港股市场整体表现 - 2月26日港股市场大幅下跌，恒生指数收盘下跌1.44%，恒生科技指数下跌2.87%，创下去年7月以来新低，较去年10月高点回调超过23% [1] 科技与互联网行业 - 科技股集体下跌，哔哩哔哩下跌约5%，百度集团和快手均下跌超过4%，腾讯控股下跌2%跌破520港元关口并刷新阶段新低，阿里巴巴下跌3.57% [1] - 百度集团-SW现价123.400港元，跌幅4.27% [2] - 快手-W现价63.600港元，跌幅4.14% [2] - 阿里巴巴-W现价143.000港元，跌幅3.57% [2] - 腾讯音乐-SW现价55.650港元，跌幅3.55% [2] - 地平线机器人-W现价8.160港元，跌幅4.11% [2] - AI应用概念股普遍下跌 [3] 汽车与半导体行业 - 汽车股下跌，小鹏汽车下跌约5%，华虹半导体下跌近5% [1] - 小鹏汽车-W现价67.500港元，跌幅5.06% [2] - 理想汽车-W现价68.650港元，跌幅4.45% [2] - 零跑汽车现价41.380港元，跌幅3.90% [2] - 比亚迪股份现价94.950港元，跌幅3.85% [2] - 交虹杀号体（疑为华虹半导体）现价97.850港元，跌幅4.82% [2] - 汽车经销商股大跌 [3] 医药与生物科技行业 - 医药股跌幅居前，药明合联下跌约9%，百济神州下跌约9% [2] - 生物医药股下跌 [3] 其他下跌行业 - 建材水泥股、濠赌股、煤炭股、石油股、内房股、光伏股、黄金等有色金属股纷纷下跌 [3] 市场上涨板块 - 恒生指数成分股中长江基建集团、长和、电能实业涨幅居前 [3] - 电力、光模块、光通信板块走强 [3] - 东方电气A股大涨15.5% [3] - 剑桥科技A股上涨8% [3] - 豪威集团A股上涨超过6% [3] - 长飞光纤A股上涨近3% [3] 半导体与AI相关活跃板块 - 受英伟达最新财报带动，港股半导体板块活跃 [3] - 天数智芯股价上涨超过20%刷新高点，现价286.000，涨幅20.27% [4] - 豪威集团现价109.800，涨幅6.91% [4] - 天岳先进现价67.400，涨幅6.48% [4] - 爱芯元智现价29.760，涨幅5.16% [4] - 兆易创新A股上涨超过3%，港股现价425.600，涨幅3.15% [3][4] - 存储概念股再度活跃 [4] - 连续下跌的影视股出现部分反弹 [4] 机构后市展望 - 银河证券建议关注三大板块：一是因地缘风险升温，贵金属、能源等避险板块有望震荡上行；二是估值处于相对低位的消费板块有望继续上涨；三是经历回调后估值压力下降的科技板块，在AI应用加速推进下有望反弹回升 [5]

公司业务进展 - 公司境内FAB的OCS相关制造工艺目前仍处于持续积累提升阶段 [1] - 公司境内FAB的OCS相关制造工艺尚未实现量产能力 [1]

核心观点 - 美国航空航天及半导体行业的供应商正面临钇和钪等关键稀土元素的严重短缺，导致部分企业暂停生产、对客户实行配给或拒单，价格飙升，供应链紧张局势加剧 [2] 稀土短缺现状与影响 - 短缺主要集中在稀土家族中的小众成员钇和钪，它们在国防技术、航空航天和半导体领域作用关键但体量小 [2] - 自去年11月首次出现钇短缺以来，其价格已上涨60%，目前价格约为一年前的69倍 [2] - 一些涂层制造商已开始对材料实行配给 [2] - 至少两家北美公司因采购不到钇用于制造涂层而不得不暂时暂停生产 [2] - 其中一家公司已开始拒绝规模较小及海外客户，以优先保障包括部分发动机制造商在内的大客户供应 [2] - 供应链中另一家公司近期已耗尽材料，并停止销售含有氧化钇的产品 [3] - 一名美国政府官员证实，一些美国制造商正面临来自亚洲的部分稀土“短缺” [3] 对航空航天行业的影响 - 钇被用于防止发动机和涡轮在高温下熔化的涂层中，若无法定期使用这些涂层，发动机便无法投入使用 [2] - 尽管钇供应偏低尚未伤及发动机生产，但制造商感到担忧 [3] - 发动机制造商同时还在努力应对航空公司对备件的需求，以及波音和空客提高产量带来的压力 [3] - 专家指出，这是中国展示稀土影响力的一个具体例证 [3] 对半导体行业的影响 - 美国半导体制造商的钪库存正在下降，可能危及下一代5G芯片的生产 [3] - 钪在先进芯片加工和封装中扮演重要角色，全球年产量仅数十吨 [3] - 美国主要半导体制造商依赖钪来制造“几乎用于每一部5G智能手机和基站”的芯片组件 [4] - 美国目前没有任何国内钪产量，且在中国之外不存在可运作的替代来源 [4] - 现有钪库存可能只能支撑数月，而非数年 [4]

公司业务进展 - 公司位于中国境内的FAB（晶圆厂）的OCS相关制造工艺目前仍处于持续积累和提升的阶段 [1] - 公司尚未实现数据中心用OCS（光连接系统）的量产能力 [1] 投资者关注点 - 投资者关注公司数据中心用OCS产品的试产进展及量产能力情况 [1]

CFET器件架构概述与行业路线图 - 互补型场效应晶体管（CFET）架构有望在逻辑技术路线图中取代环栅（GAA）纳米片晶体管，通过n型和p型MOS晶体管垂直堆叠，首次消除了标准单元高度中n-p间距的限制，结合先进接触和供电技术，有望大幅缩小逻辑标准单元尺寸[1] - 在所有集成流程中，单片CFET（mCFET）被认为是干扰最小、能最快将CFET引入符合行业实际尺寸器件中的方案，其垂直器件结构可在一系列工艺步骤中完成图案化和加工[1] - Imec预计将在逻辑技术路线图的A7节点（0.7nm）引入mCFET器件架构，届时mCFET将取代外壁叉片（outer wall forksheet），后者旨在将基于纳米的逻辑路线图扩展到A10节点，以期届时mCFET能够实现量产[2] 电路架构与可扩展性研究 - 在电路层面，imec提出双排CFET架构是将mCFET集成到A7标准单元中的最优方式，该标准单元包含两排堆叠器件，中间共享一个垂直信号过孔，单元边界处设有“VSS”功率墙[4] - 通过一项设计技术协同优化研究，imec展示了这种双排CFET架构如何在A7技术节点上实现制造能力和面积效率之间的最佳平衡[4] - 为评估新架构跨节点使用的可行性，imec研究人员通过模拟一个15级环形振荡器（包含15个基于mCFET的逆变器）的运行情况，来评估A7、A5和A3节点上的功率-性能-面积指标，关键性能指标是环形振荡器的频率[6] 性能提升关键技术路径 - 随着标准单元尺寸缩小，单个CFET沟道的薄层宽度减小，会降低有效驱动电流并增加寄生电容，因此需要性能提升措施来平衡参数并在不同节点保持性能，同时限制功率密度增加[7] - 扩展到A5节点需要引入外壁叉片器件架构，该结构被认为是纳米片器件的延伸，但其结构与CFET设计完全兼容，其外壁最后壁设计能增强沟道应力从而提高驱动电流，共享的n-n或p-p壁使得栅极延伸范围更小，从而降低栅极寄生电容[9] - A3节点除了需要Ω型栅极外壁叉片和M0电源轨外，还需要一个额外的性能增强器，通过引入混合沟道取向可进一步提高有效驱动电流，imec团队评估发现最佳组合可将驱动电流提高高达20%[9] 嵌入式中间介质隔离模块进展与优势 - Imec通过实验演示了关键模块：嵌入式MDI模块，该模块允许在mCFET工艺流程中集成不同方向的顶部nMOS器件和底部pMOS器件的沟道[11] - eMDI的制造流程始于载流子和供体晶圆，分别外延生长CFET特有的Si和牺牲SiGe层堆叠结构，然后使用晶圆熔合键合技术将这些外延堆叠结构重新组合，SiCN键合介质成为嵌入的MDI单层薄膜，用于隔离底部和顶部部分，之后使用传统的mCFET工艺流程完成加工[11] - Imec成功地将eMDI模块集成到完整的mCFET工艺流程中，并展示了具有不同沟道取向的功能性顶层器件，包括(100)硅顶层nFET、(100)和(110)硅顶层pFET，这些顶层器件采用正面连接方式制造[13] - 随后，集成流程进一步扩展，实现了与mCFET底部器件的直接背面接触，展示了具有集成eMDI模块、正面连接的(100) Si顶部nFET以及直接背面接触的(110) Si pFET的功能性mCFET器件[15] eMDI技术优势与未来发展方向 - 与早期版本的替代MDI相比，eMDI模块具有多项优势，在eMDI方案中，mCFET工艺从预先嵌入MDI模块的先进键合衬底开始，首次键合前使用单独晶圆生长n和pMOS有源外延层，这使得可以集成异质沟道以分别优化n和pMOS器件性能，这些沟道可以是不同取向、具有不同应变，甚至可以使用不同材料[17] - 其他优势包括降低工艺复杂性和简化外延生长步骤，eMDI避免了沉积复杂的Si/SiGe1/SiGe2多层堆叠结构，也无需用介质层替换虚拟SiGe2层，此外，通过在两个独立晶圆上生长外延堆叠，可以在外延生长过程中达到层弛豫之前添加更多Si沟道，从而提高设计灵活性，这种新型MDI模块只需对mCFET流程进行少量修改即可集成到任何mCFET基线中[19] - Imec目前正在优化基于eMDI的mCFET工艺流程中不同沟道方向的关键模块，未来工作将扩展该方案以集成不同的沟道材料，例如用于pMOS的Ge和用于nMOS的Si[20] - 此外，imec CFET团队计划采用类似的“嵌入式”方法来集成底部介质隔离层，与目前使用的替代型BDI相比，采用基于晶圆键合层转移的eBDI方法有望简化背面连接的集成，并为BDI材料的选择提供更大自由度，例如使用高导热材料可能有助于缓解对mCFET热可靠性的担忧[20] 技术节点总结与关键使能技术 - Imec通过一项DTCO研究确定了支持跨多个技术节点的mCFET器件架构进行激进面积缩放所需的性能提升措施，最小化寄生栅极电容对于A7节点至关重要，而A5和A3节点将引入带有Ω形栅极的外壁叉形结构以及M0电源轨[22] - 对于A3节点，引入分别针对p型和n型MOS优化的异质沟道对于在最终缩放的标准单元尺寸下保持性能和功率密度至关重要，eMDI模块是实现mCFET流程中异质沟道集成的关键使能技术，这已在具有不同沟道方向的nMOS和pMOS顶部器件的mCFET器件上进行了实验验证[23]

核心交易公告 - 联电公告向ASML新加坡公司购买一批机器设备 交易总金额为新台币15.79亿元 [1] - 每单位平均价格与总金额相同 均为新台币1,578,719,526元 [1] - 交易相对人为ASML SINGAPORE PTE LTD 属于非关系人交易 [1] 交易细节与决策 - 交易交付或付款条件依据订单条件执行 [1] - 交易通过议价方式决定 价格参考依据为市场行情 [1] - 决策单位由公司采购核定会决定 [1] 资本支出与设备用途 - 取得设备的具体目的为供生产及研发使用 [1]

公司业务模式与战略定位 - 公司是一家专业的纯代工（Foundry）企业，基于长期的工艺开发及生产实践，在同类产品的代工业务方面能够积累较好的工艺技术 [1] - 公司在制造环节具有产品迭代和成本控制方面的服务优势，能够为Fabless（无晶圆厂）或Fablite（轻晶圆厂）设计公司提供服务 [1] - 公司认为与Fabless或Fablite设计公司合作，可使对方避免巨大的固定资产投入，从而将资源更多地专注在产品设计及迭代方面并参与市场竞争 [1] 半导体制造行业特点 - 半导体制造产线的建设具有长周期、重资产投入的特点 [1] - 由某单一领域设计公司投资建设的自有产线，一方面较难为同类竞争设计公司服务，另一方面产线向其他产品品类拓展的难度也较大 [1] 行业商业模式对比与展望 - IDM模式与Fabless或Fablite模式（对应与纯Foundry厂商合作）相比各有优劣 [1] - 上述几种商业发展模式将会是业界长期共存的模式 [1]

文章核心观点 - 根据提供的文档内容，未包含关于具体公司、行业、新闻事件、财务数据或市场动态的实质性信息 [1] 根据相关目录分别进行总结 - 提供的文档内容仅包含通用的投资风险提示与免责条款，未涉及任何可分析的行业或公司具体内容 [1]

公司近期重要会议与股东沟通 - 2026年2月24日，闻泰科技召开2026年第一次临时股东会，由董事长杨沐主持，与会股东数量明显增多且发言踊跃 [1] - 会议回应了股东对“一年内两换审计机构”的关注，并对业绩大幅预亏进行了进一步解释 [1] - 公司表示正在积极处置安世半导体控制权事件，其中国区业务发展较为稳健，并与客户保持紧密沟通 [1] 会计师事务所变更原因 - 2026年第一次临时股东会主要审议议案为聘任容诚会计师事务所担任公司2025年度审计机构 [3] - 此前在2025年9月，公司刚在第四次临时股东会上决定聘任普华永道中天会计师事务所担任2025年度审计机构 [3] - 2024年度审计机构为众华会计师事务所，因其在ODM资产剥离领域经验丰富，该任务已于2024年完成 [4][5] - 资产剥离后公司主营业务转变为全球半导体业务，因此改聘普华永道 [5] - 由于安世半导体在2025年10月遭遇黑天鹅事件，与普华永道的合作遭遇挑战，最终基于友好协商和战略考虑，改聘容诚会计师事务所 [5] - 变更会计师事务所的议案已在2026年第一次临时股东大会上审议通过 [5] 2025年度业绩预亏情况 - 2026年1月31日，公司发布2025年业绩预告，预计归属于母公司所有者的净利润为负135亿元至负90亿元 [7] - 预计归属于母公司所有者的扣除非经常性损益后的净利润为负3亿元至负2亿元 [7] - 业绩预亏主要基于资产减值和损失的估算，判断遵循会计准则，但处置流程复杂，涉及会计假设、商誉减值等因素 [7] - 安世半导体现状给会计处理带来挑战，2025年第四季度，安世半导体收到荷兰部长令和法院裁决，公司对其控制权仍暂处受限状态 [7] 安世半导体控制权争议进展 - 2026年2月11日，荷兰阿姆斯特丹企业法庭作出最新裁决，批准启动正式调查，并将调查范围扩大至安世半导体当地管理层的行为 [9] - 裁决裁定此前所有临时措施在调查期间继续有效，包括对特定人员职务及股东权利的限制，但股权托管人不能处置股权 [9] - 后续将由法庭委任的两名独立调查官开展具体调查工作 [9] - 公司表示将穷尽一切法律手段恢复对安世的完整控制权，并已聘请业内知名律师团队维权 [10][11] 安世半导体业务运营状况 - 安世半导体中国区业务发展较为稳健，国内客户粘性较强 [10] - 国内东莞工厂仍在优化产能，相关设备已经到位 [10] - 在车规级半导体领域，安世半导体的质量体系水平处于行业领先地位，性能指标要求更为严格 [10] - 市场关注的BIT（双边投资协定）索赔仍需度过沟通期，将于4月15日启动，当前管理层首要任务是聚焦主营业务并采取法律手段维护权益 [10]

港股市场整体表现 - 2月25日，港股三大指数涨跌不一，恒生指数上涨0.66%至26,765.72点，国企指数上涨0.30%至9,034.75点，恒生科技指数下跌0.19%至5,260.50点 [1][2] - 市场总体止步于前一日的大跌行情，呈现分化格局 [1] 领涨行业与板块 - **房地产及产业链**：受上海发布楼市“沪七条”进一步调减住房限购政策影响，内房股大幅拉升，碧桂园涨6.45%，旭辉控股集团涨6.02%，建发国际集团涨5.12% [2][4][5] - 房地产政策利好带动产业链上涨，建材水泥股中海螺水泥涨5.53%，华润建材科技涨3.65% [6][7] - 钢铁股普涨，新矿资源涨20.00%，重庆钢铁股份涨8.70%，鞍钢股份涨5.08% [7][8] - **有色金属**：铜、铝、黄金等有色金属股集体活跃 [2] - 铜矿股上扬，万国黄金集团涨6.91%，五矿资源涨4.78%，中国黄金国际涨4.45% [9][10] - 花旗发布研报看好铜价，预计未来三个月将触及每吨14,000美元，认为春节后中国供应链补充库存将提供支撑 [10] - 黄金及贵金属板块表现活跃，龙资源涨13.84%，大唐黄金涨9.52%，招金矿业涨3.04% [11][12] - **消费相关板块**：春节餐饮需求表现较好，带动餐饮股上涨，海底捞涨6.19%，绿茶集团涨5.40% [2][14][15] - 海底捞数据显示，2月15日至23日假期全国门店接待顾客超1400万人次，呷哺呷哺集团春节期间总营收超7000万元，客流量超百万人次 [15] - 体育用品股拉升，滔搏涨6.53%，中国动向涨3.26%，安踏体育涨2.48% [12][13] - 港口运输股表现亮眼，中远海发涨3.48%，中远海控涨2.34% [13][14] - **科技股**：部分权重科技股止跌反弹，美团涨1.60%，阿里巴巴、腾讯、京东小幅上涨 [2][4] 下跌行业与板块 - **半导体**：半导体存储概念股多数回撤，澜起科技跌7.11%，天数智芯跌7.61%，爱芯元智跌5.79% [2][16][17] - **传统制造业与公用事业**：纸业股下跌，玖龙纸业跌4.29%，理文造纸跌2.70% [2][17][18] - 电力股部分下跌，大唐新能源跌4.06%，中电控股跌2.53%，中广核电力跌2.15% [2][19] - 汽车股表现弱势，零跑汽车跌3.71%，蔚来跌2.64% [2][20] - 教育股表现较弱，创联控股跌5.36%，新东方跌2.05% [20][21] 资金流向 - 2月25日，南向资金净卖出40.57亿港元，其中港股通（沪）净卖出54.95亿港元，港股通（深）净买入14.38亿港元 [21] 机构后市观点 - 华泰证券指出，春节期间港股市场内部分化加大，AI新势力与互联网巨头走势背离，消费数据有亮点但未明显提振板块表现 [23] - 涨幅依然集中在科技和周期行业，中期配置上，科技和周期耗材仍是清晰主线 [23]