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英特尔先进封装,强势崛起
半导体芯闻· 2026-03-09 18:34
文章核心观点 - AI芯片需求激增,使得先进封装技术成为半导体产业的关键环节,台积电CoWoS产能长期吃紧,促使部分客户开始评估英特尔等替代方案,先进封装市场竞争加剧 [1] 先进封装市场需求与竞争格局 - 人工智能(AI)芯片需求快速攀升,使半导体产业的先进封装技术成为关键环节 [1] - 市场传出,因台积电先进封装CoWoS产能长期吃紧,部分AI芯片客户开始评估其他方案 [1] - 英特尔主打的EMIB封装技术因此受到关注,相关合作案规模上看每年数十亿美元,显示先进封装市场竞争正逐渐升温 [1] - 英特尔财务长表示,市场对相关封装技术的兴趣明显提升,原本公司预期相关订单规模仅落在数亿美元,但目前多项合作案已接近每年数十亿美元等级,需求明显高于先前预期 [1] 台积电与英特尔技术路径对比 - 台积电的CoWoS采用完整“硅中介层”作为芯片互连平台,具备极高的频宽表现,但缺点在于硅材料使用量大、成本较高且扩产周期长 [2] - 英特尔的EMIB透过局部“硅桥”架构,仅在需要高速互连的特定区域嵌入硅片,能维持高效能传输,更能降低材料成本与封装尺寸,并在设计弹性上展现优势 [2] 下游客户动态与产业趋势 - 随着AI运算需求持续扩大,高效能芯片不仅依赖先进制程,封装技术同样攸关效能表现 [1] - 台积电CoWoS封装可整合GPU与高频宽记忆体(HBM),提供高速资料传输能力,已成为多家AI芯片设计公司采用的关键技术,但在AI需求爆发下,CoWoS产能长期满载,短期内供应仍相对紧绷 [1] - 由于大型云端服务供应商(CSP)积极开发自有AI芯片,让先进封装重要性不亚于晶圆制造 [2] - 市场传出,包括英伟达(NVIDIA)、Google及Meta在内的科技巨头,开始评估在下一代AI ASIC或加速器中导入英特尔的方案 [2]
新旧动能切换-供给竞争转势-碳化硅衬底进击再成长
2026-03-09 13:18
碳化硅行业研究纪要关键要点 涉及的行业与公司 * **行业**:碳化硅(SiC)半导体行业,涉及衬底、器件、设备及材料产业链[1] * **公司**: * **国内公司**:天岳先进、晶盛机电、三安光电、士兰微、扬杰科技、捷捷微电[1][16][17] * **海外公司**:Wolfspeed、英伟达、英飞凌、罗姆、瑞萨、台积电、ST[1][5][7][15][16][17] 核心观点与论据:新旧动能切换与行业再成长 * **核心观点**:碳化硅行业正经历“新旧动能切换+供给竞争转势”,从传统“电场景”向“算/光场景”扩展,行业在经历波折后看到“触底再成长”信号[1][2] * **传统动能(电场景)触底回升**: * 传统功率半导体需求触底回升,士兰微、扬杰科技等公司在2月发布涨价函[1][16] * 海外中高端需求旺盛,部分需求外溢至大陆市场,国内厂商话语权提升并承接外溢需求[1][16] * 碳化硅衬底报价已逐步止跌,价格筑底[1][15] * **新增动能(算/光场景)打开空间**: * **驱动力**:AI算力需求快速扩张,芯片功耗与热管理成为性能释放核心瓶颈[3][5] * **具体场景**:AI算力先进封装散热载板(Interposer)成为核心增量空间[1] * **潜在规模**:算力端新增空间预计为传统车载市场的2-3倍[1][12] * **供给端格局重构**: * 海外龙头Wolfspeed已于2025年6月宣布破产重组,对全球供给格局产生实质影响[1][15] * 国内经历早期无序扩张后,中小玩家逐步降低投入或退出,供给结构走向稳定[15] * 12英寸碳化硅衬底技术由中国厂商率先突破[1][16] 新增应用场景:AI算力先进封装 * **关键矛盾**:制程升级边际效益下降,单芯片面积增大会恶化良率与散热,产业转向通过封装侧系统性升级实现算力提升[3] * **散热瓶颈**:AI芯片功耗持续上行,英伟达GPU单卡功耗可能逼近2000瓦,热管理成为瓶颈[5] * **材料替代逻辑**:现行硅中介层热导率(约150 W/m·K)在多芯片堆叠下散热不足,需更换材料以提升封装散热能力[6] * **碳化硅的竞争优势**: * **性能**:热导率为硅的3-4倍,足以覆盖主流AI芯片散热需求;禁带宽度大,电气性能好,耐高温高压[6][7] * **产业化**:产业链成熟度高,衬底到制造体系完整,价格逐年下降,扩径已推进至12英寸,供给与配套更完备[6][7] * **加工与可靠性**:相对金刚石更易实现精密加工和TSV通孔制备;高刚性与低热膨胀系数有助于降低封装应力与形变风险[7] * **市场规模测算**: * 当前12英寸碳化硅衬底单价约3,000美元/片,未来降价空间有限[11] * 以台积电CoWoS产能为例,若实现30%替代,将新增约9亿美元市场;全面替代可超30亿美元[1][12] * 该增量与2025年全球碳化硅衬底总市场规模(约12亿–13亿美元)相比,构成显著增量[12] * **其他潜在方向**:背板供电基板材料也存在采用碳化硅的可能性,可能进一步放大市场规模[12] 行业现状与市场规模 * **需求结构历史**:过去碳化硅需求高度集中于新能源链条,约90%以上收入来自新能源车[8][9] * **当前市场规模(2025年测算)**: * 全球碳化硅衬底市场规模约10亿–13亿美元(或12亿–13亿美元)[9][12] * 器件市场规模约44亿美元(或接近40亿美元)[9] * **未来增长驱动**:“新旧动能切换”核心在于算力相关新需求带来的增量空间,叠加电力场景在AI供电、储能等方向的渗透提升,有望推动行业在中长期(3–5年)实现数倍级别的扩张[10] 电力场景渗透趋势 * 在服务器及相关电力场景中,中高电压应用(如UPS、电源)已观察到碳化硅方案快速渗透[14] * 尤其在800伏、HVDC等应用中,碳化硅渗透率处于较高水平[14] * 未来在AI相关供电系统及储能领域存在进一步升级和扩散空间[14] 国内产业进展与投资建议 * **国内进展**:国内碳化硅衬底企业已在产能规模上超过海外,并更早突破12英寸等先进技术;例如天岳先进的客户已覆盖全球前十大功率厂商中的五六家[16] * **投资建议**:在“老供需筑底+新需求爆发+供给格局重构”框架下,重点关注衬底环节的天岳先进、晶盛机电,以及国内传统碳化硅龙头三安光电[1][17] 其他重要内容 * **封装技术路线**:现阶段以CoWoS等2.5D/先进封装为主流,并向混合键合与3D封装进一步演绎[4] * **金刚石的约束**:热导率约为硅的13倍,但商业化约束突出,包括生产加工难度大、成本高、大尺寸供给是短板(当前主流4–6英寸)、扩径至12英寸难度大[6] * **玻璃材料**:在热与综合性能上难以成为最终解法[6] * **“光场景”应用**:包括AR眼镜、光波导,以及市场讨论中的HDD可能采用碳化硅基板并延伸至存储相关场景[8]
台积电,疯狂建厂
半导体行业观察· 2026-03-02 09:41
公司财务与全球扩张概况 - 2025年全年营收冲破3.8万亿新台币(约合人民币8500亿元以上)[2] - 2024、2025两年合计取得各国政府补助1514.22亿元新台币,其中2025年为762.58亿元,较2024年的751.64亿元小幅增加[2] - 全球开启大规模建厂潮,被视为关乎地缘政治、AI算力霸权与技术极限的全球博弈[2] 全球产能布局详情 - **美国亚利桑那州**:规划“6座晶圆厂 + 2座先进封装厂 + 1间研发中心”,总投资规模达1650亿美元[4] - Fab21厂(第1期,4nm)已于2024年底量产[3][4] - Fab21厂(第2期,3nm)预计2026年进机,2027年下半年量产[3] - Fab21厂(第3期,预计2nm及更先进)2026年开始建置[3] - 先进封装厂已在申请许可[3] - **日本熊本**: - Fab23厂(一厂,12/16/22/28nm)已于2024年底量产[3][6] - Fab23厂(二厂)规划从6/7nm升级为3nm,2025年开始兴建,预计2027年底营运[3][6] - 目标将熊本基地总产能推升至月产能10万片以上(12吋)[6] - **德国德勒斯登(ESMC)**: - 规划工艺为28/22nm及16/12nm,月产能目标4万片12英寸晶圆[3][8] - 已于2024年8月奠基,由台积电与博世、英飞凌、恩智浦合资建设[8] - **中国大陆**: - 以上海松江Fab10厂(0.11-0.35μm)和南京Fab16厂(12/16/22/28nm)为主,聚焦成熟与中端节点[3][9] - 战略定位冷静克制,旨在满足本土电子产业链需求并在利润与合规间取得平衡[9] - **中国台湾**: - 同步在建厂房多达10座,是捍卫技术主权的“心脏守卫战”[10] - **先进制程**:新竹宝山(Fab20)和高雄楠梓(Fab22)是2nm量产基地;台中(Fab25)已瞄准1.4纳米(A14)制程,预计2028年下半年量产[10] - **先进封装**:在台湾南部多地扩建CoWoS封装厂,计划到2026年底将CoWoS月产能推升至12.5万片以上[11] 海外子公司运营与财务表现 - **美国亚利桑那子公司**:在连续四年累计亏损超过394亿元新台币(2024年亏损142.98亿元)后,于2025年实现获利161.41亿元新台币[4] - **日本合资公司(JASM)**:2025年录得亏损97.67亿元新台币[7] - **德国合资公司(ESMC)**:2025年亏损6.88亿元新台币,仍处于建厂爬坡期[8] 扩张战略的核心驱动逻辑 - **AI需求的指数级增长**:AI需求被认定为非泡沫,是全球算力竞赛和新基建,3nm、2nm等先进制程成为科技巨头争抢的“铁饭碗”[12] - **地缘政治平衡与去风险化**:通过在美、日、德、中四地设厂,将产能分散为全球“产能绿洲”,以获取补贴并降低单一区域的供应链风险[13] - **绝对的技术统治力**:凭借2nm等先进工艺的预计爆发式良率攀升和强大的生态粘性,掌握全球先进制程的定价权和交付能力[14] 各区域布局的战略定位 - **美国**:回应AI时代美国客户的就近生产/备援生产诉求及美国政府关键技术本土化诉求,旨在建立可被美国工业体系接住的半闭环生态[4][5] - **日本**:股东包括索尼、电装、丰田等产业核心,项目带有明确的在地供给与产业安全使命,并获得日本经济产业省最高7320亿日元等级的补助支持[6][7] - **德国/欧洲**:布局逻辑是因地制宜,服务汽车与工业等长周期客户的供应安全,将制造能力嵌入欧洲产业政策[8] - **中国大陆**:专注于成熟/中端节点,紧贴大陆智能家居、新能源车及消费电子生态,提供高良率、低沟通成本的代工服务[9] - **中国台湾**:集中最尖端的技术和最庞大的产能,通过“前段制程+后段封装”全线重仓,确保其作为全球AI产业动力源泉和技术堡垒的地位[10][11]
台积电日本厂,真能赚钱吗?
36氪· 2026-02-11 20:18
文章核心观点 - 日本通过巨额补贴和引进先进制造设备建设尖端半导体工厂(如JASM熊本第二工厂)被视为产业复兴象征,但工厂的实际盈利能力存疑,其利润关键并非由日本掌控,而是取决于其母公司台积电对后端先进封装(CoWoS)产能的分配[1] - 日本半导体产业政策存在重大风险,成功不仅依赖于建设先进的前端晶圆厂,更取决于能否建立包括下游先进封装在内的完整产业链,否则利润将受制于海外[1][23] JASM熊本工厂的工艺节点选择 - JASM熊本第二工厂(P2)决定采用3nm(N3)工艺,而非7nm(N7)或4nm(N4)工艺[1] - 选择N3是基于市场需求趋势的理性决策,因为N7世代销售占比已进入下滑阶段,N5/N4世代接近销售峰值,投资于需求增长轨道上的节点是避免未来供应过剩的唯一选择[2][4] 不同工艺节点的盈利结构分析 - 成熟节点(如N28、N16)盈利困难,需要极高产能利用率,N16需约90%产能运行才能盈利,N28需几乎满负荷运行,因其晶圆售价低而固定成本高,对经济波动极为敏感[7][9] - 先进节点(如N7、N4、N3)更容易盈利,在月产能55,000片、良率90%的假设下,实现盈利所需的产能利用率分别约为60%、40%和30%,原因是AI时代推高了先进逻辑晶圆的平均售价,使其能更好地消化高固定成本[9][11] 3nm工艺的需求驱动与价值转移 - 3nm工艺的需求驱动正从智能手机(如苹果iPhone)迅速转向人工智能半导体,如英伟达的GPU和博通的AI专用集成电路[12][14] - 人工智能半导体的价值不仅在于前端晶体管制造,更在于前后端工艺的“集成”,特别是需要通过2.5D CoWoS先进封装技术连接高带宽存储器[14][16] 后端封装产能是盈利的关键瓶颈 - JASM P2生产的N3晶圆需运往台积电进行CoWoS封装,其盈利能力直接取决于能从台积电获得的CoWoS产能配额[16] - 模型计算显示,若JASM P2的CoWoS配额仅为每月10,000片,工厂将亏损,需至少每月15,000片或更多配额才能实现盈利[17][19] - 台积电CoWoS产能紧张,到2025年底略高于每月60,000片,到2026年底仅约为每月100,000片,年增量约30,000片,其产能优先分配给英伟达、博通等大客户,JASM作为海外工厂的产能分配存在不确定性[21][22] 对日本半导体政策的启示 - JASM P2乃至日本半导体产业的命运并非完全由日本本土的前端工厂决定,利润的关键掌握在海外(台积电)手中[17][22] - 日本需要制定包含下游先进封装(如CoWoS)的一体化产业战略,建立本土的先进封装基地,否则即使拥有尖端前端工厂,大部分利润也将依赖海外市场[22][23]
新力量NewForce总第4946期
第一上海证券· 2026-01-19 16:09
报告行业投资评级 * 报告对科技行业整体持积极看法,核心观点是“继续看多高景气龙头公司” [5] 报告核心观点 * 报告核心观点围绕AI驱动的算力需求展开,认为这将带动从先进封装、国产算力到海外算力产业链的全面景气 [5][6][11] * 先进封装景气度显著提升,产能紧张并出现涨价预期,国内封测公司将受益于海外订单转移、国内先进制程释放及存储涨价周期 [5][6] * 国产算力在2026年迎来确定性机会,进入大规模生产元年,需求端来自互联网大厂及运营商的采购计划明确 [6][7] * 海外算力需求持续高增长,AI应用商业化进入拐点,光模块等环节供需格局持续紧张 [11][12] 根据相关目录分别总结 先进封装产业链 * 封测产业链,尤其是先进封装产能逐步满产,有望迎来涨价 [5] * 台积电CoWoS封装持续供不应求,部分订单外溢至日月光、安靠等封测大厂 [5] * 台湾地区封测产能紧张,相关企业2025年12月订单月度环比增长,日月光计划对先进封装产能提价**5-20%** [5] * 2026年1月中,力成、华东、南茂等多家存储器封测厂集体上调报价,涨幅最高达**30%** [5] * 国内封测公司将受益于:1)海外产能紧张带来的订单转移;2)国内先进制程在2026年释放带动需求;3)存储涨价大周期带来的增量需求 [6] * 建议重点关注长电科技、通富微电、甬矽电子及即将上市的盛合晶微 [6] * 同时关注封测材料公司,如环氧塑封料龙头华海诚科及高端球形硅微粉供应商联瑞新材 [6] 国产算力产业链 * 以H公司950系列芯片为代表的新一代算力芯片将从2026年一季度开始陆续发布并进入量产 [6] * 供给端:芯片制造良率问题有望在2026年实现突破,国产算力有望进入大规模生产元年 [7] * 需求端:2026年需求明确,字节预计全球算力采购投入**1,500亿元**,其中国内**600-650亿元**,国产算力份额预计超**400亿元**;阿里巴巴预计投入超**1,200亿元**;腾讯预计投入超**800亿元**;三大运营商也将加大采购 [7] * 认为H200放开对国产算力产业链影响有限,因应用场景重叠度不高,且国产新一代产品算力对标H100,性价比更高 [8] * 持续推荐国产算力产业链,核心标的包括寒武纪(算力卡供应商)及中芯国际(晶圆代工厂),并建议关注华虹半导体 [8] 海外算力产业链 * 强烈看好AI应用驱动的算力需求持续高增长,海内外AI应用进入商业化拐点 [11] * 谷歌AI基础设施负责人提到,谷歌必须每**6个月**将算力翻一番,未来**4-5年**实现算力**1,000倍**增长,其CEO也提到2026年算力会非常紧张 [11] * 光模块产业供需格局持续紧张,上游元器件供应瓶颈是2026年的关键考量 [12] * 建议关注龙头公司中际旭创,其通过提前备货、开发新供应商应对瓶颈,并在CPO等新技术布局领先 [12] * 在美国宏观背景下,建议关注应用光电在北美光芯片和光模块产能布局的机遇 [12] 其他关注领域 * 建议关注国产IC载板相关公司,因上游玻纤布紧缺导致供应出现瓶颈,标的包括深南电路、鹏鼎控股、兴森科技、宏和科技 [10] * 报告列出了广泛的股票池,涵盖消费硬件、国产算力、国产存储、海外CSP/ASIC产业链(PCB及材料、通信、液冷电源)等多个细分领域 [14] 公司估值与评级(部分科技相关公司摘要) * **寒武纪 (688256)**:评级“买入”,目标价**1,683.00**元人民币,现价**1,424.05**元人民币 [17] * **中芯国际 (0981.HK)**:评级“买入”,目标价**90.00**港元,现价**79.20**港元 [17] * **华虹半导体 (1347.HK)**:评级“买入”,目标价**105.00**港元,现价**106.80**港元 [17] * **中际旭创 (300308)**:出现在股票池推荐中 [14] * **应用光电 (AAOI.US)**:评级“买入”,目标价**42.20**美元,现价**37.04**美元 [17]
115万片晶圆,决定2026年的“芯片战”,苹果、联发科、OpenAI火线入局
36氪· 2026-01-09 20:15
文章核心观点 - 2026年AI算力芯片的竞争格局与出货量,将直接由台积电CoWoS先进封装的产能分配决定,其总有效产能约为115万片晶圆[1][12] - AI芯片的竞争是多维度的,涉及架构、制程和先进封装三条关键路径,其中CoWoS先进封装在2026年成为决定算力版图的最关键变量[3][4][10] - 英伟达凭借与台积电的深度合作及技术领先,预计将获得近60%的CoWoS产能,并在算力、营收和利润上保持对ASIC阵营的碾压优势[15][22][26] - ASIC芯片的优势在于为特定负载优化总拥有成本,但其使用门槛高,主要服务于超大型云厂商和大模型企业,市场规模和增长与云巨头的资本开支绑定[27][28][34] - 未来更可能形成“GPU+ASIC”的混合算力格局,而台积电作为关键的“军火商”,凭借CoWoS产能的定价权将成为无论哪方获胜都不可或缺的终极赢家[35][36] AI芯片竞争的关键路径 - **架构路径**:存在GPGPU与ASIC两大阵营,英伟达凭借CUDA生态和HBM、大规模流处理器阵列在通用计算领先,而谷歌TPU等ASIC芯片为特定算法定制,在能效和总拥有成本上具有优势[3] - **工艺制程路径**:从7nm向2nm演进,但面临进化速度慢、成本高昂的挑战,2nm晶圆代工价格高达3万美元,并受“功耗墙”和“存储墙”限制[4] - **先进封装路径**:以台积电CoWoS为代表,通过异构集成将计算芯粒、HBM等集成在一个封装内,突破单芯片光罩尺寸限制,是顶级AI算力芯片的必备技术[6][8][10] 台积电CoWoS产能供给与分配 - **产能爬坡**:CoWoS月产能从2023年12月的约12K片,增长至2025年12月的约80K片,预计2026年底达到约120K片,2026年全年有效产能平均约为96K/月,总计约115万片晶圆[12] - **分配原则**:英伟达作为早期共同定义者和投资者,与台积电技术深度耦合,获得最多产能;苹果、英伟达、AMD是前三大VVIP客户;博通、Marvell因承接云巨头ASIC订单也成为顶级VIP客户;其他客户如AMD、英特尔及中国客户用于制衡风险[13][14] - **分配明细**:英伟达预计获得约660,000片晶圆,占比57.4%;AMD获得约90,000片,占比7.8%;整个ASIC阵营获得约374,000片,占比32.5%;其他客户(如FPGA)获得约26,000片,占比2.3%[15][16] ASIC阵营的产能预订详情 - **博通**:预订量大幅增至200,000片,同比增长122%,主要受谷歌TPU外供拉动,其中谷歌TPU预计占60-65%,Meta MTIA占约20%,OpenAI Titan芯片占5-10%,并为苹果AI芯片Baltra提供后端支持[16][17][18][19] - **世芯**:预订量达60,000片,同比暴增200%,主要服务于AWS Trainium 3、微软Maia 100及Intel Gaudi 3[19][20] - **Marvell**:预订量为40,000片,与2025年持平,主要客户为AWS Trainium 2,新客户微软Maia 200采用N3E制程[19][20] - **联发科**:作为新进客户预订20,000片,2026年下半年将承接谷歌TPU v7e的出货,预计2027年将迎来爆发式增长[19][21] 从产能到算力与营收的转化 - **芯片产出计算**:不同封装方案影响单晶圆芯片切割数量,例如Hopper架构单晶圆可切29颗芯片,而Blackwell双芯粒方案仅能切14颗,因此CoWoS产能增幅不等同于芯片出货量增幅[22][23] - **算力比较**:英伟达B300的FP8算力达10 PFLOPS,而最强的定制推理ASIC(如TPU v7p)算力仅为其一半,即将推出的Rubin架构在推理和训练性能上将进一步拉大差距[25] - **价值比较**:英伟达单颗GPU售价高达3万美元以上,未来可能达4-5万美元,而ASIC芯片对外售价较低,例如Anthropic采购的TPU单颗售价在1.5万美元以下,不到英伟达Blackwell系列的一半[26] - **市场地位**:英伟达用约60%的CoWoS产能,创造了AI加速芯片市场70%以上的收入和90%以上的利润[26] ASIC的本质与适用边界 - **核心优势**:ASIC通过专用化换取“去英伟达化”,为工作负载高度特化且稳定的超大规模用户优化总拥有成本,最终目的是优化财务报表[27] - **使用门槛**:自研或采购ASIC需要巨大的资金、人力投入以及强大的底层系统工程师团队进行适配,因此仅适用于超大型云厂商或Anthropic体量的大模型企业,难以向下拓展[27][28] - **系统级挑战**:随着芯片功耗飙升至数千瓦,数据中心需采用液冷等方案,其物理设计和最大集群规模成为综合考量因素,竞争已超越单芯片层面,涉及CPO共封装等系统级方案[28][29] 行业终局推演与未来格局 - **市场划分**:在未来3-5年,英伟达GPGPU仍将统治AI训练市场和高性能通用计算市场,而ASIC将在占据AI算力消耗大头的推理市场势头越来越好[30][31] - **英伟达的应对**:通过收购Groq、推出推理专用芯片、灵活的订阅模式以及更强大的系统级解决方案来加固护城河并应对ASIC竞争[32] - **混合算力世界**:未来更可能形成“GPU+ASIC”的混合算力格局,云巨头用英伟达GPU进行前沿研发和训练,同时用自研ASIC进行成本敏感的大规模推理部署[35] - **台积电的角色**:作为CoWoS产能的唯一主导者,台积电拥有定价权,将成为无论GPGPU还是ASIC阵营增长都不可或缺的终极赢家[36]
CoWoS产能支撑,摩根大通再次上调TPU预期:今明两年出货量有望达370、500万颗
华尔街见闻· 2026-01-07 20:50
摩根大通上调CoWoS产能与AI芯片出货预期 - 摩根大通再次上调台积电CoWoS封装产能预测,2026年和2027年预测分别上调8%和13% [1] - 台积电CoWoS产能预计在2026年底达到11.5万片晶圆/月,外部供应商(日月光、Amkor)将额外提供1.2万至1.5万片晶圆/月产能 [1] - 产能增量主要来自ASIC供应链需求上升,扩产重点集中在CoWoS-L技术 [1] 谷歌TPU需求与出货预测 - 摩根大通上调谷歌TPU出货预期,预计2026年和2027年出货量将分别达到370万颗和500万颗 [1][3] - 为满足TPU需求,博通的CoWoS晶圆分配量被上调至2026年23万片和2027年35万片 [3] - 联发科预计2026年和2027年将分别获得1.8万片和5.5万片晶圆分配 [3] - TPU v7(Ironwood)和v8系列将占据2026-2027年主要出货量,基于2纳米的v9系列预计2027年底小批量生产 [3] - 目前所有TPU产能均由台积电CoWoS-S技术处理,封测厂认证进展缓慢,预计2026年封测厂不会有大量TPU出货 [3] 英伟达、AMD与AWS项目动态 - 摩根大通维持英伟达2026年CoWoS分配量在70万片晶圆,产品组合调整:Rubin系列量产推迟1-2个月,GB300出货量上升 [4] - 预计2026年将通过Amkor封装约40万至50万颗H200芯片 [4] - 2027年英伟达CoWoS分配量被上调4%,以反映更强劲的Rubin和Rubin Ultra需求 [4] - AMD的CoWoS预测基本不变,2026年和2027年分别为9万片和12万片晶圆 [4] - AMD 2026年出货高度集中在第四季度(5.5万至6万片晶圆),因MI450将在8-9月开始量产,存在推迟至2027年的风险 [4] - AWS的Trainium项目2026年预计出货210万颗(Trn3为150万颗,Trn2为60万颗),但生命周期总量保持不变 [5] 封测厂外包趋势与受益方 - 由于台积电产能重点支持关键GPU和AI ASIC项目,较小或次要项目将留给封测厂 [7] - 日月光预计将从AMD Venice CPU、英伟达Vera CPU及部分Trainium3和TPU项目中获益 [7] - Amkor预计将从英伟达H200、博通网络芯片、Vera CPU及部分TPU订单中获得增量 [7] - 封测厂到2026年底预计贡献约1.2万至1.5万片晶圆/月的有效CoW产能 [7] - 英特尔EMIB-T技术进入考虑范围,包括联发科和博通在2027年的小批量TPU项目 [7] 设备供应商前景 - CoWoS、WMCM和FOCoS的强劲需求为台湾先进封装设备供应商提供了贯穿2026年的清晰可见性 [7] - 设备供应商预计CoWoS需求将同比增长,新增产能约4万至5万片晶圆/月,高于2025年的约3.5万片晶圆/月 [7] - 预计这些设备商2026年的设备出货量可能同比增长20%至30%或更高 [7]
打不过台积电,怎么办?
半导体行业观察· 2025-12-21 11:58
全球晶圆代工市场格局 - 2025年第三季度,全球前十大晶圆代工商合计营收达到450.86亿美元,环比增长8.1% [1] - 台积电当季营收330.63亿美元,环比增长9.3%,市场份额进一步提升至71%,其优势在先进制程、客户集中度和资本开支方面呈现“放大效应” [1] - 其他厂商如三星电子(营收31.84亿美元,份额6.8%)、中芯国际、联华电子、格罗方德等,在整体市场增长背景下难以缩小与台积电的份额差距,被迫在不同层级和赛道中寻找位置 [2] 英特尔:押注先进技术与生态重构 - 核心筹码是14A制程节点,预计在功耗效率和芯片密度方面实现显著提升,并成为全球首个在关键层采用高数值孔径(High-NA)EUV光刻技术的制造节点 [4] - 已安装ASML的Twinscan EXE:5200B设备,能以8nm分辨率打印芯片,在50 mJ/cm²剂量下每小时处理175片晶圆,并实现0.7纳米套刻精度,在High-NA技术应用上领先于台积电和三星 [4] - 在先进封装领域,其EMIB(嵌入式多芯片互连桥)技术成为台积电CoWoS的替代方案,苹果和博通正在招募相关工程师,苹果考虑采用EMIB技术开发定制服务器加速器Baltra [6] - 客户争取取得突破:与苹果签署保密协议采购18A-P PDK,苹果入门级M系列处理器最早可能在2027年第二或第三季度开始交付,预计到2027年产量达1500万至2000万颗 [8];英伟达和AMD正在评估其14A制程节点 [9] - 设立专用ASIC部门,为客户提供从芯片设计到制造封装的“一站式”服务,在定制网络ASIC芯片领域已获得众多客户 [10][11] - 正就收购AI芯片初创企业SambaNova Systems进行深入谈判,包含债务在内的总估值约为16亿美元,以完善自身人工智能产品布局 [12] 三星:2nm制程的背水一战 - 将筹码压在2nm制程的大规模量产上,该制程采用全环栅(GAA)晶体管架构 [13] - 2nm制程良率已从2025年9月的50%提升到11月的50%至60%,目标是在2025年底或2026年初将生产良率提高到70%左右 [13] - 2nm产能预计将增加163%,从2024年的每月8000片晶圆增加到2026年底的21000片晶圆 [13] - 客户突破:2024年7月获得特斯拉价值165亿美元的合同,用于生产下一代采用2nm工艺的AI6芯片;还获得了苹果图像传感器、MicroBT和Canaan的挖矿专用芯片(ASICs)等订单 [14];高通第六代骁龙8至尊版可能有基于三星2nm代工的版本 [15] - 在汽车半导体市场全方位布局:将为现代汽车量产8nm MCU,并可能赢得其5nm自动驾驶芯片合同;将向现代汽车供应采用14nm FinFET工艺量产的eMRAM(嵌入式磁性随机存取存储器) [16] - 布局硅光子技术,将其选为未来核心技术,并计划在2027年实现CPO(共封装光学器件)的商业化 [17];预计到2030年,硅光子市场规模将增长至103亿美元 [18] - 计划在2026年上半年前投资约1.1万亿韩元,引进两台High-NA EUV设备,每套成本约5500亿韩元,用于2nm晶圆生产线 [19] - 行业预计其代工业务将从2027年开始扭亏为盈,得益于奥斯汀工厂开工率提高及泰勒工厂大规模量产特斯拉AI6芯片 [21] 联电:成熟制程的差异化突围 - 战略定位是不参与先进制程竞赛,专注于成熟制程基础上的特殊工艺、先进封装和硅光子等高附加价值应用 [23] - 在先进封装领域取得突破:自行开发的高阶中介层已获得高通电性验证并进入试产,预估最快2026年第一季度量产,首批中介层电容密度达1500nF/mm² [24] - 在硅光子领域,与IMEC签署技术授权协议,取得其iSiPP300硅光子制程,将推出12英寸硅光子平台,预计在2026及2027年展开风险试产 [25][26] - 积极拓展美国本土制造能力,与专攻高压、功率及传感器的美国晶圆代工厂Polar Semiconductor签署合作备忘录,共同探索在美国本土8英寸晶圆制造的合作机会 [27] - 市场传出正考虑扩大与英特尔的合作伙伴关系,可能将合作制程从12nm提升至6nm,但公司未予置评,强调双方12nm FinFET合作将按规划于2027年导入量产 [28] 格罗方德:区域化与特色工艺的守成者 - 战略重心是通过区域化布局、硅光子技术和IP整合,在特定市场建立不可替代的地位 [30] - 2024年11月宣布收购位于新加坡的硅光子晶圆代工厂Advanced Micro Foundry(AMF),以扩展其硅光子技术组合、产能和研发能力,并计划在新加坡建立硅光子学研发卓越中心 [31][32] - 计划收购提供基于RISC-V处理器IP的MIPS公司,旨在通过提供现成IP模块帮助客户简化系统设计流程,但强调自身仍保持纯代工厂定位 [33] - 计划投资11亿欧元扩大其德国德累斯顿工厂的产能,到2028年底提升至每年超过100万片晶圆,以满足欧洲在汽车、物联网等领域的芯片需求 [35] - 通过技术授权模式与中国本土代工厂合作,为中国客户提供车规级工艺与制造专长,以实现技术价值最大化并帮助中国厂商快速提升特色工艺能力 [36]
台积电大幅扩张CoWoS封装生产线,科创半导体ETF(588170)逆市上涨
每日经济新闻· 2025-12-11 11:53
市场表现 - 截至2025年12月11日11点15分,上证科创板半导体材料设备主题指数上涨0.50% [1] - 成分股中华海清科上涨5.19%,新益昌上涨4.74%,龙图光罩上涨3.45%,中科飞测上涨2.37%,天岳先进上涨1.93% [1] - 跟踪该指数的科创半导体ETF(588170)上涨0.49% [1] 行业需求与产能动态 - 半导体设备厂商透露,台积电、日月光集团、Amkor与联电等都在加速扩充先进封装CoWoS产能 [1] - 从订单分布观察,2026-2027年GPU、ASIC客户需求均超出预期 [1] - 展望2026年,国内Fab厂将迎来存储与先进逻辑的双重“扩产大年”,强力支撑晶圆代工景气度维持高位 [1] 投资逻辑与行业趋势 - 晶圆制造资本开支迈入新台阶,先进制程与封装加速突围 [1] - 半导体设备板块有望演绎“β+α”共振行情,建议关注受益于扩产红利的行业龙头及具备技术兑现逻辑的成长标的 [1] - 在AI算力爆发与外部封锁倒逼下,产业链正加速构建“前道光刻机自主可控+后道先进封装性能跃升”的双轮驱动格局 [1] - 龙头企业在光刻机整机及核心零部件领域加速破局,厂商则依托2.5D/3D先进封装技术筑牢算力底座,共同重构国产高性能芯片供应链 [1] 相关ETF产品信息 - 科创半导体ETF(588170)及其联接基金跟踪上证科创板半导体材料设备主题指数,该指数囊括科创板中半导体设备(61%)和半导体材料(23%)细分领域的硬科技公司 [2] - 半导体设备和材料行业是重要的国产替代领域,具备国产化率较低、国产替代天花板较高属性,受益于人工智能革命下的半导体需求、扩张、科技重组并购浪潮、光刻机技术进展 [2] - 半导体材料ETF(562590)及其联接基金的指数中,半导体设备(61%)、半导体材料(21%)占比靠前,充分聚焦半导体上游 [2]
英伟达、台积电破局“功耗墙”!SiC或成下一代GPU的隐藏王牌(附55页PPT)
材料汇· 2025-11-05 23:57
文章核心观点 - 英伟达与台积电计划最晚于2027年在新一代GPU的先进封装中采用12英寸碳化硅衬底作为中介层,以解决CoWoS封装的散热瓶颈,这标志着技术可行性已获内部认可并进入工程化阶段 [3] - AI算力芯片发展遭遇"功耗墙"制约,散热能力取代晶体管密度成为算力竞赛下半场的胜负手,CoWoS封装散热问题已从技术挑战升级为产业发展的重要课题 [3][25][47] - 碳化硅因其优异的热导率、与硅接近的热膨胀系数以及结构强度,在性能与可行性之间找到最佳平衡点,有望成为未来CoWoS中介层的最优解,从而为碳化硅产业链开辟一个独立于传统功率器件的巨大增量市场 [3][69][70][90] - 中国大陆碳化硅产业链凭借激进的衬底产能投资、成本优势以及敏捷的产能扩张能力,有望切入全球最先进的半导体供应链,实现产业地位的跃升 [3][113][119][125] 英伟达、台积电考虑使用碳化硅作为未来先进封装中介层 - 英伟达正计划在新一代GPU芯片的先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底,最晚将在2027年导入,这一明确的时间点表明该计划已进入工程化与供应链准备阶段 [4] - 2027年对应英伟达Feynman架构周期,预示着碳化硅封装可能成为Feynman架构的"秘密武器" [3] - 应用材料作为全球最大的半导体设备商,已在行业会议上公开讨论碳化硅替代硅中介层的应用,表明设备端已看到趋势并开始技术布局,产业链上下游共识正在形成 [5][9] 为何英伟达和台积电亟需解决CoWoS散热问题 - 英伟达算力芯片功率持续快速上升,预计Feynman Ultra(2029年)功率将达6,000W,后续架构甚至将冲高至15,360W,对散热提出极高要求 [23] - 芯片单位面积功率大幅提升,从H100的0.86W/mm²增至未来架构的2W/mm²,增长幅度达233%,传统的风冷、水冷逼近极限 [26][28] - 芯片发展受到"功耗墙"严重制约,典型的热设计功耗在最近20年基本保持在100~200W,导致芯片性能提升缓慢,散热能力直接决定芯片能否在最高频率下稳定运行 [29][45] - 异构集成导致严重的"热交叉干扰",HBM的温度有38%来自GPU核心的热耦合,单一芯片散热已不足,必须进行系统级热管理 [32][45] - 台积电在先进封装领域近乎垄断,几乎所有领先的数据中心GPU都由其采用CoWoS封装,CoWoS已成为算力发展的关键技术,英伟达CEO黄仁勋表示"除了CoWoS,我们无法有其他选择" [37][48][51] 为何碳化硅成为CoWoS中介层主要考虑对象 - 碳化硅材料特性显著优于硅,其热导率达490 W/m·K,是硅(130 W/m·K)的3.77倍,带隙能为3.2 eV,莫氏硬度为9.5,具备优异散热能力和结构强度 [69][70][90] - 碳化硅的热膨胀系数为4.3×10⁻⁶/K,与硅(2.6×10⁻⁶/K)较为接近,意味着与上方芯片在加热/冷却时膨胀收缩步调更一致,应力更小,可靠性更高 [70][105] - 金刚石虽热导率极高(2200 W/m·K),但难以匹配芯片制造工艺(如光刻兼容性、大面积高质量低成本生长),目前还难以成为中介层的可行选择,为碳化硅上位扫清了道路 [79][83][107] - 碳化硅可制备高深宽比(大于100:1)且非线性的通孔,能加快传输速度并降低散热难度,契合先进封装未来高速、高密度互联的方向 [93][95][108] - 碳化硅中介层在界面处比硅中介层具有更高径向应力和更小轴向应变,结构刚性更强,能减少超大尺寸中介层制造中的翘曲和开裂问题 [97][98][106] 为何中国大陆碳化硅有望重点受益 - 若CoWoS采用碳化硅中介层,将创造巨大增量市场,按70%渗透率和35%复合增长率推演,2030年对应需要超过230万片12英寸碳化硅衬底,等效约920万片6英寸衬底,远超当前全球产能供给 [111][115][122] - 中国大陆在碳化硅衬底产能投资上最为激进,主要厂商(如天岳先进、天科合达等)设计产能合计已超百万片,并积极布局12英寸产品,具备显著的产能规模优势 [113][114] - 中国大陆具备生产成本优势,参照天岳先进数据,除去折旧摊销后,生产成本中近两成为人工和水电成本,这部分为可压缩的成本项 [117][119][126] - 中国作为全球新能源车产业链最核心的玩家,为碳化硅产业提供了广阔的试验场和现金流来源,公司可用功率业务利润反哺先进封装业务研发,形成良性循环 [119][126] 碳化硅衬底、设备相关企业概况 - 晶盛机电围绕硅、蓝宝石、碳化硅三大半导体材料开发关键设备,并延伸至衬底材料领域,已实现12英寸碳化硅衬底加工中试线通线,实现全线设备自主研发和100%国产化 [127][131][133][140] - 晶升股份专注于晶体生长设备,其碳化硅长晶炉覆盖6英寸至12英寸,公司表示已有下游客户于数月前向台积电送样碳化硅衬底,并将逐步进行小批量供应 [137][141][144] - 天岳先进是全球排名第二的碳化硅衬底制造商,市场份额为16.7%,已成功研制出12英寸半绝缘型、导电型及P型衬底,并获得英飞凌、博世、安森美等国际企业合作 [146][147][151][152] - 三安光电从衬底到器件全面布局碳化硅,其与意法半导体的合资公司安意法已于2025年2月实现通线,规划达产后8英寸外延、芯片产能为48万片/年 [153][158][161] - 其他相关企业包括天科合达(衬底销量破百万片)、南砂晶圆、河北同光、通威股份、天富能源、华纬科技、宇晶股份等,均在碳化硅材料或设备领域有所布局 [162][165][169][172][175]