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放宽H200对华出口限制,算力产业链多环节利好!科创50ETF(588000)成交额14.26亿元,持仓股华润微逆势涨超13%
每日经济新闻· 2025-12-10 11:07
文章核心观点 - 美国政府可能允许英伟达向中国出售H200人工智能芯片 若获批将利好中国AI产业链和国产算力发展 并可能推动科创50ETF等相关投资标的受到关注 [1][2] 市场表现与资金流向 - 12月10日A股三大指数低开 科创50ETF早盘震荡走弱 最大跌幅达2.05% [1] - 科创50ETF持仓股中华润微股价大涨13.59% 百利天恒与时代电气涨幅超过1% [1] - 科创50ETF近期持续获资金青睐 近三日资金净流入17.22亿元 近五日资金净流入18.47亿元 [1] - 截至发文 科创50ETF成交额达14.26亿元 [1] 行业影响分析 - 计算侧:英伟达系列算力服务器需求或重启 AI服务器、超节点服务器、服务器电源板块需求有望提升 [2] - AIDC(人工智能数据中心):AI服务器适配的机房、配套供电、制冷设备(风冷及液冷)等板块需求或提升 [2] - 网络侧:节点内及节点间组网需求或带动交换芯片、数通交换机、光模块、铜连接等板块需求上行 [2] - 国产芯片侧:H200等芯片供给恢复或推动国产大模型全面升级 加速国内AI生态发展 进一步扩大对国产算力芯片的需求 长期利好国产芯片板块 [2] 相关投资标的概况 - 科创50ETF追踪科创50指数 指数持仓中电子行业占比69.39% 计算机行业占比4.88% 合计74.27% [2] - 科创50指数与人工智能、机器人等前沿产业发展方向高度契合 同时涉及半导体、医疗器械、软件开发、光伏设备等多个硬科技细分领域 [2]
H200芯片或放开,芯片ETF(159995.SZ)下跌1.10%,华润微上涨10.06%
每日经济新闻· 2025-12-10 10:55
市场行情与板块表现 - 12月10日上午A股三大指数集体下跌,上证指数盘中下跌0.60% [1] - 林木、零售、工程机械等板块涨幅靠前,电脑硬件、电工电网板块跌幅居前 [1] - 芯片板块表现低迷,截至10:31,芯片ETF(159995)下跌1.10% [1] 芯片板块个股表现 - 芯片ETF成分股澜起科技下跌3.27%,海光信息下跌2.69%,中微公司下跌2.23% [1] - 部分芯片个股表现活跃,华润微上涨10.61%,豪威集团上涨2.97% [1] 美国对华芯片出口政策动态 - 美国总统特朗普表示,在确保美国国家安全的前提下,将允许英伟达向中国及其他国家的合格客户交付其H200芯片产品 [3] - Blackwell芯片以及即将发布的Rubin芯片不在获批名单中 [3] - 获准销售的芯片销售收入的25%将上缴美国政府 [3] 政策影响与行业分析 - 开源证券分析认为,H200等芯片供给恢复或推动国产大模型全面升级,加速国内AI生态繁荣发展 [3] - 该供给恢复或进一步全面扩大对国产算力芯片的需求,长期利好国产芯片板块 [3] 芯片ETF产品信息 - 芯片ETF(159995)跟踪国证芯片指数 [3] - 该指数包含30只成分股,集合了A股芯片产业中材料、设备、设计、制造、封装和测试等环节的龙头企业 [3] - 成分股包括中芯国际、寒武纪、长电科技、北方华创等 [3]
纳斯达克中国金龙指数收跌1.37%,热门中概股多数下跌
每日经济新闻· 2025-12-10 05:17
市场整体表现 - 纳斯达克中国金龙指数收跌1.37% [1] - 热门中概股多数下跌 [1] 个股表现 - 下跌 - 百度股价下跌4.7% [1] - 贝壳、小鹏汽车、文远知行、理想汽车股价跌幅均超过3% [1] 个股表现 - 上涨 - 世纪互联股价上涨2% [1] - 晶科能源股价上涨2.5% [1] - 大全新能源股价上涨3% [1]
PCB、存储、被动元件...这些芯片大厂都在涨价!
芯世相· 2025-12-08 14:30
文章核心观点 - 近期芯片产业链出现广泛且持续的涨价趋势,从上游PCB材料、晶圆代工,到存储芯片、被动元件、功率器件等多个环节均有厂商发布涨价函或现货市场价格上涨,主要驱动力包括AI需求爆发、原材料成本上升、产能受限及主动减产等因素 [3] 上游PCB:原料涨价带动上涨 - AI服务器、高速通信、汽车电子等需求推动高端覆铜板(CCL)等材料需求快速增长,同时上游超薄铜箔与高端玻纤布产能有限,形成阶段性紧缺 [7][8] - 覆铜板龙头建滔积层板因原材料成本压力,自12月1日起对全系列覆铜板产品价格上调5%至10%,其中FR-4系列和PP(半固化片)系列上调10% [8] - 南亚塑胶因国际LME铜价、铜箔加工费、电子级玻璃布等原料集体上涨,自11月20日起对全系列CCL产品及PP统一上调8% [9] 晶圆厂:情况分化 - 2025年下半年晶圆代工产能利用率优于预期,部分晶圆厂因库存水位偏低、智能手机销售旺季及AI需求强劲,酝酿对BCD、Power等紧缺制程平台涨价 [11] - 台积电已通知客户,针对5nm、4nm、3nm、2nm先进制程,自2026年起将连续四年调涨价格,采用复利计算,涨幅可能达双位数,其中2nm价格涨幅预计达50%左右,单片晶圆价格将高达30000美元 [11][12] - 中芯国际担忧存储芯片价格上涨挤压终端利润,可能导致终端厂商要求其他非存储芯片降价,从而引发成熟制程的代工价格战 [13] 存储:原厂涨、模组涨,国内国外都涨 - AI需求引爆存储紧缺,HBM消耗的晶圆产能是标准DRAM的三倍,挤压了DRAM与NAND的供应,叠加原厂减产,导致库存去化加速,缺口扩大,涨价从HBM蔓延至整个存储器市场 [15] - 三星电子第四季调升DRAM与NAND Flash价格,其中LPDDR4X、LPDDR5/5X合约价涨幅达15%至30%,NAND产品上调5%至10%;11月将服务器芯片价格上调30%至60%,例如32GB DDR5内存芯片模组合同价格从9月的149美元跃升至11月的239美元 [17] - SK海力士跟进三星暂停10月DDR5 DRAM合约报价,其与英伟达达成的HBM4供应价格比HBM3E高出50%以上,单价确认约为560美元 [18] - 美光向渠道通知存储产品即将上涨20%-30%,并自9月12日起所有DDR4、DDR5等产品暂停报价一周,汽车电子产品预计涨70% [19] - 闪迪在11月将其NAND闪存合约价格大幅上调50% [21] - 国内存储厂商普冉股份表示第四季度部分NOR Flash产品价格已较三季度上涨,兆易创新预期利基型DRAM价格在第四季度进一步上行 [22][23] - 中国台湾存储模组厂威刚、十铨、创见等出现八年来首次暂停报价,以应对DRAM货源严重不足和库存去化太快的状况 [29][30][31] 被动元件原厂:电感、MLCC、钽电容都要涨 - 被动元件厂商涨价主要基于两类原因:一是金属银以及锡、铜、铋、钴等原材料涨价带来的成本压力;二是AI需求暴增叠加原材料涨价 [33][34] - 国巨/基美因聚合物钽电容器需求大增及成本压力,今年第二次涨价,10月通知自11月1日起针对部分系列产品调涨,供应链透露涨幅高达二至三成 [35] - 风华高科因金属银价格年初至今已上涨50%左右,对部分产品价格调涨:电感磁珠类产品调升5-25%,压敏电阻类、瓷介电容类对银电极全系列调升10-20%,厚膜电路类调升15-30% [37] - 松下向经销商发出通知,部分钽电容型号调涨15-30%,涵盖30-40种钽聚合物电容型号,将于2026年2月1日生效 [38] - 京瓷AVX普通钽电容在今年6月及9月均宣布涨价,原因皆是原材料钽成本增加,其聚合物钽电容交期目前延长至16-20周 [39] - 台庆科因银价大幅上涨,11月开始对代理商调涨积层芯片磁珠及电感价格达15%以上,并开始减产 [40][41] 功率器件:安世涨、国内外替代都涨 - 安世事件发生后,其芯片在现货市场成交价一度暴涨,听说有10倍涨幅的真实成交,目前行情整体处于观望后需求慢慢恢复的过程,成交价格下降但部分料号仍维持高价 [44] - 华润微电子确认对部分IGBT产品实施了价格上调,认为功率器件市场已进入企稳向好的新阶段,涨价动力来自应对原材料成本上涨及订单表现良好 [45] - 有分销商表示,安世工厂停产后,MOSFET与二极管现货库存吃紧,车规级料号交期已延长至12周以上,部分型号开始有涨价动作 [47] 其他:多个品牌有涨价消息 - TE Connectivity通知将在所有区域实施价格调整,自2026年1月5日起生效,适用于所有授权分销商,主因通胀环境及金属成本上涨 [48] - 市场消息表示,全球模拟芯片大厂ADI计划在2026年2月1日调整价格 [49]
研判2025!中国高纯铟行业政策、产业链上下游、市场规模及发展趋势分析:短期承压后回暖,高纯铟行业迎稳健增长新阶段[图]
产业信息网· 2025-12-08 09:04
文章核心观点 - 中国高纯铟行业在经历2023年需求下滑后,于2024年恢复增长,市场规模达20亿元,同比增长6%,未来增长动力主要来自半导体、高端制造及新能源产业 [1][6] - 高纯铟是III-V族化合物半导体的核心原材料,其需求与5G、人工智能、数据中心等半导体行业增长高度相关,2024年中国半导体市场规模达6305亿美元,较2020年增长43% [5][6] - 行业发展趋势明确:再生铟供应占比提升至约30%;市场集中度提高,龙头企业优势扩大;国产替代向7N级以上超高纯产品深化,并聚焦绿色工艺 [10][11][12][13] 高纯铟行业概述与产业链 - 高纯铟是纯度达5N(99.999%)至7N8(99.999998%)的银白色金属,具有优异延展性和导电性,主要应用于制备磷化铟(InP)、锑化铟(InSb)等III-V族半导体化合物及ITO靶材 [2] - 产业链上游:原材料为原生铟和再生铟,中国是全球最大原生铟生产国,储量占全球72%,2024年原生铟产量达688吨,同比增长6.5% [4][5] - 产业链下游:应用领域包括半导体、电子、新能源(如光伏)等,其中半导体行业对材料纯度要求极其严格 [4][5] 行业发展现状与市场规模 - 2021-2022年市场规模呈上升趋势,但2023年因半导体深度去库存及消费电子低迷,需求下滑导致市场规模同比下降25% [1][6] - 2024年市场需求逐渐恢复,市场规模达到20亿元,同比上涨6% [1][6] - 预计未来在高端制造和新能源产业扩张带动下,市场规模将继续保持增长趋势 [1][6] 行业竞争格局与主要企业 - 海外企业如Dowa、Rasa起步早、技术领先;国内企业通过加强研发,技术水平已达国际先进 [6] - 国内主要企业包括株洲科能新材料、云南锡业股份、河南豫光金铅、东方电气(乐山)峨半高纯材料、广西铟泰科技等 [6][7] - **株洲科能新材料**:高纯铟现有产能20吨,待“年产500吨半导体高纯材料项目及回收项目”达产后,产能将升至60吨/年;2024年1-6月高纯铟产品营业收入为332.41万元 [8] - **云南锡业股份**:其子公司云南锡业新材料专注于半导体用高纯材料等;2025年1-9月公司实现营业收入344.17亿元,同比上涨17.81%,归母净利润17.45亿元,同比上涨35.99% [9] 行业发展趋势 - **再生铟成为关键支撑**:国内再生铟产量占比已提升至30%左右,未来占比将持续提高,企业将优化回收技术,构建完善资源循环体系 [10] - **行业集中度持续提升**:技术落后的中小企业生存空间被压缩,龙头企业通过扩产、技术迭代及参股海外矿山、签订长协等方式保障原料稳定,增强供应链韧性 [11][12] - **国产替代向深水区推进**:国内龙头企业7N级产品国际市占率已显著提升,未来将在政策支持下攻克超高纯技术瓶颈,并研发绿色工艺以降低能耗与排放 [13] 政策与行业驱动 - 政府加大对新材料研发支持力度,如2023年《关于推动能源电子产业发展的指导意见》和2024年《关于推动未来产业创新发展的实施意见》,推动基础材料、先进半导体等关键领域突破 [3] - 半导体行业是核心驱动力,随着5G通信、人工智能、数据中心、汽车电子、物联网等新兴应用领域需求推动,全球半导体市场规模呈现上升趋势 [5][6]
趋势研判!2025年中国开关电源行业发展历程、产业链、市场规模、竞争格局及前景展望:5G基建加速与新能源发展,拉动开关电源市场规模提升[图]
产业信息网· 2025-12-08 09:04
文章核心观点 - 开关电源行业受益于5G、物联网、数据中心、新能源及消费电子创新等多重需求驱动,市场规模持续增长,预计2025年中国市场规模将达到2532亿元 [1][13] - 行业技术正向高频化、模块化、低噪化和高稳定性方向发展,以氮化镓为代表的宽禁带半导体等技术推动产品向小型化、高效化演进 [18][20][21] - 市场竞争格局由国际知名企业与快速崛起的本土企业共同主导,本土企业在响应速度、定制化服务和性价比方面具备优势 [15] 开关电源行业概述 - 开关电源是一种高频化电能转换装置,功能是将一个位准的电压转换为用户所需的电压或电流 [4] - 按输入电源类型可分为AC-DC和DC-DC开关电源,按输出特性可分为恒压、恒流及恒压恒流可调,按调制方式可分为脉宽调制、频率调制和混合调制 [4] - 基本结构由主电路、控制电路、检测电路和辅助电源四大部分组成 [6] - 与线性电源相比,开关电源适用于追求高效率、小体积和大电流的场景,如工业控制和快充设备,而线性电源则适用于追求极低噪声和高精度输出的场景,如精密仪器 [8] 行业发展历程与现状 - 行业研究和应用始于20世纪50年代,PWM控制技术发展后,于20世纪90年代工作频率突破至500kHz-1MHz,21世纪进入以宽禁带材料为基础的数字电源时代 [9] - 2015年至2024年,中国开关电源行业市场规模从1149.8亿元增长至2342亿元,年复合增长率为8.55%,预计2025年将增长至2532亿元 [1][13] - 当前市场需求高度集中于工业领域(占比53.94%)和消费电子领域(占比33.05%),合计市场份额超过85% [15] - 未来,电力、交通、新能源等以往占比较小的行业对开关电源的需求预计将快速增长 [15] 行业产业链 - 产业链上游由国际主流元器件供应商控制开关电源IC芯片制造技术,中游为电源制造商,下游应用领域广泛,包括工业自动化、通讯设备、医疗设备、LED照明等 [11] - 磁性材料是开关电源中变压器和电感器磁芯的核心组件,对行业向高频化、高效化发展提供关键支撑 [11] - 中国磁性材料行业产量从2017年的116.1万吨增长至2024年的213.3万吨,年复合增长率为9.08% [11] 市场竞争格局与重点企业 - 国际市场竞争由TDK-Lambda、MEAN WELL、伊顿、艾默生、施耐德等知名企业主导 [15] - 国内代表企业包括欧陆通、茂硕电源、京泉华、可立克、中恒电气、动力源、中远通、英可瑞、奥特迅、华润微等 [2] - **深圳欧陆通电子股份有限公司**:专注于开关电源产品,包括电源适配器、数据中心电源等,产品应用于办公电子、网络通信、数据中心、纯电交通工具等领域,2025年前三季度营业收入为33.87亿元,同比增长27.14% [16] - **茂硕电源科技股份有限公司**:主营LED驱动电源与消费类电子电源,并提供太阳能光伏逆变器等产品,2025年前三季度营业收入为9.45亿元,同比增长2.95% [17] 行业发展趋势 - **高频化**:采用宽禁带半导体材料,工作频率向MHz级别突破,以实现电源系统小型化和高功率密度 [18] - **模块化**:通过标准化功率模块组合构建不同功率系统,提升数据中心、通信基站等应用的系统可靠性和维护便利性 [19] - **低噪化**:采用软开关技术、扩频调制等方案抑制电磁干扰,满足日益严格的电磁兼容标准 [20] - **稳定性提升**:通过多级保护电路、智能监测和故障预测机制,提升电源系统的鲁棒性和环境适应性 [21]
中国功率半导体,逆袭
36氪· 2025-12-08 08:07
文章核心观点 - 中国功率半导体产业正以前所未有的速度和力度完成“逆袭”,从全球产业的边缘走向舞台中央,从被动跟随、技术依赖转变为被国际巨头主动选择、反向赋能 [1] - 国际半导体巨头(如安森美、意法半导体、英飞凌等)正以前所未有的广度与深度,与中国企业在第三代半导体(SiC/GaN)领域展开联合研发、产能共建、供应链绑定等全方位合作,这成为中国产业实力崛起的重要佐证 [2][3][8] - 中国功率半导体产业的崛起是市场牵引、赛道机遇、政策与生态保障共同作用的结果,产业已实现从“跟跑”到“并跑”的跨越,部分领域进入“局部领跑”阶段,并开始主动嵌入全球价值链 [11][12][14] 关键合作案例 - **安森美与英诺赛科(GaN)**:双方将依托英诺赛科成熟的8英寸硅基GaN工艺平台,联合开发面向工业、汽车、电信、消费电子和AI数据中心等市场的40-200V中低压高效功率器件,计划于2026年上半年推出样品 [3] - **意法半导体与三安光电(SiC)**:双方在重庆共建8英寸碳化硅功率器件合资制造厂,预计总投资约230亿元人民币,规划年产能达数十万片,计划2025年第四季度投产,2028年达产,将形成完整的本地化8英寸碳化硅供应链 [4][5] - **英飞凌与上游材料商**:英飞凌与天岳先进、天科合达达成长期供应协议,以确保获得高质量且有竞争力的150mm SiC衬底和晶圆,未来也将提供200mm材料,天科合达的供应量预计将占英飞凌长期需求量的两位数份额 [6] - **其他国际企业合作**:日本罗姆(ROHM)与天科合达签署长期战略协作协议,将天科合达的6英寸导电型碳化硅衬底纳入其供应链 [7];松下与比亚迪联合研发基于GaN技术的高效电源模块 [7];恩智浦(NXP)与斯达半导在车规级IGBT和功率模块领域深化合作 [7] 产业现状与数据 - **市场规模**:2024年中国功率半导体器件行业市场规模达1057.75亿元,持续稳居全球最大消费市场 [10] - **国产化率**:中低端功率器件(如二极管、三极管)国产化率已超80% [10];国内SiC厂商的市占率有望在2024年底同比增加10~15个百分点,国产化率最高可达20%,并有望在未来3~5年突破50% [10] - **技术领先案例**: - **英诺赛科(GaN)**:是全球首家实现8英寸GaN晶圆量产的企业,2024年全球市场占有率已突破42.4%,累计出货量超过20亿颗芯片 [11];2025年8月,作为唯一中国芯片企业打入英伟达800V直流电源架构供应链,为其Kyber机架系统提供全链路GaN电源解决方案 [1][11] - **天域半导体(SiC外延片)**:2024年在中国碳化硅外延片市场的收入和销量均排名第一,市场占有率分别达到30.6%和32.5%,在全球市场分别为6.7%及7.8%,位列前三,产品已进入欧美、日韩等国际领先IDM的供应链体系 [10] - **市场预测**:预计到2030年,GaN将在全球功率半导体市场占据约29亿美元(11%)的份额,2024-2030年期间复合年增长率预计达42% [3] 崛起核心逻辑 - **庞大市场需求牵引**:中国是全球最大的新能源汽车、光伏储能、5G通信市场,庞大的终端需求为功率半导体提供了天然的试验场和增长空间,推动企业快速迭代 [11] - **赛道机遇的精准把握**:第三代半导体(SiC/GaN)产业全球起步较晚,中国企业避开了传统硅基半导体的巨大专利壁垒,获得了“换道超车”机会,在该领域的技术差距仅为1-3年 [12] - **政策与生态的双重保障**:从国家战略顶层设计到产业集群协同发展,已形成覆盖“衬底材料-芯片设计-晶圆制造-封装测试-系统应用”的完整产业链,高效协同降低了创新与制造成本,打造自主可控产业生态 [12][13] 本土企业崛起与全球化 - **本土企业群体加速崛起**:芯联集成、士兰微、杨杰科技、华润微、瞻芯电子、基本半导体、瑞能半导体等一批国内企业在功率器件设计、制造、封装测试等环节逐渐实现突破,凭借高性价比产品和快速市场响应能力抢占市场份额 [9] - **出海与全球化布局**:中国功率半导体企业正通过多元化路径迈向世界,例如扬杰科技采用双品牌战略并在越南建厂开拓欧美市场 [13];宁波奥拉半导体将自主研发的多相电源技术授权给安森美 [13];天岳先进实现“A+H”双上市,境外营收占比已达47.53% [13]
科创价值ETF华夏(589550)开盘跌0.85%,重仓股寒武纪涨0.55%,中芯国际跌0.26%
新浪财经· 2025-12-02 13:39
科创价值ETF华夏(589550)市场表现 - 12月2日开盘价报1.165元,较前一日下跌0.85% [1] - 该基金自2025年7月16日成立以来累计回报率为17.67% [1] - 近一个月基金回报率为-5.45% [1] 科创价值ETF华夏(589550)重仓股表现 - 重仓股中传音控股表现最佳,开盘上涨2.69% [1] - 华润微跌幅最大,开盘下跌1.83% [1] - 寒武纪开盘上涨0.55%,是另一只录得上涨的成份股 [1] - 多数成份股下跌,中芯国际跌0.26%,海光信息跌0.48%,澜起科技跌0.32%,晶合集成跌0.88%,中微公司跌0.01%,时代电气跌0.27% [1] - 阿特斯开盘价与前一日持平,涨跌幅为0.00% [1] 科创价值ETF华夏(589550)产品信息 - 基金业绩比较基准为上证智选科创板价值50策略指数收益率 [1] - 基金管理人为华夏基金管理有限公司 [1] - 基金经理为杨斯琪 [1]
华润微跌2.00%,成交额3.86亿元,主力资金净流出7407.01万元
新浪证券· 2025-12-02 10:51
股价与交易表现 - 12月2日盘中股价下跌2.00%,报49.91元/股,总市值662.57亿元 [1] - 当日成交额3.86亿元,换手率0.58% [1] - 当日主力资金净流出7407.01万元,特大单与大单买卖占比显示资金呈净卖出状态 [1] - 今年以来股价累计上涨5.95%,近5个交易日上涨7.98%,近20日上涨1.16%,近60日下跌4.58% [2] 公司基本面与业务构成 - 公司主营业务为功率半导体、智能传感器及智能控制产品的设计、生产及销售,并提供开放式晶圆制造、封装测试等服务 [2] - 主营业务收入构成为:产品与方案占比54.34%,制造与服务占比42.92%,其他(补充)占比2.74% [2] - 2025年1-9月实现营业收入80.69亿元,同比增长7.99%;归母净利润5.26亿元,同比增长5.25% [2] - A股上市后累计派现8.86亿元,近三年累计派现5.21亿元 [3] 股东结构与机构持仓变动 - 截至9月30日,股东户数为5.25万户,较上期增加19.22%;人均流通股25309股,较上期减少16.12% [2] - 截至9月30日,多家主要指数ETF及香港中央结算有限公司位列十大流通股东,且持股数量相比上期均有所减少 [3] - 具体减持情况:易方达上证科创板50ETF减持279.13万股,华夏上证科创板50成份ETF减持1057.23万股,香港中央结算有限公司减持1359.57万股,嘉实上证科创板芯片ETF减持53.87万股,华泰柏瑞沪深300ETF减持40.37万股 [3] 行业与概念归属 - 公司所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造 [2] - 所属概念板块包括碳化硅、IGBT概念、汽车芯片、MCU概念、传感器等 [2]
2025集成电路特色工艺与先进封装测试产业技术论坛暨电子科技大学集成电路行业校友会年会在蓉举行
半导体行业观察· 2025-12-01 17:39
论坛概况 - 2025集成电路特色工艺与先进封装测试产业技术论坛暨电子科技大学集成电路行业校友会年会在成都举办,聚焦特色工艺及功率半导体技术、TGV及先进封装产业生态、集成电路校友生态建设三大专题[2] - 论坛吸引全国集成电路设计、制造、封装、测试、设备、材料等领域200余家企业及600余名代表参会,构建产学研用深度融合的交流平台[2] 开幕式与平台建设 - 电子科技大学先进封装与系统集成中试平台正式通线,该平台基于全国产软件和装备打造,涵盖封装设计、加工和分析测试,具备塑料封装、金属/陶瓷封装、晶圆级键合和系统级封装工艺线等综合能力[9] - 开幕式举行电子科技大学集成电路行业校友会理事会聘任仪式,为顾问、常务理事、理事及副秘书长等颁发聘书,凝聚校友力量助力产业生态圈建设[6] 主论坛技术焦点 - 主论坛围绕AI时代后摩尔时代技术路线、功率集成特色工艺、AI算力及先进封装等主题展开交流,呈现集成电路前沿创新与产业应用交织的图景[11] - 中国工程院院士吴汉明等6位专家作主题报告,多维度探讨技术发展趋势[11] 分论坛专题研讨 - 特色工艺与功率半导体技术专题聚焦金刚石、碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体材料、功率器件及特色工艺,从材料瓶颈到芯片突破进行全面探讨[15] - TGV及先进封装产业生态专题围绕TGV相关封装技术、工艺设备、EDA工具三大方向,探讨后摩尔时代先进封装技术的发展趋势与挑战[18] - 集成电路校友生态建设专题深入探讨AI算力芯片、先进封装与数据互联等关键技术,剖析存算合一、Chiplet集成路径、高速互联协同等前沿方向[20] 产业投资与区域发展 - 圆桌论坛指出半导体行业进入2.0阶段,投资需坚守"投早投小、投稳投强"逻辑,重视技术壁垒与团队质量,并购应追求协同效应[22] - 成渝双城依托电子科技大学人才支撑和二十余条制造、封装测试产线,具备壮大半导体设备、零部件、材料产业规模的潜力,应通过生态联动打造产业高地[22] 未来展望与产业联动 - AI推理芯片、3D封装成为关注焦点,行业需立足真实需求兼具跨界与全球视野,呼吁地方政府加强对电子科技大学支持,深挖"成电宝藏"[23] - 校友应加强与母校之间的"创新-创业-创投"联动,以校训精神推动产业创新升级,助力中国半导体迈向更高台阶[23]