博通百亿美元AI芯片订单 - 博通宣布与未披露客户签署价值100亿美元的AI数据中心硬件供应协议 订单内容包括为该客户特定工作负载量身定制的AI加速器及其他相关硬件[2] - 外界普遍猜测客户为OpenAI 计划将AI处理器用于推理任务 交付数量可能高达数百万颗AI处理器[2] - 订单规模达100亿美元 基于XPUs的AI机架订单已获得正式量产订单[2] 订单交付时间与内容 - 博通将在2026财年第三季度（2025年8月初结束）交付基于XPU的AI机架[3] - 交付内容包含定制AI加速器（XPU）、网络芯片及参考级AI机架平台 这些产品作为构建模块供客户自行组装大规模AI基础设施[3] - 若2026年6月或7月交付硬件 客户最快可在同年秋季完成部署 与OpenAI定制处理器2026年底至2027年初投入使用的计划吻合[4][5] 技术规格与行业对比 - OpenAI定制AI芯片采用脉动阵列架构 优化矩阵和向量计算 使用HBM存储（可能是HBM3E或HBM4） 基于台积电N3系列（3nm级）工艺制造[6] - 以单颗加速器成本5000-10000美元计算 100亿美元相当于100-200万颗XPU 可能分布在数千个机架、数万个节点中[6] - 订单规模可媲美全球最大AI推理集群 甚至可能超过OpenAI现有集群 显著提升其竞争力[6] 战略转型意义 - OpenAI工作负载原主要依赖微软Azure的AMD或Nvidia GPU 此次转向博通定制芯片标志其向自研基础设施转型[7] - 转型有助于降低成本、优化推理性能 并在未来与AMD、Nvidia谈判时获得更多筹码[7] - 单季度100亿美元硬件投资使OpenAI跻身超大规模云厂商级别 对比Meta 2025年整体资本开支720亿美元（大部分投向AI硬件） AWS和微软每年持续投入数百亿美元[6]

文章核心观点 - 近期媒体报道的"移动HBM"技术实为误传 该术语并非行业标准命名 而是源自韩国媒体ETnews的造词 实际指的是LLW DRAM或新型封装技术VFO/VCS 并非真正的HBM架构[1][4][7] - 所谓移动HBM实际指三星和SK海力士开发的低功耗宽I/O DRAM技术 其带宽达128-256GB/s 采用2D封装而非3D堆叠 专门为终端AI应用设计[6] - HBM模块本身因体积大 功耗高且成本昂贵 根本不适合移动设备 其设计初衷是服务AI/机器学习GPU/TPU等高性能处理器[3][4] HBM技术特性 - HBM采用3D TSV堆叠结构：底层为逻辑芯片Base Die 上方堆叠8/12/16片DRAM Core Die 通过硅通孔铜柱电极连接 单模块容量可达24GB(12层堆叠16Gb芯片时)[3] - 具备超宽1024bit I/O总线 传输距离极短 HBM3速率达7-8Gbps/Pin HBM3E达10Gbps/Pin 以8Gbps/Pin计算单模块带宽高达1024GB/s[3] - 通常与处理器共同集成在硅中介层上 采用BGA封装 支持4/6/8/12个模块组合 最大容量可达192GB(8个24GB模块)[3] 移动HBM传闻溯源 - 韩国媒体ETnews在2025年5月14日推测iPhone 20周年机型可能采用"Mobile HBM"或LLW DRAM 后续媒体多直接引用该报道[4] - TechInsights在2024年10月拆解发现苹果Vision Pro的R1处理器与SK海力士1Gbit LLW DRAM采用台积电InFO-M封装 带宽达256GB/s 接近HBM2水平[6] - 三星与SK海力士官方从未使用"Mobile HBM"称谓 JEDEC也未定义该标准 相关技术实质是其开发的VFO(海力士)和VCS(三星)封装技术[6][7] 技术本质辨析 - LLW DRAM目标规格为带宽128GB/s(接近HBM1) 能耗仅1.2pJ/bit 采用宽I/O总线实现高带宽 而非HBM的TSV堆叠架构[6] - VFO与VCS技术本质是小型化薄型化3D封装 采用垂直铜柱电极加RDL基板 与传统FPBGA类似 但缩短连线距离并降低厚度[7] - 移动设备所需的高带宽内存解决方案实际是低功耗宽I/O架构 与HBM的3D堆叠高功耗特性存在根本差异[4][6][7]

研讨会概况 - 会议聚焦工业算力技术进展 旨在推动产业链合作 主题为打造工业算力"芯"引擎技术研讨会 [1] - 会议时间为9月23日下午13:30启幕 涵盖离子注入设备 FPGA芯片设计 RISC-V处理器 半导体检测及工业大数据五大技术领域 [2] - 会议设置六个主题演讲及抽奖环节 具体议程包括离子注入全生命周期解决方案 AI驱动半导体制造数据分析等专题 [4][5] 参与企业技术专长 - 凯世通提供离子注入全周期一站式解决方案 实现多款集成电路离子注入机在重点芯片制造产线规模量产 [5] - 芯率智能专注半导体良率管理 其AI工具套件已在中芯国际 华虹宏力等十余家晶圆厂应用 帮助客户实现良率提升超95% [7] - 喆塔科技通过跨类型数据关联分析定位良率瓶颈 构建大模型平台与智能体技术推动半导体制造智能化 [8] - 安路科技作为中国FPGA领域创新者 解析FPGA技术如何赋能工业控制 人工智能及机器视觉场景 [9] - 隼瞻科技专注RISC-V架构驱动的AI处理器自动化设计 为AIOT 5G网络 汽车电子提供定制化处理器解决方案 [10] - 季丰电子探索AI与传统半导体检测设备融合 提升设备自动化水平和检测精度 [12] 行业专家背景 - 张长勇拥有超20年集成电路离子注入机设备管理经验 主导低能大束流系列国产离子注入机项目 推动设备在重点产线落地应用 [6] - 姚洋深耕半导体行业超20年 曾任英特尔网络与边缘事业部及Altera 具备通信电子 FPGA与CPU领域专业功底 [9] - 姚彦斌博士拥有15年半导体行业经验 专精DSP处理器 RISC-V处理器及处理器自动化生成技术 [10] - 朱勇拥有跨国企业工作经历 曾任职高通 智邦 仁宝电子 在软硬件研发和半导体设备领域技术深厚 [12] 行业趋势与影响 - 工业算力作为驱动制造业智能化转型的核心动力 迎来前所未有的发展机遇 [1] - 中国制造业正加速向高端化 智能化转型 五大领域技术创新成果体现产业界对自主创新和技术突破的追求 [17] - 会议汇聚底层离子注入设备至上层工业大数据应用 硬件芯片设计至软件算法优化全环节技术专家 共同探讨工业算力技术发展趋势 [17]

法案内容与影响 - AI GAIN法案全称为《国家人工智能保障获取与创新法案》，要求AI芯片制造商优先满足国内订单后才能供应海外客户，作为《国防授权法案》的一部分提出 [2] - 法案规定出口总算力超过4,800的AI芯片需获得许可证，且必须拒绝出口最强大AI芯片的许可证，只要美国企业无法获得这些芯片就限制向外国实体出口 [2] - 法案实施新的贸易限制，要求出口商运送性能超过某一门槛的芯片时必须获得许可证和批准 [2] 行业竞争与公司立场 - 英伟达表示该法案会限制先进芯片的全球竞争，对美国领导地位和经济的影响类似于《AI扩散规则》 [2] - 英伟达发言人指出公司从未为满足全球客户而剥夺美国客户供货，认为该提案试图解决不存在的问题，结果会限制依赖主流计算芯片的产业在全球范围内的竞争 [2] 政策背景与关联 - 《AI扩散规则》和《AI GAIN法案》都是华盛顿优先满足美国需求的举措，确保本土企业获得先进芯片同时限制中国获取高端技术，因担心中国利用AI能力增强军事力量 [3] - 这些规定与前总统拜登时期的《AI扩散规则》部分条件相呼应，后者为盟友和其他国家分配了一定水平的算力 [2] - 上个月特朗普政府与英伟达达成协议，允许恢复对中国出口受禁AI芯片，但条件是政府从英伟达销售额中分成 [3]

高通对英特尔代工能力的评价 - 高通CEO Cristiano Amon公开表示英特尔芯片制造技术目前不够成熟 无法支持Snapdragon X芯片生产 英特尔"今天不是一个选项" [2] - 高通保留未来合作可能性 希望英特尔能成为选项 前提是英特尔在能效上实现突破 [2][3] 高通当前芯片生产安排 - Snapdragon X芯片目前由台积电采用N4工艺制造 这是高密度能效突出的4nm节点 [2] - 台积电N4工艺专门针对带有大规模GPU和NPU模块的移动SoC进行了优化 [2] - 高通已在出货这些芯片 应用于基于Arm架构的笔记本电脑 能效水平媲美甚至超越最先进英特尔芯片 [2] 行业竞争格局变化 - 高通凭借Snapdragon X芯片成为轻薄本领域英特尔的直接竞争对手 [3] - 英特尔路线图存在讽刺意味：即将推出的Nova Lake产品部分采用台积电N2工艺 Intel 18A仅用于较低端产品 [3] - 英特尔既要与台积电竞争 又不得不依赖台积电 同时希望说服高通等企业使用自家制程 [3] 英特尔代工业务面临的挑战 - 英特尔7月表示 若无法赢得重要外部业务或取得关键进展目标突破 可能暂停或放弃14A研发 [3] - 英特尔18A工艺面临执行风险质疑 这是宣称重夺行业领先地位的关键节点 但存在良率问题 [3] - 英特尔将未来押注在为其他芯片设计公司代工生产 并多次强调路线图依赖于获得大型外部客户 [2]

行业地位与市场表现 - 台积电在3nm和2nm节点市场份额超过90% 整体代工市场份额稳定在60-70%之间 [2] - N2工艺设计启动量已超过N3 正在绝对性主导代工业务 [2] - 2025年第二季度营收达301亿美元创纪录 同比增长44% 毛利率升至59%同比增加5个百分点 [3] - 上半年总营收605亿美元同比增长40% 将全年营收增长指引从25%上调至30% [3] - 预计2025年AI加速器营收将翻倍 全年资本支出预计380-420亿美元 [3] 技术进展与产能扩张 - N2工艺计划2025年第四季度量产 时间早于预期 [4] - 1.4nm工厂已动工建设 计划2028年下半年量产 预计带来15%性能提升和30%功耗降低 [4] - 先进封装CoWoS产能提前半年完成翻倍 达到每月7.5万片晶圆 [4] - 高雄与新竹工厂进入试产阶段 主要客户包括苹果、英伟达、AMD、高通和联发科 [4] 全球布局与地缘战略 - 亚利桑那子公司2025年上半年实现盈利1.501亿美元 扭转此前亏损 [4] - 欧洲和日本新工厂持续推进 台湾中部科学园区Fab 25将容纳1.4nm与1nm工厂 [4] - 台湾新法律规定尖端制程必须留在岛内 海外工厂只能量产N-1工艺 [5] - 员工来自51个国家地区 台湾员工占比88.8% 美国员工占比3.4% 日本员工占比1.3% [10] 人力资源状况 - 2024年全球新进员工10,073人 台湾新进员工8,138人 超额完成原定6,000人目标 [7] - 2024年全球员工总数84,512人 年增幅9.69% 台湾正职员工增加6,133人 [9][10] - 2021-2022年离职率达6.8%和6.7% 新进员工离职率超15% 2024年全体员工离职率降至3.5% [8][13] - 硕士学历员工占比48.5% 31-50岁员工占比58.9% 18-30岁员工占比34.9% [13] 薪酬福利体系 - 2024年非主管年薪中位数264.5万元新台币 平均年薪332.9万元 [16] - 新进硕毕工程师平均整体薪酬超过200万元 直接员工平均整体薪酬超过100万元 [16] - 2024年现金奖金及酬劳总额1,405.9亿元新台币 平均每位员工可领200万元以上 [17] - 2024年员工整体薪资福利费用总额3,018亿元 全球人均薪资福利费用357万元 [18] - 全球超过85%员工参与购股计划 公司提供15%购股补助 [18]

土耳其本土芯片产业发展规划 - 土耳其正启动本土芯片大规模生产 旨在减少对外国技术依赖[2] - 本土芯片设计公司Yongatek自2014年起致力于成为国家级芯片设计和生产中心[2] - 计划提供约50亿美元支持方案吸引国际科技公司在土耳其建立生产基础设施[3] 技术合作与生产计划 - 与家电制造商Beko合作开发用于家电的微控制器（MCU） 属于HIT-30资助计划[2] - 微控制器项目研发基本完成 原型机年底投入生产 明年开始量产[2] - 仅Beko每年MCU使用量达3000万颗 国防/机器人/物联网领域可能达5000万颗[2] - 正在开发AI芯片用于智能摄像头和智能城市应用 基于12nm台积电芯片[5] - AI摄像头芯片预计2027-2028年量产 FPGA通过欧洲联盟开发中[5] 技术路线与产业应用 - 首批芯片生产从家电入手 采用28nm或40nm制程[4][5] - 未来可能推出最高22nm芯片用于汽车领域[5] - 国防工业广泛使用FPGA集成电路 若受限将严重影响产业[5] - 正在与多家外国公司合作打造自主FPGA和MCU以满足国防需求[5] - 建立芯片生产线可能需要长达三年时间[5] 战略定位与行业观点 - 芯片将取代石油成为本世纪决定性资源 人工智能将成为竞技场[3] - 美中科技战背景下两国主导地位对其他国家自主芯片发展构成威胁[2] - 能够改变游戏规则的企业主要在中国和中东[3] - 需要建立更多芯片设计中心 呼吁海外土耳其工程师回国建设[6]

全球DRAM市场竞争格局 - SK海力士连续两个季度位居全球DRAM市场榜首 第二季度市场份额达39.5% 较第一季度36.9%提升2.6个百分点 [2] - 三星电子DRAM市场份额从第一季度34.4%下滑至第二季度33.3% 与SK海力士差距扩大至6.2个百分点 [2] - SK海力士第二季度DRAM营收达122.26亿美元 较三星电子的103亿美元高出19.26亿美元 为1992年以来首次有厂商超越三星 [2] HBM技术竞争态势 - SK海力士在HBM4质量测试阶段领先 计划本月向NVIDIA提交12层样品 预计9月完成2025年上半年供应合同 [3][4] - 三星电子HBM4测试进度落后约两个月 面临供应量和价格谈判能力削弱的风险 [3][4] - 三星电子采用4纳米工艺制造HBM4逻辑芯片 宣称解决发热和良率问题 性能优于采用台积电12纳米工艺的SK海力士和采用12纳米级DRAM工艺的美光 [5] HBM定制化趋势 - 微软、英伟达、博通等科技巨头要求定制HBM SK海力士已与三家达成定制供应协议并开始设计 [5] - 美光科技确认行业向定制化HBM发展 计划布局个性化产品 [6] - SK海力士宣布从HBM4E开始转向定制化 与台积电合作采用先进逻辑工艺 首批产品预计2025年下半年问世 [6] DDR4市场意外回暖 - 三大原厂计划2025年底停产DDR4导致供应短缺 DDR4 16Gb 3200现货价格达16美元 是DDR5价格的2.6倍 [7] - 三星和SK海力士将DDR4生产期限延长至2026年 因完全折旧生产线使DDR4利润率高于DDR5 [8] - 南亚科技等较小厂商同步延长DDR4生产 旧款芯片价格飙升至下一代产品水平 [8] 通用DRAM产能结构性紧张 - HBM生产占用晶圆产能 三星和SK海力士第三季度为HBM4样品投入每月1-2万片晶圆 导致通用DRAM产能下降 [10] - Omdia上调DRAM价格预测：服务器用64GB DDR5从255美元升至276美元 移动端8GB DDR5从18.7美元升至19.2美元 PC用16GB DDR5从44.7美元升至46.5美元 [11] - HBM低良率需增加晶圆投入 叠加设备投资集中于HBM 导致通用DRAM面临结构性供应制约 [10][11] 半导体设备技术升级 - SK海力士首次引进High NA EUV量产设备（ASML EXE:5200B） 分辨率比现有EUV提高40% 集成度提升2.9倍 [13][14] - 混合键合技术成为HBM竞争焦点 三星计划2025年用于HBM4 SK海力士拟用于HBM4E 性能可提升一倍以上 [14] - 应用材料收购Besi公司9%股份 韩系设备商（韩美半导体、韩华、LG电子）积极布局混合键合设备国产化 [15][16] 行业技术演进方向 - HBM技术向系统级整合发展 SK海力士将基础裸片代工交由台积电 标志DRAM厂商主导能力减弱 [18] - HBM制造需多方协同 涉及逻辑工艺、堆叠技术和封装技术的跨界整合 [18] - 技术迭代节奏加速 定制化HBM、混合键合和新型存储架构成为竞争核心 [18]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来源 ：内容 编译自 businesswire。 Cadence（纳斯达克股票代码：CDNS）今日宣布已达成最终协议，收购Hexagon AB的设计与工程 （"D&E"）业务，其中包括其MSC软件业务——工程仿真与分析解决方案领域的先驱。此次收购加 速了Cadence的"智能系统设计™"战略，显著扩展了Cadence®系统设计与分析产品组合，并强化了 其致力于为全球最严峻的设计挑战提供全面解决方案的承诺。Hexagon成熟的D&E技术和人才的加 入，将巩固Cadence 2024年收购Beta CAE项目的地位，使其在价值数十亿美元的结构分析市场中占 据更进一步的地位。 根据协议条款，Cadence 将为该业务支付约 27 亿欧元，其中 70% 的对价以现金支付，30% 将通过 向 Hexagon 发行 Cadence 普通股的方式支付。 此次收购将使 Cadence 服务于更广泛的客户群，包括领先的航空航天和汽车原始设备制造商 (OEM) 以 及 一 级 供 应 商 ， 例 如 大 众 集 团 、 宝 马 、 丰 田 、 洛 克 希 德 · 马 丁 、 BAE ...

公司业绩与市场动态 - 4月份芯片需求在经历因特朗普关税公告前客户争相下单带来的激增后出现降温[2] - 1月至4月的强劲表现部分归因于4月2日关税公告前引发的市场动态[2] - 公司市场正在逐步复苏但汽车行业面临挑战降低了市场对快速反弹的预期[2] - 公司五个终端市场中有四个正在复苏但汽车市场受需求反弹放缓和更广泛经济不确定性阻碍[3] - 7月份季度利润预测未达预期部分客户对模拟芯片的需求低于预期[3] 公司财务与运营 - 美国商务部根据《芯片与科学法案》为公司提供高达16亿美元的资金[3] - 近年来资本支出增加导致自由现金流承压回购仍在继续但速度有所放缓[3] - 分析机构伯恩斯坦报告指出公司计划将1万至2万种产品价格上调20%至50%旨在提高利润率[4] - 公司股价周四下跌近4%自今年初以来上涨0.5%目前每股187.83美元比52周高点221.25美元低15.1%[2][4] - 五年前投资1000美元公司股票的投资者现在投资价值为1337美元[4] 政策与监管影响 - 公司尚未接到美国政府关于股权作为《CHIPS法案》激励条件的洽谈[2] - 公司与拜登政府签署的协议在过去六个月中进行了重新修订只发生微小有利变化[3] - 美国政府宣布拥有国内制造能力的芯片制造商将免于可能被征收的100%半导体关税[4]