半导体行业观察

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1200余款国产汽车芯片亮相,中国芯展区登陆2025上海车展
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
中国芯展区概况 - 2025上海国际汽车工业展览会中国芯展区展出1200余款国产汽车芯片,来自150余家汽车芯片联盟成员单位[1] - 展区面积达400平方米,设置汽车芯片重点企业展示长廊、生态链展示区等五大功能板块,创历届最大规模[1] - 采用芯片引脚造型、"透明车模"等比展示等创新形式,直观呈现芯片应用场景[1][7] 国产芯片技术突破 - 展品覆盖控制类(芯旺微等)、计算类(芯擎等)、通信类(神经元等)、存储类(兆易创新等)10大类车规芯片[5] - 神经元发布KD6610系列国产车规级交换机芯片,含9/7/5口三型号,填补国内高端车载以太网芯片空白[11] - 38项成果从104个申报项目中获评年度影响力/创新力芯片奖项,代表国产最新技术水准[9] 产业链协同发展 - 产业链展示长廊集结20家芯片/零部件企业及产业集群,如经纬恒润、闵行区等,强化上下游协作[12] - 供应链对接平台收录超1000款芯片产品,服务400余家单位,最新发布供给手册整合主流车企应用芯片[14] - 生态链展示区覆盖EDA(华大九天)、检测认证(国家新能源车技术创新中心)等全环节能力[16] 行业生态建设 - 汽车芯片联盟成员达420家,联合中汽协软件分会、AUTOSEMO等机构推动产业协同[20] - 闵行区举办专场活动促进产城融合,上海国际汽车城发起AUTOSEMO开源社区助力软件创新[18] - 透明车模动态展示10大类芯片在新能源车的实际应用,为车企选型提供可视化参考[7]
1.4nm,巅峰之争
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
半导体制造工艺竞争 - 台积电正在从FinFET转向Nanosheet架构,并探索CFET(垂直堆叠NFET和PFET)作为器件微缩方案,2023年展示栅极间距48纳米的CFET晶体管,2024年推出最小CFET反相器[1][3][5] - 台积电在二维沟道材料取得突破,首次展示堆叠纳米片架构中单层沟道的电性能,开发出工作电压1V的反相器[5] - 台积电计划开发新型互连技术,包括铜互连新通孔方案、新型铜阻挡层,以及研究气隙金属材料和插层石墨烯以降低电阻[7] 英特尔14A工艺突破 - 英特尔14A节点(2027年风险生产)宣称功耗降低35%,性能功耗比提升15-20%,晶体管密度比18A提高1.3倍[8][9] - 采用PowerDirect背面供电网络和RibbonFET 2晶体管(四层堆叠纳米片),实现更快切换速度[9] - 推出Turbo Cell技术优化CPU/GPU关键路径,通过调整纳米带宽度和配置提升驱动电流,可在同一模块混合高速与节能单元[10][11][12] High NA EUV光刻技术路线 - 台积电放弃在A14节点使用High NA EUV(成本高2.5倍),采用0.33 NA EUV配合多重曝光保持设计复杂度,计划在A14P节点引入[13][14] - 英特尔坚持在14A节点部分层使用High NA EUV(已安装2台设备),但保留Low NA EUV备用方案,两种方案良率持平且设计规则兼容[15][16][17] - High NA EUV可减少40个工艺步骤降低成本,但需两次曝光完成全光罩,而Low NA EUV需三重曝光[18] 技术战略差异 - 台积电侧重成本控制和技术成熟度,延迟High NA EUV应用[13][14] - 英特尔通过High NA EUV寻求技术领先,但吸取10nm节点教训采用双轨开发策略降低风险[19] - 两家公司在背面供电(英特尔PowerDirect)和晶体管架构(台积电CFET/英特尔RibbonFET)上形成差异化竞争[9][3][19]
混合键合,风云再起
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
混合键合技术概述 - 混合键合技术是后摩尔时代突破芯片性能瓶颈的关键路径,通过铜-铜直接键合与介质键合实现高密度垂直互连,互连间距可缩小至亚微米级甚至纳米级 [1][3] - 该技术相较传统凸块键合(20μm以上)可将单位面积I/O接点数量提升千倍以上,数据传输带宽大幅提升 [3] - 技术优势包括极致互连密度与性能突破、热管理与可靠性提升、三维集成与异构设计灵活性、工艺兼容性与成本优化潜力 [3] 技术应用进展 - SK海力士在HBM3E中采用混合键合技术,散热性能显著提升,成功通过12层以上堆叠可靠性测试 [5] - 三星在3D DRAM中通过混合键合替代部分TSV,芯片表面积降低30%,计划从2025年下半年量产的V10 NAND开始引入该技术 [8] - 台积电SoIC技术通过混合键合实现逻辑芯片与SRAM堆叠,使AMD 3D V-Cache处理器L3缓存容量提升3倍,性能提高15% [8] - 博通3.5D XDSiP平台通过混合键合实现7倍于传统封装的信号密度,平面芯片间PHY接口功耗降低90% [8] - 索尼2016年为三星Galaxy S7 Edge生产的IMX260 CIS是首个采用混合键合技术的商用化产品,接点间距仅9µm [11] 设备市场发展 - 全球混合键合设备市场规模2023年约4.21亿美元,预计2030年达13.32亿美元,年复合增长率30% [13] - 应用材料通过收购BESI 9%股权构建混合键合全链条能力,目标覆盖从介电层沉积到键合的全链条需求 [14][15] - ASMPT聚焦热压键合与混合键合双技术路线,2024年推出AOR TCB™技术支持12-16层HBM堆叠,I/O间距缩小至个位数微米 [16] - BESI预计2025年混合键合系统需求将急剧增加,目标市占率提升至40%,计划越南工厂二期扩产新增年产180台混合键合机产能 [18] - 库力索法主推Fluxless TCB技术,成本较混合键合低40%,计划2026年推出支持90×120mm大芯片的机型 [20][21] 行业竞争格局 - 混合键合设备市场竞争本质是"精度、成本、生态"的三重博弈 [22] - 应用材料通过全流程整合形成全产业链整合能力,ASMPT以精度壁垒引领HBM封装升级,BESI凭借高精度设备在AI领域实现快速增长,库力索法以TCB性价比延缓技术替代 [22] - 国产设备厂商如拓荆科技、青禾晶元、芯慧联等加速布局混合键合领域,推动国产替代进程 [22] 技术发展前景 - 混合键合技术预计到2030年将覆盖全球30%以上的高端芯片市场 [12] - 该技术将持续推动半导体产业向更高密度、更低功耗的方向演进,成为后摩尔时代的核心竞争力 [12] - 随着HBM4量产临近(预计2026年),具备设备-材料-工艺协同能力的厂商将主导市场 [22]
美国芯片,难的还在后台
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
美国半导体产业振兴计划 - 拜登政府推出《芯片与科学法案》旨在通过370亿美元拨款和贷款支持32家公司48个项目以扭转美国先进芯片生产份额从37%降至10%的颓势 [1] - 该法案被定位为国家安全和制造业复兴的关键举措但仅能部分解决半导体供应链挑战 [1] 半导体供应链三大核心要素 - 制造基础设施、支撑技术和高技能劳动力构成完整供应链其中劳动力短缺问题最为突出 [1] - 国会专项拨款数亿美元用于劳动力发展涉及商务部晶圆厂及多个联邦部门的独立计划 [1] 劳动力发展困境 - 电子行业面临人才渠道匮乏问题企业被迫从技能有限群体中招聘并承担培训成本但存在被挖角风险 [2] - 制造业工人时薪中位数24美元显著低于机械师等工种若大幅提薪将削弱全球竞争力或需依赖补贴 [2] 晶圆厂建设与生产延迟案例 - 台积电凤凰城120亿美元晶圆厂因工人培训不足导致量产推迟至2024年底而日本同类项目同期已投产 [3] - 劳动力短缺问题可能持续影响新建半导体工厂的运营效率 [3] 制造业产能重建挑战 - 美国需重建萎缩数十年的制造业产能但产业链重构面临复杂性如汽车关税政策暴露的跨境生产脆弱性 [3] - 半导体需配套印刷电路板等组件若缺乏完整供应链国产芯片可能面临无法应用的困境 [3] 未来发展战略选择 - 美国面临两难选择:投入长期高成本重建本土电子制造能力或采用"友岸外包"模式结合设计优势与海外廉价劳动力 [4] - 端到端生产体系重建需应对国际制造体系颠覆若选择友岸外包则需重新定义全球化合作模式 [4]
英伟达还在开发Blackwell中国版
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
英伟达调整AI芯片设计以应对美国出口限制 - 英伟达正在调整其人工智能芯片设计,以避免与美国出口规则冲突,继续向中国客户销售 [1] - 公司已与中国几乎所有大型云客户进行沟通,新芯片样品最早将于6月上市 [1] - 英伟达CEO黄仁勋4月访问北京,向客户通报新战略,正值美国政府更新AI芯片限制名单之际 [1][2] - 美国限制导致公司可能损失55亿美元在华收入,但仍在开发Blackwell芯片的中国版本 [1] 市场反应与投资者情绪 - 消息最初引发股价压力,但黄仁勋的积极合规态度提振投资者信心 [2] - 公司展现保持中国市场竞争力的决心,通过调整设计和维护客户沟通渠道 [2] - 科技行业对AI基础设施的资本支出增加(如Meta、微软)利好英伟达等芯片制造商 [2] - 尽管短期现金流受中国市场减速影响,公司敏捷应对推高股价 [3] 美国可能松绑对阿联芯片出口限制 - 美国评估放宽英伟达芯片销往阿联的限制,可能随特朗普5月中东访问宣布协议 [4] - 讨论涉及调整AI芯片管制,但具体细节尚未最终确定 [4] - 消息推动英伟达股价单日上涨2.5%,次日早盘再涨近2%至113.84美元 [4] - 阿联计划十年内向美国半导体等领域投资1.4万亿美元,加速管制协商 [5] 地缘政治与行业动态 - 黄仁勋呼吁美国政府调整AI技术出口规定,以支持美国企业海外竞争 [5] - 公司高管与美国国会讨论华为AI能力提升的担忧,及限制措施可能强化华为竞争力 [5] - 中美科技关系紧张背景下,英伟达的前瞻性规划缓解投资者对监管风险的忧虑 [3]
DRAM价格,飙升22%
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
虽然其他 DRAM 制造商仍能提供类似的产品,但长期趋势很明显:行业巨头正在将资源转向 DDR5 和高带宽内存 (HBM),将曾经谨慎的市场转变为日益活跃的市场。 如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦~ 来源:内容来自 Source:编译自businesskorea,谢谢。 由于特朗普政府引发的关税风险,IT设备制造商纷纷采取措施确保芯片库存,导致4月份DRAM和NAND的固定交易价 格飙升。不仅高带宽存储器(HBM)等超高价位存储器的价格上涨,通用DRAM的价格也随之上涨,预计这将对三星 电子和SK海力士第二季度的业绩产生积极影响。 据市场调查公司DRAMeXchange 4月30日的数据显示,用于个人电脑的通用DRAM DDR4 8Gb(千兆字节)产品的固 定交易价格为1.65美元,较3月份上涨22.22%。用于存储卡和USB的128Gb MLC NAND闪存的固定交易价格也较3月份 上涨11.06%,达到2.79美元。 固定交易价格是指三星电子和SK海力士等半导体公司向大客户供货的价格。此次价格上涨的原因是IT设备制造商已经 耗尽了内存库存,并大规模采购半导体。业内专家认为,由于美国政府宣布了互惠关税 ...
人工智能,如何影响芯片
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
半导体行业经济利润增长 - 半导体行业经济利润从2000-2009年的380亿美元增长到2010-2019年的4500亿美元 [1] - 2020-2024年行业创造的经济利润达4730亿美元,超过前十年总和 [3][6] - 行业经济利润率排名从2000-2004年的第15位跃升至2020-2024年的第3位 [3] 行业价值创造集中化 - 2024年前5%的公司创造了1470亿美元经济利润,中间90%仅50亿美元,后5%亏损370亿美元 [6] - 2023-2024年行业前5%企业(英伟达、台积电等)分别创造1210亿和1590亿美元经济价值 [6] - 疫情后90%企业的平均经济价值从2021年1.3亿美元降至2024年1700万美元以下 [9] 行业复苏分化现象 - 剔除英伟达后行业复苏轨迹与2000年低迷后的漫长复苏相似 [12] - 供应商库存水平(不含英伟达)达69%,比包含英伟达的58%高出11个百分点 [15] - OEM/ODM/EMS库存占比从2022Q1的40%升至49%,供应商从55%升至75% [15] 中国市场扩张影响 - 中国大陆在半导体设备销售额份额从2010年6%增至2024年38% [18][22] - 中国本土半导体企业2010-2019年增长率达21%,2019-2023年(除海思)保持9-10% [22] - 2023年全球60%新注册电动汽车来自中国 [23] 人工智能驱动增长 - 2019-2023年AI相关半导体板块CAGR达21%,非AI领域仅6-9% [24] - 预计到2030年Gen AI将为半导体行业额外贡献3000亿美元营收 [24] - AI相关公司未来增长率可能达18-29%,内存领域达17-23% [24][27] 行业转型方向 - 需通过垂直扩张、业务重组和产品组合优化寻找新增长点 [27] - 部署AI可提升产品开发、制造等环节生产力并缩短上市时间 [28] - 需解决人才短缺问题,应对地缘政治和供应链挑战 [27][28]
日本最强2nm芯片,深度拆解
半导体行业观察· 2025-05-03 10:05
富士通Monaka处理器战略转型 - 公司从超级计算机专用处理器转向可扩展数据中心基础设施部署 标志着重大战略转变 [1] - 目标市场为超大规模计算、能源限制及Arm架构主导的云基础设施领域 [1] - 采用2纳米核心芯片与3D多核布局 专为风冷服务器设计 优化机密计算与超低电压运行 [1] 技术架构与设计 - 核心采用2nm工艺 SRAM/IO采用5nm工艺 通过硅通孔垂直集成 双插槽配置提供288个Armv9-A核心 [3] - 设计强调实用性 使用DDR5(12通道/插槽)和PCIe Gen6 平衡性能与成本 功耗低于500W [6] - 3D芯片组集成逻辑/内存/IO 采用硅中介层 类似AMD 3D V-Cache和Intel Foveros技术 [9] 性能与效率目标 - 预计2027年上市 承诺应用性能和每瓦性能逐代提升 目标两倍于未透露的竞争对手 [10][38] - 超低电压运行策略通过内部EDA工具实现 效率提升相当于全工艺节点推进 [15] - 专注可预测功耗与工作负载隔离 而非峰值浮点性能 差异化定位为通用服务器级Arm芯片 [6][18] 安全与可靠性特性 - 硬件级全内存加密 唯一密钥保护虚拟机 集成硬件信任根与可信启动机制 [19][22] - 继承大型机经验 融入错误检测/热控制/故障恢复机制 满足政府/金融等高可信需求 [22] - 支持CXL 3.0可组合基础设施与PCIe Gen6 兼容下一代存储和网络设备 [30] 软件生态与行业定位 - 支持标准Linux堆栈与Arm SystemReady SR认证 无需定制工具链 兼容上游发行版 [24][27] - 开发工具链涵盖LLVM/GCC/Python 延续A64FX生态 支持AMD ROCm GPU异构计算 [27] - 定位"大型机级"处理器 瞄准主权云/电信/国防市场 强调可靠性而非绝对性能 [31][34] 公司技术传承与市场策略 - 延续SPARC64到A64FX的技术路线 30年处理器设计经验支撑Monaka开发 [35][37] - 获日本绿色创新基金支持 符合国家节能政策 参与全球自主计算基础设施竞争 [2] - 采用低调推广策略 2023年超级计算大会首次公开展示硅片模型 [2][38]
全国集成电路标准化进程加速,摩尔精英发布“集成电路全流程设计加速器”,助力标准化时代新发展
半导体行业观察· 2025-05-02 11:58
近日,全国集成电路标准化技术委员会(SAC/TC599)全体委员会议暨标准周在上海东郊宾馆隆重召开。本次大会由全国集成电路 标准化技术委员会主办,中国电子技术标准化研究院、电子信息产品标准化国家工程研究中心、集成电路测试与评价工业和信息化 部重点实验室、上海赛西科技发展有限责任公司等单位承办,会议规格高、参与单位广、议题深、影响力强,成为集成电路产业标 准制定与技术交流的重要平台。 国家市场监督管理总局标准技术管理司副司长王玉环,上海市浦东新区科技和经济委员会电子信息产业处处长熊宽等政府相关领导 出席会议,全国集成电路标准化技术委员会秘书长张玉芹主持会议,来自政、产、学、研、用多方代表围绕集成电路标准体系建 设、技术发展趋势、行业协同路径等展开深入研讨。 本次标准周活动涵盖了全体委员会议、工作组会议、标准与产业技术研讨会等多个议程,旨在回顾总结2024年度标准化工作成果, 规划2025年发展战略,部署下一阶段重点任务。会议强调要进一步推动以技术创新引领标准建设,以标准牵引产业升级,打造符合 国家战略导向、产业发展需求、国际兼容水平的集成电路标准体系,助力我国从芯片大国迈向芯片强国。 该加速器具备以下核心优势: ...
用龙虾走私芯片?英伟达怒批:无稽之谈
半导体行业观察· 2025-05-02 11:58
英伟达与Anthropic关于AI芯片出口限制的公开冲突 - 英伟达罕见公开抨击Anthropic关于AI芯片出口限制的立场 称其编造离奇走私故事如"孕妇假肚子"和"活龙虾旁边"等案例 [1] - Anthropic主张加强监管和执法 建议降低对"第二类国家"的出口门槛 收紧规定以减少走私风险 并增加执法资金支持 [2] - 被称为"AI扩散规则"的芯片限制政策将于5月15日生效 对先进AI芯片和模型权重实施全球出口管控 [1] 双方立场与观点 - Anthropic认为算力获取是构建前沿AI的关键战略瓶颈 主张通过出口管制保持美国在算力方面的优势 [2] - 英伟达反驳称中国拥有全球一半的AI研究人员 在各个层面都具备高度能力的专家 美国不能靠操控监管机构来赢得AI竞赛 [2] - 英伟达CEO黄仁勋表示中国在AI领域"并不落后"美国 并称赞华为是全球顶尖的科技公司 [2] 相关背景与案例 - Anthropic引用2022年一名女性携带芯片入境中国被捕 以及2023年在香港从一批龙虾货物中查获"计算机显卡"的案例 [2] - 前总统特朗普正在着手更新这些限制 为本已存在争议的政策再添一层不确定性 [1] - 该政策源自前总统乔·拜登任期内 旨在防止中国等对手国家在AI军备竞赛中取得优势 [1]