文章核心观点 - EUV光刻机过去主要由台积电、Intel等先进逻辑晶圆厂商采购，随着DRAM制程不断微缩，存储厂商也开始加入EUV采购大军，EUV设备市场竞争进入新阶段 [2][8] - DRAM制程进入更先进世代后，传统光刻需通过更多次曝光实现精细电路图形，制造复杂度和成本随之增加，EUV能减少多重曝光使用，在先进DRAM制造中的价值越来越突出 [2] - 随着HBM和高性能DRAM需求增长，存储厂商需要通过先进制程提高产品竞争力 [2] - EUV光刻机目前只有ASML一家能够供应，ASML表示2027年至2028年的设备供应量可能无法满足客户需求，围绕EUV光刻机的争夺将继续升温 [2] 南亚科、华邦电子布局EUV - 南亚科和华邦电子虽然在规模上无法与三星、SK海力士和美光相比，但两家公司都已开始为EUV导入做准备，说明EUV正从少数头部存储企业的先进制程工具逐渐成为更多DRAM厂商未来技术路线中的重要组成部分 [3] - 南亚科计划在2026年至2029年期间为新建DRAM工厂Fab 5A投入约3466亿新台币，折合约107亿美元，这是南亚科成立以来规模最大的投资项目之一，也是台湾DRAM产业近年来规模较大的单一投资计划 [3] - Fab 5A主要任务是推动先进DRAM制程发展并逐步导入EUV设备，将围绕1B、1C、1D和1E等制程世代展开建设，目前1C制程已进入试产阶段，1D制程开发也接近最后阶段 [3] - 南亚科Fab 5A预计从2027年下半年开始生产晶圆，2028年月产能达到3万片，2029年进一步提升，最终目标达到每月4.5万片，借助新厂完成制程升级，提升在DDR5等产品市场中的竞争力 [3] - 华邦电子14nm制程将分为两个技术世代，其中一个不使用EUV，另一个则会导入EUV，如果研发进展顺利，预计2030年正式导入 [4] - 华邦电子与ASML围绕EUV的合作已持续约三年半，公司已派员前往ASML接受培训并进行设备试跑和量测，ASML承诺首台EUV设备大约两年后可以交付，后续设备按照目前交期则需要约三年半 [5] - 华邦电子推进高雄厂扩建，此前通过了700多亿元新台币的相关投资，用于Module B厂房土建、机电设施以及部分长交期设备采购，先进制程升级还需要配套厂房、生产设备和工艺开发 [5] 三星、SK海力士加紧采购，EUV设备交期越来越紧张 - 三星电子与SK海力士正在加紧向ASML订购EUV光刻机，两家企业各自涉及的投资规模达到10万亿至20万亿韩元 [6] - SK海力士此前在今年3月已披露将采购价值约11.95万亿韩元的EUV设备，交付期限为2027年12月31日，由于关键设备供应趋紧，部分设备交付周期最长已达到此前的两倍，两家公司也在考虑提前下单并根据实际需求追加采购 [6] - 三星公布了未来五年在韩国投资450万亿韩元的计划，其中包括平泽园区第五生产线（P5），目标是在2028年开始运营，P5单座厂房的投资规模超过60万亿韩元，第一阶段洁净室预计在2027年上半年完成 [6] - SK海力士1c DRAM计划使用5层以上EUV工艺，比上一代增加约2层，随着制程继续微缩，EUV应用层数增加，意味着同样规模的DRAM产能也可能需要配置更多EUV设备 [7] - 光刻机的交付、安装、调试以及工艺验证都需要相当长时间，如果设备无法按计划到位，整个新厂的投产节奏都可能受到影响，设备供应已成为产能规划中必须考虑的因素 [7] - ASML今年预计出货约65台EUV设备，相比去年的44台增长接近50%，公司计划在2027年将产能提高30%，并研究在2028年进一步增加30%的产能，但仍然难以完全覆盖客户需求 [7] 行业竞争格局变化 - EUV设备市场的竞争正在进入新阶段，过去台积电、Intel等先进逻辑晶圆厂商是EUV采购的主要力量，如今DRAM厂商也在加大投入，南亚科、华邦电子等企业甚至已开始为未来数年的EUV导入做准备 [8] - 对于ASML而言，存储市场提供了新的需求来源；对于芯片制造商来说，能否提前获得设备可能直接影响下一代制程的推进速度 [8] - EUV光刻机已经不只是逻辑芯片厂商的必争之地，DRAM厂商也加入了这场争夺 [9]

氮化铝陶瓷基板行业电话会议纪要关键要点总结 一、涉及的行业与公司 行业 - **氮化铝（AlN）陶瓷基板行业**：AI算力高功耗驱动需求上行，稀土供给约束打开替代空间[1] - **光模块行业**：800G/1.6T光模块为AlN基板最成熟应用场景[4] - **AI服务器PCB行业**：陶瓷混压方案正导入[1] - **稀土及氧化钇供应链**：中国出口管制影响全球供给格局[1][12] 公司 - **国瓷材料**：从粉体起家，已打通粉体-基板-金属化全产业链，TEC冷却片用陶瓷基板已通过北美大客户验证[2][13] - **旭光电子**：国内少数实现粉体、基板、金属化一体化布局的企业，攻克热导率约230 W/mK超高导热率陶瓷基板技术[2][13] - **富乐德（富乐华）**：子公司富乐华掌握DPC、AMB、DCB等多种金属化工艺，DPC产品已批量出货给全球领先光模块客户[2][13][14] - **中瓷电子**：光通信陶瓷外壳和基板领域全球头部企业[2][14] - **金博股份**：粉体端新兴参与者，500吨产能高导热氮化铝粉体示范线近期已试产[13] - **科创新源**：布局DPC工艺，产品主要聚焦TC冷却片用陶瓷基板[14] - **科翔股份**：聚焦PCB陶瓷基板内嵌方案推进，配合北美终端大客户进行研发[14] - **日本德山**：全球高端AlN粉体龙头，占全球约70%-75%市场份额，计划2026年扩产30%、2028年4月投产[1][12] - **日本京瓷、丸和、日本精密陶瓷**：三家合计垄断全球高端DPC基板80%以上市场份额[9] - **日本东洋铝、美国Surmet**：海外高端粉体厂商，与德山合计垄断全球约90%高端粉体市场[12] 二、核心观点与论据 观点一：AI算力驱动氮化铝基板从可选材料升级为核心刚需 **论据：** - AI算力正将芯片功耗推向材料性能物理极限，传统FR-4有机基板高温下变形，无法保障高频信号传输[2] - 氮化铝基板热导率通常为150-180 W/m·K，高品质产品可达200 W/m·K以上，至少是普通氧化铝陶瓷的5倍[3] - 氮化铝热膨胀系数与硅、碳化硅等芯片材料相近，有效降低热应力开裂风险[3] - 氮化铝介电常数和介电损耗均较低，适合高频高功率器件[3] - 800G光模块开始导入氮化铝基板，1.6T时代模块功耗达25-30W，氮化铝已替代氧化铝成为标配[4] 观点二：光模块为AlN基板最成熟应用场景，市场空间高速增长 **论据：** - 1.6T EML方案：8颗EML光芯片，每颗配套TEC冷却片（上下两层氮化铝基板，共16片）加每颗光芯片下方载板8片，总用量最多可达24片；成本敏感场景下TEC仅一层用氮化铝，总用量约16片[4] - 1.6T硅光方案：4颗外置激光器，每颗下方需一片氮化铝基板，总用量约4片[5] - 预计2027年800G/1.6T光模块对AlN基板需求量达8.96亿块，同比增长超过50%[5] - 对应市场规模超13亿美元，同比增长约76%[5] - 未来3.2T及更高速率光模块规模化落地，市场空间有望持续扩大[5] 观点三：CPO/NPO及HBM热管理贡献长期增量 **论据：** - CPO/NPO将光引擎与功耗可达700-800W的交换机计算芯片集成封装，热串扰成为规模化落地技术瓶颈，主流解决方案为TEC冷却片对激光器独立精准温控，TEC上下基板主要采用氮化铝陶瓷[6] - NPO预计2027年迎来规模化放量，CPO尚处验证迭代阶段，该领域被视为氮化铝基板未来弹性巨大的赛道[7] - HBM堆叠层数不断增加，多层存储裸片垂直堆叠限制内部散热路径，TEC冷却片成为HBM热管理重要局域性主动散热方案，体积小巧适配2.5D/3D先进封装狭小空间[7] - HBM配套TEC方案尚处较前期阶段，短期贡献有限，长期增量机会值得看好[7] 观点四：AI服务器PCB陶瓷混压方案替代率已近30% **论据：** - 行业开始采用PCB局部嵌入氮化铝陶瓷基板的HDI混压方案，主要应用于GPU底部及正交背板等电流大、热流集中区域[7] - 其他普通布线区域保留原有PCB方案，在散热性能、高频性能与制造成本之间取得平衡[7] - 目前陶瓷基板对PCB局部替代比例已接近30%，主要应用部位为GPU底部和正交背板[8] - 随着芯片功耗持续走高，替代空间将持续扩大[8] 观点五：全球供给格局由日本主导，国内厂商处于追赶突破阶段 **论据：** - 全球高端DPC基板主要由京瓷、丸和、日本精密陶瓷三家垄断，合计占全球80%以上市场份额[9] - 中国厂商已在中低端基板领域实现规模化量产，正致力于突破热导率200 W/mK以上高端基板稳定量产技术[9] - 全球高端AlN粉体由日本德山主导，占约70%-75%份额，产品以氧含量低和批次稳定性好著称[12] - 加上东洋铝和Surmet，海外厂商合计垄断全球约90%高端粉体市场[12] - 国内厂商进展主要集中在中低端粉体领域，高端粉体对进口依赖度仍然较高[12] 观点六：粉体氧含量控制是核心技术壁垒 **论据：** - 粉体决定基板性能上限，若粉体指标不达标，后续烧结或金属化工艺再优化也难以稳定生产高导热率、一致性好且良率可控的高端基板[10] - 氧含量是重中之重，氮化铝粉体表面易吸附空气中氧，烧结过程中扩散到晶格中形成结构缺陷，严重影响导热性能[10] - 实际生产需将氧含量控制在0.5%至1%范围内，构成极高技术壁垒，使粉体成为产业链最关键瓶颈环节[11] 观点七：稀土出口管制打开国产替代窗口期 **论据：** - 氮化铝粉体烧结需在1600摄氏度以上高温进行，最关键烧结助剂为氧化钇，添加比例仅3%至5%但必不可少[12] - 中国控制全球90%以上高纯氧化钇提纯产能，日本企业采购氧化钇基本完全依赖从中国进口[12] - 自2025年4月中国对中重稀土实施出口管制以来，2026年1至9月中国对日本氧化钇出口量同比大幅下降约98%，从2025年同期887吨骤降至仅18吨[12] - 日本基本处于断供状态，京瓷氮化铝产线出现减产、交付周期拉长；德山面临烧结助剂紧缺，2026年收紧对华供货配额[13] - 海外氮化铝粉体供给端出现松动，为国内粉体自研企业打开国产替代窗口期[13] - 多家国内陶瓷基板企业向上游延伸，布局氮化铝粉体自建产能，推进粉体与基板一体化布局[13] 三、其他重要但可能被忽略的内容 国内企业具体进展细节 - 国瓷材料TEC冷却片用陶瓷基板已通过北美大客户验证，当前已有小批量销售，预计2026年第四季度维持小批量销售，2027年实现放量增长；PCB内嵌式陶瓷基板正与下游CCL厂及终端北美大客户同步研发[13] - 旭光电子已在激光热沉及TEC冷却片领域实现批量供货[13] - 金博股份500吨产能高导热氮化铝粉体示范线近期已试产，正在加速向下游客户导入[13] - 富乐华核心优势在于金属化工艺端成熟的陶瓷基板厚道加工能力[13] - 科创新源产品主要聚焦TC冷却片用陶瓷基板[14] - 科翔股份配合北美终端大客户进行PCB陶瓷基板内嵌方案研发[14] 技术方案用量差异 - 1.6T EML方案中，成本敏感场景下TEC冷却片可能仅一层使用氮化铝、另一层使用氧化铝，总用量约16片（相较全氮化铝方案24片减少8片）[4] - 硅光方案无需TEC对激光器控温，仅需4片氮化铝基板用于外置激光器散热承载[4][5] 日本德山扩产计划 - 日本德山计划2026年扩产30%，预计2028年4月投产[12] 行业跟踪方向 - 行业整体发展态势良好，后续将持续跟踪相关个股订单及研发进展[15] - 需求端NPO、CPO技术对TEC冷却片应用拉动及PCB内嵌陶瓷方案推进，为氮化铝基板起量提供可观增长空间[15] - 供给端原料环节稀土管制为国内企业提供难得国产替代窗口期[15]

行业投资评级 - 报告未在正文中明确给出行业投资评级的具体等级，仅在文末附有评级说明（买入/增持/中性/减持的定义），但正文未标注当前评级 [43] 核心观点 - 端侧AI催化密集，关注半导体设备及自主可控机会，苹果研究团队发布人形机器人自主控制系统HALO，在6个未预先扫描的真实环境开展360次单项任务测试，平均成功率91%，组合任务平均成功率70% [1] - 端侧AI产品加速落地，硬件新品27年密集发布，OpenAI布局机器人、Meta/苹果AI眼镜推出在即、字节大会等事件强化端侧AI/物理AI叙事 [1] - 个人Agent由生成走向执行，生态与系统能力驱动消费电子变革，AI商业化由用户扩张转向付费深化 [1] - 关注两存扩产进度，长江存储、长鑫存储等多个存储项目建设持续推进，武汉第三工厂（FAB3）已启动生产设备连接工作，预计2026年底初期投产，完全运转后规划产能约10万片/月（12英寸晶圆） [1] - 先进封装市场规模预计将于2026年首次超越传统封装，相关资本支出预计将逼近280亿美元，台积电CoWoS封装产能吃紧并不断扩产 [1] - 整体建议关注AI端侧、半导体设备/材料及覆铜板/PCB等AI算力受益产业链 [1][3] - 宇树科技董事长王兴兴表示物理AI已出现取得关键突破的苗头，"快的话可能一两年，慢的话两三年"，物理AI端侧平台迎升级窗口 [3] - 台积电Q4指引乐观，展望AI高景气度有望延长至2029/2030年 [3] 细分行业景气指标 - 消费电子景气稳健向上 [3] - PCB景气加速向上 [3] - 半导体芯片景气稳健向上 [3] - 半导体代工/设备/材料/零部件景气稳健向上 [3] - 显示景气底部企稳 [3] - 被动元件景气加速向上 [3] - 封测景气稳健向上 [3] PCB板块 - 整个产业链景气度判断为"保持高景气度"，主要来自AI算力相关产品在7月逐步实现批量交付，有望在Q3实现大批量出货交付、业绩大面积释放 [4] - 投资方面建议优先选择PCB制造商，下半年业绩释放斜率将领先产业链其他环节 [4] 半导体代工、设备、零部件板块 - 半导体产业链逆全球化，美日荷政府相继正式出台半导体制造设备出口管制措施，半导体设备自主可控逻辑持续加强，为国产半导体产业链逻辑主线 [19] - 出口管制情况下国内设备、材料、零部件在下游加快验证导入，产业链国产化加速 [19] - 全球半导体测试设备销售额预计于2026年同比增长31.0%至153亿美元，并于2028年达到208亿美元，2025—2028年复合增速约21% [20] - SoC测试机受益于GPU、ASIC等高端逻辑芯片扩产，存储测试机受益于HBM堆叠层数、接口速度及质量要求提升 [20] - 全球高端ATE市场高度集中，竞争优势已由单机参数延伸至核心平台、客户验证、测试程序生态、量产交付及Test Cell协同能力，国内测试设备行业有望由单品突破逐步迈向平台化扩张 [20] - 本轮测试设备景气主要由AI服务器扩容、HBM及先进封装放量共同推动的结构性增长 [20] - 建议优先关注已建立核心测试平台、具备头部客户验证和规模化交付能力、能向分选机/探针台/SLT及接口件等相邻环节延伸的平台型厂商 [20] - 长川科技具备由数字SoC测试向综合Test Cell平台扩展的基础，华峰测控在模拟及功率测试领域积累较深，联动科技有望依托功率测试优势进一步拓展产品边界 [20] 封测板块 - 算力需求旺盛，地缘政治因素影响下，算力端自主可控成为国产算力核心发展方向，寒武纪、华为昇腾等AI算力芯片需求旺盛，先进封装产能紧缺，持续扩产背景下先进封装产业链有望深度受益 [21] - HBM产能紧缺，国产HBM已取得突破，看好相关产业链标的 [21] - 封测板块景气度稳健向上，随下游需求好转，国内模拟/数字芯片公司库存普遍已筑底回升，开始主动补库 [21] - 封测属半导体产业链中位置相对靠后的环节，在库存水位较低且下游需求好转情况下，IC设计厂商会优先向封测厂商加单，推动整体产业链从底部实现反转 [21] 元件板块 - AI端侧升级有望带来估值弹性，AI手机单机电感用量预计增长、价格提升；MLCC手机用量增加、均价有提升，主要是产品升级（高容高压耐温、低损耗） [22] - 端侧笔电以WoA笔电为例，ARM架构下MLCC容值规格提高，其中1u以上MLCC用量占总用量近八成，每台WoA笔电MLCC总价大幅提高到5.5~6.5美金 [22] - 面板价格报涨，OLED看好上游国产化机会，国内OLED产能释放、高世代线规划带动上游设备材料厂商需求增长+国产替代加速 [23] - 8.6代线单线有机发光材料用量远高于6代线，有机发光材料技术壁垒高、海外专利垄断，设备端蒸镀机、掩膜版美日企业主导，国内供应商正在加速面板厂导入验证 [23] - 8.6代线面板厂规划即三星、LG、京东方、维信诺，大陆话语权增强也在加速上游国产化进程 [23] IC设计板块 - 2026年第三季整体DRAM格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计将季增13-18% [25] - NAND Flash主要需求仍由AI推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户对价格承受力已达极限，预估整体NAND Flash合约价将季增10-15%，幅度较前几季明显缩减 [25] - 看好存储器持续上行的机会：供给端减产效应显现，存储大厂合约开启涨价；需求端云计算大厂capex投入开始启动，企业级存储需求开始增多，消费电子终端为旺季备货补库需求也在加强 [25] - 持续看好企业级存储需求及利基型DRAM国产替代 [25] 消费电子板块 - 随着多模态交互成为标配、Agent应用生态成熟以及模型推理成本进一步优化，大模型调用量有望延续高速增长曲线，AI正从技术探索全面迈向大规模生产力赋能的新阶段 [26] - 原本参数规模庞大的生成式AI模型正在变小，同时端侧处理能力正在持续提升 [26] - AI手机方面重点看好苹果产业链，折叠手机、折叠pad、AI眼镜、智能桌面等产品陆续推进中，算力+运行内存提升是主逻辑，带动PCB板、散热、电池、声学、光学迭代 [26] - 多家厂商发布AI智能眼镜，重点关注海外大厂Meta发布新机的节奏，以及苹果、微软、谷歌、OpenAI、亚马逊等布局情况 [26] - AI端侧应用产品正在加速，各大厂积极尝试不同品类产品，覆盖类AIPin、智能桌面、智能家居等产品，有望给可穿戴等硬件产品带来创新和新的机遇 [26] 重点公司 - 长鑫科技2026年前三季度实现营业收入2690.24亿元，同比激增738.51%；归属于上市公司股东的净利润达1320.40亿元，由去年同期亏损52.80亿元转为巨额盈利，核心驱动力为全球DRAM供不应求推动量价齐升，毛利率提升至89.53% [28] - 英伟达预计FY28收入有望实现70%同比增长，客户需求量大于实际产能可以支持的量，客户需求有望实现翻倍增长，但目前供给能力仅能较有把握支持70% [29] - 单个agent所需的算力有望达到人直接使用AI的15~100倍，且大量AI agent将7*24持续运行 [29] - 英伟达预计前五大大型云厂商26年CAPEX将接近8000亿美元，27年有望达到1.3万亿美元 [29] - 英伟达FY27Q2数据中心收入达到约890亿美元，同比+117%，其中来自大型云厂商的收入为490亿美元，来自ACI&E客户收入约400亿美元 [29] - 英伟达Vera Rubin已于8月实现量产出货，FY27Q3有望贡献数据中心收入的20%；单GW数据中心可获得的收入从Grace Blackwell的250亿美元有望在Vera Rubin平台提升至400亿美元 [29] - 英伟达网络收入FY27Q2环比增长18%，Grace CPU TTM收入已超过50亿美元，Vera CPU已量产，预计FY28 CPU收入有望实现超翻倍增长 [29] - 台积电2026年Q3实现营收467.2亿美元，同比+41%；实现净利润238.7亿美元，同比+69%；毛利率/营业利润率分别为66.4%/58.7%，环比分别下降1.3/1.6个百分点 [30] - 台积电预计26Q4营收523~543亿美元，中值533亿美元，对应同比增长约58%、环比增长约14%；预计2026年美元营收同比增长约44%，维持全年资本开支600~640亿美元指引 [30] - 台积电26Q3 N2/N3/N5/N7占晶圆收入比例分别为8%/33%/28%/10%，合计达到79%；预计27年N2年化产能有望超过26年的两倍，预计A14制程在27年风险量产、28年正式量产 [30][31] - 台积电N3将进行更大规模扩产，台南两座工厂将分别于27H1、28H1实现N3量产，日本工厂有望在28年量产N3制程，Arizona Fab2有望提前至27Q3量产N3制程 [31] - 天弘科技26Q3实现营收58.3亿美元，同比+83%，GAAP/Non-GAAP毛利率分别为10.99%/11.19%，GAAP/Non-GAAP净利润分别为3.97、4.02亿美元，分别同比+48.3%/+119.6% [32] - 天弘科技指引26Q4营收62.75~65.75亿美元，调整后EPS预计为3.37~3.57美元；26年全年预计收入达到210亿美元，调整后EPS预计11.55美元；预计27年收入达400亿美元，调整后EPS为21.5美元 [32] - 天弘科技预计27年CCS收入同比增长110%，为OpenAI提供ASIC整机柜方案，单机柜配置128颗ASIC与博通Tomahawk6交换芯片，27年预计量产爬坡 [32] - 天弘科技26年网络收入预计118亿美元，同比+66%，预计27年1.6T交换机爬坡将显著加速，800G延续强劲增长；已拿下一家大型云厂商1.6T以太网CPO交换机项目，预计27年底开始生产 [32] 板块行情回顾 - 本周涨跌幅前三名的行业分别为传媒、电力设备、农林牧渔，涨跌幅分别为13.41%、9.33%、7.09%；涨跌幅后三位为石油石化、煤炭、通信，涨跌幅分别为-3.58%、-6.00%、-6.40%；本周电子行业涨跌幅为3.39% [33] - 电子细分板块中，涨跌幅前三大细分板块为半导体设备、半导体材料、品牌消费电子，涨跌幅分别为17.19%、13.08%、11.57%；涨跌幅靠后的三大细分板块为分立器件、被动元件、印制电路板，涨跌幅分别为-1.48%、-4.08%、-10.23% [36] - 个股方面，润欣科技、新亚制程、智动力、华虹宏力、安集科技为涨幅前五大公司，涨幅分别为34.25%、34.21%、31.54%、31.15%、30.19%；跌幅前五为沪电股份、景旺电子、鸿富诚、生益科技、晶华微，跌幅分别为-16.18%、-17.84%、-18.77%、-18.98%、-26.11% [40]