智能手机相机技术发展 - 智能手机相机采用更大图像传感器和镜头可处理更多光线并解析更多细节 传统彩色滤光片会阻挡约70%入射光线 [1] - 2023年IEEE国际电子设备会议提出三种新方法 通过物理特性创建彩色图像而不阻挡光子 相关技术正从实验室走向商业化 [1] 三星纳米棱镜技术 - 三星为中国小米新款手机提供前置摄像头 采用纳米棱镜技术提高低光性能 该技术利用衍射原理在特定颜色像素中收集更多光线 感光度提升25% [1] Eyeo无滤光彩色相机技术 - Eyeo获得1500万欧元种子轮融资 其技术移除彩色滤光片 图像传感器灵敏度达传统CMOS传感器三倍 [1][2] - 技术原理为通过垂直波导分色器将不同波长光引导至适当像素 像素宽度可缩小至小于0.5微米（智能手机典型像素尺寸一半） 色彩敏感度更接近人眼 [4] - 兼容现有CMOS代工厂工具和工艺 主要挑战在于软件系统兼容性 目标应用包括智能手机、低光安防系统和AR设备 [4] PxE全息成像技术 - PxE技术结合深度感知与彩色成像 在2024年CES展示 采用全息编码器衍射材料层 同时生成彩色图像和深度信息 [1][6][8] - 技术通过记录白光干涉图样 用算法重建3D全息图和彩色图像 硬件设计比分色器更简洁 主要功能依赖软件算法 [8] - 应用场景包括汽车和智能手机等领域 尤其适合已配备独立深度传感器的设备 [8] 技术商业化进展 - 三星纳米棱镜技术已进入手机供应链 Eyeo和PxE均兼容主流CMOS传感器平台 加速商业化进程 [1][2][6] - 两家初创公司技术均瞄准消费电子、安防和AR等市场 但Eyeo预计其技术将优先应用于非智能手机领域 [4][8]

Valve与脑机接口技术发展 - Valve联合创始人Gabe Newell长期探索大脑与电脑连接技术 公司曾研究电子游戏玩家生物反应并考虑在VR头显中集成耳垂监测器 [1] - 2019年游戏开发者大会上 Valve公开讨论脑机接口在游戏领域应用 同年Newell放弃内部开发 转而成立独立初创公司Starfish Neuroscience [1] Starfish Neuroscience技术定位 - 首款产品为定制电生理学芯片 专注于记录大脑活动和刺激治疗 但尚未开发完整植入系统或配套部件 [2] - 芯片设计目标为多区域同步访问 功耗仅1 1毫瓦 采用无线供电 体积2x4mm(间距0 3mm BGA) 显著小于Neuralink产品 [3] - 技术参数包含32个电极位点 16通道同步记录(18 75kHz) 双相脉冲刺激功能 采用台积电55nm工艺制造 [3] 与Neuralink的技术对比 - Neuralink N1植入物含1024个电极 功耗6毫瓦(2019年数据) 需定期无线充电 整体尺寸23x8mm 已进行三例人体植入 [3] - Starfish强调其多区域同步访问特性对帕金森等神经系统疾病治疗更具优势 因这类疾病涉及大脑回路级功能障碍 [3][4] 产品路线图与扩展方向 - 计划2025年底推出首款芯片 正寻求合作伙伴共同开发无线电源和完整植入系统 [2] - 同步研发精准热疗设备(靶向摧毁肿瘤)和机器人引导经颅磁刺激系统(治疗躁郁症/抑郁症) [4]

英伟达为中国市场推出新AI芯片 - 英伟达计划为中国市场推出一款全新的人工智能芯片组，预计最早在6月开始量产 [2] - 新芯片属于Blackwell架构，预计售价在6,500美元至8,000美元之间，远低于H20型号的10,000美元至12,000美元 [2] - 较低价格反映了较弱的规格和较简单的制造要求，将基于RTX Pro 6000D并使用传统的GDDR7内存 [2] - 新芯片不会使用台积电先进的晶圆上芯片（CoWoS）封装技术 [2] 中国市场现状与影响 - 中国仍然是英伟达的巨大市场，上一财年占其销售额的13% [3] - 英伟达在中国的市场份额已从2022年美国实施出口限制前的95%暴跌至目前的50% [3] - H20禁令迫使英伟达注销了价值55亿美元的库存，并放弃了150亿美元的销售额 [4] - 英伟达首席执行官警告称，如果美国继续实施出口限制，将会有更多中国客户购买国内芯片 [3] 技术规格与限制 - 最新出口限制将GPU内存带宽限制在每秒1.7-1.8 TB，而H20的内存带宽可达每秒4 TB [5] - 新款GPU采用GDDR7内存技术，速度预计达到约每秒1.7兆字节，刚好在出口管制范围内 [5] - 英伟达还在为中国开发另一款Blackwell架构芯片，最早将于9月投产 [3] 产品开发背景 - 这是英伟达第三次为中国量身定制GPU，此前尝试开发降级版H20的计划未成功 [3] - 根据当前美国出口限制，Hopper架构已无法再适应进一步修改 [3] - 中国券商广发证券预测新款GPU可能被称为6000D或B40 [3]

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 来源：内容 编译自 techspot 。 博通的目标是将每一位有价值的客户转化为定期在线订阅用户。该公司通过这种方式取得了显著的 财务成功。然而，监管机构可能很快就会对其商业行为进行审查，这增加了其面临高额反垄断罚款 的可能性，这可能会影响其未来的增长。 欧洲云竞争观察站 (ECCO) 是由欧洲云服务提供商非营利性行业协会 CISPE 创立的监督组织。 ECCO 是 CISPE 与 微 软 达 成 反 垄 断 和 解 协 议 的 一 部 分 ， 目 前 ECCO 的 重 点 是 博 通 及 其 收 购 VMware 并进军云和虚拟化市场后的行为。 该观察机构最近发布了一份新报告，此前曾对博通突然变更的许可协议进行过研究。研究结果证实 了欧洲基础设施合作组织（ECCO）先前的指控：博通持续对欧洲基础设施提供商施加苛刻且不公 平的合同条款。许多CISPE成员被迫接受了这些条款，原因是缺乏可行的VMware替代方案。 随着博通越来越多地利用诉讼手段向其合作伙伴和客户施压，迫使他们签署新的协议，情况愈发恶 化。最近泄露的备忘录显示，该公司正在向 VMware 永久许可证持有者 ...

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦~ 据中国外交部官网发布的消息，王毅会上表示，当前保护主义、强权霸凌正严重冲击国际贸易体 制，北京愿同阿姆斯特丹加强沟通对话，为中欧关系发展、世界经济复苏作出贡献。 王毅表示，中国已出台多项开放新举措，欢迎荷方就清洁能源、绿色发展、人工智能、银发经济等 领域与中方合作。 中国曾多次批评美国向荷兰和日本等国施压，要求这些盟友加入针对北京获取尖端芯片和芯片制造 设备的出口管制策略。 外媒引述费尔德坎普会上表示，欧盟和荷兰希望与中国合作应对双方共同面临的全球挑战，并称荷 兰首相斯霍夫期待今年晚些时候对中国进行访问。 荷兰外交大臣卡斯帕·费尔德坎普在访华期间表示：中国已经向荷兰提出，希望放宽与半导体行业 相关的出口限制。 中国此前曾对荷兰的出口限制表示"高度关切"。荷兰是全球唯一一家生产用于制造先进半导体的高 端光刻机的制造商ASML（阿斯麦）的所在国。但由于受到来自美国方面的压力等原因，ASML从 未向中国直接出售过其最先进的EUV光刻机。 来源：内容来自半导体行业观察综合 。 美国对中国芯片实施全球禁令，中国外长王毅在北京同荷兰外长费尔德坎普举行会谈达成几点共 识，包括同意通 ...

DRAM技术演进 - 1990年代DRAM采用平面n沟道MOS FET作为单元晶体管标准结构，但21世纪面临短沟道效应和关断漏电流问题，促使开发横向微型化晶体管结构[1] - 2010年代DRAM单元阵列布局改进使单元面积从8F²缩小到6F²，面积减少25%，6F²布局成为大容量DRAM标准[1] - 10nm以下DRAM将转向4F²布局，采用垂直沟道晶体管(VCT)结构，位线、沟道和电容器垂直排列[3][4] - 三星开发S2CAT(自对准2间距单元阵列晶体管)和VS-CAT(垂直堆叠单元阵列晶体管)3D DRAM原型，通过晶圆键合技术堆叠存储单元阵列与外围电路[6][8] NAND闪存技术突破 - 平面NAND闪存在2010年代初达到小型化极限，3D化成为突破方向，单元串从水平转为垂直方向，电荷存储量增加且干扰减少[10][12] - 3D NAND实现多值存储标准(单单元存储3位数据)，堆叠层数从2010年代初32层发展到2020年代中期300多层，高度增加约10倍[12] - 采用CuA(CMOS under Array)布局减少硅片面积，但面临堆叠增加导致的蚀刻困难和相邻单元干扰问题[12] - 铁电薄膜技术替代传统ONO膜，通过极化方向决定逻辑值，支持3-4位/单元多值存储，降低编程电压并抑制阈值电压波动[13][14][16] 行业技术动态 - imec公布纯金属栅极技术可将3D NAND层间距缩小至30nm，铠侠展示实现高速随机存取的多级编码技术[18] - NEO Semiconductor开发类似3D NAND结构的3D X-DRAM技术，Macronix改进3D DRAM采用水平字线+垂直位线结构[18] - 美光科技开发高性能铁电存储器材料，佐治亚理工学院实现铁电电容器小信号无损读出工艺[19] - 清华大学展示兼容40nm工艺的3.75Mbit嵌入式电阻式存储器，旺宏国际优化交叉点存储器OTS选择器性能[20]

功率半导体晶圆市场预测 - 全球碳化硅（SiC）晶圆市场规模预计从2024年的1436亿日元增长至2035年的6195亿日元，增幅达4.3倍 [1] - 调查涵盖八类产品：硅晶片、SiC裸晶片、SiC外延晶片、氮化镓（GaN）晶片、氧化镓晶片、金刚石晶片、氮化铝晶片和二氧化锗晶片 [1] SiC晶圆市场现状与趋势 - 2024年SiC晶圆销量（按面积）同比增长81.9%，但价格下降导致销售额仅增长46.1% [1] - 6英寸晶圆占销量90%以上，仍为主流；4英寸需求下降，8英寸晶圆预计2026年后需求大幅增长 [2] - 2025年销售量和销售额预计同比增长20%，但8英寸生产线资本投资延迟可能抑制金额增速 [1] 下一代半导体晶圆发展 - 金刚石晶圆市场预计2035年达46亿日元，2英寸晶圆商业化将加速发展 [3] - 氮化铝晶圆4英寸样品已发货，未来将实现量产；二氧化锗晶圆计划开发6英寸外延晶片，2030年左右上市 [3] - 硅晶圆市场2024年萎缩，2025年起稳步增长；GaN单晶晶圆和氧化镓晶圆市场随6英寸晶圆实用化而扩大 [3]

核心观点 - 德明利在COMPUTEX台北国际电脑展上以"智存无界，全栈智能"为主题，展示全场景存储产品矩阵及解决方案，体现存储技术革新力量 [1] - 随着AI产业化加速，存储技术向场景化发展，公司通过"芯片+算法+场景"全链条技术能力提供定制化服务，推动AI技术与行业应用深度融合 [2] - 公司2024年营收达47.73亿元，同比增长168.74%，嵌入式存储业务销售额8.43亿元，同比增幅1730.6%，PCIe固态硬盘销售规模同比提升979% [6] 产品与技术 - 展示PCIe 5.0 SSD、DDR5内存条、eMMC、UFS及LPDDR等系列产品，适配AI推理、边缘计算等高吞吐、低延迟场景 [4] - 构建企业级、嵌入式、消费级及工业级全场景解决方案，通过高端存储模组研发支持全球化市场拓展 [6] - 具备"从晶圆到成品"的一站式场景化服务能力，涵盖介质特性分析、主控芯片设计、固件算法优化及封装管控 [8] 业务表现与战略 - 嵌入式存储与新一代固态硬盘成为业绩新增长点，推动产品结构向高附加值方向升级 [6] - 依托"5+1+N"全球供应链布局实现研发、生产、交付高效协同，结合全链路研发验证体系与动态品控管理 [11] - 采用纵向整合产业链资源与横向拓展应用场景的双轨战略，构建智能存储创新生态体系 [11] 公司背景 - 成立于2008年，专注国产存储主控芯片研发及存储模组方案，覆盖智能终端、数据中心、工业控制等高价值场景 [12] - 产品矩阵包括固态硬盘、嵌入式存储、内存条及移动存储，注重数据存储稳定性、安全性和系统兼容性 [12]

印度半导体产业发展 - 印度东北地区将很快生产出第一块"印度制造"芯片，该地区正成为能源和半导体行业的重要目的地[1] - 塔塔集团在阿萨姆邦建设的半导体工厂总投资达2700亿卢比，为当地半导体和尖端技术领域创造机遇[1] - 政府正在东北地区水电和太阳能领域进行大规模投资，已分配价值数千万卢比的项目[1] - 太阳能组件、电池、储能和研发领域存在大量投资机会，减少对外国依赖的关键领域[1] 东北地区基础设施与贸易潜力 - 政府十年间在东北地区新建1.1万公里高速公路和数公里铁路，显著改善互联互通[2] - 印度与东盟贸易额目前接近12.5亿美元，未来目标突破2000亿美元，东北地区将成为东盟贸易门户[2] - 阿达尼集团未来10年计划向东北地区追加投资5000亿卢比，此前已承诺向阿萨姆邦投资5000亿卢比[2] - 信实工业过去40年在该地区投资约3000亿卢比，未来五年计划将投资额提升至7500亿卢比[2] 行业投资动态 - 半导体工厂建设与能源项目投资表明东北地区正从资源匮乏转向机遇之地[1][2] - 私营企业如塔塔、阿达尼和信实工业大规模投资显示对区域制造业前景的看好[1][2]

台积电2纳米制程进展 - 2纳米制程将于2025年下半年如期量产，预计年底月产能达3万片[1][3][4] - 2纳米代工报价上看3万美元，将成为公司营收增长25%的重要支撑[1][4] - 2纳米在相同功耗下速度提升10-15%，相同速度下功耗降低25-30%[5] - 2纳米量产头两年的tape out数量将超越3纳米同期表现，预计5年内带动全球约2.5兆美元终端产品价值[3] 客户订单情况 - 主要客户包括苹果、NVIDIA、英特尔、AMD、高通、联发科和博通等[5] - 苹果iPhone 17 Pro机型将采用2纳米处理器，其他机型仍使用3纳米[5] - NVIDIA的2026年下半年Rubin平台仍将采用3纳米制程[5] - 客户排队下单盛况未减，行业形成"台积电"与"非台积"两个世界[1][4] 产能布局 - 竹科宝山Fab 20厂2024年中月产能3000片，目前已达8000片，预计年底达2.2万片[3] - 高雄Fab 22 P1厂进度提前，已准备开始量产[3] - 两厂合计年底月产能约3万片[3][4] - 美国厂扩产计划投入1000亿美元，但原本在产能布局中比重较低[1][2] 面临挑战 - 美国厂研发中心内容及与英特尔合作底线尚在精算中[1] - 全球晶圆代工市占率已达6成，年底可能达7成，面临反垄断问题[1] - 美国制造成本高昂，需与客户共体时艰并调涨代工报价[2] - 需平衡"根留台湾"与"美国制造"的地缘政治产能布局[2]