市场行情与板块表现 - 12月10日上午A股三大指数集体下跌，上证指数盘中下跌0.60% [1] - 林木、零售、工程机械等板块涨幅靠前，电脑硬件、电工电网板块跌幅居前 [1] - 芯片板块表现低迷，截至10:31，芯片ETF（159995）下跌1.10% [1] 芯片板块个股表现 - 芯片ETF成分股澜起科技下跌3.27%，海光信息下跌2.69%，中微公司下跌2.23% [1] - 部分芯片个股表现活跃，华润微上涨10.61%，豪威集团上涨2.97% [1] 美国对华芯片出口政策动态 - 美国总统特朗普表示，在确保美国国家安全的前提下，将允许英伟达向中国及其他国家的合格客户交付其H200芯片产品 [3] - Blackwell芯片以及即将发布的Rubin芯片不在获批名单中 [3] - 获准销售的芯片销售收入的25%将上缴美国政府 [3] 政策影响与行业分析 - 开源证券分析认为，H200等芯片供给恢复或推动国产大模型全面升级，加速国内AI生态繁荣发展 [3] - 该供给恢复或进一步全面扩大对国产算力芯片的需求，长期利好国产芯片板块 [3] 芯片ETF产品信息 - 芯片ETF（159995）跟踪国证芯片指数 [3] - 该指数包含30只成分股，集合了A股芯片产业中材料、设备、设计、制造、封装和测试等环节的龙头企业 [3] - 成分股包括中芯国际、寒武纪、长电科技、北方华创等 [3]

文章核心观点 - AI算力需求爆炸式增长，传统硅基芯片在性能与功耗上逼近物理极限，材料科学成为解锁下一代算力的关键钥匙[2] - 材料体系的革新可能重构芯片的性能边界与能效天花板，中国本土的材料创新与产业化进程承载着构建自主可控算力底座、重塑全球AI硬件竞争格局的战略使命[2] - 投资AI新材料的核心机遇在于以材料创新换道超车，投资逻辑不仅在于技术的前瞻性，更在于其承载的“国产替代”与“打破封锁”的产业使命[53] 一、核心计算与逻辑芯片材料 （一）先进沟道材料 - 沟道材料是半导体晶体管中用于形成载流子导通通道的核心功能材料，直接决定了芯片的运算速度、功耗、集成度等核心指标[4] - AI芯片对沟道材料的要求可概括为“三高两低一薄”：高迁移率、高开关比、高稳定性、低功耗、低漏电流、超薄厚度[6] - 二硫化钼(MoS₂)电子迁移率达200cm²/V·s，功耗仅0.4mW，已集成5900个晶体管，适配智能传感器、神经形态芯片及“感存算”一体化设备[7] - 黑磷(BP)光电响应速度0.1ms，功耗<1μW，与SnS₂异质结构建人工突触准确率90%+[10] - 铟砷化镓(InGaAs)电子迁移率达10000cm²/V·s（硅的10倍），用于AI芯片FinFET和GAA结构可提升30%运算速度，降低50%功耗[11] - 碳纳米管电子迁移率达10000cm²/V·s（硅的5倍），电流密度是铜的10倍，适配高性能CPU/GPU沟道[14] - 高迁移率氧化物半导体(IGZO)电子迁移率10-20cm²/V·s，透光率>90%，适配低功耗AI显示驱动芯片[16] - 应变硅通过应力调控使电子迁移率提升30%、空穴迁移率提升60%，与现有硅工艺完全兼容[16] - 随着制程向2nm及以下推进，沟道材料正沿着“硅→硅锗→锗→二维材料/三五族化合物→碳基材料”路径演进[16] （二）栅极与介质材料 - 栅极与介质材料直接决定晶体管的开关速度、功耗和可靠性，对AI芯片的算力与能效比至关重要[17] - 氧化铪(HfO₂)介电常数达20-25（SiO₂的5-10倍），可将栅极漏电流降低1000倍，适配5nm及以下工艺[19] - 掺杂HfO₂铁电材料剩余极化强度>20μC/cm²，可实现10⁶次以上读写，能耗降低90%，用于存算一体芯片与神经形态计算[20] - HiOₓ高k材料介电常数30-35（HfO₂的1.2倍），漏电流比HfO₂降低50%，适配3nm以下先进工艺栅极[21] （三）衬底材料 - 衬底材料是半导体芯片的基础支撑材料，直接决定AI芯片的算力上限、功耗水平和可靠性[23] - 碳化硅(SiC)禁带宽度3.26eV，热导率3.7W/cm·K（硅的2.5倍），击穿电场3-4MV/cm（硅的10倍），适配AI电源模块效率达99%[24] - 氧化镓(β-Ga₂O₃)击穿电场达8MV/cm（SiC的2倍），器件厚度可减少70%，用于高压AI电源管理[24] - 金刚石衬底热导率2000-2400W/m·K，与GaN/SiC直接键合后散热效率提升5倍，解决高功率AI射频芯片散热问题[25] - 绝缘体上硅(SOI)隔离电阻>10¹²Ω·cm，寄生电容降低30%，适配AI射频芯片及低功耗边缘计算芯片[25] - 蓝宝石/硅上氮化镓(GaN-on-X)中，硅衬底GaN成本降低60%，适配AI服务器射频前端与快充电源[25] 二、存储与神经形态计算材料 （一）非易失存储材料 - 相变材料(GeSbTe)相变速度<10ns，功耗<100fJ/bit，存储密度是DRAM的10倍，适配MRAM与存算一体芯片[26] - 阻变材料(TaOₓ/SiOₓ)开关速度达亚纳秒级，与CMOS工艺兼容，用于神经网络权重存储可降低推理能耗80%[26] - 磁随机存储材料(CoFeB/MgO)读写速度10ns，功耗100fJ/bit，保留时间10年，存储密度是SRAM的4倍，适配AI芯片片上缓存[26] - 铁电材料(PZT)压电系数达1000pC/N（AlN的10倍），剩余极化强度>30μC/cm²，用于AI传感器与铁电存储器[26] （二）神经形态计算材料 - 忆阻器材料(氧化物/硫系化合物)如Cu/ZnO/Pt结构可实现渐变易失性，构建8×8交叉阵列模拟LIF神经元，无需外部电容，可降低推理能耗90%[26] - 铁电忆阻器利用铁电畴形态变化模拟突触可塑性，图像识别准确率达95%，功耗<10pJ/突触[27] - 离子晶体管电解质离子电导率达10⁻³ S/cm，响应时间<1ms，适配柔性神经形态器件[27] - 有机电化学晶体管材料导电聚合物电导率达100S/cm，拉伸率>100%，用于可穿戴AI神经接口[27] - 自旋电子振荡器材料振荡频率1-40GHz可调，功耗<1mW，用于微波AI信号处理[28] - 液态金属通道材料电导率达3.5×10⁶ S/m，拉伸率>300%，用于柔性AI计算节点互连[28] 三、先进封装与集成材料 （一）基板与互连材料 - 硅光中介层集成光学与电子互连，信号传输速度提升100倍，功耗降低90%，适配AI芯片2.5D/3D封装[29] - 玻璃基板介电常数仅4.0（硅为11.7），信号延迟减少30%，适配HBM与AI芯片间高速互连[29] - 铜-铜混合键合材料接触电阻<10⁻⁹ Ω·cm²，互连长度缩短至微米级，带宽提升10倍，用于3D堆叠封装[30] - 钌/钼/钴互连材料电阻率比铜低30%，电流密度提升50%，解决3D封装RC延迟问题[30] - 嵌入式trace基板线宽/线距达10/10μm，布线密度提升40%，适配Chiplet高密度集成[30] - 空气隙绝缘介质介电常数低至1.05，信号衰减降低25%，适配高频封装互连[31] （二）热管理材料 - 金刚石热沉/复合材料中，金刚石薄膜热阻降低70%，芯片温度下降20-30℃；金刚石/铝或铜复合材料热导率600-800W/m·K，适配GPU/TPU封装[31] - 高纯度氧化铝(HPA)α粒子发射<1ppb，热导率提升2-3倍，可消除内存软错误，市场规模预计2030年达6亿美元[32] - 石墨烯导热膜面内热导率达1500-2000W/m·K，用于芯片与散热器界面散热[32] - 金属钎料锡银铜钎料导热率达50W/m·K，焊接强度>20MPa，用于芯片与热沉焊接[32] - 均热板毛细芯材料多孔铜芯孔隙率40%-60%，毛细力>10kPa，适配AI服务器均热散热[32] - 各向异性导热垫片垂直导热率>100W/m·K，水平导热率<5W/m·K，用于芯片局部散热[34] （三）电磁屏蔽材料 - 磁性复合材料铁硅铝磁粉芯磁导率50-200，屏蔽效能>60dB，适配AI服务器机箱屏蔽[34] - 金属化纤维织物银镀层电阻率<1×10⁻⁴ Ω·cm，屏蔽效能>50dB，用于柔性AI设备电磁屏蔽[34] 四、新型计算范式硬件材料 （一）光子计算材料 - 光子计算利用光替代电子作为信息载体，具有1000倍运算速度和1/100能耗优势[35] - 薄膜铌酸锂(LiNbO₃)调制带宽达110GHz，单光纤可并行传输数十路信号，等效“千核并行”，能耗仅为电子芯片1/3[36] - 硅基光电子材料硅/氮化硅波导串扰<35dB，与CMOS工艺兼容，用于片上光神经网络[36] - 三五族化合物(InP)光发射效率>50%，调制带宽达50GHz，用于AI数据中心光通信激光器[36] - 硫系玻璃光折射率1.7-2.5可调，透过率>80%（中红外波段），用于光子存储与光开关[37] - 有机电光聚合物电光系数>100pm/V，调制带宽达100GHz，能耗比铌酸锂低30%[37] - 石墨烯光调制器材料调制速度达100GHz，插入损耗<5dB，适配高速光互连[37] （二）量子计算材料 - 量子计算材料是构建量子计算机硬件基础的核心物质载体，直接决定量子比特的质量与系统可扩展性[37] - 超导材料(铝、钯)中，铝超导临界温度1.2K，钯相干时间>100μs，用于量子比特制备[38] - 金刚石氮-空位色心量子相干时间>1ms（室温），自旋操控保真度>99.9%，用于量子传感与计算[39] - 硅锗异质结构量子点电子数调控精度1个，相干时间>50μs，适配硅基量子计算[39] - 非线性光学晶体(BBO、PPKTP)中，BBO倍频效率>80%，PPKTP光损伤阈值>10GW/cm²，用于量子光源制备[39] 五、感知、传感与互联材料 （一）智能传感材料 - 压电材料(AlN/ScAlN)中，ScAlN压电系数是AlN的3倍，用于MEMS超声传感器和AI麦克风阵列可提升信噪比20dB[41] - 柔性应变材料(碳纳米管/PDMS)拉伸率>50%，检测精度达0.01%应变，用于可穿戴AI设备与电子皮肤[41] - 量子点成像材料量子效率>90%，光谱响应范围拓展至近红外，提升AI视觉探测精度[41] - 微机电系统材料单晶硅MEMS结构精度±0.1μm，耐疲劳次数>10⁹次，用于AI惯性传感器[42] - 有机光电二极管量子效率>85%，响应速度<10ns，用于柔性AI图像传感器[42] - 金属有机框架传感材料(MOF)比表面积>2000m²/g，气体吸附选择性>100，用于AI气体检测[42] （二）无线通信材料 - 高频低损PCB材料(PTFE)介电常数2.0-2.2，介电损耗<0.002（10GHz），适配5G/6G AI基站[42] - 射频MEMS材料氮化铝MEMS开关隔离度>40dB，寿命>10¹⁰次，用于AI射频前端[42] - 可重构智能表面材料(液晶、氧化钒)中，液晶介电常数可调范围2.5-5.0，氧化钒相变温度68℃，用于AI通信信号调控[43] 六、能源与热管理材料 （一）主动热管理材料 - 电卡效应材料在电场作用下温度变化5-10℃，制冷系数达3.5，用于AI芯片微型冷却系统可降低能耗50%[45] - 柔性相变储热材料相变潜热>150J/g，工作温度范围-20~80℃，用于可穿戴AI设备温度调控[46] - 磁卡效应材料在磁场作用下温度变化3-8℃，响应时间<100ms，用于小型AI设备散热[46] （二）能源材料 - GaN/SiC功率器件材料中，GaN开关频率>100kHz（IGBT的5倍）；SiC MOSFET开关损耗比IGBT降低70%，系统效率提升3%-10%，适配AI服务器电源[46] - 固态电池电解质材料中，硫化物电解质离子电导率达10⁻² S/cm，陶瓷电解质耐压>5V，保障AI设备长续航供能[46] - 微型超级电容器电极材料石墨烯基电极比电容>200F/g，充放电次数>10⁵次，用于AI微型设备储能[46] - 环境能量收集材料(摩擦电、热电)中，摩擦电材料功率密度>10μW/cm²，热电材料ZT值>1.2，用于AI无源传感设备[47] - 微型燃料电池材料质子交换膜导率>0.1S/cm，铂催化剂活性>0.5A/mg，用于AI长续航设备[47] 七、前瞻性与特定环境材料 （一）前沿探索材料 - 外尔半金属(Cr,Bi)₂Te₃实现单一外尔费米子对，电子迁移率>10⁴ cm²/V·s，功耗降低90%，适配量子输运器件[49] - 拓扑绝缘体Bi₂Se₃表面态电子迁移率>10⁴ cm²/V·s，用于高速低功耗逻辑门，延迟<10ps[49] - 强关联电子材料(氧化钒、镍酸盐)中，氧化钒相变温度68℃，电阻变化10⁴倍；镍酸盐磁电阻效应>50%，用于AI智能调控器件[49] （二）生物集成/柔性材料 - 导电水凝胶电阻率<100Ω·cm，与神经组织阻抗匹配，实现0.1V低电压神经刺激，适配脑机接口[49] - PEDOT:PSS材料电导率达1000S/cm，透光率>90%，用于神经界面器件与柔性电子贴片[50] - 液态金属镓铟合金熔点15.5℃，电导率3.4×10⁶ S/m，用于柔性AI互连与散热[50] - 类组织弹性导体拉伸率>300%，弹性模量<1MPa（接近人体组织），用于植入式AI器件[50] （三）可重构与自适应材料 - 形状记忆合金/聚合物中，镍钛合金回复率>98%，形状记忆聚合物形变率>200%，用于AI执行器[51] - 电致变色材料WO₃基材料透过率变化>70%，响应时间<1s，用于AI智能窗与显示[51] （四）极端环境材料 - 耐辐射材料(SiC、金刚石)中，SiC抗中子辐照剂量>10¹⁵ n/cm²，金刚石抗γ射线剂量>10⁶ Gy，用于太空AI设备[51] （五）可持续材料 - 生物可降解电子材料聚乳酸基材料降解周期6-12个月，电导率>10S/cm，用于一次性AI传感贴片[51] - 无铅压电材料铌酸钾钠(KNN)压电系数>300pC/N，环保无铅，用于AI麦克风与传感器[52] 八、投资逻辑分析 - 投资应聚焦三大核心方向：一是支撑更高算力的先进逻辑与存储材料；二是决定系统效能的封装与热管理材料；三是赋能新兴范式的前沿材料[54] - 投资策略上应重产业化进程而非单纯的技术指标，优先选择已与头部制造/封测厂建立合作并进入产品验证阶段的企业[54] - 这是一条长周期、高壁垒的赛道，技术路线存在不确定性，量产成本与良率挑战巨大，但一旦突破护城河极深[54]

来源：新浪基金∞工作室 12月9日，芯片龙头ETF（516640）开盘跌0.38%，报1.046元。芯片龙头ETF（516640）重仓股方面，中 芯国际开盘跌1.38%，寒武纪跌3.02%，海光信息跌1.33%，北方华创跌0.43%，澜起科技涨0.02%，兆易 创新跌0.88%，中微公司跌1.47%，豪威集团涨0.02%，芯原股份跌2.06%，长电科技跌0.43%。 芯片龙头ETF（516640）业绩比较基准为中证芯片产业指数收益率，管理人为富国基金管理有限公司， 基金经理为张圣贤，成立（2021-08-19）以来回报为5.16%，近一个月回报为-2.03%。 风险提示：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI大模型自动发布，任何在本文出现的信息（包括但不 限于个股、评论、预测、图表、指标、理论、任何形式的表述等）均只作为参考，不构成个人投资建 议。 ...

市场整体表现 - 截至统计时点，上证综指报3928.73点，收于年线之上，当日涨幅为0.66% [1] - A股市场总成交额达到16683.26亿元 [1] - 当日共有81只A股价格突破了年线 [1] 突破年线个股表现 - 突破年线的个股中，乖离率最大的三只个股为天力复合、万事利、三人行，乖离率分别为11.85%、9.63%、9.17% [1] - 乖离率较小的个股包括明阳电气、美信科技、银之杰等，它们刚刚站上年线 [1] 高乖离率个股详情 - 天力复合（代码920576）今日涨幅20.67%，换手率8.13%，年线30.22元，最新价33.80元，乖离率11.85% [1] - 万事利（代码301066）今日涨幅10.08%，换手率8.07%，年线15.34元，最新价16.82元，乖离率9.63% [1] - 三人行（代码605168）今日涨幅10.00%，换手率6.52%，年线30.63元，最新价33.44元，乖离率9.17% [1] - 南京商旅（代码600250）今日涨幅9.98%，换手率8.34%，年线10.39元，最新价11.24元，乖离率8.18% [1] - 协鑫集成（代码002506）今日涨幅9.96%，换手率4.66%，年线2.56元，最新价2.76元，乖离率7.86% [1] 中等乖离率个股详情 - 大业股份（代码603278）今日涨幅9.98%，换手率5.26%，年线9.92元，最新价10.69元，乖离率7.79% [1] - 吉大正元（代码003029）今日涨幅10.01%，换手率4.32%，年线24.75元，最新价26.60元，乖离率7.45% [1] - 中信证券（代码600030）今日涨幅3.73%，换手率2.23%，年线27.95元，最新价28.90元，乖离率3.40% [1] - 新炬网络（代码605398）今日涨幅3.59%，换手率2.94%，年线30.11元，最新价31.13元，乖离率3.39% [1] - 琏升科技（代码300051）今日涨幅7.41%，换手率11.00%，年线7.16元，最新价7.39元，乖离率3.17% [1] 低乖离率个股详情 - 泰尔股份（代码002347）今日涨幅3.74%，换手率14.03%，年线7.53元，最新价7.76元，乖离率3.12% [1] - 强达电路（代码301628）今日涨幅5.19%，换手率8.51%，年线87.10元，最新价89.80元，乖离率3.10% [1] - 川环科技（代码300547）今日涨幅3.77%，换手率4.37%，年线33.14元，最新价34.16元，乖离率3.06% [1] - 奥飞娱乐（代码002292）今日涨幅4.52%，换手率10.40%，年线9.43元，最新价9.71元，乖离率3.01% [1] - 甬矽电子（代码688362）今日涨幅3.40%，换手率1.80%，年线31.09元，最新价31.93元，乖离率2.72% [1] 其他突破年线个股 - 永吉股份（代码603058）今日涨幅2.45%，换手率1.77%，年线8.97元，最新价9.19元，乖离率2.47% [1] - 弘业期货（代码001236）今日涨幅4.99%，换手率4.20%，年线10.70元，最新价10.95元，乖离率2.33% [1] - 光韵达（代码300227）今日涨幅2.59%，换手率2.59%，年线8.91元，最新价9.10元，乖离率2.10% [2] - 麦克奥迪（代码300341）今日涨幅2.31%，换手率1.32%，年线17.32元，最新价17.68元，乖离率2.05% [2] - 威腾电气（代码688226）今日涨幅7.68%，换手率4.79%，年线34.25元，最新价34.91元，乖离率1.93% [2] 小幅突破年线个股 - 气派科技（代码688216）今日涨幅1.93%，换手率1.23%，年线22.33元，最新价22.75元，乖离率1.88% [2] - 弘讯科技（代码603015）今日涨幅3.12%，换手率5.22%，年线12.36元，最新价12.56元，乖离率1.60% [2] - 华培动力（代码603121）今日涨幅1.83%，换手率3.22%，年线18.04元，最新价18.33元，乖离率1.59% [2] - 海天瑞声（代码688787）今日涨幅2.83%，换手率2.44%，年线109.93元，最新价111.61元，乖离率1.53% [2] - 长电科技（代码600584）今日涨幅1.36%，换手率1.76%，年线36.74元，最新价37.24元，乖离率1.36% [2] 刚站上年线个股 - 华菱精工（代码603356）今日涨幅1.30%，换手率2.10%，年线13.81元，最新价13.99元，乖离率1.28% [2] - 大叶股份（代码300879）今日涨幅1.69%，换手率1.28%，年线28.54元，最新价28.90元，乖离率1.25% [2] - *ST声迅（代码003004）今日涨幅3.19%，换手率1.73%，年线21.71元，最新价21.97元，乖离率1.19% [2] - 盈方微（代码000670）今日涨幅1.32%，换手率1.51%，年线7.61元，最新价7.70元，乖离率1.14% [2] - 山西证券（代码002500）今日涨幅1.32%，换手率1.04%，年线6.08元，最新价6.14元，乖离率1.05% [2]

文章核心观点 - 2025深圳全球招商大会成功举办，南山区通过举办主题招商活动和重大项目签约，展示了其雄厚的产业基础、完整的创新生态和强大的投资吸引力，旨在吸引全球资本和创新力量，共同开拓人工智能、量子计算等前沿产业的未来 [1][2][4][6][8][9][10] 招商活动与产业推介 - 南山区举办了人工智能与机器人、AI终端及软信业两场主题招商活动，系统展示其产业引领实力与完整生态 [2] - 南山区已集聚人工智能规上企业1351家，其中56家入选全市AI百强，以西丽湖国际科教城为源头创新策源地，打造“研发－转化－应用”全链条创新体系 [2] - 南山区在鸿蒙生态建设中具有显著先发优势，建成全国首个鸿蒙生态创新中心，正着力构建“RISC-V芯片、鸿蒙系统、AI终端”协同创新体系，并配套推出“鸿蒙8条”专项政策 [4] 重大项目签约 - 南山区在大会主会场与中国电子、希尔顿、玻色量子、亚华电子四家重点企业完成签约，项目聚焦核心科技、高端服务、量子前沿与高端电子领域 [6] - 中国电子布局春天研究院项目，围绕集成电路、先进计算等领域打造新型研发机构 [6] - 美国希尔顿集团在深圳湾超级总部基地运营旗下奢华品牌华尔道夫酒店，这是该品牌在广东省的第一家 [6] - 玻色量子将在南山建设相干光量子计算设备制造中心，中国首个规模化专用光量子计算机制造工厂已于11月24日在南山智城启用 [6] - 亚华电子将在南山建设华南医养科技融合创新示范基地，其产品已深度接入华为鸿蒙开源系统，项目将重点拓展华南市场及海外业务 [8] 产业基础与招商成果 - 南山区2024年GDP总量为9500.97亿元，连续12年领跑广东省区县 [9] - 2025年构建了“基础政策+专项行动+要素保障”的精准产业政策矩阵，推行“六个一”与“六个券”扶持政策，并通过“AI南山”智慧服务平台实现政策与服务的系统化、智能化落地 [9][10] - 今年以来，全区新引进重点项目378个，意向总投资超1500亿元 [10] - 南山区有34个优质项目纳入本次全球招商大会，意向投资总额超千亿元，储备项目数量与质量均位居全市前列 [10] - 全区集聚外资企业2.67万家，全市近四成世界500强外商投资企业在此落户，并打造了全球服务中心Go Global以强化“引进来”与“走出去”双向赋能能力 [10] 后续活动安排 - 南山区将于12月6日举办专场投资考察活动，组织各类企业代表走进南山智城、红花岭基地等标志性空间，直观感受全链条产业支撑体系 [11]

行业市场概况 - 封测行业是半导体产业链中游关键环节，保障芯片性能落地与终端应用实现 [1] - 受益于5G、人工智能、物联网、汽车电子等新兴领域，全球及国内封测市场持续扩容 [1] - 2024年全球集成电路封测市场规模达821亿美元，同比增长5%，预计2025年将达862亿美元 [1] - 2024年中国大陆封测产业销售收入达3146亿元，同比增长7.14%，预计2025年将突破3303.3亿元 [1] 头部企业财务表现 - **华天科技**：前三季度营收123.8亿元，同比增长17.55%；归母净利润5.43亿元，同比大幅增长51.98%；扣非净利润1.11亿元，同比激增131.47% [2] - **长电科技**：前三季度营收286.7亿元，同比增长14.78%；归母净利润9.5亿元，同比减少11.39%；第三季度单季营收100.64亿元，同比增长6.03% [2][3] - **通富微电**：前三季度营收201.16亿元，同比增长17.77%；归母净利润8.6亿元，同比增长55.74%；第三季度单季营收70.78亿元，同比增长17.94% [2][3] 业绩增长驱动因素 - **华天科技**：得益于技术突破与战略并购，已掌握DDR5 DRAM封装技术并实现量产；收购华羿微电后实现“设计+封测”产业链整合，加速车规级功率模块研发；与摩尔线程、智元等AI企业开展合作 [4] - **长电科技**：运算电子、工业及医疗电子、汽车电子业务收入同比分别增长69.5%、40.7%和31.3%；但受原材料成本压力、新厂产能爬坡及财务费用上升影响短期利润 [5] - **通富微电**：中高端产品收入明显增加，大客户AMD的数据中心和游戏业务显著增长；加强管理及成本费用管控；存储器产线已稳步进入量产阶段 [6] 高端市场竞争与技术布局 - 全球高端封测市场竞争加剧，AI芯片与汽车电子成为核心焦点 [7] - **长电科技**：构建覆盖全场景的先进封装技术矩阵；CPO解决方案通过先进封装实现光引擎与芯片的异构集成；晶圆级微系统集成高端制造项目已于2024年9月通线，汽车芯片封测项目预计2024年底前通线 [7][8][9] - **华天科技**：斥资20亿元设立南京华天先进封装有限公司，聚焦2.5D/3D等先进封装技术；已启动CPO封装技术研发 [9] - **通富微电**：在倒装封装技术上实现规模化生产与高良率；南通AI封装项目已备案；2025年上半年在CPO领域技术研发取得突破性进展 [10] 行业发展趋势 - AI大模型迭代与智能汽车普及对芯片性能、功耗、集成度提出更高要求，2.5D/3D封装、扇出型封装、CPO等先进封装技术成为解决性能瓶颈的关键 [10] - 国产先进封装行业进入“技术驱动、结构升级、高端突围”的高质量发展阶段 [11] - 国内封测企业有望进一步缩小与国际巨头差距，在全球高端市场占据更大份额 [11]

公司创始背景与精神内核 - 公司前身江阴晶体管厂由田秀清同志跨界创办，其精神内核“精益求精、勇攀高峰”源自这位女性奠基者[2] - 创业起点为江阴长江内衣厂，田秀清时任该厂党支部书记，拥有五百余名职工和两条服装流水线[5] - 田秀清以39岁短暂生命为企业刻下最初精神烙印，其信念是填补国家半导体空白，改变收音机半导体依赖进口的局面[2][6] 跨界转型的战略决策 - 转型契机为国家发出“大办电子工业”号召，田秀清敏锐捕捉机遇，决心从服装领域跨界至高精尖晶体管赛道[5] - 面对内部质疑，田秀清在党支部内部统一思想，坚定开创半导体工业新道路的信心[6] - 确立“内部培育+外部引进”双轨人才策略，跳出“先建厂房、再找技术”的常规思路[7] 技术攻坚与资源整合 - 采取“土法上马”策略自主研制关键设备，例如仅花费1000多元便造出划片机，而外购需7000余元[13] - 成功从中国人民银行获批1公斤黄金、2公斤白银作为国控生产物资[13] - 通过借调、学习等方式引进关键技术人才，例如作者本人（陆庆丰）从南菁中学借调入厂，成为首位技术骨干[11] - 委派团队赴成都四机部九七〇厂进行为期50天的专业学习，并为生产线配套自制测试仪器[12] 关键发展里程碑 - 1971年4月厂名正式定为“江阴晶体管厂”，与“江阴长江内衣厂”实行一套班子两块牌子管理模式[14] - 1971年5月参加广交会，吸引11个国家30名记者关注[14] - 1971年9月周永华正式调入，成为第一位对口专业关键技术人才[15] - 1971年末成功承接无锡电容器厂转让的3DK4晶体管供货合同，掌握全套工艺并为军工航天提供关键部件[16] 创始团队的管理与奉献 - 田秀清全年无休，每天工作超12小时，身兼两个厂主要领导职务，白天完成外贸订单，晚上钻研晶体管技术[16] - 田秀清因病手术时为不影响工作选择不施麻醉，术后未休息即返回生产一线，最终于1972年2月3日病逝，年仅39岁[17] - 作者本人（陆庆丰）在担任厂长十年期间，研发高利润的自动发报机产品，为晶体管业务发展提供资金保障，并在1984年底推动半导体后道塑封技术改造成功[21] 后续发展与历史传承 - 1972年4月江阴晶体管厂宣布独立运行，并先后并入华士晶体管厂12人及澄江综合厂25人，充实各岗位[18] - 公司如今已成为中国大陆半导体封测龙头，其发展深度契合国家战略，创始精神被视作克服困难的支柱[1][18][19]

报告行业投资评级 - 行业投资评级为“领先大市”（维持）[3] 报告核心观点 - AI 带动尖端先进封测需求，存储相关业务环比增长显著，成为行业主要增长引擎 [2][4] - 先进封装为延续摩尔定理提升芯片性能及集成度提供技术支持，随着 Chiplet 封装概念持续推进，先进封测各产业链（封测/设备/材料/IP 等）有望持续受益 [5] - 人工智能相关需求仍为未来增长主要动力，算力有望引领下一场数字革命，xPU 等高端芯片需求持续增长 [5][131] 行业概览 - 2025Q3 集成电路封测板块毛利率为 21.09%，环比下降 0.35 个百分点，但超过 2024 年各季度水平 [11] - 封装板块头部公司平均毛利率为 15.79%，甬矽电子毛利率为 17.82%，通富微电为 16.18%，长电科技毛利率环比下降 0.06 个百分点至 14.25% [4][12] - 测试板块伟测科技毛利率显著高于同业，华岭股份 25Q3 毛利率环比大幅下降 15.08 个百分点 [4][14] OSAT（外包封装测试）企业表现 - 日月光 2025Q3 封测业务营收 226.75 亿元，环比增长 8.34%，同比增长 16.90%，测试业务增速高于封装业务，毛利率 22.63%，环比增长 0.76 个百分点 [4][22] - 安靠科技 2025Q3 营收 140.64 亿元，环比增长 31.50%，同比增长 6.74%，所有终端市场均实现环比增长，通信和计算业务先进封装需求强劲 [4][28] - 力成科技 2025Q3 营收 45.15 亿元，环比增长 10.56%，同比增长 9.10%，DRAM 和 NAND 封测订单受 AI 及新机上市带动增长 [4][41] - 长电科技前三季度累计收入 286.7 亿元，同比增长 14.8%，创历史同期新高，运算电子业务收入同比增长 69.5% [4][49] - 通富微电前三季度营业收入 201.16 亿元，同比增长 17.77%，归母净利润 8.60 亿元，同比增长 55.74% [4][52] - 华天科技前三季度营业收入 123.80 亿元，同比增长 17.55%，归母净利润 5.43 亿元，同比增长 51.98%，先进封装技术适配 DPU 发展需求 [4][58][59] - 甬矽电子前三季度营业收入 31.70 亿元，同比增长 24.23%，归母净利润 0.63 亿元，同比增长 48.87%，AIoT 营收占比接近 70% [4][66] 测试企业表现 - 京元电子 2025Q3 营收 21.01 亿元，环比增长 11.11%，同比增长 31.99%，资料处理业务营收环比增长 24.0%，资本开支 14.33 亿元，同比增长 98.18% [4][72] - 欣铨科技 2025Q3 营收 8.12 亿元，环比增长 4.94%，净利润 1.87 亿元，环比增长 46.89%，AI 周边市场需求强劲，通信领域营收占比达 30.5% [4][85] - 伟测科技前三季度营业收入 10.83 亿元，同比增长 46.22%，归母净利润 2.02 亿元，同比增长 226.41%，算力类业务占比约 13.5%，已超过去年全年的 2 倍 [4][90][93] 设备企业表现 - Besi 2025Q3 新增订单 14.36 亿元，环比增长 36.5%，同比增长 15.1%，主要受益于 2.5D 数据中心应用芯片贴装订单增长 [4][97] - ASMPT 2025Q3 营收 33.13 亿元，环比增长 7.6%，同比增长 9.5%，订单 32.74 亿元，在内存和逻辑领域获得重复性订单 [4][108] - 爱德万 2025Q3 存储测试机营收 19.93 亿元，环比增长 31.04%，SoC 测试机营收 78.86 亿元，环比下降 9.20% [4][118] - 泰瑞达 2025Q3 半导体测试业务营收 42.89 亿元，SoC 测试设备营收 31.14 亿元，环比增长 11%，存储测试设备营收 9.06 亿元，环比增长 110% [4][125][126] 下游市场动态 - 2025Q3 全球智能手机出货量 3.201 亿台，同比增长 3%，新兴市场如非洲出货量同比激增 25%，中国市场持续回调 [139] - PC 市场受 Windows 10 停服与关税变化推动回暖，高端市场集中度进一步提升 [6] - 汽车市场 10 月乘用车稳健增长，新能源汽车较快增长，AI 眼镜同比增长亮眼 [6]

活动概况 - 第二十届中国上市公司董事会“金圆桌奖”颁奖仪式于2025年11月28日在江阴举行，主办方为凤凰出版传媒集团《董事会》杂志[1] - 活动汇聚上市公司高管、专家学者及媒体代表等200余位嘉宾，共同探讨公司治理新路径[1] - 参加颁奖仪式的上市公司超百家，总市值超10万亿元，其中包括16家市值超1000亿元的上市公司（含3家万亿市值公司）[1] 主办方与协办方背景 - 凤凰出版传媒集团总资产超730亿元、净资产超530亿元，连续十七届入选“全国文化企业30强”[2] - 旗下凤凰传媒连续五年入选“全球出版50强”，为国内出版行业龙头[2] - 《董事会》杂志发展历程达21年，“金圆桌奖”历经二十届，累计超过700家上市公司上榜[2] - 活动由江阴上市公司协会、深圳价值在线信息科技股份有限公司协办，江阴雪豹日化公司提供支持[38] 地方政府经济实力 - 江阴市累计拥有66家境内外上市公司，总市值超3000亿元，位居全国县级市首位[5] - 2024年地区生产总值突破5126亿元，连续23年位居全国县域经济竞争力榜首[5][6] - 江阴被誉为“中国制造业第一县”和“华夏A股第一县”[5] 主题演讲核心观点 - 公司治理需从“形式合规”迈向“实质有效”，以解决股权结构差异、治理结构内部失衡等六大问题[12] - 董秘应具备“四懂三会”能力，即懂行业、懂企业、懂法规、懂财务，以及会讲、会写、会沟通，是企业战略落地与风险防控的关键推动者[12][13] - 注册制下A股市场呈现“严监管、强分化、重价值”特征，市值管理是上市公司高质量发展核心课题，应通过价值创造、经营、传播三位一体机制结合AI与ESG工具提升价值[15] 获奖公司与个人 - 个人奖项“最具影响力独立董事”由北新路桥张海霞、海峡股份胡秀群、福田汽车李亚、华西股份周凯获得[18] - “优秀董事会”奖授予佛燃能源、日照港、兴齐眼药、江南水务等能源、医药、交通、公用事业领域公司[20] - “公司治理特别贡献奖”授予南网科技、盐津铺子、恺英网络、平安银行等企业在党建融合、数字化转型方面的探索[20] - “董事会价值创造奖”重点关注战略引领能力，获奖公司包括招商公路、内蒙一机、龙版传媒、三维化学等[20] - “最佳董事会”压轴大奖授予潍柴动力、中国平安、工商银行、中国船舶、兖矿能源、徐工机械、中航沈飞等行业龙头，以及京东方A、南京银行、宁波港、中国核电、中国电建等科技、金融、新能源领域领先企业[33]

半导体ETF南方（159325）市场表现 - 12月2日开盘报1.439元，下跌0.14% [1] - 自2024年10月31日成立以来回报率为44.26% [1] - 近一个月回报率为-4.17% [1] 半导体ETF南方（159325）持仓股表现 - 中芯国际开盘下跌0.26% [1] - 寒武纪开盘上涨0.55% [1] - 海光信息开盘下跌0.48% [1] - 北方华创开盘下跌0.87% [1] - 澜起科技开盘下跌0.32% [1] - 兆易创新开盘下跌0.49% [1] - 中微公司开盘下跌0.01% [1] - 豪威集团开盘上涨0.33% [1] - 长电科技开盘下跌0.27% [1] - 紫光国微开盘上涨0.39% [1] 半导体ETF南方（159325）产品信息 - 业绩比较基准为中证半导体行业精选指数收益率 [1] - 基金管理人为南方基金管理股份有限公司 [1] - 基金经理为赵卓雄、何典鸿 [1]