财务表现 - 2024年营业收入3.32亿元，同比增长17.23% [1] - 归母净利润0.40亿元，同比增长26.63% [1] - 扣非净利润0.34亿元，同比增长24.59% [1] - 经营活动现金流净额297.65万元，同比下降90.58%，主因薪酬支付增加及政府补助减少 [1] 产品结构 - 环氧塑封料收入3.16亿元（占总收入95.2%），同比增长18.81%，毛利率25.16%（同比降0.4个百分点） [2][3] - 胶黏剂收入0.15亿元，同比增长8.44%，毛利率35.05%（同比降7.02个百分点） [2][3] - 毛利率下滑主因原材料成本上升、市场竞争加剧及研发投入增加 [3] 行业与市场 - 2024年全球半导体市场进入复苏周期，预计2025年规模达393亿美元 [1] - 传统封装领域：国内厂商主导DO/DIP/SMX等中低端市场，海外品牌退出 [4] - 高端传统封装（SOT/SOP/SOD）：海外主导但国产替代加速 [4] - 先进封装（QFN/BGA/FOWLP）：海外垄断，国产处于验证阶段 [5] 技术研发与产能 - 已研发BGA/SiP/WLP用高端材料，正通过客户验证，未大规模量产 [5] - 高密度封装材料项目投入1.84亿元（进度63.83%），研发中心投入0.86亿元（进度65.70%） [7] - 产能利用率提升但未披露达产率 [7] 战略布局 - 收购衡所华威30%股权，拟继续收购剩余70%股权 [7] - 产品向高附加值调整，先进封装材料逐步产业化 [5][6]

核心观点 - 2024年AI芯片需求爆发推动半导体行业结构性转型，台积电凭借技术领先、产能扩张和全球战略布局巩固行业领导地位 [2] - 公司全年营收达900亿美元（+30%），净利365亿美元（+35.9%），毛利率56.1%创历史新高，7nm以下先进制程营收占比提升至69% [3] - 技术研发投入占营收7.1%，在2nm及更先进节点取得突破，同时通过3D封装技术延伸摩尔定律极限 [12][13] - 全球产能布局形成"台湾中心+多点扩张"模式，美国N4厂/日本特殊制程厂相继投产，德国车用芯片厂启动建设 [11] 财务与市场表现 - 2024年合并营收900亿美元（同比+30%），税后净利365亿美元（同比+35.9%），毛利率56.1%和营业利益率45.7%均创新高 [3] - IDM 2.0市场份额从28%提升至34%，晶圆出货量达1,290万片12英寸当量（同比+7.5%） [3] - 北美市场贡献70%营收，高效能运算产品占比51%成为最大收入来源，智能手机占35% [3] - 7nm及以下先进制程营收占比从58%提升至69%，3nm制程单独贡献18%晶圆销售额 [3][7] 技术平台布局 逻辑制程 - 3nm平台形成N3E/N3P/N3X产品矩阵，N3X专为AI/服务器设计预计2025年量产 [7] - 4nm节点推出N4C精简版提升晶体管密度，5nm强化版(N5P)持续服务智能终端市场 [7] - 低功耗平台N6e/N12e优化物联网设备能效，22ULL技术支撑蓝牙/Wi-Fi芯片制造 [7] 特殊制程 - 车用领域推出N3A平台（基于N3E）和N5A车规制程，射频技术N4C RF支持5G毫米波需求 [8] - 嵌入式存储器N12e RRAM平衡成本与可靠性，COUPE光子堆叠平台实现三维光互连 [8] - 拓展GaN功率器件、OLED驱动等新兴技术，覆盖AR/VR和智能电源应用 [9] 全球制造能力 - 台湾四座GIGAFAB年产能达1,274万片12英寸晶圆，覆盖0.13μm至3nm全节点 [11] - 美国亚利桑那N4厂良率对标台湾基地，日本熊本特殊制程厂实现优异良率 [11] - 德国德勒斯登车用芯片厂启动建设，智能制造系统延伸至后段封装环节 [11] - SMP超级制造平台统一良率管控，AI/ML技术提升故障预测与制程调整效率 [11] 研发与前沿技术 - 2nm平台完成定义进入良率提升阶段，A16采用晶背供电+纳米片架构，A14兼顾HPC/移动需求 [12] - High NA EUV光刻技术取得突破，优化线宽均匀性至1nm以下节点 [12] - 3DFabric封装平台包含SoIC/CoWoS/InFO等技术，5nm芯片堆叠已量产，3nm方案2025年投产 [13] - 探索碳纳米管晶体管(CNFET)和二维材料MoS₂通道器件，展示p型SnO和n型IWO氧化物晶体管 [16] 战略定位 - 坚持纯代工模式，五大技术平台覆盖HPC/智能手机/物联网/车用/消费电子全领域 [3][4] - 通过开放创新平台和TSMC大同盟强化生态合作，不涉足自有品牌芯片 [14] - 研发投入聚焦逻辑微缩、材料创新和系统集成三大方向，布局5-10年技术储备 [16]

文章核心观点 面板级封装（PLP）市场在2024 - 2030年将以27%的复合年增长率强劲增长，吸引新参与者，虽面临技术和经济挑战，但作为经济高效解决方案有发展潜力 [1][2] 市场规模与增长 - 2024年PLP市场收入约1.6亿美元，预计2024 - 2030年复合年增长率为27%，2030年在先进封装收入中占比约1% [2] - 2024 - 2030年面板级封装复合年增长率为27.3% [1] 市场结构 - 2024年扇入（FI）PLP产量增加，占约三分之一市场份额，核心FO和HD FO占剩余三分之二 [2] - UHD FO尚未与PLP商业化，预计在AI/HPC和高端PC推动下小批量生产很快开始 [2] 市场主导企业 - 2024年市场由三星电子主导，其移动和可穿戴设备市场的PMIC和APU销量推动市场 [2] 供应链参与者 - 过去PLP市场由少数公司主导，2019年三星收购SEMCO生产线用于封装，PTI、SiPLP、STMicroelectronics等开始生产 [4] - 2024年Nepes停止PLP生产线，近年来ECHINT、Silicon Box和Amkor等公司开始产品开发和认证 [4] - 多数新PLP制造商针对PMIC、RF IC和其他电源IC设备解决方案，部分专注高端先进PLP解决方案 [4] - 中国PLP制造商较多，但多数国家产量低、需求有限，随着制造商增加，设备和材料供应商也增多 [4] 技术路线与挑战 - PLP适用于晶圆级制造的先进封装，可替代传统封装技术，参与者致力于开发低端或高端扇出型PLP技术 [7] - HPC和AI推动行业采用PLP，因其可提高载体面积效率、降低成本，但PLP面临技术和经济挑战阻碍广泛应用 [7]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 3月26日—28日，全球半导体行业年度盛会SEMICON China 2025在上海隆重举办。展会期 间，全球知名半导体制造设备商TOKYO ELECTRON（简称TEL）于27日举行媒体交流会。 在本次交流会上，TEL集团副总裁兼中国区总裁赤池昌二，TEL中国区创始人、现TEL高级顾 问陈捷，中国区战略与市场副总经理倪晓峰出席交流会并致辞，并与半导体行业观察等媒体 围绕着TEL创新技术和多元化设备解决方案等主题作深入探讨。 今年3月，TEL宣布自2025年3月1日起，赤池昌二升任集团副总裁，同时兼任TEL在中国大陆的两 家子公司——东电电子（上海）有限公司和东电光电半导体设备（昆山）有限公司总裁，全面管理 和领导集团在中国的整体业务发展。 "20多年来，我看到中国半导体产业的迅猛发展，充满了活力和潜力；同时，我也看到了TEL中国 团队的真诚和进步，非常期待和大家一起奋斗。在接下来的工作中，我将秉持TEL理念——'通过 先进的技术和可靠的服务，为创造富有梦想的社会做贡献'，带领中国区员工继续发挥并优化TEL 的经验和技术，成为客户持续成功和稳步发展的坚实后盾，希望产业 ...

公司业绩表现 - 2024年实现营收144.6亿元，同比增长28%，净利润6.16亿元，同比增长172.29% [1][2] - 扣非净利润从去年同期亏损3.08亿元扭亏为3342万元，同比增长110.85% [2] - 四季度营收39.3亿元（同比增长21.7%），净利润2.59亿元（同比增长80.7%），扣非亏损收窄至1438万元 [2] - 全年完成集成电路封装575.14亿只（同比增长22.56%），晶圆级封装176.42万片（同比增长38.58%） [3] 产能与资产扩张 - 募集资金投资项目全部建成，华天江苏、华天上海新基地投入运营，总资产达382.4亿元（同比增长13.3%） [1][3] - 归母净资产166.59亿元（同比增长5.1%），存储器、bumping、汽车电子等产品订单大幅增长，新增客户236家 [3] 先进封装布局 - 子公司华天江苏启动盘古半导体项目（总投资30亿元，2025年部分投产） [4] - 南京基地二期项目投资100亿元，预计2028年达产，年产值60亿元 [4] - 汽车电子生产线升级项目投资48亿元，预计年新增收入21.59亿元 [4] 研发与技术进展 - 2022-2024年累计研发投入23.45亿元，2024年研发费用9.43亿元 [5][6] - 完成2.5D产线建设，FOPLP技术通过认证，开发汽车级Grade0及双面塑封SiP技术 [6] - 2024年获授权专利29项（含发明专利26项） [6] 行业背景 - 集成电路景气度回升，电子终端需求回暖带动订单增长 [1][2] - 全球先进封装市场规模预计从2023年378亿美元增至2029年695亿美元（CAGR 10.7%） [4]

公司回应与市场传闻 - 公司明确表示不使用半导体设备实现3nm芯片生产的说法缺乏事实依据，芯片制造涉及数百道工艺制程 [1] - 市场传闻导致投资机构对半导体设备公司进行集体抛售做空，公司回应有待进一步考证 [1] 公司背景与战略 - 北方华创成立于2001年9月，2010年在深圳证券交易所上市，是国内集成电路高端工艺装备的先进企业 [1] - 公司以科技创新为基点，致力于半导体基础产品领域的引领者，推动中国"智造强国"战略 [1] - 主营半导体装备、真空及锂电装备、精密元器件业务，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案 [1] - 公司拥有六大研发生产基地，营销服务体系覆盖全球主要国家和地区 [1] 产品与技术布局 - 产品覆盖刻蚀设备、薄膜沉积设备、热处理设备、精密电子元器件、清洗设备及新能源相关装备如单晶硅生长炉 [2] - 计划收购芯源微，实现涂胶显影和清洗设备领域的产品和技术协同 [2] - 发布首款12英寸电镀设备（ECP）Ausip T830，专为硅通孔（TSV）铜填充设计，应用于2.5D/3D先进封装领域 [2] - 在SEMICON China 2025上宣布进军离子注入设备市场，发布首款离子注入机Sirius MC 313 [2] - 公司基本覆盖除光刻之外的所有半导体前道制造设备，构建完整互连解决方案 [2] 行业动态 - 芯片巨头市值大跌，行业波动显著 [5] - HBM技术被黄仁勋称为"技术奇迹"，RISC-V架构被Jim Keller认为将胜出 [5] - 全球市值最高的10家芯片公司名单未详细披露 [5]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容来自自由财经，谢谢。 台积电在先进制程独霸全球，昔日半导体霸主英特尔却面临营运艰困挑战。台积电前研发大将蒋尚 义有感而发，他在台积电掌技术研发时，努力的目标就是打败英特尔，很遗憾退休前没有达成， 「我退休后，台积电同事帮我做到了！」他感到高兴、与有荣焉，也透露台积电与英特尔胜败的关 键。 蒋尚义说，2006年他首度从台积电退休，2009年再度被创办人张忠谋找回去，进行研发先进封装包 括CoWos、Transistor Leadership两专案，前者在他退休前开发出来，后者的技术在他退休后，台 积电才迎头赶上并超越英特尔。 遗憾退休前没达成「应该晚一点退休」 他指出，英特尔一直是半导体业技术领先者，「在我职业生涯中，曾非常努力想打败英特尔的霸主 地位，很遗憾退休前没有达成」，「退休以后，我的同事帮我做到了！」他开玩笑说：「当初应该 晚一点退休。」 END 半导体精品公众号推荐 ▲点击上方名片即可关注 专注半导体领域更多原创内容 ▲点击上方名片即可关注 关注全球半导体产业动向与趋势 *免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传 ...

下一代芯片封装技术SoIC发展 - NVIDIA下一代Rubin AI架构将首次采用SoIC封装 并集成HBM4等领先组件 预计引发硬件市场革命[1] - SoIC技术允许不同功能芯片异质整合 相比传统SoC可减少内部线路空间并降低成本 AMD为最早采用该技术的厂商[2] - 台积电正加速建设SoIC封装厂 南科AP8和嘉义AP7工厂将于2024年下半年陆续投产 设备进驻和人力调配同步推进[1][2] 主要厂商技术路线图 - NVIDIA Rubin GPU将采用SoIC封装 设计包含2颗N3P制程GPU和1颗N5B制程I/O die 整合后性能达50-100 PFLOPS FP4[5] - 苹果计划在M5芯片中导入SoIC封装 并与自研AI服务器集成 预计应用于未来iPad和MacBook产品线[5] - AMD已率先采用SoIC技术 苹果将于2024年下半年跟进 形成三大芯片厂商共同推动技术迭代的格局[2] 台积电产能与供应链动态 - 台积电2024年底SoIC产能预计达1.5-2万片/月 2025年将实现翻倍扩增至2万片/月[2][6] - 当前生产重心仍以CoWoS封装为主 第二季度起南科厂开始出货CoWoS-L/R设备 但后续扩产计划可能受限[2] - 公司积极调配8吋厂人力支援先进封装厂 同时扩大招募 2024年计划新增8000名员工 总人数向10万目标迈进[3] 技术规格与性能参数 - SoIC为先进3D芯片堆叠技术 可实现CPU/内存/I/O等多芯片集成 已在AMD 3D V-Cache处理器验证应用[3] - Rubin NVL144平台配置288GB HBM4内存 NVL576平台则搭载1TB HBM4e内存 采用4颗Reticle尺寸芯片组合[5] - 台积电SoIC技术采用异质整合方案 显著降低芯片制造成本 成为下一代先进封装的核心发展方向[2]

台积电行业地位与影响 - 台积电被誉为台湾"护岛神山"，开创晶圆代工模式并成为全球半导体领军企业，是台湾经济奇迹与技术卓越的象征 [2] - 公司通过"夜鹰计划"24小时研发团队加速工艺开发，在5nm/3nm等前沿技术保持领先，Fab 12母厂主导创新 [3][5][6] - 全球扩张引发技术泄露担忧，但核心工艺创新仍集中在台湾本土 [6] 晶圆厂运营与生产管理 - 晶圆厂分为光刻、蚀刻、薄膜、扩散四大模块，通过工艺集成管理复杂流程，WAT团队和缺陷分析团队确保良率 [6][7] - 生产计划(PP)管理WIP库存，统计过程控制(SPC)监控关键参数以优化产能利用率 [34][36] - 先进封装成为行业关键趋势，台积电在亚利桑那州投资封装厂支持N4/N3工艺 [39] 工程师工作模式与文化 - 工程师采用轮班制维持24小时生产，"十万青年十万肝"反映高强度工作文化 [12][14] - 典型工作日长达14小时，包含晨会、生产会议、问题处理及交接，需随时应对突发状况 [14][22][28] - 师徒制传承技术经验，新员工通过资深工程师指导快速掌握关键技术 [31][33] 企业战略与市场动态 - 2025年计划在台湾招聘8000名员工，硕士工程师平均年薪220万新台币，覆盖多学科背景 [11] - 客户产品结构驱动增长，前十大客户与公司共同推动工艺节点升级 [37] - 成熟节点面临中国厂商定价压力，设备折旧成本影响盈利策略 [36] 技术挑战与行业竞争 - Rapidus直接挑战2nm工艺但面临先进封装技术短板 [11] - 日本在CoWoS/HBM供应链材料设备领域占据重要地位 [12] - 系统集成需整合设备、工艺流程及自动化系统，依赖大规模数据分析能力 [32]

核心观点 - 从平面SoC向3D-IC和先进封装转型需要更薄晶圆以提升性能并降低功耗，减少信号传输距离和驱动能量[1] - 超薄晶圆需求增长迅速，尤其在HBM模块、AI应用2.5D/3D封装及消费电子产品中成为关键要素[1] - 晶圆减薄工艺面临TSV深度控制、粘合剂选择、边缘缺陷管理等技术挑战，直接影响生产良率[1][2][8] - 行业正在优化临时键合/解键合技术，开发新型激光/光子脱粘方法以应对超薄晶圆加工需求[13][15][16] 晶圆减薄技术 - 减薄流程需平衡研磨/CMP/蚀刻工艺，目标将TTV（总厚度变化）控制在微米级以下[8] - 典型减薄步骤：粗磨（几微米TTV）→CMP（几百纳米）→等离子蚀刻（10-100纳米）→离子束蚀刻（25纳米）[8] - TSV揭示工艺需精确控制，常见架构为直径11μm/深度110μm，铜污染风险需通过自适应研磨/CMP避免[9] - 边缘修整技术通过台阶切割防止碎裂，台阶深度需≥最终晶圆厚度[2] 临时键合材料 - 粘合剂需满足：低温键合/高温耐受（250-350°C）、旋涂均匀性、低应力释放等特性[7] - 主流粘合剂类型：有机热固性/热塑性材料，通过真空热压或UV照射实现键合[3] - 旋涂工艺可平整微凸块等特征，烘烤固化后形成稳定粘合[7] - 新型无机纳米切割层可承受900°C高温，适用于前端层堆叠应用[16] 载体晶圆选择 - 玻璃载体优势：CTE接近硅、透光性支持激光脱粘，但TTV控制较差（1μm）且成本较高[5][8] - 硅载体优势：完全CTE匹配、工具兼容性好，TTV更低且成本仅为玻璃一半[5] - 载体回收面临化学腐蚀问题，典型使用寿命约10次[17] 脱粘技术进展 - 激光烧蚀：UV/IR激光配合吸收层，吞吐量20-30片/小时，适合<20μm晶圆[16] - 光子脱粘：宽带脉冲光源，对晶圆弯曲容忍度高，成本低于激光[15] - 机械剥离：刀片物理分离，需设备晶圆具备抗压能力[15] - 热滑动/化学溶解因热预算/良率限制逐渐被替代[14][15] 缺陷管理 - 边缘缺陷通过选择性等离子蚀刻/CVD钝化处理，微米级SiO2薄膜可填补键合间隙[10] - CMP后采用等离子/离子束蚀刻消除亚表面划痕、凹坑等缺陷[11] - 温度控制关键：CMP需冷却抛光垫表面防止聚氨酯垫玻璃化转变[9] 行业应用趋势 - 薄晶圆工艺成为2.5D/3D封装、晶圆堆叠、扇出封装的必备环节[18] - 设备商要求定制化解决方案，强调工艺可重复性及高生产率[2] - 当前技术可支持300mm晶圆减薄至50μm以下，20μm成为新目标[13][16]