先进制程
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2026年晶圆代工行业投资策略(半导体中游系列研究之十):AI进阶与再全球化
申万宏源证券· 2025-12-17 10:45
核心观点 报告认为,2026年晶圆代工行业将受益于AI需求持续高增与供应链再全球化趋势,呈现“先进制程需求回流”与“成熟制程强势扩张”的双主线投资逻辑[3][6]。AI和主流消费电子是推动先进制程增长的核心动力,而成熟制程则通过本地化制造和特色工艺寻找增量市场[3][6]。 先进制程:需求回流,AI和主流消费推动高增 - **行业增长强劲**:得益于GPU/ASIC需求超预期及消费电子订单稳健,2025年全球晶圆代工市场收入有望同比增长27%[3][9]。预计未来三年市场将保持两位数年复合增长率[9]。 - **AI芯片驱动晶圆消耗**:AI和电动汽车是2026年增长最强劲的下游领域,出货量预计分别增长24%和14%[12]。预计2025年AI芯片晶圆消耗量占先进工艺(16nm及以下)产能的7%,2026年将提升至10%;若仅计算3nm/5nm,消耗比例预计超过30%[12]。 - **技术演进提升需求**:以英伟达为例,其GPU产品线向多芯片封装路径拓展,2028年产品将从双晶粒过渡到四晶粒,将显著增加先进制程晶圆消耗和封装复杂性[14][20]。 - **中国高阶AI芯片市场快速成长**:2025年上半年中国AI芯片合计销售190.6万片,同比增长109.9%[26]。国产AI芯片份额从2022年不到15%提升至2025年上半年接近35%[26]。预计2026年中国整体高阶AI芯片市场总量有望成长超过60%[3][26]。 - **本土供给侧有望突破**:2026年或是本土供给侧突破的一年,国产供应链逐步佐证[3]。例如,中芯南方(SN2)工厂计划新增产能3.5万片/月;上海华力集成康桥二期开始建设两个Fab[3][34]。在6/7nm节点,中国大陆产能份额预计从2025年第三季度的9.0%提升至2026年第四季度的18.7%[28]。 - **大基金三期提供资本开支增量**:国家大基金三期尚未进入大规模项目投资阶段,2026年有望成为晶圆代工行业资本开支的增量来源[3][39]。 成熟制程:强势扩张,本地化和特色工艺寻找增量 - **稼动率企稳回升**:成熟制程历经两年调整后已走出谷底,2025年下半年受关税避险与预防性备货影响,稼动率明显企稳[46]。中国大陆的晶圆厂受益于本土内需市场复苏,稼动率优于行业平均[3][46]。 - **中国大陆产能扩张主导**:在2026年全球成熟制程新增产能中,中系晶圆厂有望占比超过3/4[3][47]。预计到2030年,中国大陆成熟制程产能全球占比将超过一半[47]。 - **本土制造规模庞大**:中国大陆目前拥有79座8英寸和12英寸晶圆厂,截至2025年6月月产能达591.6万片(8英寸等效),占全球产能约20%,规划产能达986.5万片[53]。去除存储及外资逻辑产能后,12英寸本土逻辑晶圆代工产能约100万片/月,其中中芯国际、华虹集团、晶合集成的合计份额超过2/3[53]。 - **国际IDM本地化带来机遇**:为确保持续市场份额,国际IDM通过外包代工或技术授权方式与本地晶圆厂合作[54]。例如,英飞凌、恩智浦、意法半导体等均已与中国大陆晶圆厂展开合作,这在汽车和工控行业尤为明显[56]。 - **芯片设计领域国产替代率提升**:在成熟制程的射频、模拟、MCU、显示驱动芯片等领域,本土芯片设计公司采购国产晶圆的比例自2023年起逐年提升[61][62]。 - **特色工艺消耗大量晶圆**:部分特色制程实际晶圆消耗量大,取决于本土技术突破[63]。例如,图像传感器因堆叠技术发展,晶圆需求量是普通逻辑芯片的2-3倍,2024年全球需求产能折合12英寸约63.8万片/月[63]。显示驱动芯片因芯片形状特殊,预计2025年全球需求产能约28万片/月[63]。 - **3D存储架构带来逻辑晶圆增量**:随着NAND和DRAM向3D架构(如长江存储的Xtacking)发展,其外围电路可外包给本土逻辑晶圆代工厂,这部分需求使用22nm/28nm以上成熟制程,随着制程升级,外围电路面积占比增加,成为逻辑晶圆的增量市场[64][69]。 重点标的分析 - **中芯国际**:先进制程溢价优势持续,维持积极扩产节奏[3][71]。中芯南方(SN2)工厂规划新增3.5万片/月产能;中芯北方(B2)扩建后产能将达10万片/月;中芯东方工厂三阶段规划共10万片/月[71]。公司于2025年9月公告收购中芯北方剩余少数股权,实现100%控股[79]。 - **华虹半导体**:受益于本地化制造及特色工艺高增长[3][80]。模拟和电源管理板块受AI周边应用及国产替代驱动,持续强势高增[83]。公司拟通过发行股份及支付现金方式收购上海华力微电子股权,以进一步扩充产能[84][86]。 - **晶合集成**:在显示驱动芯片代工领域市占率26.6%,排名第一;在CIS代工领域市占率3.5%,排名第五[89]。公司持续拓展非显示领域,并已正式申报H股IPO[89]。 - **芯联集成**:提供MEMS、IGBT、MOSFET、模拟IC、MCU一站式集成代工服务[94]。根据Chip Insights排名,其收入首次进入全球专属晶圆代工前十,为中国大陆第四[94]。 - **华润微**:本土领先的功率半导体IDM企业,采用“IDM+代工”双轮驱动模式[3][95]。公司拥有6英寸产能约23万片/月,8英寸产能约14万片/月,12英寸产线正在上量爬坡[97]。 - **新芯股份**:聚焦特色存储、数模混合和三维集成工艺[3][98]。公司是中国大陆规模最大的NOR Flash制造商,并已构建四大三维集成工艺平台[102]。 - **粤芯半导体**:专注于模拟芯片制造的12英寸代工厂,在汽车电子领域形成差异化竞争优势[3][106]。三期项目全部投产后,将实现约8万片/月的产能规模[106]。
ASML CEO:预计High NA EUV光刻机2027~2028年用于大规模量产
搜狐财经· 2025-12-15 10:26
公司技术路线与产品规划 - High NA EUV光刻机预计将于2027年至2028年正式投入先进制程的大规模量产作业中 [1] - 公司已启动下一代Hyper NA EUV技术的研究,为本世纪30年代的投运打下基础 [4] 客户合作与设备进展 - High NA EUV光刻机目前正由英特尔等客户测试,结果显示新设备的成像和分辨率表现良好 [3] - 公司2026年的任务之一是与客户合作将设备的停机时间最小化 [3] 行业技术采用与节点规划 - 英特尔代工在导入新一代图案化技术上最为积极,其支持High NA EUV的Intel 14A节点将在2027年正式推出 [3]
台积电(TSM.US)11月营收小超预期,韦德布什看好AI和先进制程驱动盈利
智通财经网· 2025-12-12 17:45
他进一步指出,从近期的交流情况来看,人工智能数据中心支出所受的"季节性影响十分有限,甚至可 以说几乎不存在"。 智通财经APP获悉,韦德布什证券指出,台积电(TSM.US)11月营收已助其小幅超越市场原先预期。该 行分析师马特·布赖森表示,美元升值带来额外利好:以新台币折算的销售收入及毛利率同步抬升,使 得公司在本地货币口径下的超预期幅度大于美元口径。布赖森维持台积电"跑赢大盘"评级,目标价设定 为1700新台币。 "因此,我们眼下对台积电第四季度的盈利模型可能过于保守了。随着2026年展开,公司还有两股额外 推力:产品均价继续上调,加上产品组合进一步向更先进的新制程(含2纳米晶圆)倾斜,这两点都会带 来比当前预测更高的上行空间。"布赖森补充道。 据了解,台积电于2025年12月10日公布了2025年11月的最新业绩报告。主要数据显示,虽然营收环比略 有下降,但同比依然实现强劲增长。财报显示,台积电11月营收同比增长24.5%,达约3,436.1亿新台 币,但较10月下降6.5%。 这家为苹果、英伟达和AMD等全球顶级科技公司生产芯片的企业,今年10月销售额曾达到约3,674.73亿 新台币。今年1月至11月 ...
大行评级丨小摩:订单加速与HBM/先进制程需求共振,给予科磊目标价1485美元
格隆汇· 2025-12-11 16:57
公司评级与目标价 - 摩根大通维持对科磊的“增持”评级,给出的目标价为1485美元 [1] 公司财务与运营展望 - 自公司发布财报以来,订单簿持续改善 [1] - 预计2026年上半年营收将实现低至中单位数的增长,此前预期是持平至小幅增长 [1] - 公司近期订单加速增长,尤其是在DRAM/HBM领域 [1] - 工具的交货期也在延长 [1]
科磊订单加速与HBM/先进制程需求共振 小摩上看目标价1485美元
新浪财经· 2025-12-11 16:42
摩根大通对科磊的评级与目标价 - 摩根大通维持对科磊的“增持”评级 [1] - 摩根大通给出的目标价为1485美元 [1] 科磊的订单与营收前景 - 自公司发布财报以来,订单簿持续改善 [1] - 预计2026年上半年营收将实现低至中单位数的增长,此前预期是持平至小幅增长 [1] - 这主要是由于公司近期订单加速增长 [1] 需求驱动因素与行业状况 - 订单加速增长尤其是在DRAM/HBM领域 [1] - 工具的交货期也在延长 [1]
中微公司(688012):首次覆盖报告:刻技精深,沉积致远:先进工艺演进驱动产品放量
爱建证券· 2025-12-08 17:18
报告投资评级 - 首次覆盖,给予“买入”评级 [3][68] 报告核心观点 - 报告认为,中微公司作为中国领先的前道半导体装备供应商,其未来三年业绩的关键驱动力将主要来自先进逻辑及高层数3D NAND工艺演进带来的结构性需求增长,而非市场普遍关注的国产替代进程 [5] - 报告核心逻辑在于,随着逻辑制程向5nm及以下、3D NAND向200+层及多deck架构演进,刻蚀与薄膜沉积设备的单晶圆片工艺步数与可服务市场规模均将显著提升,而中微公司凭借在高深宽比刻蚀、金属栅与钨填充沉积等关键节点的技术储备与验证进展,有望成为核心受益厂商 [5][56] - 报告预计公司2025-2027年归母净利润分别为21.81亿元、31.59亿元、42.79亿元,对应同比增长35.0%、44.8%、35.5%,对应市盈率分别为78.61倍、54.28倍、40.07倍 [3][4][68] - 报告认为,尽管当前估值高于部分同业,但基于公司在先进逻辑节点刻蚀设备的持续验证以及薄膜沉积产品线进入规模化放量阶段的稀缺性,应给予一定估值溢价 [3][68] 公司概况与业务 - 中微公司是中国领先的前道半导体装备供应商,核心产品覆盖高能/低能等离子体刻蚀、MOCVD、LPCVD、ALD及EPI等关键工艺设备 [8] - 公司刻蚀设备已覆盖65nm至5nm及更先进制程,并在全球一线晶圆厂实现规模化导入 [5][8] - 公司2024年收入结构以专用设备为主,占比达86.2%,利润占比83.5%;备品备件收入占比12.8%,利润占比15.1% [16][17] - 公司股权结构以产业资本为主,前两大股东上海创业投资有限公司和巽鑫(上海)投资有限公司合计持股超过27% [11][12] - 公司持续拓展产品线,从集成电路设备向LED、MEMS、功率器件、显示面板、太阳能电池等泛半导体领域延伸,以平滑行业周期波动 [18] 财务表现与预测 - 公司收入从2020年的22.73亿元增长至2024年的90.65亿元,四年复合增长率达41.3% [22] - 2025年前三季度实现营业收入80.63亿元,同比增长46.4% [22] - 公司归母净利润从2020年的4.92亿元增长至2024年的16.16亿元,四年复合增长率34.6% [23] - 2024年归母净利润同比减少9.5%,主要因研发投入加大及缺少2023年股权处置投资收益所致 [4][23] - 2025年前三季度归母净利润达12.11亿元,同比增长32.7%,盈利能力明显修复 [23] - 报告预测公司2025-2027年营业总收入分别为121.58亿元、162.03亿元、206.31亿元,同比增长34.12%、33.27%、27.33% [4][65] - 报告预测公司毛利率将从2025年的41.83%逐步提升至2026-2027年的42.69% [4][67] 行业趋势与市场 - 全球半导体市场正处于新一轮增长期,预计将从2024年的6310亿美元增长至2026年的9750亿美元,2027-2028年有望突破万亿美元规模 [34][36] - 2025-2026年全球半导体市场增长将集中在逻辑与存储领域,逻辑市场预计2025年增长37.1%,存储市场预计2026年增长39.4% [36][38] - 全球半导体设备市场预计将从2024年的1255亿美元增长至2027年的1505亿美元,年复合增长率约11.3% [5][40] - 中国大陆半导体设备市场在晶圆厂扩产与国产替代推动下,预计将从2024年的491亿美元增长至2027年的662亿美元 [5][40] 核心技术驱动力与公司优势 - **先进制程演进驱动设备需求结构性提升**:逻辑制程从7nm向5nm及以下推进,以及3D NAND层数向200+层及多deck架构演进,使得刻蚀与沉积设备的单晶圆片工艺步数与可服务市场规模提升约1.7-2.0倍 [5][56] - **多重图案化技术增加刻蚀需求**:自20nm节点起,为突破光刻物理极限,普遍采用双重或三重图案化技术,导致刻蚀次数成倍增加 [45][47] - **三维架构成为主流**:晶体管向FinFET、GAA、CFET等三维结构演化,制造瓶颈从光刻转向沉积与刻蚀环节,相关设备投入呈倍数级抬升 [52] - **公司刻蚀技术优势**:公司已形成覆盖CCP、ICP、单/双反应台在内的共三代18种完整刻蚀机型体系,在65nm-5nm及更先进节点稳定量产,并针对超高深宽比刻蚀(如40:1掩膜刻蚀、60:1以上介质刻蚀)构建了差异化能力 [57][60] - **薄膜沉积业务成为第二增长曲线**:公司LPCVD、ALD等薄膜沉积新产品相继通过客户验证并形成批量出货,2025年前三季度该业务收入约4亿元,同比增幅超1300% [5] - **外延设备加速商业化**:硅及SiGe外延设备已陆续导入头部客户的量产验证环节 [5]
三星4nm良率达70%! 成功拿下大单!
国芯网· 2025-12-08 12:53
三星电子代工业务进展 - 三星电子获得美国AI芯片初创公司Tsavorite的订单,将采用其4nm制程工艺为后者代工AI芯片,订单金额超过1亿美元 [2] - 三星电子持续推进4nm工艺的良率提升,近期已提高至60%-70%水平 [4] - 今年10月,三星还成功获得了特斯拉自动驾驶芯片"AI5"的代工订单 [4] - 三星正在加速推进3nm与2nm工艺的良率改善,其首款采用2nm GAA技术的芯片组Exynos 2600良率已达50% [4] - 未来特斯拉的AI6芯片也将采用三星2nm工艺代工 [4] Tsavorite公司及其产品 - Tsavorite的AI芯片被设计为"全功能处理单元",旨在成为下一代AI芯片 [4] - 其特点在于将CPU、GPU与DRAM集成于单一芯片,并能根据不同市场与应用需求,在功耗、性能与扩展性上进行灵活配置 [4] - 今年11月,该公司已宣布获得来自全球财富500强企业、主权云服务商及系统集成商等客户超过1亿美元的预购订单 [4] 行业竞争格局与三星前景 - 随着市场对3nm及2nm等先进制程的需求增长,三星可能为4nm工艺提供更具竞争力的定价策略,从而进一步巩固其市场地位 [4] - 在当前台积电面临产能紧张与价格压力、引发部分大客户不满的背景下,半导体代工市场的现有格局可能出现变化 [4] - 三星若能在明年顺利量产下一代先进制程产品,或将奠定其未来五年在代工市场的重要地位 [4]
2026年半导体用八氟环戊烯(C5F8)行业市场调查与投资建议分析
搜狐财经· 2025-12-01 10:54
产品本质与特性 - 八氟环戊烯(C5F8)是一种不饱和全氟烯烃类有机氟化合物,常温常压下为无色气体,具有不易燃、低沸点(约27℃)、高纯度和高热稳定性等特性[2] - 其核心应用是半导体行业的等离子蚀刻工艺,特别适用于先进集成电路制造中的高深宽比结构(如FinFET、3D NAND)刻蚀,能实现高精度、高选择性加工[2] - 与传统含氟蚀刻气体(如CF₄、C₂F₆)相比,C5F8将硅基底与光刻胶的选择比提升至15:1以上,实现0.1微米级线宽控制,形成88°垂直侧壁角度,并减少67%的全氟化合物排放[2] 市场规模 - 2025年全球半导体用八氟环戊烯市场规模已达约1.9亿美元[3] 竞争格局与产品类型 - 全球市场主要企业包括Linde Gas、Taiyo Nippon Sanso、Air Products[5] - 产品按纯度分为4N级(纯度99.99%)和3N级(纯度99.9%),4N级适用于14纳米至7纳米先进制程,是主流产品类型,占据全球市场主要份额[5] - 3N级多用于28纳米及以上成熟制程或半导体封装环节,定制化高纯度产品针对特殊研发场景,市场占比较小[6] 下游应用 - 蚀刻工艺是绝对核心应用场景,其他应用占比不足5%[6] - C5F8在等离子蚀刻中通过与硅材料反应精准去除晶圆表面多余部分,尤其适用于3D NAND存储芯片的多层堆叠结构和FinFET晶体管的鳍部加工[6] - 与六氟丁二烯(C4F6)共同构成先进制程蚀刻气体的核心组合,已在台积电、三星、英特尔的7纳米及以下生产线规模化应用[6] 行业驱动因素 - 先进制程渗透率提升推动需求,全球芯片厂商加速向7纳米、5纳米甚至3纳米制程迭代,高深宽比结构蚀刻对C5F8依赖度增加,单条先进制程生产线气体消耗量是成熟制程的2-3倍[6] - 环保政策收紧,《京都议定书》对全氟化合物排放管控趋严,传统蚀刻气体因温室效应强逐步被替代,C5F8符合全球双碳趋势[6] - 半导体产业区域扩张,中国、印度等新兴市场加大晶圆厂投资,北美、欧洲通过政策补贴吸引芯片制造回流,全球产能扩张直接拉动C5F8需求[6] 发展趋势与机遇 - 发展机遇聚焦高价值领域与本土创新,包括针对3纳米及以下制程的更高纯度(如5N级)C5F8研发[6] - 国产替代深化,中国本土企业可依托政策支持,加强与国内晶圆厂联合研发,从成熟制程向先进制程突破,并拓展东南亚、印度等新兴市场[6] - 产业链协同,向上游延伸布局原材料生产,向下游提供气体+设备+服务一体化解决方案,可降低供应链风险,提升产品附加值[6]
Intel偷塔英伟达,比Google狠多了,直接挖角台积电核心人物
钛媒体APP· 2025-11-29 16:15
文章核心观点 - 英伟达维持极高利润的底层商业逻辑正面临来自竞争对手和关键合作伙伴内部变动的双重冲击 [1] - 谷歌通过将自研TPU推向客户自建机房,试图从算力底层改写规则,正面蚕食英伟达GPU预算 [1] - 台积电前资深副总裁罗伟仁转投英特尔事件,可能动摇英伟达对先进制程“准独享”这一核心护城河,进而影响其高毛利率的可持续性 [2][4][5] 竞争格局变化 - 谷歌采取表面温和、实则进攻性的路线,将TPU从GCP云租推向客户自有机房的on-prem部署,为市场提供可蚕食英伟达GPU预算的第二选择 [1] - 英特尔通过吸纳台积电关键人才罗伟仁,意图在先进制程上缩小差距,改变其落寞局面 [2] - 微软、AWS等云巨头已将部分自研AI芯片交由英特尔18A工艺生产,Google和AMD也在测试评估该工艺,竞争对手在工艺和产能上正逼近英伟达 [7] 英伟达核心优势与风险 - 英伟达核心优势在于顶级GPU架构与台积电先进制程及CoWoS高端封装的紧密结合,形成了“准独享”格局 [5] - 截至2026财年三季度(截至2025年10月26日),公司季度营收达570亿美元,其中数据中心业务为512亿美元,非GAAP毛利率高达73.6%,单季净利润超过318亿美元 [5] - 公司高度依赖与台积电的深度绑定关系,黄仁勋曾公开表示“没有台积电,就没有今天的英伟达” [5][6] 罗伟仁事件影响分析 - 罗伟仁在台积电任职超过20年,深度参与7nm至2nm关键工艺的研发与量产,并对技术、制造、客户需求均有深刻理解,其价值在于“技术+制造+客户”三端贯通 [3][4] - 该事件可能加速“第二家可用的顶级代工”出现,若英特尔在工艺和封装上缩小差距,英伟达凭借工艺垄断维持高毛利的逻辑将受到挑战 [6][7] - 事件动摇了市场对“英伟达+台积电”供应链长期稳定性的预期,工艺know-how的快速流动可能使英伟达的工艺优势折现价值需向下修正 [8] 行业格局演变趋势 - 算力产业链上游可能从“英伟达+台积电”的集中模式,转向“英伟达+AMD+Intel+云厂商自研”的分散式合作格局 [8] - 工艺维度差距一旦被压平,行业竞争将更侧重于架构、生态和单价,英伟达收取“英伟达税”的议价能力可能被蚕食 [7][8] - 台积电对罗伟仁的激烈反应,反映出其对下一代制程经验(如2nm、A16、A14)可能快速外溢的担忧 [5][8]
1.4nm争霸战,打响
36氪· 2025-11-28 11:45
2纳米制程的战略意义 - 2纳米是集先进制程、EUV集群、GAA晶体管、先进封装、供应链与地缘政治于一体的关键节点,被视为AI时代算力主权的门槛 [1] - 全球正围绕建设2纳米晶圆厂展开资本与国家战略竞赛,主要参与者包括台积电、英特尔、三星和日本Rapidus [1] 台积电的2纳米布局 - 公司在台湾的2纳米布局已从七座厂升级为十座厂构想,包括新竹宝山2座、高雄楠梓5座、南科特定区3座,新增三座厂成本约9000亿新台币 [2] - 海外扩张方面,计划将美国亚利桑那州投资总额提高至1650亿美元,用于三座厂、两座先进封装厂和一个大型研发中心 [2] - 先进制程扩产逻辑是为头部客户服务,2纳米家族将长期服务于AI GPU/加速卡、高端CPU/GPU/AP及部分高端手机SoC [2] - 最领先的节点技术重心仍放在台湾本岛,海外厂主要用于获取补贴和锁定本地客户 [3] - 公司正评估在台湾再建多达12座先进制程与封装新厂,重点为2纳米与1.4纳米,台中A14厂区的1.4纳米厂已获建设许可,目标2028年量产 [7] 英特尔的18A工艺进展 - 18A工艺在晶体管密度、功耗和性能上可与台积电N2家族竞争,过去七八个月良率曲线稳步攀升,已于2024年10月正式启动生产 [4] - 预计在2025年第四季度达到大规模量产所需良率门槛,计划从2026年起将生产逐步切换到亚利桑那Fab 52厂 [4][6] - 资本结构上带有“国家队”色彩,美国政府通过CHIPS法案获得公司约9.9%股份,成为最大单一股东,英伟达也以50亿美元认购公司普通股进行战略背书 [13] 三星的2纳米策略 - 2纳米工艺良率已攀升至55–60%区间,计划将月产能从2024年的8000片晶圆增加163%至2025年底的21000片晶圆 [9] - 晶圆厂主要位于韩国华城和美国德州泰勒,泰勒厂总投资规模约370–400亿美元 [9][14] - 关键转折点是拿下特斯拉价值165亿美元、为期8年的AI6芯片代工协议,此外还获得两家中国加密货币矿机厂商的订单 [9][10] - 策略特点包括用“难啃客户”累积履历,以及以利润承压换取产能爬坡,目标在两年内使晶圆代工业务回到盈利并夺取20%市场份额 [10] 日本Rapidus的独特路径 - 公司体量小但政府期待高,计划在2027财年下半年开始2纳米芯片量产,并迅速推进第二座工厂建设以生产1.4纳米产品 [12][16] - 采用单晶圆处理技术路径,每片晶圆独立加工和量测,以换取对良率和缺陷的更精细控制 [17] - 第二座工厂总投资预计超过2万亿日元,资金主要来自政府支持、银行贷款及民间企业投资 [16] - 对日本政府而言,公司是系统性工程,承担在日本本土重建2纳米级制造能力的象征性任务 [17] 全球竞相建设2纳米厂的驱动逻辑 - 技术与经济逻辑:2纳米是AI时代的“能源基础设施”,能以更高晶体管密度和更低功耗支撑每瓦算力提升,在AI基础设施单位资本支出上具优势 [18] - 资本与产业链逻辑:单座厂成本达80–100亿美元,需靠“政策+头部客户”捆绑模式支撑,建厂已成为国家产业政策的执行工具 [18][19] - 地缘政治逻辑:各国政府通过直接入股、补贴等方式介入,掌握2纳米产能被视为在未来10年AI算力游戏中占据话语权的关键 [19] 2纳米产能扩张的潜在影响 - 最直接利好半导体设备商和上游材料与耗材供应链,涉及EUV光刻、沉积、刻蚀、清洗、量测检测、封装等相关设备与材料 [22] - 待良率跑顺后,先进封装与测试链将长期利好,2纳米产能扩张同步拉动先进封装、测试、基板等需求 [22] - 对英伟达、苹果、AMD、高通、特斯拉等大客户而言,多家2纳米厂商并进提供了更多议价与第二供应源选择空间 [23]