公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 市场原本预期三星可能凭借率先量产的2 亿画素技术，抢先索尼取得苹果采用。 市场估算，此CIS 产品不仅可能应用于新款iPhone，也将涵盖仍在销售的旧款机型，潜在需求量约达 2 亿颗。以12 吋晶圆、80% 良率推算，苹果目前对三星的订单仅约占最大需求的20%。 然而，三星原本规划于2026 年3 月启动量产，但最新评估显示可能推迟至2026 年底或2027 年初。 由于这是三星十年来首次重返苹果CIS 供应链，市场普遍认为三星为符合iPhone 严格规格采取更谨 慎策略，因此最快要到明年底，才能对三星营收带来实质助力。 三星供应延迟，也代表「iPhone 18 系列对三星的助力」不会立即显现。据了解，苹果计划于2026 年下半年推出iPhone 18 Air、Pro 与Pro Max 高阶机型，基础与入门款则预计在2027 年初上市。 若三星能按原订时程出货，其CIS 本可进入iPhone 18 首批量产，但随着时程延后，实际应用可能落 在后期扩产阶段，甚至要到iPhone 19 才会广泛使用。 但业内人士指出：「三星目前正为苹果开发一款5,000 万画素CI ...

活动概况 - 年度半导体产业盛会“湾区半导体产业生态博览会”（湾芯展）将于2025年10月15-17日在深圳会展中心（福田）举办 [1] - 博览会覆盖6万㎡展示面积，汇聚600余家全球龙头企业，旨在撬动湾区百亿级增量市场 [1] - 半导体行业观察打造60㎡联合展区，集结知合计算、泰克科技、云天励飞、欧冶半导体四家企业，以“技术矩阵+场景体验”模式展示创新 [1] 联合展区技术布局 - 联合展区覆盖“架构创新-测试验证-场景落地-车规应用”全核心链路，是“AI芯片生态”和“先进封装”板块的重要延伸 [3] - 四家企业通过“实物演示+方案解读”形式释放技术信号 [7] - 展区设置三大互动环节：每日10:00的技术沙龙、14:00的供需精准匹配会（定向对接华为、比亚迪等核心采购商）、以及全程的技术方案定制咨询 [7] 参展企业核心技术与展示 - **知合计算**：致力于开发基于RISC-V架构的高性能、可扩展“通推一体”CPU芯片，其首代产品“阿基米德”系列能实现高性能通用计算与高性价比AI推理计算的融合 [3] 展期将发布最新RISC-V生态技术路线图 [8] - **泰克科技**：提供兼具精度与简洁性的测试测量解决方案，近80年来是工程师的测量、探索与创新合作伙伴 [4] 现场将演示“晶圆级材料测试→芯片设计验证”全流程方案，设备可适配第三代半导体与先进封装等前沿工艺 [8] - **云天励飞**：作为AI推理芯片领军企业，自主研发神经网络处理器核心IP和芯片，聚焦大模型高效推理 [5] 现场将展示DeepEdge10芯片的实时推理算力，呈现其在边缘智能与航天领域的应用潜力 [8] - **欧冶半导体**：中国首家聚焦智能汽车第三代E/E架构的系统级SoC芯片供应商，以“Everything+AI”战略推动智能化技术落地 [6] 将打造智能汽车芯片应用沙盘，解析其通过分层软件交付如何缩短车企开发周期 [8] 同期论坛议程要点 - 同期举办“边缘AI赋能硬件未来创新论坛”，议程涵盖端侧大模型芯片、NPU助力硬件创新、智算新质生产力、AI赋能出海、RISC-V架构、AI芯片测试等主题 [9][10] - 演讲嘉宾来自深港微电子学院、安谋科技、云天励飞、中国联通、浪潮云、阿里巴巴达摩院、知合计算等机构与企业 [9][10]

文章核心观点 - ARM首席执行官雷内·哈斯指出英特尔在半导体行业竞争中因错失关键机会而落后 面临难以追赶的挑战 核心问题包括错失移动市场 延迟采用EUV光刻技术以及制造文化差异 [2][5][7] 英特尔错失的关键机会与竞争劣势 - 英特尔完全错失了移动细分市场 未能为iPhone生产低功耗移动芯片 其Atom系列SoC不足以整合进苹果产品 前首席执行官将此次拒绝称为公司最大错误之一 [5] - 一旦在芯片领域落后就难以追赶 因为周期会形成压倒性优势 台积电目前拥有全球最佳晶圆厂 苹果 英伟达 AMD等领先公司均在台积电代工 [5] - 英特尔延迟采用EUV极紫外光刻技术 使其在制造方面受到惩罚 台积电得以围绕EUV构建生产结构并获得优势 英特尔可能在十年前决定不以台积电的速度投入 [7] 制造文化差异与行业挑战 - 西方社会对制造业的看法与台湾不同 在西方制造业不被视为利润丰厚且有声望的工作 常被看作蓝领职业 而在台湾于台积电工作被视为非常有声望 [7][8] - 美国需要进行全面从零开始的改革才能建立国内制造能力 这涉及多个行业的复杂过程并需要长期的政府支持 不仅仅是英特尔一家公司的问题 [8]

截 至 2025 年 第 二 季 度 ， 英 伟 达 （ Nvidia ） 对 AI GPU 市 场 拥 有 绝 对 的 控 制 权 ， 市 场 份 额 达 到 94%，比上一季度增加了 2%。预计仅今年一年，该公司就将创造 490 亿美元的 AI 相关收入，比去 年高出近 40%，无论以何种标准衡量，这都是一个惊人的增长。 如果这还不够令人印象深刻，英伟达最近的市场估值达到了 4.6 万亿美元，使其成为有史以来第一家 市值突破 4 万亿美元的公司。微软（Microsoft）紧随其后，于 2025 年 7 月成为第二家达到相同里 程碑的公司。 尽管英伟达的 GPU 为当今绝大多数 AI 工作提供了动力，但其主导地位也以更微妙的方式体现出 来。据报道，谷歌（Google）和亚马逊（Amazon）都曾礼节性地致电首席执行官黄仁勋（Jensen Huang），向他简要介绍自己的芯片计划后再对外公布，这表明英伟达在整个行业中仍然拥有巨大的 影响力。 亚马逊和谷歌为何仍需"礼让"英伟达 提 前 告 知 最 终 可 能 成 为 你 竞 争 对 手 的 公 司 你 的 计 划 ， 这 是 一 种 不 寻 常 的 做 法 ， ...

文章核心观点 - 全球半导体行业正经历深刻经济转型，核心是台积电，标志着一个晶体管成本可预测下降时代的终结 [2] - 台积电决定对最先进逻辑芯片实施前所未有的价格上涨，此举措由巨额资本支出、地缘政治任务及物理限制所驱动 [2] - 台积电利用其技术优势为下一代创新提供资金，此举将永久性提高整个数字经济基础组件的成本基准 [2] 摩尔定律的脱钩 - 摩尔定律已达到拐点，制造成本增长速度现已超过仅靠密度缩放所能抵消的经济效益 [4] - 台积电将从2026年起对5纳米以下先进节点实施5-10%的价格上涨，最具战略意义的调整是向2纳米节点的代际飞跃 [4] - 2纳米节点生产的晶圆价格将比其前代产品飙升超过50%，单片晶圆价格将推高至30,000美元或更高 [4] - 在主要节点过渡中，每晶体管成本将首次上升，获得半导体技术巅峰成为一项高价服务 [4] 为"主权"买单 - 台积电成本结构上升的一个主要催化剂是全球多元化所需的巨额资本支出，深受地缘政治压力影响 [6] - 台积电在美国亚利桑那州工厂的总支出已飙升至1,650亿美元，是美国历史上最大的单笔外国直接投资 [6] - 海外工厂运营成本显著高于台湾晶圆厂，AMD证实亚利桑那晶圆厂生产的芯片贵5%到20%，行业报告显示4纳米生产溢价可能高达30% [6] - 台积电承认海外晶圆厂将使其合并毛利率稀释2-3%，提价被视为抵消更高运营和地缘政治成本的"不可避免"的必需品 [8] 半导体晶圆成本演变 - 7纳米节点（2018年）晶圆价格约为9,350美元 [7] - 5纳米节点（2020年）晶圆价格约为17,000美元，代际价格上涨约82% [7] - 3纳米节点（2022-2023年）晶圆价格约为20,000美元，代际价格上涨约18% [7] - 2纳米节点（预计2025年）晶圆价格预计为30,000美元以上，代际价格上涨超过50% [7] 用GAA挑战原子壁垒 - 价格飙升的第二个主要驱动力是保持领先地位所需的技术复杂性，行业正通过全环绕栅极晶体管在埃米尺度上突破物理边界 [10] - 从3纳米到2纳米节点的飞跃需要从FinFET架构过渡到GAA架构，这是十多年来晶体管设计中最重大的变化之一 [10] - GAA晶体管的制造比FinFET"复杂了一个数量级"，涉及多步骤工艺，引入了许多新的潜在故障模式和更高的开发成本 [14] - 最先进设施成本在150亿到200亿美元之间，极紫外线光刻机每台成本约为3.5亿美元 [14] - 行业正与随机缺陷作斗争，这代表着缩放的一个根本性障碍，并确保未来的进步将以结构性更高的成本为代价 [14] 客户反应 - 英伟达公开支持价格上涨，首席执行官认为台积电的价值没有在目前定价中得到充分体现，并称台积电为"人类历史上最伟大的公司之一" [16] - 苹果作为台积电最大的单一客户，面临晶圆成本上升和地缘政治关税的挑战，但确保获得最先进工艺技术对其产品路线图至关重要 [16] - 苹果承诺在美国制造业投入6,000亿美元以获得额外半导体关税豁免，其在2025年第三季度产生了8亿美元的关税相关成本，预计下一季度将上升至11亿美元 [17] - 高通和联发科面临直接的利润挤压，联发科在N3P工艺上的成本增长达24%，高通面临16%的增长 [17] - 高通首席执行官表示，英特尔代工技术目前还不是用于移动芯片的可靠、高良率替代品，这巩固了台积电的杠杆作用 [17] 对消费价格和数据中心的影响 - 安卓芯片巨头面临的利润挤压将"不可避免地转化为2026年起旗舰消费设备的价格上涨"，顶级产品逐步降价的时代已经结束 [19] - 在数据中心领域，30,000美元以上的2纳米晶圆成本为未来所有AI和高性能计算组件设定了明显更高的价格底线 [19] - 财务压力加速行业向小芯片架构转变，对组件使用更旧、更具成本效益的工艺，而只将昂贵的2纳米工艺保留给性能关键的逻辑部分，正从工程选择转变为经济必需 [19] - 台积电正在利用其技术主导地位和市场力量，实施新的定价范式，以确保其财务稳定并支持推进技术的挑战性工作 [19]

来源 ： 内容编译自politico 。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 一项价值 74 亿美元的技术倡议曾被设计为美国半导体复兴的关键支柱，但在商务部突然撤回其资金 后，目前陷入了僵局。此举不仅引发了大规模裁员，也将这个被拜登政府选定来领导该工作的团体推 向了关闭的边缘。 Natcast 这个汇集了顶级芯片公司和研究型大学的非营利组织，曾签署了一份数十亿美元的合同，旨 在确保美国在半导体进步中保持中心地位。唐纳德·特朗普总统和两党议员仍然认为这项指令在全球 与中国的技术竞争中至关重要。 注： 给予是德科技（ Keysight Technologies ）、普林斯顿大学（ Princeton University ）和德克萨斯大学奥 斯汀分校（ University of Texas at Austin ） 的资金是一个估计值，基于这三个项目总计接近 3000 万美元 的资金，平均每个项目估计为 750 万至 1000 万美元。一个位于加利福尼亚州桑尼维尔的旗舰设施项目已 被宣布，但初期拨款中未报告联邦资金。 来 源 ： 美 国 国 家 标 准 与 技 术 研 究 院 (National In ...

FD-SOI技术概述与核心优势 - 全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI）技术是解决低功耗难题的核心方案，其独特结构在超薄埋氧层上构建完全耗尽沟道 [2] - 技术优势包括优异的栅极控制能力、显著降低漏电流和静态功耗、无需沟道掺杂避免性能不一致性、天然全介质隔离减少寄生电容 [4] - 背偏压技术能动态调节晶体管阈值电压，实现性能与功耗的灵活权衡，在低功耗、模拟/RF性能、集成度及成本效益方面具独特竞争力 [5] FD-SOI市场前景与增长驱动力 - FD-SOI市场规模预计从2022年9.3亿美元增长至2027年40.9亿美元，复合年增长率高达34.5% [7] - 增长主要由物联网（超低功耗）、汽车电子（高可靠性、抗干扰性）以及边缘AI（高能效比）三大领域驱动 [7] - 国际商业战略公司（IBS）预测，FD-SOI总可用市场（TAM）将从2020年28.99万片晶圆/月增长至2030年127.6万片晶圆/月 [19] FD-SOI技术发展历程 - 技术奠基与产业化起步（2012-2014年）：意法半导体2012年率先推出28nm FD-SOI平台，材料供应商Soitec突破高质量衬底技术瓶颈 [8] - 工艺迭代与应用拓展（2015-2018年）：格罗方德2015年推出22nm FD-SOI代工平台（22FDX），恩智浦、索尼等公司推出基于FD-SOI的芯片产品 [8] - 先进工艺突破与生态深化（2022年至今）：欧盟支持ST与GF在法国建设12nm FD-SOI晶圆厂，ST与三星2024年联合发布18nm FD-SOI技术 [8] 三星FD-SOI战略布局 - 三星实行“双轨制”技术路线，在先进制程推进GAA技术，同时在中低压特色工艺巩固FD-SOI优势，聚焦物联网、可穿戴设备与汽车电子 [10] - 构建从28nm到18nm的完整FD-SOI产品链，并建立“SAFE合作伙伴体系”提供全流程支持 [10] - 明确中国市场是FD-SOI增长核心驱动力，计划加大技术投入，推动FD-SOI成为物联网、汽车电子等场景的“标配方案” [11] 意法半导体FD-SOI技术实践 - 以IDM模式为基础，将FD-SOI技术深度绑定汽车电子场景，28nm FD-SOI技术漏电流较传统28nm体硅工艺降低60%，累计出货晶圆量超35万片 [12] - 18nm FD-SOI相较于28nm FD-SOI性能提升25%，功耗降低40%，芯片面积缩减35% [12] - 进阶版18nm FD-SOI（18FDS+）计划2025年量产，目标应用覆盖毫米波雷达、低轨卫星通信等高性能场景 [12] 格罗方德FD-SOI技术定位 - 将FD-SOI技术定位为“边缘AI的量身定制方案”，以22FDX平台为核心，满足边缘设备“高性能+超低功耗”双重诉求 [13] - 车载雷达芯片采用22FDX工艺后，功耗降低45%，体积缩减30%，已获得博世、大陆等Tier1厂商订单 [13] - 计划推进12nm FD-SOI工艺研发，目标替代部分7nm FinFET应用，性能提升30% [14] 研究机构对FD-SOI的展望 - IBS认为FD-SOI是边缘AI应用的“理想技术伴侣”，其能效表现优于传统体硅CMOS和FinFET，12nm FD-SOI或可满足许多7nm FinFET应用的需求 [18] - CEA-Leti指出FD-SOI自适应背偏压技术可降低高达50%功耗或提升40%性能，射频关键指标适用于5G毫米波、Wi-Fi 6等高频应用 [20] - CEA-Leti推动FD-SOI向10nm和7nm节点演进，10nm FD-SOI目标性能提升约1.9倍或功耗降低至1/5，晶体管密度提高4倍 [22][23] FD-SOI未来发展趋势 - 技术上向10nm、7nm先进节点延伸，通过更薄埋氧层、应变工程与3D集成技术提升性能与集成度 [26] - 应用上从车规MCU、物联网传感器向边缘AI加速器、低轨卫星通信、AR/VR芯片等更广泛场景拓展 [26] - 生态上形成“全球协作+区域互补”格局，欧盟侧重先进制程研发，中国侧重应用落地，美国聚焦高端RF与存储集成 [26] FD-SOI对中国半导体产业的意义 - 在面临先进制程获取挑战的背景下，FD-SOI的成熟度和低功耗优势成为中国企业实现技术自主和产业升级的重要路径 [27] - 中国已具备300mm SOI衬底的生产能力，凭借本土产能、IP积累及庞大市场需求，已具备构建FD-SOI完整生态的基础 [27] - 通过深化与国际企业技术合作、加强本土产业链协同，中国有望在FD-SOI生态中占据核心地位 [27]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ： 内容编译自Yole 。 从数据中心到边缘设备， AI革命正在重塑处理器格局 处理器市场正在经历显著增长，主要动力来自生成式AI应用的快速需求增长。预计在2024年至2030 年间，市场规模将近乎翻倍，从2880亿美元增长至5540亿美元，这一趋势由企业、个人和政府对生 成式AI的广泛采用推动。2024年成为处理器行业的转折点——GPU市场首次超越APU市场。这一变 化 主 要 源 于 服 务 器 对 高 算 力 的 需 求 ， 用 于 运 行 ChatGPT 、 Gemini 和 Copilot 等 大 型 语 言 模 型 （LLMs）。 未来，GPU市场将面临来自超大规模云厂商（如谷歌和AWS）自研AI ASIC的激烈竞争，这类芯片 预计将在未来五年快速增长，主要目标是降低当下巨额的资本开支（CAPEX）成本。除服务器处理 器市场外，边缘AI也在APU和消费级CPU领域迅速扩展。目标十分明确：让所有电子设备都具备原 生AI功能，以提供最佳用户体验。智能手机和笔记本电脑处于嵌入式AI发展的最前沿，但未来也可 能会出现全新的设备类型。 行业巨头与新兴玩家 ...

全球算力互连趋势与CPO技术背景 - AI训练集群和超大规模数据中心的扩张导致数据中心整体带宽提升80倍 交换芯片功耗增加8倍 光模块部署量增长26倍 SerDes接口数量扩张25倍 [1] - 互连速率从25G/100G演进至400G/800G 预计2027年突破至3.2T [1] - 传统可插拔光模块因功耗高和带宽受限难以支撑未来算力集群需求 光电共封技术因此成为产业焦点 [1] CPO技术定义与优势 - CPO通过2.5D/3D先进封装将交换芯片与光学引擎集成在同一基板 实现光信号和电信号在芯片内部直接转换 大幅减小封装尺寸并提高数据转换效率 [3] - 光计算在延迟方面优势显著 基于模拟光计算的MAC延迟仅为2纳秒 而传统数字MAC延迟高达数百纳秒 [3] - 光计算在带宽 功耗和面积上比电计算有数量级提升 光的延迟小1000倍 带宽是电的10倍 功耗低100倍 [3] CPO技术发展路线 - 光电互联技术经历从可插拔到板卡级 片间 芯片级 片上级的演进 每一步都缩短电-光互连距离并提升带宽密度 [4] - 可插拔光模块具有成熟度高和灵活部署优势 但电气互连路径长导致能耗和带宽受限 [5] - 板卡级技术降低板间互连损耗 但标准化不足且维护难度高 [6] - 片间级技术使光引擎靠近交换芯片 降低电-光互连长度和功耗 但存在片上电气互连瓶颈 [7] - 芯片级CPO单通道速率提升至106G/lane 总带宽达51.2T 延迟降至纳秒级 能效显著提升 [8] - 片上级CPO预计2030年实现 总带宽突破100T 单通道速率212G/lane 但制造工艺和散热挑战巨大 [9] 国际CPO技术供应商格局 - 英特尔采用IDM全产业链模式 覆盖设计制造到封装 在OFC 2024展示支持400Gbps 800Gbps 1.6Tbps光引擎的CPO演示 [11] - 博通以准全产业链模式推出51.2T TH5-Bailly CPO交换机 光学互连运行功耗下降70% 交换机层面功耗下降30% 硅光面积利用率提高8倍 [13] - 英伟达采用Fabless模式 发布Quantum-X与Spectrum-X硅光交换机 光引擎功耗降低30% [14] - 美满科技采用Fabless模式 推出定制化XPU架构 3D硅光引擎实现32条200Gb/s I/O互连 整体带宽提升2倍 每比特功耗下降30% [16] 国内CPO产业链现状 - 国内产业链在硅光工艺与先进封装 硅光引擎 EIC 激光器等关键环节初具雏形 [18] - 上游环节中台积电提出iOIS-CI技术 长电科技提供EIC多芯片扇出封装 联合微电子布局多个光电融合工艺平台 [18] - 中游主制造商包括仕佳光子 天孚通信 中际旭创 光迅科技 华工正源等 在激光器和光模块产品上进行技术储备 [18] - 下游应用如数据中心 云计算 高性能计算和5G通信蓬勃发展 推动国内CPO产业加速 [19]

我已经详细介绍过自己对 AirPods Pro 3 的早期体验——剧透一下，更强的主动降噪和更好的音质让 我彻底折服——但在这里，我将深入探讨可以说是最新的创新：心率传感器。TechRadar 有机会采访 了苹果健康感测总监 Steve Waydo 和感测与连接副总裁 Ron Huang，深入了解这一新传感器：它的 开发过程、工作原理，以及它的到来最终意味着什么。 AirPods Pro 3 上的心率传感器并不是苹果第一次涉足这种类型的传感器。苹果最初在 2015 年推出 第一代 Apple Watch 时就提供了这样的传感器，因此正如 Waydo 所解释的那样："把我们在十多年 工作中学到的一切带到这种完全不同的形态中，真的非常酷。" 十年的缩小版成果 Waydo 在苹果的团队自第一代 Apple Watch 起就一直在研究心率感测算法，这十年的历程对新传感 器的开发非常有帮助——但并非完全照搬。"AirPods Pro 的心率传感器使用不可见的红外光。我们 将其以每秒最高 256 次的频率脉冲，然后将这些数据与机载加速度计采集的数据融合在一起，以测 量耳朵中的血流量，"Waydo 解释说，并指出最终的心率 ...