全球半导体供应链调整 - 美国《芯片与科学法案》推动半导体制造业回流，过去三年在28个州投资超过5400亿美元，涉及100多个项目，预计创造50万个就业岗位 [2] - 美国商务部已批准32家公司48个项目的3254亿美元拨款和585亿美元贷款，英特尔获得30亿美元直接资金支持 [2] - 全球芯片供应链正从亚洲向美国转移，马来西亚作为第六大半导体出口国面临结构性挑战 [4] 马来西亚半导体产业现状 - 马来西亚贡献全球13%的芯片封装测试市场份额，6%-7%的半导体贸易需经该国 [4] - 与英国Arm Holdings达成25亿美元许可协议以提升本地设计能力，但地缘政治压力加剧 [4] - 华为昇腾芯片合作言论引发美国关注，导致马来西亚政府澄清未正式参与相关AI项目 [4][5] 地缘政治压力与管制措施 - 美国将马来西亚列入GPU出口限制名单，两年内高端AI芯片出口上限为5万台（后虽取消但管制趋势持续） [6] - 美国议员对英伟达上海研发中心表示担忧，显示对海外合作伙伴审查加强 [7] - 新加坡发生英伟达芯片走私案，涉及中国AI公司DeepSeek，间接影响马来西亚EMS厂商NationGate [5] 马来西亚应对策略 - 半导体行业协会主张同时满足中美需求，寻找替代供应商并提升本地技术能力（如先进封装和AI） [9][10] - 建议企业瞄准数据中心、自动驾驶等AI芯片设计领域，利用中立地位吸引东西方技术合作 [17] - 通过马来西亚先进半导体学院（ASEM）加速人才培养和产学研合作，强化区域一体化 [17] 行业趋势与挑战 - SEMI指出全球供应链碎片化、人才短缺及监管问题是三大核心挑战，需政企协同解决 [13][14] - 半导体格局分裂为美国"蓝硅"和中国"红硅"两大阵营，东南亚因年轻人口和数字化成为新需求中心 [15] - 马来西亚需通过本地化政策（如30%要求）刺激内需，定位为区域创新先锋而非追随者 [15][17] 未来展望 - 马来西亚面临在中美间选边的压力，但双轨外交（平衡安全与经济关系）仍被视为可行策略 [17][18] - 行业认为保持中立需增强内部韧性，抓住技术脱钩中的"服务不足市场"机遇 [15][17]

HBM技术发展路线图 - HBM4(2026)数据速率8Gbps 输入输出通道2048 带宽2TB/s 单die容量24Gb 堆叠层数12/16-Hi 总容量36/48GB 功耗75W 采用微凸块(MR-MUF)和直接芯片冷却(D2C)液冷技术 架构为HBM-LPDDR混合并包含基础计算功能 [2] - HBM5(2029)带宽提升至4TB/s 单die容量40Gb 16-Hi堆叠实现80GB容量 功耗100W 引入浸没式冷却 架构升级为3D NMC-HBM并集成缓存和CXL功能 [2] - HBM6(2032)数据速率翻倍至16Gbps 带宽达8TB/s 单die容量48Gb 16/20-Hi堆叠实现96/120GB容量 功耗120W 采用无凸块铜-铜直接键合技术 架构演进为多塔式HBM [2] - HBM7(2035)带宽跃升至24TB/s 单die容量64Gb 20/24-Hi堆叠实现160/192GB容量 功耗160W 架构升级为混合HBM并集成网络交换功能 [2] - HBM8(2038)数据速率32Gbps 输入输出通道16384 带宽64TB/s 单die容量80Gb 总容量200/240GB 功耗180W 采用双面冷却和全3D计算架构 [2] HBM技术架构演进 - HBM4基础芯片将首次集成数据压缩 纠错和基础通信处理等计算功能 减轻GPU工作负载 [3] - 从HBM6开始采用多塔架构 多个HBM堆栈分组连接共享计算基座 显著提升带宽和容量 [4] - HBM8将实现全3D计算架构 采用HBM中心化互连和边缘扩展技术 集成存储网络功能 [2] 行业竞争格局 - 韩国企业在HBM5及后续版本有望从技术跟随者转变为架构定义者 打破现有科技巨头的标准垄断 [4] - 三星和SK海力士等韩国芯片制造商将获得定制化HBM芯片的市场机遇 满足客户特定工作负载需求 [4] 技术挑战 - 热管理成为关键瓶颈 HBM6开始需要采用浸没式冷却 HBM8将部署嵌入式冷却等先进散热方案 [4] - 在先进冷却技术成熟前 通过将计算组件移至内存堆栈顶部来优化散热效率 [4] 市场影响 - HBM技术路线图显示单die容量将从24Gb(2026)增长至80Gb(2038) 复合年增长率约18% [2] - 堆叠容量从36GB(2026)提升至240GB(2038) 带宽从2TB/s(2026)扩展至64TB/s(2038) [2]

半导体晶圆市场概况 - 2023年半导体晶圆市场价值为1757亿美元，预计到2032年将达到2673亿美元，2025-2032年复合年增长率为480% [1] - 增长驱动因素包括技术创新、消费电子应用扩大及先进制造工艺投资增加 [1] 技术进步驱动因素 - 微电子和纳米技术进步推动市场增长，EUV光刻和3D堆叠技术提升芯片性能和生产效率 [2] - 晶圆尺寸从200mm向300mm过渡，450mm晶圆处于探索阶段，可降低单芯片成本并提高良率 [2] 消费电子应用 - 智能手机、平板、可穿戴设备及智能家电需求增长是主要驱动力，5G、AI和IoT普及增加高质量晶圆需求 [3] - 硅晶圆仍是芯片制造主流，砷化镓和碳化硅在高频高功率应用中日益重要 [3] 汽车行业需求 - 电动汽车和自动驾驶技术普及创造新机遇，传感器、微控制器及电源管理系统需求激增 [4] - 碳化硅和氮化镓等宽带隙材料在电动动力总成和充电系统中应用扩大，推动晶圆材料多样化 [4] 区域市场格局 - 亚太地区主导全球半导体晶圆生产和消费，中国大陆、台湾、韩国和日本拥有领先制造商和代工厂 [5] - 北美和欧洲正投资本地化供应链，形成更均衡的全球增长格局 [5] 战略投资与合作 - 行业通过并购、产能扩张及新建晶圆厂（如欧美项目）应对需求增长和供应链风险 [6] - 制造商与终端用户合作推动晶圆材料、设计及加工技术创新 [6] 未来展望 - 技术融合、需求多样化及地缘政治战略将维持市场增长，数字化转型依赖高性能晶圆 [7] - 研发投入、材料创新及产能扩张是把握未来机遇的关键 [7]

来源：内容转自 TrendForce，谢谢 。 根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季因国际形势变化促使终端电子产品备货提前启 动，以及全球各地兴建AI数据中心，半导体芯片需求优于以往淡季水平，助力IC设计产业表现。 第一季前十大无晶圆IC设计业者营收合计季增约6%，达774亿美元，续创新高。 以下文章来源于TrendForce集邦 ，作者TrendForce TrendForce集邦 . TrendForce集邦咨询是一家全球高科技产业研究机构，研究领域横跨存储器、AI服务器、集成电路与半 导体、晶圆代工、显示面板、LED、AR/VR、新能源（含太阳能光伏、储能和电池）、AI机器人及汽 车科技等，提供前瞻性行业研究报告、产业分析 如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ | (unit: US$M) | | --- | | Ranking | Company | | Top 10 Fabless Revenue | | Revenue Performance | | Top 10 Revenue Share | | --- | --- | --- | --- | --- | --- | ...

产学研合作 - 东京大学与台积电联合开设芯片研究实验室，聚焦材料、器件和设计研究，并开展芯片原型设计教育 [2] - 这是台积电首次在中国台湾以外与大学建立联合实验室 [2] - 实验室位于东京大学主校区，将为博士生提供教育支持和实习项目，研究成果将被台积电研发和制造业务利用 [4] 合作背景 - 双方合作始于2019年，已共同开展21个项目 [5][6] - 2019年合作重点为开发节能专用半导体，以应对AI处理需求增长带来的数据量增加 [5] - 日本正致力于重塑芯片产业，近年来加强了与台积电的联系 [7] 台积电在日布局 - 台积电在熊本县菊阳町的首家工厂已于2023年12月投产 [8] - 第二家工厂计划2024年下半年开工，原计划第一季度开工但被推迟 [8] - 熊本县政府希望引进第三家能生产尖端芯片的台积电工厂 [9] 政府支持 - 日本政府已提供超过1万亿日元（69亿美元）补贴支持台积电前两家工厂建设 [9] - 更多日本学校正在加强芯片相关教育项目，包括熊本大学 [9]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 转载自快科技 。 全球首款L3级算力的AI汽车小鹏G7已于昨晚开启全球首秀预售。预售仅46分钟，小鹏G7小订就突 破了10000台。 参考链接 https://news.mydrivers.com/1/1053/1053404.htm 点这里加关注，锁定更多原创内容 今日，小鹏G7也在香港车博会上亮相，引发大量用户围观。车辆最核心的亮点就是首发搭载了小 鹏自研的图灵AI芯片，并且一次性用上了三颗，带来了行业首个L3级算力平台。 在媒体提问下，何小鹏现场揭秘G7的三颗图灵芯片位置在哪里。 何小鹏打开小鹏G7车门后介绍，芯片加上内存后，被包装在域控制器里面。在车辆中控扶手下方 的域控制器内，配备有两颗图灵芯片，是用来跑自动驾驶的；副驾手套箱里面，还有一颗图灵芯 片，是负责语音控制和整车大脑。 据了解，小鹏自研图灵AI芯片拥有40核处理器、最高30B可运行模拟参数、2xNPU自研神经网络 处理大脑、DSA集成神经网络特定领域架构、2个独立图像ISP，拥有超2000Tops全本地算力支 撑。 目前行业主流算力约在80～700TOPS，但小鹏G7直接把行业旗舰的算力 ...

STM32产品线发展概况 - STM32系列已发展为五大类别、二十多系列MCU产品，凭借高性能、低功耗、高集成度和易开发优势成为消费和工业市场标杆[1] - 公司在嵌入式处理领域保持通用微控制器市场第一地位，2024年Q2起市场份额持续增长[3] - 2025-2026年计划推出18条40纳米及以下嵌入式非易失性存储器技术新产品线，2025-2027年40纳米以下先进工艺产品比例将翻倍[4] 中国本地化战略 - 实施"在中国，为中国"战略，打造本地化创新设计制造体系[5] - 与三安光电合资建立重庆SiC前端制造厂，成为首家在华生产碳化硅的全球半导体企业[6] - 与华虹半导体合作开展MCU前端制造，派遣百名专家进行技术转移，首款40nm工艺MCU将于2025年底量产[7][8] - 建立双供应链体系，确保国内外产品品质完全一致[9] STM32C0系列产品 - 定位取代中高端8位平台，设定STM32最低价格点，提供远超8位架构性能[11] - 采用90纳米工艺和Cortex M0+内核，主频48MHz，算力44 DMIPS，CoreMark测试114分[12] - 提供12种封装类型，最小WLCSP12封装仅1.42×2.08毫米[12] - 包含C011/C031/C051/C071/C091/C092六个子系列，差异主要在Flash/RAM容量及外设配置[15][16] - 配套开发板价格仅几十元人民币，支持STM32CubeMX图形化开发工具[17] 低功耗STM32U系列 - U3系列采用近域值设计，核心电压降至0.65V，动态功耗显著降低[24] - 实现117 Coremark/mW能效，是U5系列2倍、L4系列5倍[24] - 支持105℃高温，新增自适应电压调节AVS技术[24][27] - 增强设备身份验证和反克隆安全功能[27] - 提供完整生态支持包括Nucleo开发板和Cube系列软件工具[30] STM32MP系列MPU - MP23系列优化成本，支持DDR4内存，性能优于MP1系列[35] - 分为235/233/231三个子系列，支持三类封装实现P2P兼容[37] - 配套STPMIC2电源管理芯片，提供参考设计和扩展板支持[41] - 计划2023年底推出成本更优MP21和性能更强MP27[43] - 覆盖工业应用90%需求场景，产品线完整度达工业级标准[43] 无线STM32Wx系列 - WBA6支持蓝牙/Matter/Thread/Zigbee多协议栈[44] - 采用40nm工艺，支持2MB闪存+512KB RAM，提供86个GPIO[48] - 实现10+dBm发射功率，stop 2模式下功耗仅5微安[46][50] - 配套Cube Monitor RF等专用无线开发工具[52][53] - 适用于智能穿戴、智能家居和工业传感器等场景[55] 其他产品亮点 - 边缘芯片STM32N6具备强大NPU和图形处理能力[56] - STM32H5/H7系列提供高性能和以太网/FD-CAN接口支持[56] - TouchGFX 4.25图形框架和STM32Cube新战略方向发布[56]

汽车芯片行业变革 - 汽车行业正从机械系统转向依赖高性能计算的ADAS、信息娱乐系统和芯片集系统，实时处理大量传感器数据[2] - 汽车芯片开发周期从5-7年缩短，技术应用加速，推动5纳米以下设计以提升性能[4] - 汽车芯片质量要求极高，缺陷率需低于百万分之一(DPPM)，追求"零DPPM"目标，使用寿命要求达15年[2][4] 高级驾驶辅助系统(ADAS)发展 - ADAS引领汽车芯片向更小工艺节点发展，从单纯ADAS扩展到软件定义汽车(SDV)中央计算硬件管理[4] - ADAS分为5个级别，目前大多数新车处于L2或L3级别，向更高级别发展需要满足更高安全标准[5][7] - L3级别车辆配备数千个传感器，产生海量数据需实时处理，算法需在控制器激活同时做出决策[7][8] 汽车测试挑战 - 汽车芯片需在-40°C/105°C/175°C三种温度下进行压力测试，通过HTOL和封装级老化测试[9] - 测试需平衡高质量要求(接近零DPPM)与成本控制，使用机器学习异常值检测方法提升质量[9][10] - 电动汽车半导体元件数量从几百个增至5000个，对每个元件质量要求更高[9] 先进节点与芯片集设计 - 先进节点芯片提供更高处理密度和更低功耗，但测试更具挑战性，尤其多芯片组件[5] - 汽车行业开始采用芯片集设计，分解功能到不同技术节点的单个芯片集，提高良率和复用率[12][13] - 48V车载电网关键器件适合模块化Chiplet方法，但先进节点技术对48V电压支持有限[13] 测试技术创新 - 虚拟测试通过数字孪生技术减少实际路测，允许硬件可用前进行软件开发测试[8] - 系统内测试(BiST/LBiST/MBiST)成为汽车芯片必备，测试覆盖率从90%以下提升到98%以上[16] - 声波晶圆检测和白光干涉仪等新技术用于监测晶圆键合质量和凸块下金属界面特性[13][14] 软件定义汽车影响 - 软件定义汽车需要追踪软件对芯片性能影响，通过机器学习监控实时运行条件[17][18] - 汽车12-15年使用寿命要求持续监控和现场反馈，采用数字孪生进行虚拟测试预测性能[19] - 无线更新要求从零时刻起跟踪软件对硬件影响，通过片上监控预防故障和进行预测性维护[18]

全球半导体晶圆代工市场格局变化 - 全球前十大晶圆代工公司2025年第一季总收入为3643亿美元，环比下降54% [1][3] - 市场下滑归因于季节性放缓，但中国消费者补贴计划和美国关税豁免到期前的订单激增部分抵消跌幅 [1] 台积电市场主导地位 - 2025年第一季营收25517亿美元，环比下降5%，但市场份额逆势增长05个百分点至676% [2][3] - 与三星的市场份额差距从59个百分点扩大至599个百分点，进一步巩固领先优势 [2] 三星电子竞争压力加剧 - 2025年第一季营收2893亿美元，环比下滑113%，市场份额从81%降至77% [3][4] - 受中国消费补贴受益有限和美国先进制程限制影响，竞争力被削弱 [4] 中芯国际的快速增长 - 2025年第一季营收2247亿美元，环比增长18%，是前三大厂商中唯一正增长的企业 [3][5] - 市场份额从55%提升至60%，与三星的差距从26个百分点缩至17个百分点 [5] - 增长动力来自应对美国关税的库存策略和中国国内补贴 [5] 其他厂商表现 - 联电（UMC）营收1759亿美元，环比下降58%，市场份额持平为47% [3] - 格罗方德（GlobalFoundries）营收1575亿美元，环比下滑139%，市场份额降至42% [3] - 华虹集团营收1011亿美元，环比下降3%，市场份额微增至27% [3] 未来市场展望 - 2025年第二季预计整体放缓，但中国补贴需求、新智能手机备货及HPC需求将支撑产能利用率 [5][6]

NVIDIA与SOCAMM技术 - NVIDIA委托三星、SK海力士和美光开发SOCAMM记忆体模组，美光成为首家获得量产批准的公司，速度超越三星和SK海力士[1] - SOCAMM由16个堆叠成四组的LPDDR5X芯片组成，采用打线接合方式制造，铜线连接技术可降低发热量，美光宣称其DRAM电源效率比竞争对手高20%[1] - SOCAMM将纳入NVIDIA下一代AI加速器「Rubin」，主要作用是辅助CPU确保AI加速器达到峰值效能[1] 美光的技术优势与市场表现 - 美光较晚采用极紫外光（EUV）曝光设备，但通过设计结构创新提升DRAM效能并控制热量，使其早于三星与SK海力士供货[2] - 美光在三星Galaxy S25系列中成为主要记忆体供应商，并早在2022年率先开发出全球首款LPDDR5X并导入iPhone 15系列[2] - 美光在新加坡、广岛、纽约和台中建设HBM厂，今年资本支出高达140亿美元，显示其技术实力和潜在订单增长[3] SOCAMM技术的应用前景 - NVIDIA下一代AI伺服器将配备四个SOCAMM模组，相当于256颗LPDDR5X芯片[2] - SOCAMM技术可能应用于NVIDIA正在开发的个人超级电脑「Digits」，若普及将大幅提升需求[2] - 业界关注SOCAMM的扩展性，美光凭借低热量技术有望扩大HBM市占率，应对堆叠DRAM芯片的热问题[3] HBM市场动态 - 三大记忆体厂商预计下半年量产12层堆叠HBM4，明年上半年推出16层堆叠HBM4[3] - 美光虽进入HBM市场较晚，但凭借散热管理技术和美国企业地缘优势，可能快速追赶[3]