文章核心观点 文章主要阐述了两个核心议题：一是美国半导体设备巨头Lam Research在韩国对本土材料、零部件及设备企业发起密集的专利诉讼，被视为遏制韩国半导体设备国产化进程的策略；二是人工智能芯片热潮引发高端供应链（如特种玻璃纤维布、钻头等）出现严重瓶颈，导致苹果、高通等科技巨头面临供应紧张，并可能挤压消费电子厂商的产能。 Lam Research在韩国的专利诉讼策略 - 自2020年日韩半导体材料贸易争端后，Lam Research已对韩国企业提起12起专利侵权诉讼，其中9起发生在2022年之后[1] - Lam Research在韩国注册的专利数量从2020年的68项激增至2025年的344项，韩国行业担忧这是大规模诉讼的先决条件[1] - 尽管Lam Research鲜有胜诉，但其利用雄厚财力提起诉讼，即使败诉也能延缓竞争对手的技术研发或产品化进程数年，被行业视为大型企业滥用诉讼的典型案例[2] - 例如，Lam Research起诉韩国公司CMTX和PSK均告败诉，其相关专利被宣告无效，仅去年一年就有六项专利被宣告无效[3] - 过去六年里，Lam Research起诉了三家中型企业和五家小型企业，给韩国中小企业造成沉重的时间和金钱负担[2][4] 韩国行业的反应与政府措施 - 韩国材料、零部件及设备行业认为，诉讼发生在韩国企业成功实现半导体设备国产化并努力拓展与三星、SK海力士销售渠道的关键时刻[1] - 韩国知识产权部每年为卷入专利纠纷的韩国企业提供每家企业最高2亿韩元的法律咨询服务，被Lam Research起诉的五家公司均获得了援助[4] - 批评人士认为，随着Lam Research广泛警告和起诉，未获援助的企业数量将会增加，议员呼吁政府必须防止不必要的诉讼并将对本土企业的损害降到最低[4][5] - Lam Research回应称，专利有效性和“仿冒”是两个问题，侵权应由法院裁定，相关诉讼仍在进行中[5] AI芯片热潮下的供应链瓶颈 - 人工智能芯片需求激增导致特种玻璃纤维布（T-glass）供应极度紧张，该材料是芯片基板的关键组成部分，技术门槛极高[10] - 新进入者（如台湾玻璃、中国的台山玻璃纤维等）难以达到足够的产能和稳定的质量，因为每根玻璃纤维都比头发丝细且必须完美圆润、不含气泡[9][10] - 苹果公司虽率先使用高端玻璃纤维，但也未能预料到英伟达、亚马逊和谷歌等AI巨头会加入竞争，加剧了供应紧张[10] - 苹果已与供应商讨论使用技术含量较低的玻璃纤维布，但测试和验证替代材料需要时间，对立即改善现状帮助不大[10] 其他面临短缺的组件与材料 - 除了玻璃纤维布，用于在服务器印刷电路板上钻孔的钻头和钻床也面临短缺，AI服务器电路板更厚更硬，导致钻头必须更先进且更换更频繁[11] - 中国广东迪泰科技、深圳锦州精密科技和台湾拓普科技是产能最大的钻头供应商，但规模较小的日本联合工具和京瓷公司产品质量最高[13] - 日本供应商在供应链中占据关键位置（如太阳油墨的阻焊剂、三菱电机和维亚机械的激光钻孔机），但他们不愿像整个AI市场那样快速扩张，加剧了瓶颈[14] - 许多供应商因担心再次出现超额预订和供应过剩（如2022年底的行业低迷），现在不愿扩大产能[14] 供应链瓶颈对行业的影响 - 市场研究公司Counterpoint预测，存储芯片短缺将导致智能手机市场在2026年出现下滑[11] - 消费电子产品制造商面临更大压力，因为有限的玻璃纤维布产能需与英伟达等大型AI厂商竞争，供应商更倾向于满足AI巨头而非对价格敏感的消费电子厂商[15] - 全球领先的服务器主板管理控制器芯片开发商Aspeed Technology表示，芯片基板的限制和其他供应链瓶颈阻碍了2026年人工智能需求的潜力，由于原材料供应受限，公司不得不下调预测[15]

文章核心观点 - 台积电可能因台美关税协议而大幅增加在美国亚利桑那州的投资，形成台美双生产中心模式，此举将重塑全球半导体产业版图，并将全球最精锐的先进制程产能引向美国 [1][4] - 台积电面临地缘政治压力与商业利益的平衡，一方面需满足美国客户需求并应对美国政府压力，另一方面需考量高昂成本对公司财务的冲击，并优先确保在台湾的产能与获利优势 [2][5][8][9] 台积电在美投资计划与双中心模式 - 作为台美关税协议的一部分，台积电可能承诺在美国建设更多工厂，以换取台湾进口商品关税从20%降至15% [1] - 台积电在亚利桑那州的晶圆厂数量可能从已公布的三座增至六到八座，每月总产能至少达15万片晶圆，接近满足美国对高性能计算和人工智能芯片的需求 [1] - 投资可能包括新的先进晶圆厂、集成电路封装和测试设施，使美国成为一个完整的半导体中心，提供一站式综合生产服务 [1] - 此举将使台积电从以台湾为核心的全球代工厂，过渡为台美双核心运作架构 [4][5] 投资制程与产能规划 - 对美扩充的厂房将聚焦先进制程，除已公布的第一期4纳米及第二期3纳米外，未来可能落在2纳米或更先进世代，每座厂都可能以AI时代相关设施设计 [4] - 台积电3纳米制程订单需求超乎预期，公司决定优先冲刺台湾产能，将原计划月产16万片扩大至超过20万片，创下公司最大产能规模，多数集中于南科18B厂 [8] - 美国亚利桑那州21厂的P2B厂，原规划导入2纳米产线，现已修正为切入3纳米制程 [8] - 台积电CoWoS先进封装产能也会同步在台湾扩充 [9] 投资成本与财务影响 - 在美国建设产能成本高昂，台积电面临极高的折旧成本，且需调整台湾晶圆厂的利用率，这可能影响公司盈利 [2][5] - 每座晶圆厂投资额高达220亿美元，若追加五座晶圆厂，投资金额将增加至少1000亿美元 [9] - 为应对海外布局成本上扬，台积电已通知客户从2024年起连续四年调涨晶圆代工价格，2024年涨幅在5%至20%之间 [9] 地缘政治与商业考量 - 台积电扩大在美投资与特朗普政府极力提升美国芯片自主的目标相符，双方似乎已达成默契 [9] - 公司现阶段采取“台湾先行扩充、亚利桑那州厂列为备案”的策略，美台两地同步扩充，以在满足客户需求、提升获利与应对政治压力间取得平衡 [8][9] - 台湾被美国视为供应链关键角色，关税若降至15%与日本、韩国、欧盟相同，代表台湾获得“准最惠待遇”，有利于台湾传统产业在美国市场竞争 [4] - 分析指出，只要美国仍然需要台湾的半导体技术，台湾就仍具有战略价值 [5] 运营挑战 - 若在单一地区运作五至八座晶圆厂，将面临电力供应、水资源回收以及工程师人才招募等重大挑战 [5]

行业产能与供应 - 三星电子预计2024年DRAM晶圆产量将提升至793万片，较2023年的759万片增长约5%，季度平均产量将首次突破200万片，但向1c工艺过渡可能导致产能暂时下降，影响增长 [1] - SK海力士2024年DRAM产量预计从597万片增至约648万片，增幅约8%，增幅略高于三星，主要得益于清州M15X工厂下半年开始投产 [1] - 美光2024年DRAM年产量预计约为360万片，与去年持平 [1] - 在三星平泽P4工厂（预计2027年后投产）和SK海力士龙仁集群全面运营前，全球DRAM供应短缺问题难以缓解 [2] - 尽管三大厂商产能高于去年，但与市场需求存在巨大缺口，DRAM客户需求满足率仅为60%左右，服务器DRAM满足率低于50% [2] 市场价格趋势 - 市场研究公司TrendForce预计，2024年第一季度DRAM合约价格将比上一季度上涨55%至60% [2] - 同期，受服务器需求激增推动，NAND闪存合约价格预计将上涨33%至38% [2] - 由于制造商削减供应，PC DRAM价格预计在2024年上半年大幅上涨，移动DRAM持续短缺，未来几个季度合约价格将飙升 [3] - 预计2024年第一季度服务器DRAM价格将比上一季度上涨超过60% [3] - 瑞银预计DDR合约价格的上涨势头可能会持续到2025年第一季度，NAND闪存价格上涨势头可能持续到2024年第三季度 [4] 公司业绩与股价预期 - 瑞银将SK海力士目标股价从85.3万韩元大幅上调至100万韩元，为国内外证券公司中最高，并预测其2024年营业利润将超过150万亿韩元 [4] - 瑞银预计SK海力士2024年第四季度DRAM业务营业利润率将达到82%，超过2018年第三季度65%的历史最高纪录 [4] - SK海力士2024年营业利润预期为150.2万亿韩元，较此前预期上调211%，比市场普遍预期的99万亿韩元高出52% [5] - SK海力士自由现金流预计2024年达到75万亿韩元，2025年达到98万亿韩元 [5] - 瑞银将三星电子目标股价从15.4万韩元上调至17.2万韩元，同时将其2024年营业利润预期从135万亿韩元上调至171万亿韩元，比市场普遍预期的130万亿韩元高出32% [6] 行业驱动因素与前景 - 存储半导体行业正处于“前所未有的上升周期” [6] - DRAM供应商优先发展先进工艺和新生产设施，以生产服务器和高带宽内存产品，满足人工智能服务器日益增长的需求 [2] - 尽管高带宽内存备受关注，但通用内存有望在2026-2027年成为关键的利润驱动力 [4] - 由于笔记本电脑出货量下降和配置降低，PC需求正在放缓 [3] - PC和智能手机制造商等主要买家面临困境，只能获得所需内存的一半左右 [2]

文章核心观点 芯片制造行业正处于需求旺盛的“超级周期”与技术进步放缓的“摩尔墙”并存的奇特时期[1] 行业正通过多种前沿技术创新来应对挑战，包括3D NAND的垂直堆叠与架构创新、逻辑芯片中铜互连的替代材料、二维材料取代硅的潜力以及CFET等下一代晶体管技术[1] 这些进展在IEDM 2025会议上得到了集中展示，指明了芯片制造的未来发展趋势[1] 3D NAND技术发展 - **行业背景与挑战**：NAND闪存需求激增，但产能受限于洁净室空间，制造商需通过升级现有生产线来提升供应[3] 领先的3xx层3D NAND工艺良率约为20-30 Gb/mm²，一片12英寸晶圆可生产超过30TB存储器[3] 技术微缩面临成本上升、性能提升平缓的挑战[1] - **容量扩展途径**：扩展每片晶圆存储容量主要有四个途径：逻辑缩放（每单元存储位数）、垂直扩展（堆叠层数）、横向缩放（单元尺寸/数量）和架构扩展（减少开销的技术）[4] 目前行业主要关注成本最低的垂直扩展，即增加堆叠层数[8] - **SK海力士321层V9工艺**：其321层工艺相比上一代238层工艺，单片存储容量提升了44%[4] 实现更多层数的关键是在单个“deck”（由导电层和绝缘层交替堆叠而成）上增加“plug”（填充完毕的沟道），并通过重复此循环堆叠更多deck[10] 增加层数导致加工难度剧增，从V8到V9，总加工步骤增加了30%，蚀刻步骤增加了20%[11] 但其商业前景面临挑战，其21 Gb/mm²的密度与美光276层G9相当，而美光仅用两层deck，成本更低[13] - **三星的钼字线技术**：三星在其现有V9 286层技术中，将字线金属从钨改为钼，虽然制造更困难，但带来了显著性能提升：接触电阻降低40%，读取时间缩短30%以上，寿命测试故障率降低94%[15][16] 其关键技术是先生长一层氮化钼籽晶层，再转化为纯钼，实现了无衬垫的高质量钼层沉积[16] - **SK海力士的5比特/单元创新**：公司展示了一种新架构，将每个存储沟道分割成两个半圆柱体“区域”，使每个单元存储5位数据变得更容易[19] 传统架构需要32个不同的阈值电压状态，而新架构通过并联读取两个站点，仅需每个站点6个状态即可获得36个组合状态，更易于读取[21] 但该工艺制造非常困难，目前不具备成本效益[23] 逻辑芯片互连技术演进 - **铜互连的瓶颈与钌的替代**：当节点尺寸缩小至10纳米以下，铜互连因“尺寸效应”导致电阻率急剧上升[24] 业界开始探索钌作为替代方案[24] - **三星的高织构钌互连**：三星通过钌原子层沉积技术实现晶粒取向工程，制造出具有99% (001)取向度的薄膜，显著降低了电子散射[25] 在横截面积仅为300 nm²的超细互连线中，电阻降低了46%；对环栅FET的仿真显示，使用该技术可使M1线电阻降低26%[25] 其“超循环”沉积工艺最终能形成近乎单晶的结构，使电流方向与低电阻c轴平行[28] - **IMEC的路线图与全自对准通孔**：根据IMEC路线图，从A14到A10节点将开始从铜过渡到钌；A7节点将引入16纳米间距，这可能是单次曝光High-NA EUV光刻的极限[30] 在16纳米间距下，通孔关键尺寸仅约8纳米，需要全自对准通孔技术来保护气隙结构并防止互连失效[32] 其工艺流程结合了低NA EUV光刻、干湿法刻蚀、间隔层沉积、CMP和选择性去除等复杂步骤[34][36][37] 二维材料在逻辑器件中的应用 - **应用动因与集成挑战**：二维过渡金属二硫化物因更大的带隙和更高的有效质量，能抑制源漏隧穿效应，是解决硅FET在10纳米以下栅长时关态漏电流激增问题的可行方案之一[39][48] 当前主要挑战在于大规模制造集成，包括高温生长兼容性、环境安全问题以及300毫米晶圆级转移或直接生长技术的成熟度[39][40] - **接触电阻与CMOS可行性**：提升器件性能的关键是降低接触电阻，目标是在低工作电压下使Rc < 100 Ω·µm[42] CMOS工艺面临p型器件性能不足的非对称性问题，其核心机制包括费米能级钉扎和界面偶极子效应，导致空穴注入困难，p型接触电阻高[44] - **变异性与层控制**：制造过程中的损伤、层数变化导致的带隙转变以及堆垛顺序错误，都会引入显著的器件性能变异性[47] 多层膜被视为一种务实的工程折衷方案，但层数控制仍很困难[47] - **技术进展与工程优化**：台积电2022年展示了GAA单层MoS₂ n型FET，证明了架构可行性[50] 其2025年研究通过在高介电常数栅介质与沟道间插入中间层，将等效氧化层厚度从约2纳米缩小到约1纳米，使导通电流提高约2-3倍，迟滞降低约30-40%[51] 通过转向氮基离子液体并加强表面预处理，单层WSe₂的空穴迁移率可超过100 cm²/V·s[52] - **接触几何与建模工具**：业界正寻求如C型接触等可制造的接触几何形状，以克服工艺偏差[53] 二维器件的研发还受限于物理建模工具的成熟度，需要连接TCAD仿真与第一性原理计算的高效工具链来加速产品化进程[55] - **发展现状总结**：当前二维FET的研究重点已从追求单一性能记录，转向解决可重复制造的基础问题，包括晶圆级集成、低偏置接触电阻、p型器件性能提升以及变异性的控制[56] 下一个重要里程碑是展示在集成、接触、极性对称性和变异性控制上都取得进展的、具有统计可信度的晶圆级产品[56]

徕卡图像传感器研发新动态 - 徕卡正在重新开发自己的图像传感器 这在图像传感器技术多样性不高的行业中是一项令人兴奋和有趣的进展 [1] - 徕卡监事会主席考夫曼博士证实 公司有很多关于徕卡M系统进一步发展的想法 并且正在再次开发自己的传感器 [3] - 图像传感器的研发一直在进行 但开发需要相当长的时间 即使采用现有传感器研发新相机也可能需要三年以上 加入新传感器会使过程更复杂 [3] 传感器合作模式与历史 - 徕卡最有可能与一家现有的图像传感器制造商密切合作 为未来相机设计和制造全新传感器 [4] - 世界上能够制造精密图像传感器的公司并不多 徕卡在M11系列中使用了索尼现成的传感器 而在M10上则与奥地利公司欧司朗合作开发 传感器在法国代工厂生产 [4] - 从技术上讲 徕卡完全可以委托索尼定制传感器 “开发”图像传感器的含义多样 可以是从调整滤光片到全新设计的各种深度合作 [4][5] 公司市场与产品战略 - 徕卡最大的市场是美国 第二大市场是中国 本土市场德国位列第三 但日本很可能会超越德国占据第三 [5] - 公司有很多项目正在筹备中 摄影师应密切关注2026年的消息 [5] - 徕卡M EV1的推出打消了公司会放弃旁轴相机的担忧 公司产品线将分成使用电子取景器和使用测距仪两个分支 并保持两个产品系列 [5]

全球半导体市场整体趋势 - 根据Gartner数据，2025年全球半导体销售额预计达到7934亿美元，同比增长21% [1] - 预计到2029年，全球芯片销售额将达到1.2万亿美元，几乎是2024年销售额的两倍 [9] - 从2025年到2029年，整体芯片销售增长率预计将从21%放缓至8% [9] AI相关芯片的增长与份额 - 2025年，AI XPU（包括GPU）、HBM内存及AI网络芯片的销售额合计将占全球芯片总销售额的近三分之一，估算为31.5%，约2500亿美元 [1] - 预计到2029年，AI半导体将占芯片总收入的50%以上 [2] - 2025年，AI“处理器”销售额预计将超过2000亿美元，HBM收入将超过300亿美元，占全球DRAM总销售额的23% [2] 主要半导体厂商表现分析 - 英伟达在2024年成为芯片销售收入领头羊，2025年营收预计增长63.9%，达到1257亿美元，占全球芯片销售额的15.8% [4] - 英伟达的崛起速度远超英特尔的衰落速度，英特尔2025年销售额预计为479亿美元，市场份额降至6.0% [4][6] - 三星2025年销售额预计为725亿美元，市场份额9.1%；SK海力士预计为606亿美元，市场份额7.6%；美光预计为415亿美元，市场份额5.2% [3] - 博通和AMD稳步增长，2025年销售额预计分别为343亿美元和325亿美元，各自以不同方式受益于AI [6] AI芯片细分市场预测 - 在2025年至2029年间，AI XPU（包括GPU）的销售额预计增长2.3倍，达到4650亿美元 [13] - 同期，用于AI系统的HBM内存销售额预计增长4.1倍，达到1240亿美元 [13] - AI网络组件的销售额预计增长1.8倍，达到310亿美元 [13] 市场驱动因素与结构变化 - 剔除英伟达的收入后，全球芯片市场依然保持强劲增长，主要由HBM内存、高端CPU及网络芯片销售驱动 [9] - 超大规模数据中心和云构建商自研CPU和XPU，这部分“收入”流已占CPU“收入”的近一半，且到本十年末AI XPU收入也可能达到同等水平 [7] - 在分布式AI系统中，带宽和内存容量对性能的驱动作用可能超过原始计算能力，因此HBM内存和网络芯片在AI领域的份额预计将略有增加 [11]

电子系统设计行业2025年第三季度市场表现 - 行业在2025年第三季度保持增长势头，收入同比增长8.8%，达到56亿美元，高于2024年同期的51亿美元 [1] - 四个季度的移动平均值增幅更大，达到10.4%，表明增长势头持续而非一次性激增 [1] 各产品类别收入增长情况 - 半导体知识产权业务表现最为突出，营收增长13.6%至19.2亿美元，过去四个季度的移动平均增长率为14.8% [2] - 服务业务实现了两位数增长，同比增长10.2%至2.214亿美元 [2] - 计算机辅助工程工具仍然是最大的细分市场，增长9.1%至略高于21亿美元 [2] - 集成电路物理设计和验证的销售额仅增长1.3%，达到8.654亿美元 [2] - 印刷电路板和多芯片模块工具的销售额增长3.4%，达到4.662亿美元 [2] 各地区市场收入表现 - 亚太地区是增长引擎，营收同比增长20.5%至22.2亿美元，过去四个季度的移动平均增长率为12.8% [3] - 美洲地区仍然是最大的市场，第三季度营收达24亿美元，增长3.4% [3] - 欧洲、中东和非洲地区营收增长4.6%至6.751亿美元，其四个季度的移动平均值增长7.6% [3] - 日本是唯一出现下滑的地区，收入同比下降11.5%至2.64亿美元，尽管其四个季度的移动平均值仍显示出温和增长 [3] 行业员工人数变化 - 报告追踪的公司在2025年第三季度全球员工总数超过73,000人，较上年同期增长17.3% [3] - 员工人数增长表明，即使部分区域市场疲软，电子设计自动化供应商仍在招聘以满足需求 [3]

文章核心观点 - 高端玻璃纤维布（特别是T型玻璃）供应短缺，正成为2026年电子产品制造和人工智能行业发展的主要瓶颈之一，苹果、英伟达、谷歌、亚马逊、AMD、高通等科技巨头正为此展开激烈争夺 [1][3][5] 供应链结构与关键材料 - 高端玻璃布主要由日本公司日东纺（Nittobo）生产，几乎垄断了最先进类型的供应，另一家日本公司Unitika产量远低于日东纺 [1][4][5] - 玻璃布是芯片基板和印刷电路板（PCB）的关键组成部分，用于制造双马来酰亚胺三嗪（BT）基板等 [1][3] - 铜箔基板及树脂材料由日本 Resonac、三菱瓦斯化学（MGC）等公司供应 [4] - 基板制造环节的主要厂商包括台湾的欣兴电子（Unimicron）、南亚电路板（Nan Ya PCB）、景硕科技（Kinsus Interconnect Technology）以及奥地利的AT&S [4] 主要需求方与竞争态势 - 需求方包括英伟达、AMD、谷歌、苹果、高通、博通等AI及移动芯片巨头 [1][4] - 人工智能蓬勃发展极大地推动了对采用优质玻璃纤维布制造的高性能PCB的需求，导致AI公司与苹果、高通等移动设备厂商形成直接竞争 [1] - 英伟达和AMD已派员工前往日东纺，希望获取AI芯片所需原材料 [4] 供应短缺现状与影响 - 日东纺的新增产能有限，预计要到2027年下半年新产能上线后，供应紧张局面才能得到实质性改善 [5] - 供应限制正造成“2026年电子产品制造和人工智能行业面临的最大瓶颈之一” [3][5] - 苹果公司正为其2026年产品路线图（包括首款可折叠iPhone）寻求供应保障，面临特别紧迫的问题 [3] 各公司的应对措施 - 苹果公司去年秋天派遣员工前往日本，驻扎在三菱瓦斯化学公司（MGC），试图确保用于BT基板的材料供应 [3] - 苹果公司进一步询问日本政府官员，希望帮助其从日东纺获得更多供应 [3] - 苹果公司也在努力寻找替代来源，包括派遣员工前往中国小型玻璃纤维制造商格瑞丝织物科技（GFT），并要求MGC帮助监督该中国供应商的质量改进 [5] - 高通公司曾拜访日本玻璃布供应商Unitika，希望其帮助缓解供应紧张局面 [5] 关键材料特性 - 这种特殊玻璃正式名称为低热膨胀系数（CTE）玻璃，更常见的叫法是T型玻璃 [6] - T型玻璃因其尺寸稳定性、刚性和高速数据传输能力而备受青睐，对人工智能计算和其他高端处理器芯片至关重要 [6]

核心观点 - 人工智能等领域需求激增，叠加供应短缺，导致DDR5内存及移动存储（DRAM/NAND）价格持续大幅上涨，且预计未来将继续攀升，短缺可能持续至2027年第四季度 [1][2][3][5][7] DDR5内存价格动态 - 韩国市场DDR5内存价格已失控，单条16GB DDR5-5600内存售价接近40万韩元（约270-300美元），32GB套装售价在68万至78万韩元之间（约450-500美元）[1] - 入门级支持XMP/EXPO的内存套装在韩国售价73万至92.6万韩元（约500-650美元），而数月前可用更低价格购买更高性能的64GB套装 [2] - 美国市场目前16GB内存条售价165-175美元，32GB条售价300-400美元，但预计价格将在一个月内大幅上涨，此前一个月内多数内存产品价格已上涨30% [2] - 高端工作站和服务器专用的ECC RDIMM或OC RDIMM套装价格极高，达5000至8000美元以上 [2] - 内存价格未现稳定迹象，可能成为消费者未来需支付的最昂贵电脑配件之一 [3] 移动存储（DRAM/NAND）成本影响 - 受DRAM危机影响，预计到2026年智能手机物料清单成本将上涨25% [5] - 移动LPDDR RAM价格上涨70%以上，NAND闪存（存储）成本上涨100% [5] - 内存成本占智能手机总制造成本比例已从10%-15%上升至20% [6] - 芯片组成本亦在上涨，例如骁龙8 Elite Gen 6 Pro芯片组售价可能轻松超过300美元 [6] - 手机制造商面临两难：要么降低手机配置，要么将成本转嫁给消费者并面临销量下滑风险 [7] 行业现状与预期 - 人工智能领域需求增长是推动内存价格上涨的关键因素，相关封装厂商也因订单激增而提价 [1] - 韩国市场是内存价格上涨的先行指标，其价格走势预示了其他地区的趋势 [1] - 行业预计价格将进行“渐进式”调整，短缺危机预计将持续至2027年第四季度 [2][7] - 并非所有公司都受直接影响，例如NVIDIA通过预购库存避免了短缺影响，但其行为可能加剧了此次短缺 [7] - 行业巨头如苹果也面临压力，其高管曾长期滞留海外以期与三星、SK海力士等DRAM制造商达成协议 [5]

全球半导体市场增长预测 - 根据Gartner初步结果，2025年全球半导体收入预计将达到7930亿美元，同比增长21% [1] - 世界半导体贸易统计组织（WSTS）秋季预测报告将2025年增长预期上调，预计市场规模达到7720亿美元，同比增长22%，较夏季预测上调近450亿美元（约7个百分点）[5][8] - WSTS预测，到2026年全球半导体市场规模将增长超过25%，达到9750亿美元，接近1万亿美元 [8] 人工智能半导体的主导作用 - 人工智能半导体（包括处理器、高带宽内存HBM和网络组件）是市场增长的核心驱动力，预计到2025年将占总销售额的近三分之一 [1] - 人工智能基础设施支出预计在2026年超过1.3万亿美元，人工智能半导体的主导地位将继续扩大 [1] - 到2025年，HBM将占DRAM市场的23%，销售额超过300亿美元，而人工智能处理器的销售额将超过2000亿美元 [3] - 预计到2029年，人工智能半导体将占半导体总销售额的50%以上 [4] 主要供应商排名与表现 - 在排名前10的半导体供应商中，有5家供应商的排名从2024年起发生了变化 [1] - 英伟达巩固了领先优势，成为首家半导体销售额突破1000亿美元的供应商，并在2025年为行业增长贡献了超过35%的份额 [3] - 到2025年，英伟达的领先优势将比排名第二的三星扩大530亿美元 [3] - 三星电子保持第二的位置，半导体收入达730亿美元，主要得益于存储器业务增长13%，但非存储器业务收入同比下降8% [3] - SK海力士跃升至第三位，预计2025年营收将达到610亿美元，比上年增长37%，主要得益于人工智能服务器对HBM的强劲需求 [3] - 英特尔的市场份额持续下滑 [1] 按产品类别划分的增长动力 - 逻辑电路和存储器业务是2025年增长预期上调的主要推动力，得益于人工智能相关应用以及计算和数据中心基础设施的持续需求 [8] - 逻辑电路预计将增长37%（上调8个百分点），存储器预计将增长28%（上调11个百分点）[8] - 其他产品类别在2024年下行周期后温和复苏：传感器增长10%，微处理器增长8%，模拟电路增长7%，光电子器件增长4% [8] - 分立器件业务预计将略有下滑，主要原因是汽车应用领域持续疲软 [8] - WSTS预测，到2026年，存储器和逻辑器件仍将引领增长，两者的年增长率均超过30% [8] 按区域划分的市场表现 - 从区域来看，美洲和亚太地区预计在2025年将增长25%至30%，反映了逻辑电路和存储器业务的强劲增长 [8] - 欧洲预计2025年增长6%，而日本预计将下降4% [8] - WSTS预测，到2026年，所有主要市场预计都将扩张，美洲和亚太地区仍将是增长最强劲的地区，而欧洲和日本预计将实现两位数的低增长 [8] - 具体数据（2025年 vs 2024年）：美洲增长29.1%至2519.26亿美元，欧洲增长5.6%至541.27亿美元，日本下降4.1%至448.35亿美元，亚太地区增长24.9%至4213.54亿美元 [9]