1 AI算力芯片：快速崛起，国产芯大爆发 - DeepSeekV4重大更新，顶级性能、极致低价，全面采用国产算力和新架构，发布首日即实现华为昇腾、寒武纪、海光、摩尔线程、沐曦、昆仑芯、阿里平头哥、天数智芯八大国产芯片厂商的全量适配，证明国产算力足以支撑万亿级参数大模型运行[5] - DeepSeekV4拥抱华为CANN、摩尔线程MUSA等国产生态，为全球开发者提供绕开英伟达CUDA生态壁垒的替代路径，动摇英伟达软件护城河[5] - 中国AI算力开始正式摆脱对英伟达单一依赖，大模型训练进入自主可控国产算力新阶段，国产GPU正从“能用”跨越到“好用又便宜”，有望复制新能源汽车和光伏奇迹[6] - DeepSeekV4通过架构创新大幅提升计算效率，API定价低至GPT-5.5的百分之一，颠覆“高算力必然高价”行业规则[7] - 2025年中国AI加速卡总出货约400万张，国产厂商出货165万张，本土渗透率突破40%，华为昇腾、平头哥、昆仑芯、寒武纪、海光、沐曦、天数智芯等本土芯片企业高速崛起[8] - 华为昇腾950PR推理能力已领先英伟达特供版芯片，头部算力国产集群训练、并行效率达80%–85%以上[8] - 2025年全球前十大晶圆代工企业合计产值1695亿美元，前十家产值占比97%，中芯国际营收93亿美元、市占率5.3%全球第三，华虹营收45亿美元、市占率2.6%全球第六，晶合集成营收15亿美元、市占率0.9%全球第九[9] - 28nm及以上成熟制程占全球晶圆代工市场近80%，中国成熟制程产能已占全球约三成，新能源汽车单车芯片约90%采用28-130nm工艺节点[10][12] - 中芯国际依托28nm及以上成熟制程稳健扩张，2025年折合8英寸月产能100万片，全年营收673亿同比增长16.5%，毛利率稳在20%，14nm FinFET工艺已规模化量产，N+1/N+2工艺对标等效7nm处于小批量试产与良率优化阶段[12] - 7nm及以下节点延伸面临两大核心卡点：EUV光刻机获取受限，关键材料国产化仍在攻坚[13] - 全球90%以上光刻机市场被荷兰和日本占据，阿斯麦市占80%，佳能、尼康占15%，国产28nm DUV光刻机已实现突破[13] - 华为提出韬（τ）定律，是全球半导体领域首个由中国企业主导的产业原则，通过“时间缩微”替代传统“几何缩微”，用“逻辑折叠”方式重构芯片布局，过去六年已成功设计并量产381款芯片，到2031年高端芯片晶体管密度将达到1.4纳米制程同等水平[14] 2 AI存储：全球存储超级周期，国产力量快速破局 - 数据搬运能耗占AI芯片运行能耗一半以上，存储综合性能对算力有决定性影响[18] - 芯片堆叠技术以HBM为代表，未来从HBM3E向HBM4迭代升级，单颗芯片容量达24GB，带宽突破2.4Tbps[20] - 存算一体芯片可将数据传输延迟降低50%以上，运算能耗减少30%-60%[20] - DRAM领域三星、SK海力士、美光占据超90%市场份额，NAND闪存领域三星、SK海力士、铠侠等市占率超85%[22][23] - HBM作为AI核心显存价格整体翻了2-3倍，长期有价无货，产能被头部云厂商提前锁单[23] - 美光最新季度营收414亿美元，DRAM内存313亿占76%，NAND营收99亿占24%，毛利率84.9%高于英伟达74%，净利润282亿美元逼近英伟达583亿美元一半[23][24] - 美光仅能满足核心大客户六成左右订单需求，存储晶圆厂建设、先进工艺产能爬坡需跨越多季度[23] - 三星、海力士单季度利润预期各400-500亿美元，全球存储龙头单季度利润之和超千亿美元领先GPU[24] - 6月25日苹果因上游成本压力宣布上调电脑、平板等产品售价，主因存储厂商优先将产能供给AI数据中心[27] - 长鑫存储DRAM全球份额近10%，长江存储NAND市占率超12%，国产HBM已进入小批量产阶段[27] 3 AI光互联、光纤：AI数据通信，算力基础设施 - 光互联行业向共封装光学CPO、近封装光学NPO新架构升级，传输速率突破800G、1.6T[28] - 沙利文数据预测2025年至2030年全球光模块销售额年度复合增长率超过30%[28] - 800G光互联产品已成为AI训练集群主流，1.6T产品进入大规模商用前期[30] - 硅光技术在集成度、功耗、成本上有优势，正成为高速光互联产品核心[31] - 低轨卫星星座如星链等布局上万颗卫星，星间激光通信光模块新需求增量空间大[31] - 2026年5月英伟达32亿美元战略投资康宁，锁定未来数年高端光纤产能，计划在美国光纤整体产能扩产50%、光连接产能提升10倍[33] - 下一代空芯光纤时延降低近50%，同样GPU集群训练效率提升10%以上[33] - 2026年全球数据中心光纤需求预计达9160万芯公里，同比增30%以上，2027年预期翻倍到2.4亿芯公里[34] - 适配800G/1.6T高速互联的超低损耗特种光纤海外现货市场缺口达4000-5000万芯公里，现货紧缺缺口率接近90%，海外现货高端光纤涨幅近5倍[34] - 光纤预制棒占光纤成本70%，扩产周期需18至24个月，头部厂商订单已排至2027年以后[34] - 中国光纤预制棒产能占全球65%，全球高端光纤现货供给稀缺，中国头部光纤厂商迎来全球高端市场替代窗口期[34] 4 AI PCB：算力底座、AI倒逼技术升级 - AI服务器PCB物理面积、层数增长约3-5倍，价值量提升8-12倍，英伟达最新Rubin平台PCB价值量提升是前代几倍[35] - 18层以上高多层、M8、M9高阶基材PCB交付周期已拉长至2-3个月，价格呈上涨趋势[36] - 全球覆铜板市场2025年达到160亿美元，预计2026年增至215亿美元，年增长率达30%+[37] - IC载板作为芯片与PCB之间关键连接，技术壁垒高、附加值高，需求缺口持续拉大[37] - 英伟达CoWoP方案将GPU与HBM直接集成于强化型PCB上[38] 5 AI电力：AI新货币，决定产出上限 - IEA数据预测2026年全球数据中心总耗电将突破1000TWh，AI负载占比1/3[40] - 全球光伏、逆变器需求旺盛，中国企业市占率超90%，欧洲、中东为核心市场[40] - 美国三哩岛核电站加速重启，预计2027年并网为微软提供AI算力能耗，小型模块化核电反应堆SMR或是未来AI数据中心供电主力[40] - 十五五期间国网固定资产投资预计达4万亿，比十四五大增40%[42] - 十五五末预计中国新型储能装机规模达300GW，AI数据中心配储是重要增量，美国未来储能投资超1000亿美元[43] 6 AI半导体材料：国产替代加速 - 2025年全球半导体材料市场规模为860亿美元同比增长7%，晶圆制造材料为562亿美元占65%[44] - 三大AI半导体材料为硅片、电子特气、光刻胶[45] - 硅片全球前五大厂商合计份额约80%以上，6英寸及以下国产化率超60%，8英寸国产化率达55%，12英寸国产化率约25%产能缺口70%以上，2026年末国产化率有望突破30%[46] - 全球光刻胶主要企业市占率超80%高端市占率95%，g线光刻胶国产化率超90%、i线约60%，中端KrF光刻胶国产化率不足15%，高端ArF、EUV光刻胶无规模化国产产能[46] - 全球特气四大巨头合计占全球约80%份额，电子特气整体国产化率不足30%，基础电子特气实现国产，中端刻蚀气加速替代，高端掺杂气、先进制程特气进口依赖高[46] 7 半导体设备：国产化从0-1突破 - 薄膜沉积、光刻和刻蚀三大前道环节技术壁垒高，国产替代空间最大[47] - 国产浸没式DUV光刻机启动生产，覆盖28nm以上成熟制程芯片，28nm及以上成熟制程占全球晶圆代工市场近80%，中国成熟制程产能已占全球约三成[48] - 刻蚀设备是国内半导体设备国产化进度最快赛道，中微公司介质刻蚀技术突破[48] - EUV光源上国产已完成实验室级技术突破，能量转换效率正向商用标准对齐[49] - 光学系统被蔡司独家垄断，国内在28nm级别光学系统上已有突破[50] - 国产整机已有原理样机落地，量产还需等待整套自主供应链成熟[50] 8 物理AI爆发：AI改变现实世界 - 2025年全球人形机器人出货1.8万台同比增长5倍，国内宇树科技出货超5500台，海外Optimus2026开始量产目标2030年产量100万台[51] - 特斯拉FSD监督版将入华，萝卜快跑累计完成2000万次服务[51] - 2026年是AIPC爆发元年，英伟达正式发布AIPC芯片N1，联合微软、Arm打造Win+Arm+CUDA生态[52] - 2025年全球AI眼镜出货870万副同比增长3倍以上，Meta-RayBan、小米眼镜、Rokid、夸克眼镜是主要玩家[54] 9 AI相关的科技金属：战略资源 - 单台AI服务器用铜量为传统机型3-4倍，大型超算中心耗铜可达万吨级别，全球长期铜供需偏紧[56] - 单台服务器液冷耗铝20-30kg，单柜浸没液冷槽用铝近90kg[56] - 中国掌控全球98%的镓产量，氮化镓广泛用于AI电源、5G基站和新能源车充电桩[59] - 锗用于红外光学与光纤掺杂，中国产量占全球70%以上[59] - 中国稀土原矿储量约全球48%、开采量近70%，稀土冶炼分离产能占全球90%以上[60]