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传英伟达5213亿要收购联发科?
是说芯语· 2025-09-05 10:07
合作与收购传闻 - 联发科与英伟达合作开发超级晶片GB10 结合联发科CPU及存储设计能力与英伟达GPU设计优势 双方技术高度互补且合作关系紧密[1][3] - 市场传闻英伟达可能以730亿美元(折合5213.44亿人民币)收购联发科 但公司不予回应 业界认为此为臆测且并购价格过低[1][3] 收购可行性分析 - 监管审查构成重大障碍 中国台湾与中国大陆均不太可能放行 因联发科为中国台湾市值第三大公司及IC设计龙头 具关键战略地位[3][4] - 英伟达2022年曾尝试以400亿美元收购Arm 但因监管机关以垄断疑虑否决 此次若收购联发科恐面临相同挑战[3] - 730亿美元收购价恐不足打动联发科股东与管理层 半导体产业大型并购案收购溢价通常需达双位数百分比甚至高于市价数倍[3] 产业与战略背景 - 英伟达已转型为AI基础建设公司 核心能力从芯片端走向系统端 收购联发科对系统端的效益相对有限[3][4] - 联发科与中国智能手机产业有长期深厚合作 中国大陆政府不乐见其落入美国科技巨头之手 地缘政治因素成另一大障碍[4] - 双方通过GB10合作展示Blackwell GPU与业界标准介面及协定整合到高效封装中的能力 进一步强化策略合作关系[3]
超15亿!上海芯片独角兽获新一轮融资,中移动参投
是说芯语· 2025-09-04 15:27
光子网络与光子计算商业化进程 - 光子网络与光子计算商业化进程迎来拐点[1] - 大规模光电集成技术处于商业化关键阶段 预计未来五年内光子芯片在智算中心份额将达到30%[2] - 公司是国内唯一专注于光电混合算力领域的独角兽企业 正在加速推进下一代光电混合计算卡开发以全面支持AI大模型[2] 融资与战略发展 - 公司完成超15亿元C轮融资 投资方包括中国移动 上海国投 国新基金 浦东创投等机构 老股东中科创星 沂景资本及某领先互联网厂商继续追加投资[2] - 新一轮融资将加速核心技术开发和光电混合算力规模化落地进程[2] - 公司以光电融合突破算力边界为愿景 聚焦光子网络与光子计算两大业务方向 推动光电混合技术从研发走向产业化应用[2] 技术优势与产品突破 - 光互连方案可构建高带宽低延迟大规模算力集群 显著提升GPU利用率[3] - 光电混合计算通过颠覆性架构突破传统计算天花板 在提升算力密度与能效比 降低延迟与总成本方面展现显著优势[3] - 推出全球首个分布式光互连光交换GPU超节点光跃LightSphere X 并获WAIC大会最高奖SAIL大奖[3] - 推出国内首款xPU-CPO光电共封装原型系统 正在开发集成度更高带宽密度更大的CPO方案[3] - 发布新一代光电混合计算卡曦智天枢 集成全球最大规模128×128光子矩阵 首次实现光电混合计算在复杂商业化模型中的应用[5] 产业合作与落地成果 - 已完成多个数千卡集群的落地交付[3] - 与国内领先的光/电晶圆厂 光/电封装厂 算力/交换芯片厂商 系统厂商建立全方位多层次战略合作关系[5] - 通过产业链上下游深度协同与联合技术攻关 在超节点建设 CPO等关键领域实现多项突破[5]
无锡半导体设备年会快讯-中微尹志尧:抵制15种恶性内卷!
是说芯语· 2025-09-04 12:01
半导体设备产业挑战 - 加工微观纳米结构接近物理极限 需集成50多个学科知识和技术 难度超过两弹一星 [1] - 纳米级加工需达到原子水平的均一性 稳定性 重复性 可靠性和洁净性 [1] - 设备开发成功需在大生产线实现稳定高合格率 样机开发仅是一小部分 [1] - 市场被国际大公司垄断 生产线准入门槛极高且耗时耗力 [1] - 需完整知识产权保证体系支撑设备开发和市场化 [1] - 研发经费需求巨大 达设备售价的10倍 30倍甚至100倍 [1] - 依赖完整材料和零部件产业链 关键部件需国内外一流供应商 [1] - 市场周期性波动远高于微观器件产业和传统产业 难以预测 [1] - 行业竞争要求设备提高输出量并降低价格 新公司盈利面临挑战 [1] - 国际形势下需实现设备自立自强并打入国际市场 形成双循环 [1] 数码产业层次结构 - 半导体设备年产值约1000亿美元 是数码产业基石和卡脖子关键产业 [1] - 软件/网络/电商/传媒/大数据/AI/VR/元宇宙/ChatGPT/自动驾驶年产值约20万亿美元 [1] - 电子系统年产值约3万亿美元 半导体芯片制造年产值约1万亿美元 [1] 技术发展历程 - 60年间微观器件加工面积缩小一万亿倍 智能手机相当于50年前5层大楼体积的1/100万 [2] - 等离子刻蚀可在头发丝几千分之一至一万分之一尺度加工 孔直径均匀性达头发丝1/10万 [3] - 单台刻蚀机年加工超10^12(百万万亿)个细深接触孔 合格率需近100% [3] 芯片制造投资回报 - 先进芯片生产线需100亿美元投资 包含10大类300多种细分设备共3000多台 [2] - 设备采购占总投资70%约70亿美元 [2] - 100亿美元投资生产线年芯片产出价值25亿美元 正常P/S为3:1时市值约75亿美元 [2] - 全部股本金投资无回报 需约50%银行贷款才可使股本金获得约2倍回报 [2] 技术跨学科特性 - 半导体芯片加工工艺涉及50多种科学技术及工程领域 包括物理化学数学及特种工程技术 [3] 3D结构技术变革 - 存储器件从2D向3D结构转变 使等离子刻蚀和薄膜成为最关键加工步骤 [3] - 3D器件转换后不再需要EUV光刻机 主要依赖刻蚀和薄膜设备 [3] - 14纳米以下结构主要靠等离子刻蚀和薄膜设备的多重模板技术 [4] - 通过多重模板技术可刻出光刻尺度1/2至1/4的微观结构 [4] 行业恶性竞争现象 - 通过窃取设计图纸 工艺配方或软件编码复制设备 [4] - 对竞争者设备进行现场解剖和反向工程复制 [4] - 无视专利保护 采用竞争者专利技术开发设备 [4] - 芯片制造商向竞争者泄露设备设计细节和运营经验 [4] - 高薪挖角竞争者和客户的关键员工 搅乱人力市场 [4] - 员工离职携带技术资料到新公司直接使用 [4] - 投资商投资同类设备公司与原被投公司竞争 [4] - 设备商投资零部件供应商时提出霸王条款限制竞争 [4] - 在客户端和公开场合贬低竞争者散布不利言论 [4] - 芯片制造公司垂直整合设备及零部件业务导致垄断 [4] 产业发展建议 - 国内已有近30家15年经验的成熟设备公司 及数十家刻蚀/薄膜/量检测新公司 [4] - 建议地方政府和投资机构审慎投资新小设备公司 鼓励与成熟公司合作减少内耗 [4] 中微公司概况 - 2004年开曼注册 2018年拆红筹后注册于上海 [5] - 2025年6月底员工2638人 93%为国内员工 人均确认销售超400万人民币 [5] - 在台湾 韩国 日本 东南亚及美国设6个全资子公司 全球20个销售服务中心 [5] - 2019年7月22日科创板首批上市 为首家市值破千亿公司(代码:688012) [5] - 近期市值约1300亿元人民币 [5] 设备市场覆盖 - 2022-2027年刻蚀设备市场增长23% 薄膜设备增长22% 量检测设备增长20% [5] - 2023年中微实现刻蚀设备全面覆盖 薄膜设备扩大覆盖 量检测设备全面布局 湿法设备正在布局 [5] 公司成长表现 - 14年保持营业收入年均增长超35% 2025年上半年增长43.9% [6] 研发投入强度 - 研发投入持续增加 2018-2022年研发支出分别为10.4亿 10.6亿 12.0亿 11.2亿 12.8亿元人民币 [8] - 研发投入占比远高于科创板平均值 [8] - 新产品研发周期从3-5年缩短至2年或更短 [8] - 加速研发美日受限设备以补短板实现赶超 [8] 产品技术体系 - 开发CCP和ICP单台机及双台机 共20种3代机型包括Twin Star/D-RIE/TSV系列等 [8] - 2024年ICP刻蚀在线宽均匀性上达到1σ=0.12nm 相当于硅原子直径(0.25nm)的一半 [8] - DRAM BW AIO刻蚀均值16.1nm 3σ均匀性达0.35nm [8]
绝境重生!象帝先 GPU 流片成功!
是说芯语· 2025-09-04 09:19
公司技术突破 - 新一代伏羲架构芯片完成流片验证 图形渲染能力与并行计算性能表现突出 标志着高端芯片领域关键突破 [1] - 芯片算力达160TFLOPS(FP32) 集成12GB HBM2显存 [1] - 伏羲A0聚焦高端渲染领域 填补国产高端渲染芯片市场空白 [3] - 伏羲B0融合GPU与NPU架构 支持LLAMA/ChatGLM-6B/Stable-Diffusion/Sora/DeepSeek R1 1.5B/7B等主流AI模型端侧运行 [3] 战略投资与股东结构 - 安孚科技战略投资后技术迭代进程显著加速 [1] - 重庆两江产业发展集团等国有投资机构参与战略投资 凸显技术潜力获产业资本认可 [3] - 安孚科技将持续从资源与资本层面提供支持 助力技术落地与规模扩张 [3] 市场定位与产品规划 - 伏羲B0重点面向端侧模型部署及AIPC市场 为边缘计算与终端智能化提供底层算力支撑 [3] - 上市规划将结合市场环境与自身发展战略动态推进 [3] - 芯片流片成功为国产高端芯片在渲染与端侧AI领域商业化应用注入新动能 [3]
中国半导体产业链代表企业地图
是说芯语· 2025-09-03 18:24
制造材料 - 文章列举了多家制造材料公司 包括B&C、追光科技、糖加材技、安德科铭ADCHEW、博康信息、宏志气体、德尔气体、绿萝公司、Graded SINEVA、Kr EDIMEN、ZINGSEMI、博纳材料、NGGAS、阜阳欣奕华、金瑞冠、上海新昇、博纯材料、绿菱气体、SAXUIV、Gemch、EMPUR、D D 相框、MEIMAS、威迈芯材、黄成半导仅、基迈克、中部建设、旺明 优良制服王霜、博来纳润、安瑞森、中歐科技、新硅聚合、云德半导体、NOTED、上海新阳、糖見科技、JL化微、KFMI 品 顾 成 款 未 来、南大光电、雅克科技、江化微、江丰电子、金宏气体、华特气体、TRONLY、UPERMASK、PhiChem、ASEM、HUATE GAS、弹力新材、强力新材、清温光电、飞凯材料、艾森股份、E lingrui、Teric、erandil、0 恰连、特别结、ANI、中巨 阅、晶瑞电材、中船特气、中巨芯、怡达股份、格林达、安集科技 [2] - 部分公司已上市 包括南大光电300346 SZ、上海新阳300236 SZ、雅克科技002409 SZ、江化微603078 SH、江丰电子300666 SZ、金宏气体688106 SH、华特气体688268 SH、强力新材300429 SZ、清温光电688138 8889、飞凯材料300398 SZ、艾森股份688720 SH、晶瑞电材300655 SZ、中船特气688146 SH、中巨芯688549 SH、怡达股份300721 SZ、格林达603931 8H、安集科技688019 SH [2] 封装材料 - 文章列举了多家封装材料公司 包括ME RE EN PA BE、科容斯、EPS 伊帕思、华清电子材料、CHC中江科易、新菲新材料、陶陶科技、伊帕恩、华清电子、中江科易、TECHINNO 200 100 100、AMT、十周日记、本诺电子、泰吉诺、胶感半导体、奥芯半导体、德汇电子、海古德、CHACCESS M亚半导体、TL 和美精艺、AaltoSemi、心水丰导体、UCI tea、珠海越亚、和美精艺、芯爱科技、成年子、厦门钜瓷、AKM MEADVIL、USI it WHE 110、RIVERGATE、를 들、以及元、博赢金钻、安捷利美维、礼鼎半导体、浩远科技、立德半导体、玖凌光宇、博志金钻、KINWONG 是旺电子、胜宏科技、BOMIN 博配、兴森科技、中京电子、DHHHCK、景旺电子、博敏电子、华海城科 [2] - 部分公司已上市 包括景旺电子603228 SH、胜宏科技300476 SZ、博敏电子603936 SH、兴森科技002436 SZ、中京电子002579 SZ、华海城科688535 SH、深南电路002916 SZ、康强电子002119 SZ、中瓷电子003031 SZ、国瓷材料300285 SZ、霖股份688720 8H、Darbond 德邦科技 [2] EDA/IP - 文章提及EDA/IP领域 [3] 数字前端EDA - 文章提及数字前端EDA领域 [4] 数字后端EDA - 文章列举了多家数字后端EDA公司 包括PHLEXING、行芯科技、江咸区微纳、鸿芯微纳、WISECHIP、智芯仿真、船立芯、立芯软件 [10] - 文章提及CELLIX、芯愿景 [11] - 文章提及阿拉克、X-TIMES [12] - 文章提及芯行纪、Easy-Logic、奇捷科技 [13] - 文章提及GWX、国微芯、品属楼 Semi-Asia [14] - 文章提及行施 [15] 模拟EDA - 文章提及模拟EDA领域 [16] - 文章列举了多家模拟EDA公司 包括NineCube、Empyrean 华大九天、飞谱电子、九同方、PRIMARIUS、会超速达、比错过 BTD、概伦电子、超逸达、比昂芯 [17] - 文章提及全芯智造技术自限公司、立创EDA、鸿之微、嘉立创、Semitronix、EEDIC、立微、培风图南、芯和半导体、中科醫师、GWX 国微芯、芯瑞微、XINRUIWEI [17] - 部分公司已上市 包括华大九天301269 SZ、概伦电子688206 SH、芯和半导体301095 SZ [17] - 文章提及中科鉴芯、芯瑞微 [18] 设备 - 文章提及设备领域 [21] - 文章列举了多家设备公司 包括AISC、NIEFIT N、晶盛机电、连城数控、芯源微、amte、LEUVEN、邑文科技、鲁汶仪器、全感微纳、屹唐半导体、微芸科技、ICSEM、AMEC、中微公司、微芸半导体、北方华创、中程半导体、上海新阳、陛通半导体、茂科技、首芯半导体、DAME、Leadmicro 微导、拓荆科技、微导纳米、Intellectual、思锐智能、天芯微、纳设智能、衍梓智能、EiCentury、GISC、芯三代、JUHINGTECH、AELsystem 黑暗落、M [22] - 部分公司已上市 包括晶盛机电300316 SZ、连城数控835368 BJ、芯源微688037 SH、中微公司688012 SH、北方华创002371 SZ、拓荆科技688072 SH、微导纳米688147 SH [22] - 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高盛:中国光刻机落后ASML 20年!
是说芯语· 2025-09-03 07:26
核心观点 - 高盛报告指出中国半导体制造领域尤其是光刻机研发面临严峻挑战 技术水平停留在65纳米 落后国际大厂至少20年 [1] - 光刻机技术复杂度极高 包含超过10万个零部件 需要全球数千家供应商协同生产 形成难以逾越的全球化分工体系 [1] - 中国正通过单点突破带动系统升级策略推进光刻机研发 在核心零部件和新兴技术领域取得进展 但整体仍存在明显差距 [4][6][7] 技术差距与挑战 - 中国国产光刻机技术水平停留在65纳米 与国际大厂相比至少落后20年 [1] - ASML最新一代High NA EUV光刻机已实现2纳米制程稳定生产 核心技术被美国Cymer 德国蔡司和ASML垄断 [1] - 上海微电子65纳米光刻机在设备稳定性 晶圆良率控制等方面与ASML存在明显差距 [3] - 国产高压汞灯光源寿命仅1000小时左右 而ASML激光光源寿命达数万小时 可靠性差距显著 [3] 核心零部件突破 - 华卓精科研发出光刻机双工件台系统 成为全球第二家掌握此项核心技术的企业 可应用于65纳米及以下节点 [4] - 百合光电研发的紫外LED光刻光源使用寿命提升至3万小时 是传统进口光源的30倍 综合成本降低至进口产品1/3 [4] - 28纳米浸没式光刻机已完成产线验证 国产化率达到83% 覆盖汽车电子 工业控制等关键领域芯片需求 [6] 新兴技术布局 - 日本佳能推出纳米压印光刻系统FPA-1200NZ2C 采用物理方式实现电路图案转移 价格仅为EUV光刻机十分之一 能耗降低十分之一 理论上可实现5纳米甚至2纳米制程 [6] - 电子束光刻技术无需模板即可直接书写电路图案 适合量子芯片等未来器件制造 [7] - 纳米压印技术在LED AR设备等领域已实现商业化应用 [7] - 不同技术路线可能形成互补格局:EUV用于7纳米以下先进制程 国产28纳米满足成熟制程需求 纳米压印等在特定领域发挥优势 [7] 产业生态与创新体系 - 光刻机研发需要全球数千家供应商协同生产 中国在基础工业能力积累方面存在不足 精密导轨 轴承等基础零部件加工精度要求达到微米级 需要数十年技术沉淀 [3] - 德国蔡司高精度光学镜头被限制对华出口 加工精度要求达到纳米级别 需要上百道工序精密控制 [3] - 美国通过施压盟友持续扩大对中国半导体设备出口管制 包括EUV光刻机和DUV光刻机关键部件 [3]
突发!台积电南京厂被美国撤销豁免!
是说芯语· 2025-09-03 00:04
核心观点 - 美国商务部工业与安全局撤销台积电南京厂经验证最终用户授权 自2025年12月31日起生效 导致其关键设备与物资进口转为逐单审批模式 增加运营不确定性[1][3] - 政策调整本质为供应链控制手段 通过审批流程收紧供应节奏而非立即切断 台积电需通过备货和沟通维持生产稳定性[5] 政策实施细节 - VEU授权撤销后 上游供应商需逐单申请美国出口许可证 替代原有的一揽子许可 审批周期和排队不确定性增加[3] - 美国商务部工业与安全局估计每年新增约1000份许可审批工作量 现有许可积压较多短期难以消除时间成本[3][4] - 受影响范围涵盖先进制造设备 备件及生产用化学品 涉及台积电 三星和SK海力士在华工厂[4] 台积电南京厂运营现状 - 南京厂2018年投产 最先进制程为16nm属较早商用世代 去年仅贡献台积电总营收一小部分[3] - 工厂正常运行需持续进口设备 备件与化学品 任何许可延宕将影响维护 良率与产能保障[3] - 公司声明将全力确保持续运作不受影响 正评估情况并与美国政府沟通[3] 行业影响分析 - 政策适用于多家半导体企业 英特尔半导体大连有限公司 三星中国半导体有限公司同期被撤销VEU授权[4] - 美国通过流程调整保持对供应链节奏控制 需时放行必要时收紧 形成持续性监管机制[5]
确定了!宇树科技将在四季度提交IPO申请
是说芯语· 2025-09-02 17:14
上市计划 - 公司预计2025年10月至12月期间提交上市申请文件[2] 业务结构 - 2024年四足机器人销售额占比约65%[2] - 2024年人形机器人销售额占比约30%[2] - 2024年组件产品销售额占比约5%[2] 应用领域分布 - 四足机器人约80%应用于研究、教育和消费领域[2] - 四足机器人约20%应用于工业领域(检查与消防)[2] - 人形机器人完全用于研究、教育和消费领域[2]
YMTC → HBM ?
是说芯语· 2025-09-02 14:37
中国半导体行业HBM技术发展 - 长江存储科技正积极研发DRAM并寻求与本土DRAM制造商合作 特别关注HBM技术[1] - HBM是一种垂直堆叠多个DRAM的内存技术 可显著增强数据处理性能 被视为AI数据中心重要组成部分[1] - 长江存储正与合作伙伴商讨订购HBM用DRAM研发设备 预计最早2024年底完成设备采购[1] - 长江存储与CXMT合作开发DRAM和HBM CXMT提供DRAM晶圆 长江存储提供混合键合技术[1] 中国半导体国产化进展 - 中国政府2024年已投资超过84亿美元推动人工智能和半导体国产化[3] - 摩根士丹利预测中国计划到2026年将国产AI芯片产量提高两倍 2027年AI芯片自给率达到82%[3] - 中国地方政府承诺到2027年将国产AI芯片在数据中心占比提高到70%或更高[3] - 中国领先DRAM供应商准备2025年量产第四代HBM3芯片 技术差距正快速缩小[3] - 华为推出专为高性能数据中心设计的AI固态硬盘 进军由三星、SK海力士和美光主导的存储市场[3] 行业竞争格局变化 - 中国芯片制造商拥有雄厚资本和人力资源 在国家干预和人才流入下技术进步急剧加速[4] - 专家警告若趋势持续 韩国内存芯片制造商领先地位可能被削弱[4] - 韩国需要加强HBM技术开发 大胆投资AI半导体创新 政府支持至关重要[4] - 中国崛起可能使集中化市场多元化 为韩国内存芯片供应商带来新的增长机会[4]
杰华特:收购新港海岸!
是说芯语· 2025-09-02 08:00
收购交易概况 - 杰华特联合建达合伙、汇杰合伙以4.18亿元总价收购新港海岸66.25%股权,其中杰华特直接出资1.26亿元受让20%股份,并通过关联基金间接持股实现合计掌控35.37%股权及董事委派权 [1][6] 战略协同价值 - 杰华特作为模拟芯片设计龙头,在电源管理芯片领域具备多品类产品矩阵,但信号链芯片存在短板,尤其缺乏高速接口、时钟芯片等高端领域竞争力 [3] - 新港海岸专注于高速数模混合IC设计,核心产品包括PCIe 5.0/6.0时钟芯片、112G SerDes接口芯片及车规级CAN FD控制器,其技术可填补杰华特战略空白 [4] - 双方技术形成"电源+信号"全套解决方案能力,适用于AI服务器电源模组、车载中央计算单元等场景,具备显著竞争优势 [4][6] 技术优势与市场应用 - 新港海岸112G SerDes IP传输速率较主流56G技术提升一倍,功耗降低30%,超低抖动时钟发生器相位噪声指标达-150dBc/Hz@100kHz,满足GPU高速数据传输时序要求 [7] - 联合开发计划覆盖PC及服务器高速接口产品,切入华为鲲鹏、海光信息等国产服务器芯片供应链,车规级芯片通过AEC-Q100认证,有望进入比亚迪、蔚来等新能源汽车供应链 [7] 市场空间与估值分析 - 新港海岸整体估值约6.31亿元,对应2024年预计营收的市销率约8倍,低于行业平均10-12倍水平 [8] - 全球AI服务器市场规模2025年预计突破600亿美元,相关接口芯片需求增速超50%,中国大陆先进封装领域资本开支2025年预计增长50%以上 [8]