旭化成PSPI供应调整 - 日本旭化成拟收紧PIMEL系列感光材料供应，主要因AI算力需求快速增长导致产能无法匹配市场需求[1] - 市场消息称公司将断供液态感光性聚酰亚胺（PSPI）材料PIMEL[1] PSPI材料特性与应用 - PSPI是具有光敏性和耐热性双重功能的聚酰亚胺溶液，属于高端聚酰亚胺[2] - 在半导体封装领域应用于元件表面保护层、凸块钝化层及RDL绝缘层[2] - 在晶圆级封装（WLP）工艺中用于晶圆表面钝化层和RDL重布线层介质制造[2] - 可显著简化2P2M、4P4M等多层布线工艺流程[2] - 还可用作飞机隔热材料、绝缘材料及OLED显示用光刻胶[2] 全球PSPI市场格局 - 全球主流供应商为旭化成、东丽、HD microsystems、富士胶片、日本合成橡胶（JSR）等[2] - 旭化成是全球PSPI龙头，产品被台积电、三星、盛合晶微等头部企业广泛应用[2] - 台积电CoWoS封装技术高度依赖PSPI，单晶圆价值量从普通封装的50-100元跃升至500元以上[2] 中国PSPI市场现状 - 2023年中国半导体晶圆制造用PSPI光刻胶市场为7.97亿元，封装用PSPI光刻胶市场为3.96亿元[3] - 随着AI算力芯片需求激增及2.5D/3D封装技术发展，PSPI市场有望持续增长[3] - 国内半导体封装用PSPI大多处于研发和验证阶段，技术难点在边缘光刻清晰度[3] 国内主要企业布局 - 波米科技最早实现量产，PSPI产品深度绑定华为海思，产能500吨[4] - 2024年承担国家重点研发计划项目"2.5D/3D封装技术用光敏聚酰亚胺材料关键技术研发及应用"[4] - 2025年4月阳谷华泰拟以14.43亿元收购波米科技100%股权[4] - 艾森股份2024年开始出货PSPI，正性PSPI产品已获晶圆头部企业首笔订单[4] - 艾森股份规划500吨/年产能，适配2.5D/3D封装[4] - 鼎龙股份具有200吨/年显示面板用PSPI，仙桃产业园1000吨PSPI产线投产[5] - 万润股份OLED用PSPI已在下游面板厂实现供应[5] - 八亿时空PSPI在客户端验证顺利，子公司规划年产200吨PSPI[5] - 国风新材正在研发PSPI光刻胶产品[5]

东莞市战略科学家团队成果发布 - 东莞市首个战略科学家团队发布五大国际/国内首创成果：TGV3 0技术、全球首颗"能感存算"低功耗AI芯片、全国首台PLP等离子刻蚀设备、全国首台全自动AI-AOI检测设备、全国首套低空经济雷达监测系统 [1] - 团队由电子科技大学原副校长杨晓波教授带队，重点布局TGV三维封装、能感存算芯片等前沿领域，已与华为、三星、京东方等龙头企业达成深度合作 [1][3] - TGV3 0技术突破玻璃通孔量产瓶颈，实现亚10微米通孔、10:1深径比，良率达99 9%，支撑高算力芯片和3D集成半导体发展 [4] 半导体产业技术变革 - 全球半导体产业进入"超越摩尔"阶段，先进封装技术通过系统级集成重塑产业格局，AI、5G、物联网等领域需求推动技术加速渗透 [2][3] - 先进封装技术（如系统级封装、3D堆叠、Chiplet异构集成）在不提升制程的情况下实现芯片性能跃迁，中国与全球处于相近起跑线 [3] - 东莞依托智能终端产业基础，在先进封装领域具备独特优势和先发机会 [3] 核心技术突破 - "能感存算"AI芯片集成自取能、多模态传感与存算一体架构，功耗70mW，算力512GOPS，赋能AIOT与边缘计算 [4] - PLP等离子刻蚀设备支持610×510mm大尺寸玻璃基板刻蚀，刻蚀速率与均匀性达国际先进水平 [4] - 全自动AI-AOI检测设备实现0 001微米级精度检测，准确率超99%，填补国内高端检测装备空白 [4] - 低空相控阵雷达系统实现低空飞行器全天候监测，采用Ku波段全相参、全固态、脉冲多普勒技术 [5][10] 东莞集成电路产业生态 - 东莞半导体及集成电路企业达257家，2024年产业营收突破750亿元，封测和设计环节占比超60%，形成以生益科技、利扬芯片、天域半导体为核心的产业集群 [6] - 东莞市集成电路创新中心引进15个科研团队，培育40余家产业链企业，与三星、小米、京东方等龙头企业建立合作 [10] - 三叠纪科技的TGV3 0玻璃微加工技术吸引英特尔、三星、苹果等科技巨头跟进入场 [11] 人才与政策支持 - 东莞通过"战略科学家团队+创新科研团队+青年科技人才"梯度体系吸引人才，优化科技人才政策 [8][12] - 政府采用"政府引导+市场主导"创新机制，快速响应企业需求，为初创企业提供全方位支持 [11] - 创新中心计划建设"先进数据存储技术联合实验室"，打造先进封装技术标准输出地和全球协作枢纽 [12]

全球半导体资本支出趋势 - 2025年第一季度全球半导体资本支出环比下降7%但同比增长27%，主要受先进逻辑、HBM及AI相关先进封装技术投资驱动 [1] - 内存领域资本支出同比大幅增长57%，非内存领域支出增长15% [1] - 晶圆厂设备(WFE)支出第一季度同比增长19%，预计第二季度再增12%，主要因先进逻辑和内存生产投资扩大 [1] 半导体设备细分市场表现 - 测试设备支出第一季度同比激增56%，预计第二季度增长53%，受AI和HBM芯片测试需求推动 [1] - 封装测试设备支出实现两位数增长，因高密度集成和先进封装技术需求上升 [1] 全球晶圆产能扩张 - 2025年第一季度全球晶圆产能超4250万片(300mm当量)，环比增2%同比增7% [1] - 中国保持晶圆产能扩张领先地位，但增速预计放缓 日本和台湾地区增长最快，分别受益于功率半导体投资和尖端代工厂扩张 [2] 头部厂商资本支出动态 - 台积电2025年资本支出目标380-420亿美元(中值400亿)，第一季度支出100.6亿美元(环比降10%)，70%投向先进制程技术 [3] - 中芯国际计划2025年资本支出70亿美元，反映国内需求增长及自主芯片制造技术发展需求 [3] 技术投资方向 - 台积电资本支出中10-20%用于特殊技术，10-20%投向先进封装/测试/光掩模领域 亚利桑那州扩产计划潜在总投资超1000亿美元 [3]

半导体行业进入后摩尔时代 - 芯片制程工艺逼近物理极限 技术创新转向封装领域 先进封装技术成为推动AI、HPC、5G发展的核心引擎 [1] - 先进封装在封装密度、性能、功能等方面显著提升 对设备要求越来越高 [1][4] - CoWoS等先进封装技术需求井喷式增长 尤其受国产AI芯片在大模型训练推理与终端应用加速渗透的拉动 [1][5] 先进封装技术发展历程 - 封装技术从20世纪80年代DIP封装演进至90年代BGA封装 2000年后进入CSP、WLP、SIP、2.5D/3D等先进封装时代 [3] - 先进封装采用高性能多层基板 通过晶圆级封装和系统级封装提高集成度和功能多样化 满足芯片轻薄、低功耗、高性能需求 [4] - 封装技术从2D向3D转型 CoWoS技术通过芯片与晶圆直接结合提升集成度和性能 [4] 先进封装应用场景与市场需求 - 先进封装广泛应用于AI、HPC、5G、AR/VR等领域 占封测市场比重不断提升 [5] - AI芯片对HBM等先进封装存储需求快速攀升 高端手机、AIPC、自动驾驶等对高阶芯片需求量持续增长 [5] - 英伟达H100芯片中先进封装成本达723美元 是晶圆制造成本的3.6倍 [6] 国产设备技术突破 - 国产AI芯片采用CoWoS技术推动键合设备、电镀设备、光刻设备需求增长 前道制程技术为封装设备开发奠定基础 [8] - 华卓精科研发混合键合设备、熔融键合设备等 打破HBM芯片发展瓶颈 [9] - 普莱信智能Loong系列TCB设备实现±1μm贴装精度 效率较国际同行提升25% [9] 国产设备厂商进展 - 北方华创推出12英寸电镀设备Ausip T830 专为TSV铜填充设计 应用于2.5D/3D先进封装 [10] - 盛美上海面板级水平电镀设备提升均匀性和精度 降低交叉污染风险 [10] - 青禾晶元发布全球首台C2W&W2W双模混合键合设备 华封科技推出1.5μm超高精度晶圆级贴片设备 [11]

半导体先进封装与测试 - 鸿海宣布投资2.5亿欧元在欧洲设立合资公司，与Thales SA及Radiall SA合作，投入半导体先进封装与测试（OSAT）[1] - 合资工厂将采用扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，成为欧洲首座FOWLP先进封装测试厂[1] - 初期销售以欧洲市场为主，客户涵盖汽车、太空科技、6G移动通信、国防等产业[1] - 鸿海董事长刘扬伟表示，公司研究发展方向包括异质整合，并将先进封装技术引入欧洲[1] 卫星制造产业链 - 鸿海与Thales在卫星领域策略合作，共同发展高质量、高附加价值的卫星量产能力[1][2] - 合作旨在为大规模星链计划提供先进技术内容与多元解决方案[2] - 鸿海2023年11月发射自制低轨卫星珍珠号，此次合作是太空产业发展的关键里程碑[2] - 鸿海子公司及合作伙伴已布局卫星通信产业链，包括低轨卫星使用者终端、地球观测相机模组、太空用连接器等[2] 低轨卫星与通信技术 - 鸿海集团B5G政策组处长赵元瀚预测，低轨卫星可能在10至15年内成为5G或6G通信的重要环节[2] - 未来低轨卫星与地面基站数量可能远超预期，鸿海计划以标准化、产业化方式提供代工生产服务[2]

保荐机构督导情况 - 华泰联合证券作为保荐机构对艾森股份进行持续督导，发现2024年12月9日至12月26日期间公司使用部分闲置募集资金进行现金管理及存款存放，虽未超董事会审议额度且资金用途合规，但需补充审议程序 [1] - 公司已召开董事会及监事会，补充审议并通过继续使用不超过1.5亿元闲置募集资金进行现金管理的议案 [2] 重大风险事项 核心竞争力风险 - 先进封装领域竞争加剧，若公司未能持续更新技术及降低成本，可能面临市场份额和收入增速下滑风险 [2] - 自研光刻胶产品虽通过客户认证并供货，但尚未完全替代客户现有产品，产业化前期收入贡献较低，大规模量产存在不确定性 [3] 经营风险 - 产品毛利率受原材料价格波动影响，若高毛利产品销售占比下降可能导致整体毛利率下滑 [4] - 经营性现金流持续为负，主要因票据结算差异及贴现操作影响，若持续可能增加营运压力 [4] - 原材料价格易受国际原油及金属价格波动影响 [4] 行业风险 - 半导体行业景气度与宏观经济强相关，若需求下滑可能对公司业绩产生不利影响 [4] - 传统封装领域电镀液市场增长空间有限，公司向PCB、晶圆制造等新领域拓展的成效待观察 [5] 募投项目风险 - 募投项目达产后若市场开拓不及预期，存在新增产能消化风险 [5] 财务表现 - 2024年营业收入4.32亿元，同比增长20.04%，但归母净利润仅增长2.51%至3347.75万元 [6] - 研发费用4590.17万元，同比大增40.42%，研发投入占比提升至10.62% [7] - 经营活动现金流净额-2471.86万元，较上年同期改善70.76%，主要因票据贴现金额减少 [7] - 总资产下降2.80%至12.44亿元，加权平均净资产收益率降至3.29% [6][7] 核心竞争力进展 - 电镀液产品性能对标国际竞品，先进封装用电镀铜添加剂进入验证阶段，28nm镀铜添加剂处于认证后期 [9] - 光刻胶领域打破国外垄断，正性PSPI光刻胶获晶圆厂首单国产化订单，2024年Q3起逐步量产 [10] - 2024年新增19项发明专利申请，2项授权专利 [11] 募集资金使用 - 累计使用募集资金3.94亿元，余额5429.12万元，闲置资金理财余额未披露 [12] - 募集资金存放于3个专户及1个通知存款账户，总余额与披露一致 [13]

报告行业投资评级 - 维持长电科技“增持”评级，截至2026年6月的目标价为43.0元，基于18倍的一年期动态市盈率 [1][2][11] 报告的核心观点 - 长电科技2025年1季度销售额93亿元（同比增长36%，环比下降15%），净利润2.03亿元（同比增长50%，环比下降62%），归因于产能利用率改善、整合晟碟上海以及苹果模组需求 [1] - 预计2025 - 2027年销售额/盈利年复合增长率为11%/43%，对公司长期增长潜力有信心，得益于客户群扩大、先进封装市场份额提升以及生产效率提高 [1][6][11] - 今年长电科技将实现稳健收入增长，得益于对晟碟上海的完全整并、全球多元化生产基地满足客户需求、在高附加值项目中份额扩大，且公司能将原材料成本转嫁给客户 [6] - 长电科技进入产能扩张上行周期，去年投资约60亿元，今年计划投资85亿元用于新产能和相关技术开发，重点在汽车电子、先进封装等领域，预计相关产能2026年起贡献更明显 [6] 根据相关目录分别进行总结 财务数据 - 调整后2024 - 2027年收入分别为359.62亿元、413.27亿元、453.23亿元、496.30亿元，调整后净利润分别为16.10亿元、23.15亿元、38.70亿元、47.23亿元 [10][19][25] - 2025 - 2027年收入增长率分别为14.9%、9.7%、9.5%，息税前利润增长率分别为57.3%、59.6%、20.5%，调整后的每股收益增长率分别为43.8%、67.1%、22.0% [10] - 2025 - 2027年息税前利润率分别为6.3%、9.2%、10.1%，净利润率分别为5.6%、8.5%、9.5% [10] 股价表现 - 年内迄今绝对收益率 - 16.1%，相对收益率 - 16.1%；1个月绝对收益率14.2%，相对收益率7.7%；3个月绝对收益率 - 18.2%，相对收益率 - 19.7%；12个月绝对收益率30.8%，相对收益率23.7% [8] 风格敞口 - 价值当前排名55（百分位），6个月排名57，1年排名48，3年排名40，5年排名49；成长当前排名58，6个月排名46，1年排名47，3年排名28，5年排名38；动量当前排名57，6个月排名13，1年排名65，3年排名62，5年排名31；质量当前排名71，6个月排名67，1年排名73，3年排名57，5年排名98；低波动性当前排名59，6个月排名58，1年排名63，3年排名36，5年排名94；ESG量化得分当前为27，6个月为17，1年为89，3年为89 [4] 公司数据 - 已发行股票数17.89亿股，52周股价区间24.01 - 47.92元，总市值84.85亿美元，自由流通股比例74.0%，三个月日均成交量4136万股，三个月日均成交额2.13亿美元，波动性（90天）为44，指数为SHASHR，彭博买入、持有、卖出评级分别为23、1、1 [9]

业务业绩与战略 - 2024年自有品牌营业收入34,839.95万元，同比下降20.06%；封测服务营业收入35,302.14万元，同比增长21.13% [2] - 未来计划深化核心业务，专注增强IC产品工艺研发能力，拓展客户群体，提高在工业、汽车、新能源等市场领域开发力度，扩大海外市场份额 [2] 股价与投资者关系 - 公司管理层重视股价，但股价受市场多种因素影响而波动，对公司长期发展潜力有信心 [3] - 2025年将致力于提升投资者关系管理，通过多种渠道与投资者保持紧密互动，增强投资者信心 [3] 产能与规模 - 公司生产规模已形成年产超150亿只半导体，目前产能利用率与去年基本持平 [3] - 基于市场需求回暖预期及募投项目建设完成，未来将依据业务需要进一步扩大产能 [3] 智能制造系统 - 公司已通过MES、ERP、APS等系统实现设备互联，基本完成从订单接收到生产的智能互联，提升生产效率及产品质量 [3] - 系统应用可促进技术升级，降低生产成本，实现进口替代，增强竞争力 [3] 汽车电子领域 - 多款车规级功率器件通过AEC - Q101认证，面临持续优化产品结构、拓宽产品应用领域的挑战 [4] - 通过加大车规级产品研发投入，拓展工业、汽车和新能源领域客户，借力募投项目扩产提升竞争力 [4] 研发创新 - 聚焦物联网、可穿戴设备等新兴领域，持续增强在宽禁带功率半导体器件等领域的研发创新能力 [4] - 加强对车规级、氮化镓快充等产品技术研发，新产品推出在持续进行中 [5] 资产运营与资本结构 - 严格按相关法律法规运筹资金，根据业务和生产经营情况合理制定融资计划 [5] - 借力资本市场拓宽融资渠道、降低成本、优化财务结构、提高资金使用效率，实现股东利益最大化 [5] 关键工艺技术 - 已成功应用超薄芯片封装、SIP、Flip Chip、Clip Bond等技术，Clip Bond提升大电流和散热性能，Flip Chip实现更小封装尺寸和更高可靠性，SIP满足多芯片集成需求，超薄封装突破行业难题 [5] - 目前先进封装收入占比不高，正通过研发投入和技术升级持续提升其应用比例及附加值 [5] 业绩影响因素与应对策略 - 2024年业绩下滑受全球半导体市场周期底部爬坡、消费电子需求复苏乏力、客户去库存、市场竞争加剧、产品价格承压、原材料及人工成本上升影响 [6] - 后续行业预计周期性回暖，但竞争和成本压力仍存，公司将通过加大高附加值产品研发、优化产品结构、拓展客户合作及提升运营效率应对 [6] 竞争优势与差距 - 优势体现在技术、产品、客户、研发、数字化与智能化生产体系方面 [6] - 差距在于行业头部企业规模更大、先进封装技术布局更广 [6] - 通过持续研发投入、引进高端人才、提升产品性能和工艺水平、推进智能化生产体系增强竞争力 [7]

混合键合技术概述 - 混合键合技术是后摩尔时代突破芯片性能瓶颈的关键路径，通过铜-铜直接键合与介质键合实现高密度垂直互连，互连间距可缩小至亚微米级甚至纳米级 [1][3] - 该技术相较传统凸块键合（20μm以上）可将单位面积I/O接点数量提升千倍以上，数据传输带宽大幅提升 [3] - 技术优势包括极致互连密度与性能突破、热管理与可靠性提升、三维集成与异构设计灵活性、工艺兼容性与成本优化潜力 [3] 技术应用进展 - SK海力士在HBM3E中采用混合键合技术，散热性能显著提升，成功通过12层以上堆叠可靠性测试 [5] - 三星在3D DRAM中通过混合键合替代部分TSV，芯片表面积降低30%，计划从2025年下半年量产的V10 NAND开始引入该技术 [8] - 台积电SoIC技术通过混合键合实现逻辑芯片与SRAM堆叠，使AMD 3D V-Cache处理器L3缓存容量提升3倍，性能提高15% [8] - 博通3.5D XDSiP平台通过混合键合实现7倍于传统封装的信号密度，平面芯片间PHY接口功耗降低90% [8] - 索尼2016年为三星Galaxy S7 Edge生产的IMX260 CIS是首个采用混合键合技术的商用化产品，接点间距仅9µm [11] 设备市场发展 - 全球混合键合设备市场规模2023年约4.21亿美元，预计2030年达13.32亿美元，年复合增长率30% [13] - 应用材料通过收购BESI 9%股权构建混合键合全链条能力，目标覆盖从介电层沉积到键合的全链条需求 [14][15] - ASMPT聚焦热压键合与混合键合双技术路线，2024年推出AOR TCB™技术支持12-16层HBM堆叠，I/O间距缩小至个位数微米 [16] - BESI预计2025年混合键合系统需求将急剧增加，目标市占率提升至40%，计划越南工厂二期扩产新增年产180台混合键合机产能 [18] - 库力索法主推Fluxless TCB技术，成本较混合键合低40%，计划2026年推出支持90×120mm大芯片的机型 [20][21] 行业竞争格局 - 混合键合设备市场竞争本质是"精度、成本、生态"的三重博弈 [22] - 应用材料通过全流程整合形成全产业链整合能力，ASMPT以精度壁垒引领HBM封装升级，BESI凭借高精度设备在AI领域实现快速增长，库力索法以TCB性价比延缓技术替代 [22] - 国产设备厂商如拓荆科技、青禾晶元、芯慧联等加速布局混合键合领域，推动国产替代进程 [22] 技术发展前景 - 混合键合技术预计到2030年将覆盖全球30%以上的高端芯片市场 [12] - 该技术将持续推动半导体产业向更高密度、更低功耗的方向演进，成为后摩尔时代的核心竞争力 [12] - 随着HBM4量产临近（预计2026年），具备设备-材料-工艺协同能力的厂商将主导市场 [22]

21世纪经济报道记者骆轶琪 广州报道 随着摩尔定律"节奏"放缓，高工艺制程芯片的设计正面临愈发严峻的挑战。而在AI大模型迅猛发展的浪 潮之下，芯片设计难度的指数级攀升，可能会逐步对AI产业发展进程产生影响。 近日，Arm发布的《芯片新思维：人工智能时代的新根基》报告（以下简称"报告"）显示，随着AI工作 负载对计算密集型任务的需求日益增加，能效已跃升为AI计算发展的首要考量因素。芯片设计正在整 合优化的内存层次结构、先进的封装技术以及成熟的电源管理技术，以在降低能源消耗的同时，持续保 持高性能表现。 此外，通过摩尔定律实现半导体缩放的传统方法已达到物理与经济的极限。产业正转向创新的替代方 案，如定制芯片、计算子系统 (CSS) 以及芯粒 (chiplet)，以持续提升性能与能效。 Arm解决方案工程部执行副总裁Kevork Kechichian向21世纪经济报道等记者指出，Arm认为，未来芯片 设计的成功将越来越依赖于：IP提供商、晶圆代工厂与系统集成商之间的紧密合作；计算、内存与电源 传输之间的系统级优化；接口的标准化，以支持模块化设计；针对特定工作负载的专用架构；以及能灵 活应对新兴威胁的强大安全框架。 ...