025年实现45nm量产 2028年实现28nm量产 [5] 行业活动 - 势银将于2025年7月8日-10日在合肥举办第五届光刻材料产业大会 聚焦光刻材料供应链上下游深度探讨及产业协同创新 [8]

电容式触控芯片概念 - 电容式触控技术基于电容感应原理，用于检测人体手指或导体物体接近或接触触控面板时的电场变化，并将其转换为数字信号实现人机交互功能 [1] - 主要应用市场包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能可穿戴设备、智能家居及工控HMI产品 [1] 中国电容式触控芯片市场趋势 - 工控HMI领域渗透率最低（35%），受技术成熟稳定和功能单一影响 智能家居领域渗透率达60%，因性能需求和智能化功能增加 [2] - 除智能家居和工控HMI外，电容式触控方案已基本替代电阻式方案 [2] - 2030年中国市场规模预计达75.13亿元，2020-2030年复合增长率3.2% 智能手机与智能可穿戴设备为最大应用市场 智能家居与汽车电子领域增长最快（CAGR分别为16.92%和15.18%） [2] 中国电容触控芯片市场竞争格局 - 行业主要由老牌厂商主导，头部企业多采用多元化产品策略 代表性企业包括汇顶科技、兆易创新（思立微）、集创北方、贝特莱、海栎创、韦尔股份 [4] - 国际下游客户如索尼、三星、苹果、博世体量庞大 中国大陆本土品牌数量多但单体规模有限 [4] - 本土企业市占率：汇顶科技出货量占比16%（智能手机为主） 海栎创占比15%（智能可穿戴设备为主） 贝特莱排名第三（智能家居尤其是智能门禁锁产品） [4]

光刻技术发展背景 - 纳米级元件制造能力推动高性能设备生产及多行业技术进步[2] - 全球半导体研发投入显著：美国政府2800亿美元《芯片与科学法案》、欧盟500亿美元芯片产能扩张计划、台积电330亿美元新厂投资[2] - 医疗、能源、通讯等行业受益于微型化技术（如腹腔镜手术、芯片实验室诊断等）[2] 传统光刻技术分析 - 主流技术包括紫外光刻（分辨率1μm）、深紫外光刻（65-130nm）、极紫外光刻（<10nm）及电子束光刻（>10nm）[5] - 技术痛点：分辨率受波长限制、基板平整度要求高、设备成本昂贵（如极紫外光刻掩模易翘曲）、低吞吐量（电子束光刻）[5] - 材料局限性：传统光刻胶难以适配玻璃/陶瓷等非硅基材料，多组件空间排列需复杂多步骤工艺[3] 新兴光刻技术突破 - 浸没式光刻（38nm）通过液体介质提升分辨率，纳米压印光刻（<3nm）实现高吞吐量低成本[8][9] - 边缘光刻（<100nm）、电流体动力学光刻（<50nm）利用物理场效应简化工艺[9] - 磁流变拉伸光刻可生成微针阵列（高度600-700μm），纳米转移印刷支持3D结构跨基材复制[9] 行业需求与挑战 - 需开发单步工艺以集成多尺度制造，解决现有技术在大面积基板扩展性不足的问题[6] - 智能设备需求驱动对多功能材料兼容性（如铁电/导电材料）及高保真图案化的要求[6][7] - 新兴技术需平衡分辨率（如双光子光刻150nm）、成本（嵌段共聚物光刻低成本）与量产可行性[8][9] 产业动态 - 势银将于2025年7月举办第五届光刻材料产业大会，聚焦供应链协同创新[11] - 研究机构持续探索替代技术（如毛细管力光刻、纳米球光刻）以突破物理限制[9]

电子材料和化学品市场规模及增长预测 - 全球电子材料和化学品市场预计从2025年的599亿美元增长至2035年的986亿美元，复合年增长率5.1% [3] - 增长主要受先进半导体、平板显示器和光伏设备需求推动 [3] - AI数据中心和5G基础设施部署加速需求，英特尔和台积电新工厂增加CMP浆料、光刻胶等采购 [5] - 太阳能投资加速高纯度多晶硅和氟基蚀刻剂消费，印度和中国市场受国家能源政策驱动 [5] 细分市场驱动因素 液体电子化学品 - 主导市场，因半导体制造、PCB和显示技术中光刻/蚀刻/清洁工艺需求 [7] - 高纯度液体化学品需求受AI/5G/EV驱动的半导体行业推动 [8] - 行业向环保/低毒配方转型 [8] 气体电子材料 - 氩气/氮气/氟气等需求推动增长，用于蚀刻/掺杂/PECVD等工艺 [8] - 亚7nm技术节点要求超纯气体确保精度 [8] - OLED和柔性显示面板生产增加工艺气体需求 [8] 应用领域分析 硅晶圆 - 收入份额最大，受IC/存储芯片/微处理器制造驱动 [9] - 全球芯片短缺和政府自给自足政策推动投资 [9] - 晶圆尺寸增大和制造技术进步创造机会 [9] PCB层压板 - 需求受智能手机/可穿戴/医疗设备/工业自动化推动 [9] - 5G/EV/智能家居设备普及加速增长 [9] - 关注耐高温/强信号/小型化材料，绿色PCB材料受青睐 [9] 行业趋势演变 2020-2024年特征 - 半导体技术繁荣带动增长，消费电子/EV/可再生能源需求激增 [10] - 5G/AI/IoT推动高纯度化学品需求 [11] - 环境法规促使引入环保化学品，但受供应链中断和地缘政治影响 [11] 2025-2035年展望 - 电子元件小型化、AI制造和量子计算将重塑市场 [11] - 氮化镓/碳化硅半导体、柔性电子和新型储能技术开辟新机会 [11] - 可持续制造工艺（低碳/循环经济/可再生材料）成为关键 [11] - 区块链和数字孪生增强供应链可追溯性 [11] 竞争格局 市场份额 - 空气产品公司18-22%，巴斯夫15-18%，林德集团12-15% [18] - 住友化学9-11%，信越化学6-9%，其他公司合计25-30% [18] 主要企业产品 - 空气产品：高纯度特种气体，专注蚀刻/沉积材料 [19] - 巴斯夫：电子级溶剂/光刻胶/芯片涂层，强调可持续性 [19] - 林德集团：高纯度工艺气体/蚀刻剂，纳米技术材料专家 [19] - 住友化学：光刻胶/CMP研磨液/OLED材料，亚洲市场重要 [19] - 信越化学：硅晶片/介电材料，专注小型化应用 [19]

会议基本信息 - 会议名称为2025势银光刻材料产业大会，主题为"产学研协同，助力产业发展"，由势银（TrendBank）主办，势银芯链承办 [7] - 会议将于2025年7月9日-10日在安徽合肥新站利港喜来登酒店举行，预计规模300人 [7] - 会议内容涵盖半导体/显示/封装光刻胶、湿电子化学品、掩模版及特种气体上中下游环节 [7] 会议议程 - 第一天下午主要进行大会开幕式及先进光刻技术与产业发展专场 [5] - 第二天上午议程包括2025中国光刻胶市场分析报告、面向AI时代的先进制程突破等主题 [6] - 第二天下午将讨论光刻配套材料发展与应用专场，包括半导体光刻胶市场发展及前景展望等议题 [6] - 第三天上午安排电子化学品及原料专场，下午进行光刻设备进展与趋势讨论 [6] 参会单位 - 已有10余家产学研单位确认参会并发表演讲，包括张江实验室、甬江实验室、矽磐微等 [4] - 拟邀企业覆盖光刻胶产业链上中下游，包括东京应化、住友化学、陶氏杜邦等中游企业，黑金化成、综研化学等上游企业，台积电、三星等下游应用企业 [15][17] 会议亮点 - 设置20+光刻材料产业链嘉宾演讲，采用主题演讲+细分材料专题上下游深入互动形式 [8] - 安排三大专场，涉及应用终端、材料、设备、工艺，覆盖整个产品链 [9] - 采用会+展形式，深度探讨行业现状协同发展前景，构建产业互动平台 [9] 行业背景 - 2025年光刻材料市场呈现全球竞争白热化、技术创新加速和技术保护壁垒攀升特征 [12] - 半导体芯片产业对高性能、高精度制造工艺需求增长，光刻材料作为关键组成部分备受关注 [12] - 国际市场上各国政府与企业加大半导体材料供应链自主可控战略布局 [12] - 中国光刻材料市场稳步提升全球份额，产业链企业加速壮大实力成为共同主旋律 [13]

扇出型晶圆级封装技术 - 扇出型晶圆级封装(WLP)通过切割和重组晶圆增加芯片表面积，从而允许更多外部触点 [1] - 该技术面临低温固化电介质的工艺挑战，需在200°C左右固化以兼容环氧成型材料 [1] - HD8900系列等新型低温固化电介质专为MRAM、RF等温度敏感应用开发 [1] FO-WLP工艺挑战 - 重构晶圆翘曲问题由硅环氧层与聚合物RDL层间的热膨胀系数不匹配导致 [2] - 芯片偏移问题影响重新分布层的图案化和对准，尤其在芯片堆叠时更明显 [2] - 需在面朝上和面朝下构建能力间选择以应对高形貌和非平面性 [2] - 铜RDL走线需可靠连接，损坏会导致电气故障 [2] 先进封装技术发展 - 系统级尺寸将减小，同时集成更大尺寸、更高I/O密度的芯片 [2] - 最小芯片尺寸将减至200µm，线宽/线距减至2µm/2µm以下 [2] - 15毫米长芯片集成时，芯片间距将减至150µm [2] - 步进式光刻机在多芯片解决方案中面临精确重构的局限性 [3] 无掩模曝光技术 - 无掩模光刻技术可解决步进式光刻机在先进封装中的限制 [3] - 负性PI和正性PBO可在不同波长下形成高分辨率通孔 [3] - PBO层厚度增加需要更大剂量，而PI分辨率对剂量依赖性较小 [3] - RDL材料在MLE技术中实现2µm底部开口尺寸，提升互连密度 [3] 高分辨率图案化技术 - 利用MLE技术实现小于2.0µm结构尺寸的高性能正性化学放大型光刻胶 [4] - 曝光波长(375nm和405nm)对图案化结构有显著影响 [4] - 数字光刻技术与不同CAR材料结合实现1.5µm L/S分辨率和1:7纵横比 [5] - 铜电镀工艺成功应用于1.5µm关键尺寸的铜结构 [5] 双镶嵌工艺创新 - MLE技术可将光刻步骤减少50% [5] - 多级曝光功能可同时生成清晰RDL结构和小于5微米通孔 [5] - 3D双图像图案化技术可替代传统双镶嵌工艺 [5] - 8µm厚通孔结构的最佳分辨率小于4µm [6] 行业活动 - 2025势银(第五届)光刻材料产业大会将于7月8-10日在合肥举办 [8] - 会议将探讨光刻材料供应链新趋势，搭建产学研交流平台 [8]