存储器行业市场表现 - 2025年1月14日，存储器指数出现强势拉升行情[1] - 行业成分股普遍表现亮眼，其中佰维存储股价涨停[1] - 江波龙股价上涨4.81%，德明利股价上涨3.97%，北京君正股价上涨3.42%，恒烁股份股价上涨3.38%[1]

论文技术要点 - DeepSeek发布新论文提出“条件内存”作为大语言模型稀疏性的新维度 [1] - 论文通过引入Engram模块实现条件记忆 该模块类似“字典”功能 [1] - 现有Transformer架构缺乏原生知识查找机制 需通过昂贵计算模拟检索 浪费模型深度 [1] - 条件记忆与MoE（混合专家模型）的条件计算形成互补 [1] - Engram模块在等参数、等算力条件下显著提升模型在知识调用、推理、代码、数学等任务上的表现 [1] Engram模块技术细节 - Engram模块是一个巨大的、可扩展的嵌入表 [2] - 其功能是给Transformer增加一个外接记忆库 [2] - 模块将当前token附近的一小段内容 以快速、省参数的方式在超大的静态记忆表中查找对应内容 [2] - 采用分层存储设计 将高频访问的嵌入缓存于更快的存储介质中（如GPU HBM或主机DRAM） [2] - 将大量低频的长尾模式存放在容量更大但速度较慢的存储介质中（如SSD） [2] - 分层设计使Engram能够扩展到极大规模的记忆容量 同时将有效访问延迟的影响保持在最低水平 [2] 存储行业展望 - 未来2年NAND行业资本开支可能有限 头部厂商在扩产方面可能保持相对克制的水平 [2] - 三星、美光与SK海力士的资本开支有望持续向HBM倾斜而非NAND [2] - 未来AI应用有望推动SSD用量保持高速增长态势 [2] - 叠加全行业资本开支可能有限 NAND与SSD供不应求有望持续 迎来较长的景气周期 [2] 相关公司动态 - 佰维存储预告年报净利润8.5亿元-10亿元 同比增长427.19%-520.22% [2] - 江波龙已推出多款高速企业级eSSD产品 覆盖480GB至7.68TB的主流容量范围 [3]

公司业绩预告 - 公司预计2025年度实现归属于母公司所有者的净利润为8.5亿元至10亿元 [1] - 预计净利润将较上年同期增加68876.66万元至83876.66万元 [1] - 预计净利润同比增幅为427.19%至520.22% [1]

涉及的行业与公司 * **行业**：全球及中国存储行业，特别是NAND闪存与固态硬盘市场，以及AI数据中心相关领域[1] * **公司**： * **国际巨头**：三星、美光、SK海力士、铠侠、西部数据（闪迪）[6][7] * **国内半导体设备商**：北方华创、中微公司、精仪装备、微导纳米、拓荆科技[3][9] * **国内芯片设计商**：连云科技（主控芯片）、普冉股份、聚辰科技（存储芯片）[3][10] * **国内存储封测与模组厂商**：深科技（封测）、江波龙、德明利、同有科技、佰维存储、通富科技、湘能信创[3][10][13] 核心观点与论据 * **AI需求驱动存储结构变革与需求增长** * AI推理（如RAG技术、KV缓存）提升了对活跃数据的存储需求，预计RAG和KV缓存分别带来**百EB级别**的增量[1][4] * 数据存储结构从传统的热:温:冷=**2:3:5**，演变为热温两层或热温冷两层**3:7**的比例[1][4] * 到2030年，全球年产生数据量预计较2020年增长**23倍**[4] * **SSD相比HDD在AI数据中心具备显著优势** * **性能**：企业级NVMe SSD连续读取速度可达**14,000 MB/s**，是机械硬盘（**100-300 MB/s**）的**数倍以上**[1][5] * **功耗**：SSD功耗显著低于HDD，更适应新型AI数据中心对低功耗的要求[1][5] * **耐久性**：在高工作负载下，SSD耐久性远超HDD[5] * **全球NAND与SSD市场有望迎来较长景气周期** * **供给侧高度集中且扩产克制**：行业CR6达到**100%**，由少数巨头垄断[1][6]；巨头资本开支向HBM领域倾斜，对NAND的投入不会快速释放[1][7]；预计2026年行业资本开支虽较2023年低点回升，但仍显著低于**2020-2022年**水平[1][8] * **需求侧高速增长**：AI应用持续推动SSD用量高速增长，预计2025年全球闪存芯片比特出货量将达**1,000 EB**量级[1][8] * **国内存储产业链国产替代进程加快，相关企业深度受益** * 国内企业级SSD与NAND国产替代进程加快，优化供应链结构，增强本土品牌竞争力[1][7] * 国内产能扩充将拉动半导体设备等领域需求[9] 其他重要内容（公司动态与风险提示） * **国内公司技术突破与业务进展** * **北方华创**：在高端逻辑及存储芯片领域实现技术突破，其先进低压化学气相硅沉积立式炉设备已在先进逻辑与存储芯片制造中实现**规模化量产**并持续获得重复订单[2][11] * **中微公司**：2025年前三季度刻蚀设备收入**同比增长38%**；用于下一代存储和逻辑客户的ICP刻蚀及化学气相刻蚀设备取得良好进展；金属刻蚀12寸设备已顺利复运国内重要集成电路厂商[12] * **江波龙**：发布基于**LPDDR5**和CMA模块化设计的创新企业级内存产品；自研**WM6,000系列** eMMC主控芯片体现优势[2][13] * **德明利**：产品在AI及数据中心场景中经过验证，成功进入头部云厂商核心供应链，成为**阿里云生态合作伙伴**，部分定制化产品已实现批量交付[13] * **需关注的风险因素** * AI落地不及预期[14] * 技术迭代速度不及预期[14] * 国产化进展不及预期[14]

内存价格暴涨现象 - 消费级32GB内存条价格从去年年初不到800元涨至2200元以上，价格几乎翻了三倍 [2] - 服务器级256GB DDR5内存条售价超过4万元，部分高频率型号突破6万元大关 [2] - 内存价格涨幅超越黄金，行业人士称从业多年未见如此涨势 [2][4] 价格上涨的驱动因素 - 全球内存价格在2025年第三季度同比上涨171.8%，同期国际金价涨幅为110% [6] - 需求端：AI产业爆发式增长，AI服务器内存需求是普通服务器的8倍，挤压了消费级内存供应 [11] - 供给端：三星、美光、SK海力士三大厂商将产能转向高利润的HBM和DDR5，导致消费级内存产能减少 [11] - 行业预测供不应求将成为常态，涨价潮可能持续至2026年下半年才缓和 [11] 对上游存储厂商的影响 - 三星2025年第三季度存储业务创下历史新高 [11] - 美光2026财年第一季度调整后营收同比增长57% [11] - SK海力士实现了39%的收入增长和62%的利润增长 [11] - 三星、SK海力士和美光在消费级DRAM市场占据93%以上份额，在HBM市场占据接近99%份额 [13] 对下游终端制造商的影响 - 内存成本占主流手机和电脑硬件成本的10%至20% [12] - 小米17 Ultra起售价涨至6999元，比前代贵500元，各版本平均涨幅7%-9% [12] - 2025年iPhone 17 Pro Max中内存成本占硬件总成本比例已超10%，部分高端机型超20% [13] - 因生产成本上涨，机构预测2026年全球智能手机出货量可能下降2.1% [13] 市场格局与国产化挑战 - HBM产能已被英伟达、微软、谷歌等大客户锁定，中国厂商难以获得稳定货源 [15] - 国内厂商长鑫存储和长江存储面临技术壁垒和设备封锁的挑战 [15] - 长江存储在设备国产化方面取得进展，国产化率提升至45% [15]

文章核心观点 - 全球HBM市场由三星、SK海力士和美光三家巨头主导，其未来三年的战略布局将深刻影响全球AI产业的演进 [2] - 2026年是HBM4世代决战之年，三星、SK海力士和美光将围绕技术、产能和商业模式展开激烈竞争，争夺市场份额和产业链话语权 [3][26][29] HBM市场格局与竞争态势 - 2025年第一季度，全球DRAM市场出现历史性转折，SK海力士以约36%的营收份额首次超越三星电子（34%），美光以25%位居第三，这是自1992年以来三星首次失去市场第一的位置 [5] - HBM是DRAM的颠覆性封装形式，通过硅通孔技术堆叠芯片，带来极高带宽和能效，是AI算力的关键 [6][7] - 2025年第三季度，SK海力士全球HBM出货量占比高达60%，远超美光（22%）和三星（17%），营收占比也达到57%，稳居全球第一位 [7] - 美国银行预计，2026年全球HBM市场规模将飙升至600亿美元，较上年暴增近60% [22] - 美光预测HBM的总潜在市场规模将在2030年增长至约1000亿美元 [22] - 高盛预计用于定制ASIC芯片的HBM需求在2026年将飙升80%，占据整个HBM市场份额的三分之一 [22] 技术代际演进与竞争 - SK海力士在HBM技术上具有先发优势，早在2010年代初就投入研发，并在2023年8月率先推出HBM3E产品，2022年凭借HBM3产品为英伟达H100独家供货 [7] - 三星在HBM领域一直被SK海力士压制，但正凭借庞大的技术体系和制造能力发起全面反击，计划在2026年第一季度开始量产HBM4 [10] - 2026年，HBM3E仍将占据总出货量的三分之二，是绝对的市场主力，HBM4的份额将逐步爬升 [23] - HBM4采用了更复杂的工艺，其制造成本本身增加了约30% [22] - SK海力士与英伟达达成的HBM4协议，单价较HBM3E涨幅超50% [22] - 在AI服务器中，HBM4很可能占据英伟达下一代GPU总成本的25%，并推动AI芯片整体涨价15% [22] 三星的激进扩张战略 - 三星计划在2026年将其HBM月产能大幅提升近50%，从目前的约17万片晶圆增至约25万片，并将投资重心全力押注HBM4 [10] - 2025年三星DRAM月总产能约70万片，全球最高，远超SK海力士的50万片、美光的40万片 [10] - 三星扩产的信心来源于英伟达于2025年10月确认将采用其HBM4 [15] - 三星的扩产路径包括改造现有DRAM产线和在平泽P4晶圆厂集群建设新产线 [15] - 三星的目标是为其HBM4产品拿下英伟达下一代Rubin的供应资格，并与SK海力士同价（合约报价在500美元中段） [17] - 市场预计，三星2026年的HBM市场份额将突破30%，销售额有望实现三倍增长 [17] - 摩根士丹利预测，三星电子2026年的EPS可能较2025年暴增超过150% [25] 三大厂商的核心竞争策略 - **SK海力士**：作为“技术代差”的守卫者，试图巩固HBM3E优势并全力冲刺HBM4量产，以保持技术领先 [28] - **三星**：作为“全产业链”的反击者，凭借从设计、制造到封测的垂直整合能力，依靠内部协同效率和规模效应进行反击 [10][25][28] - **美光**：作为“效率聚焦”的颠覆者，集中资源在关键节点突破，其商业模式是将HBM产能视为对传统DRAM产能的置换，置换比例高达3:1甚至更高 [28]

公司发展历程与现状 - 广东博观科技有限公司于2012年4月成立，注册资金1000万元，专注于闪型存储器芯片研发 [4] - 公司曾被视为“国产替代希望”，其高速、低功耗闪型存储器项目被纳入国家重点扶持产业名单 [5] - 公司于2025年12月29日完成破产财产分配，并于2026年1月4日由珠海市中级人民法院公告破产程序正式终结 [1] 公司技术实力与布局 - 公司技术团队由海归博士带队，成员拥有美国顶尖高校研究所及跨国芯片企业背景，掌握国际领先的存储器芯片核心技术 [4] - 公司具备从研发、测试到量产的一整套流程能力，并在上海设立研发工作站，在美国硅谷搭建专家协作团队以对接全球前沿技术 [4] - 公司以“成为智能存储器系统提供商和世界级设计研发公司”为目标，旨在通过技术创新打破国外垄断 [5] 行业普遍挑战与困境 - 半导体存储行业具有“烧钱多、周期长”的特点，企业需持续投入巨额研发资金并面临漫长的市场回报周期，资金压力巨大 [5] - 行业受高成本、原材料供应集中等因素制约，即使有政策扶持，企业也需克服产能利用率、供应链稳定等难关 [5] - 国产半导体存储领域企业普遍面临融资后难以盈利、核心原材料进口“卡脖子”、激烈价格战导致利润微薄等挑战 [6] 行业宏观背景与展望 - SEMI报告预测，到2027年全球半导体设备销售额可能达到1560亿美元，创历史新高 [6] - 人工智能投资正带动先进逻辑、存储和先进封装技术快速发展，中国大陆在设备采购上预计能保持全球前三 [6] - 博观科技的案例表明，国产半导体替代之路充满挑战，企业需在技术研发、资金管理、供应链布局上夯实基础，并需要政策与市场的持续支持 [6]

内存市场进入“超级牛市”周期 - 自2025年下半年以来，内存市场进入“超级牛市”新周期，各类内存条价格涨幅普遍超过2倍，价格已超越2018年历史高点 [1] - 内存条核心组件存储芯片正进入“超级牛市”阶段，2025年第四季度存储芯片价格已暴涨40%至50% [4] - 市场研究机构预计，2026年第一季度存储芯片价格将再涨40%至50%，第二季度涨幅预计为20% [4] 消费级市场价格飙升与现状 - 面向消费电子市场的DDR4和DDR5内存条价格涨幅普遍在1倍到4倍之间，越高端的产品价格涨幅越大 [3] - 具体案例：频率为6000MHz的32G宏碁掠夺者DDR5内存条，半年前售价700多元，当前售价2500多元 [3]；某款金士顿内存条从300多元涨至600多元 [3] - 主流用于手机、电脑等产品的内存条正逐步迈入“千元价位” [1] - 价格涨幅最猛烈的时期是2025年9月到10月，当时各类内存条价格普遍上涨约40%，部分产品平均一天涨价100元 [3] 高价服务器内存与市场区分 - 单条价格超过4万元的256G DDR5服务器内存主要面向企业、科研机构、政府等以招标形式批量采购，几乎不在消费市场流通 [1] - “一盒内存条换上海一套房”的说法更多是噱头，面向消费者的内存不会那么贵 [1] 价格上涨原因与驱动因素 - 价格上涨主要原因是AI服务器抢走了存储原厂（三星、美光、SK海力士）的产能，导致面向手机和电脑的存储产品产能不足 [8] - AI驱动的需求集中于AI Server应用的HBM、高容量DDR5 RDIMM及LPDDR5X，产品仅主要存储原厂可供应，产能扩充前置时间较久 [8] - 存储原厂持续将产能升级至先进制程以争取AI相关产品市占率，同时继续减少成熟制程的产能比重 [8] 未来价格走势预测 - 由于存储原厂削减成熟制程产能，面向消费电子的DDR4、DDR5等内存产品短期内仍将供应紧张，价格有走高空间 [8] - 分析师认为，2026年第一季度各类应用的DRAM合约价将再出现15%以上涨幅，第二季度后涨幅逐渐收敛，涨势或延续至2026年下半年 [8] 对华强北商户的影响 - 大部分商户态度喜忧参半：内存条涨价为每笔订单带来更高利润，但销量下滑成为困境 [6] - 部分商铺销量下降九成以上，客流量下滑明显 [6] - 许多专卖内存条的店铺通过将毛利率从5%以下提高到5%至10%，叠加价格上涨，使整体利润与此前勉强持平 [6] - 对从事电脑组装的商铺打击更为严重，组装电脑需求出现断崖式下滑 [7] - 仅有极少数提前囤货的商铺赚取高额收益，大部分商户因难以预判涨势而未囤货，只能抓住部分价差 [6] 对下游产业的冲击 - 内存涨价将冲击下游手机、电脑和汽车市场 [9] - 汽车行业需要与AI、算力中心、手机等多个行业抢夺内存部件，内存成为2025年汽车行业最大的成本压力来源 [9] - 内存涨价的影响可能向整个智能手机与消费电子生态系统蔓延，造成智能手机BOM成本显著攀升，部分机型价格涨幅可能高达15% [9] - 这将波及核心的中高端手机市场，进一步压缩企业利润率 [9]

行业景气度与价格驱动因素 - 存储晶圆与存储器产品价格由存储产业的供需格局决定 [1] - 晶圆价格上涨反映的是存储产业整体景气度的回升，而非孤立的成本变动 [1] 企业核心竞争力 - 具备研发能力、产品竞争力及供应链韧性等综合优势的企业，能够更有效地将行业景气转化为可持续的盈利优势 [1]

文章核心观点 - 全球存储芯片市场自2025年三季度以来出现“史诗级”涨价潮，其核心驱动因素已从传统的PC和手机需求转变为人工智能（AI）应用带来的爆发性需求，特别是“以存代算”模式显著提升了存储芯片的价值和需求[9][40][43] - 存储芯片的供需矛盾（供给扩产周期长、需求波动爆发性强）是价格剧烈波动的根本原因，本轮涨价预计将持续至2026年上半年[13][37][38][15] - 存储芯片涨价重塑了产业链利润分配，国际存储巨头（三星、美光、SK海力士）利润暴增，而下游终端厂商（如手机、电脑品牌）则面临成本压力与艰难定价抉择[16][17][19][25] - 全球存储芯片市场由美、日、韩厂商垄断，中国企业在AI关键存储（如HBM）领域面临供应受限、技术壁垒和地缘政治等多重挑战，但本轮涨价潮也倒逼并加速了中国存储产业链的国产替代进程[48][56][57][61][68] 存储芯片价格暴涨现状与预测 - 具体产品价格飙升：32GB规格内存条价格从年初不足800元人民币涨至2200多元[4] - 行业价格指数暴涨：2025年第三季度DRAM价格较2024年同期大幅上涨171.8%，涨幅远超同期国际现货黄金（不足110%）[12] - 未来看涨预期强烈：分析机构Counterpoint预测明年年初存储价格还将再涨20%，伯恩斯坦预判涨势或持续至2026年上半年[14][15] - 供给刚性制约：存储产能扩建需2-3年周期，厂商此前未按预期扩产，短期内供需缺口难以填补[13] 对产业链上下游的影响 - **上游存储厂商盈利暴增**： - 三星电子2025年第三季度营业利润达12.16万亿韩元（约85.6亿美元），同比增长32.2%，存储业务销售额26.7万亿韩元创历史新高[17] - 美光2026财年第一财季（截至2025年11月27日）调整后营收136.4亿美元，同比增长57%，净利润54.82亿美元，同比增长58%，第二财季营收展望高达187亿美元（±4亿美元），远超市场预期[17] - SK海力士2025年第三季度销售额24.45万亿韩元，同比增长39%，营业利润11.38万亿韩元，同比增长62%[18] - **下游终端厂商承压**：存储占手机、电脑物料清单（BOM）成本的10%-20%，其涨价直接推高整机成本[23][24] - **终端厂商的艰难抉择**：面临配置不变但利润缩减、缩减配置降低产品吸引力、直接涨价可能影响销量三重困境[26][27] - **实例：小米17 Ultra涨价**：起售价6999元，相比前代涨价500元，各版本平均涨价7%-9%，核心原因之一是内存成本上涨[20][21][22] 存储芯片涨价的驱动因素分析 - **历史驱动因素**： - 供给端：厂商主动减产（如2022-2023年行业低谷期）或意外事件（如2013年SK海力士无锡工厂火灾导致全球DRAM价格大涨42%）导致供应收缩[29][30][31] - 需求端：早期由电脑（如Windows升级）驱动，2010年后由智能手机驱动[33][34][35] - **本轮涨价核心驱动力——人工智能（AI）**： - AI应用阶段普遍采用“以存代算”模式，将中间数据存储复用，减少算力消耗，存储从成本项变为核心性能决定项，价值飙升[43][45] - AI服务器对存储需求激增：一台典型AI服务器对DRAM需求量约为普通服务器的8倍，对NAND Flash需求量约为普通服务器的3倍[45] - AI企业不惜重金抢购顶级存储芯片构建优势，推高需求和价格[46] 全球存储芯片市场竞争格局 - **市场高度垄断**： - DRAM市场：三星、SK海力士、美光三家合计市场份额超过93%[53] - NAND Flash市场：三星、SK海力士、美光、西部数据、铠侠五家合计市场份额超过92%[55] - **AI关键存储（HBM）垄断更甚**：被誉为AI时代“算力血液”的高带宽内存（HBM），99%的市场份额被SK海力士、三星、美光三家垄断[57] - **大客户锁定产能**：英伟达与SK海力士签订2025-2027年超100亿美元的HBM3E/HBM4包销协议，锁定其60%以上HBM3E产能；微软、谷歌、Meta等也通过长期协议提前锁定产能[58][59] 中国存储产业的挑战与机遇 - **面临的挑战与风险**： - 供应受制：在美、日、韩厂商垄断下，中国企业议价能力弱，受“出口管制+产能垄断+技术壁垒”三重制约，难以获得稳定供应，有被“卡脖子”的风险[59][61] - 产业基础薄弱：上游设备与材料环节严重受制于人，存在明显“卡脖子”环节，并面临国际巨头的技术专利壁垒[63] - 资本与人才压力：行业属资本密集型，国内企业投资回报周期长、资本成本高，且存在从研发到工艺的全面人才生态短板[63] - 地缘政治影响：例如2022年长江存储被美国列入实体清单，无法购买生产128层以上3D NAND的先进设备，导致其二期工厂产能从原定10万片/月腰斩至4万-5万片[64][65] - **国产替代进展与机遇**： - 外部压力倒逼国产化加速：长江存储与国内设备厂商协同攻关，至2024年其生产线设备国产化率已显著提升至45%，成为中国大陆设备国产化程度最高的晶圆制造厂[67] - 历史机遇：全球存储产业格局调整与本轮涨价潮，迫使中国企业正视短板、加速技术迭代，为国产替代提供了机遇[68] - 突围路径：需依靠持之以恒的战略投入和全产业链的协同创新[69]