业务调整核心举措 - 两年内退出氮化镓（GaN）代工业务并关闭新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂[1][3] - 整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂[1][3] - 将6英寸工厂改造为CoPoS面板级封装工厂以拓展先进封装业务[4] 技术转型与产能优化 - 8英寸Fab 3晶圆厂转型为内部EUV保护膜研发中心以减少对ASML供应链依赖[5] - EUV光刻机成本高昂（ASML设备约1.5亿美元，High NA系统超3.5亿美元）促使公司减少High NA订单并专注良率提升[5] - 晶圆厂整合旨在弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[3] 市场竞争与战略重心 - 退出GaN业务因中国大陆企业价格竞争白热化及全球IDM厂商扩大内部产能导致回报有限[3] - 先进封装技术（CoPoS/CoWoS）可满足高性能芯片对集成度和电气性能的需求[4][5] - 自有保护膜技术有望优化流程、提高良率并降低7nm以下工艺成本[5] 行业影响与未来机遇 - 业务调整可能引发行业连锁反应并推动半导体产业链向更高水平发展[6] - 技术转型为设备和材料供应商带来新机遇[5] - 公司资源集中策略有望巩固其在先进制程（2nm以下）领域的领先地位[5]

**纪要涉及的行业或公司** * AI数据中心电源行业 英伟达及其高端AI服务器产品（NVL72 GB200 GB300 Rubin系列） 国内厂商（长城电子 东微半导体 斯达半导体）[1][3][4][25][38] **核心观点和论据** * 高端AI服务器功率密度极高 英伟达NVL72整机柜功率达132千瓦 采用多组5.5千瓦电源模块[1][3][6] * 未来技术趋势是向更高功率（12千瓦甚至19千瓦）和800伏高压直流（HVDC）架构发展 以提升效率并减少体积[1][5][7] * 为实现更高功率密度和效率 下一代电源将广泛采用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等先进半导体材料替代传统硅基器件（如IGBT 超级结MOS）[1][5][6][7][15] * 英伟达下一代Rubin方案将支持800伏HVDC输入 并优化架构[1][7] * 在电力转换架构中 HVDC方案将市电转换为800伏直流再供给PSU 与传统方案（480伏交流输入）在服务器内部最终均转换为48伏直流[8][9] * 切换至氮化镓技术的主要驱动力是解决发热问题 因其具有更高效率和更低热损耗[10] * 碳化硅主要用于高压环节（如12.8千伏变压至800伏 HVDC整流 PSU中800V转48V） 氮化镓主要用于200伏以内的低压应用（如板载电源 桥式整流）[11][13][14] * 成本是技术选型的关键因素 超级结MOS因成本低廉在高压领域（400-600V）仍有强大竞争力 全面替代不经济[2][12][30] * 国内厂商如长城电子已在7.5-8千瓦电源模块中采用氮化镓技术 东微半导体的超级结MOS性能接近英飞凌且价格低30% 有机会进入核心供应链[4][25][41] * 碳化硅和氮化镓器件当前价格：650V SiC约50元/颗 1200V SiC约90元/颗 200V GaN约50-60元/颗[23] * 当前服务器电源市场仍以传统硅基器件（IGBT 超级结MOS SGT MOS）为主 但GaN在PSU中的应用已开始放量 SiC需待HVDC起量[15][26][44] * 英伟达未来两年（至2027年）主力产品（B200 B300）仍将大量使用超级结MOS 不会完全切换至HVDC方案 大规模应用需待Rubin系列[42][43] * 普通服务器电源功率多在300-500瓦（占比65%） 使用传统SGT MOS 高功率AI服务器（如7-8kW）将是GaN的主要应用场景[34][35][37] **其他重要但可能被忽略的内容** * 约25%的AI服务器市场采用由厂商提供壳体、用户自装英伟达GPU（A卡/H卡）的模式 通常需要3000瓦电源[36] * 国内供应商（东微 斯达）目前主要为国内企业（如华为 阳光电源）供货 尚未大规模进入英伟达国际供应链[38][39] * 电源市场对设备可靠性要求极高 价格敏感度低 更注重性能与稳定性[40] * HVDC方案能显著减少碳化硅用量（约2/3）但电压等级提高一倍[22] * 在PSU设计中存在混用碳化硅（第一级降压）和氮化镓（第二级降压）的情况[18][19] * GB200和GB300采用不同的冗余电源配置模式（4+2/4+4 和 5+3）[4][16][17]

台积电业务调整 - 台积电将在两年内退出氮化镓（GaN）代工业务 关闭位于中国台湾新竹科学园区的6英寸Fab 2晶圆厂[2] - 公司预计整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂 以弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[2] - 6英寸工厂将被改造成CoPoS面板级封装工厂 8英寸晶圆厂将转向内部生产EUV掩膜保护膜以减少对ASML供应链的依赖[4] EUV技术战略 - EUV光刻机成本高昂：ASML EUV设备价格约1.5亿美元 最新High NA EUV系统价格超过3.5亿美元[4] - 台积电减少High NA订单 通过内部研发保护膜技术提高EUV良率并控制成本[4] - Fab 3晶圆厂将成为内部EUV保护膜研发中心 预计投产以减少对ASML供应商依赖并提高成本效益[4] 技术背景与行业影响 - EUV需采用新掩模版和保护膜方法 传统有机保护膜缺乏所需透明度和稳定性 导致晶圆厂需频繁检查缺陷[5] - 台积电自有保护膜技术将优化工作流程、提高良率、扩大产能并降低成本 提升盈利能力并扩大领先地位[5] - 设备和材料供应商可能受益于台积电转型带来的新基础设施需求[5] 产业竞争格局 - 台积电退出GaN领域凸显中国大陆竞争对手在第三代半导体市场的激烈价格竞争[6] - 瑞萨电子与Polar半导体合作开发下一代d型GaN 中国大陆企业加速GaN项目 全球IDM厂商如德州仪器和英飞凌也在扩大内部GaN产能[6] - 台积电向世界先进（VIS）和恩智浦半导体在新加坡的合资企业VSMC出售价值7100万至7300万美元设备[5]

公司业务与展望 - 德州仪器总裁兼首席执行官Haviv Ilan表示，公司的数据中心业务正助力其整体模拟芯片产品需求迈向复苏阶段，数据中心是公司模拟芯片方面增长速度最快的市场，并带动业绩迈向强劲复苏周期[1] - Ilan指出，与数据中心相关的业务可能是复苏最快的市场，预计将看到约50%的非常强劲的增长，业务正在回到2022年左右的巅峰水平[1] - 德州仪器在芯片制造商中拥有最广泛的客户群和最大规模的产品范围，其业绩及展望数据可作为各种行业需求的预测指标之一[1] - Ilan预计，数据中心业务运行速率大概在10亿美元或12亿美元之间，这是公司预计在2025年结束时的强劲水平，并看到该业务未来有巨大的增长机遇[2] - 公司目前从数据中心市场获得的营收占比仅为低个位数百分比，但庞大增长空间将使其成为公司市场的20%，且这一天不会太远[3] 行业趋势与驱动因素 - 随着AI数据中心大规模新建设与扩建浪潮推进，模拟芯片有望强势领涨整个芯片股[1] - 生成式AI应用与AI智能体主导的推理端带来的AI算力需求堪称“星辰大海”，有望推动人工智能算力基础设施市场持续呈现指数级别增长[3] - 在华尔街机构Loop Capital以及Wedbush看来，以AI算力硬件为核心的全球人工智能基础设施投资浪潮现在仅处于开端，在“AI算力需求风暴”推动下，这一轮AI投资浪潮规模有望高达2万亿美元[3] - AI数据中心是AI时代最核心的大型基础设施建设项目，对于生成式AI应用的高效率运作及AI大模型更新迭代至关重要[4] - 随着微软、谷歌、Meta以及亚马逊等科技巨头启动史无前例的AI数据中心扩建与新建，将催化自2022年末以来需求长期萎靡的模拟芯片迈向强劲复苏周期[4] 产品需求与技术受益 - 模拟芯片是AI数据中心不可替代的“水电煤”，在AI数据中心对于“更高功率密度、更大电流、更快链路、更强可观测”的共性驱动下，德州仪器的产品线将是最直接、最具弹性的受益者[4] - 具体受益产品线包括：电源管理（GaN、热插拔/OR-ing/eFuse、多相/PoL/Smart Power Stage）、高速互连信号链（PCIe5.0 Redriver、超低抖动时钟）与监测隔离（INA/UCD/TMP/ISO/AMC/UCC）[4] - 天量级AI训练/推理工作负载把PSU与母线功率推到新台阶，带动德州仪器GaN前端、热插拔、OR-ing、eFuse与隔离测量产品线的价值与需求大幅提升[5] - 板级Vcore电流与瞬态陡峭，则带动德州仪器多相控制+Smart Power Stage与高电流PoL将随着“GPU/加速卡功耗曲线”同步大规模扩容[5] 半导体市场预测 - 世界半导体贸易统计组织（WSTS）预计，继2024年强劲反弹之后，2025年全球半导体市场将增长11.2%，总价值将达到7009亿美元[6] - WSTS预测全球半导体市场到2026年将在2025年强劲复苏的基础之上增长8.5%，达到7607亿美元[7] - 增长主要得益于GPU主导的逻辑芯片领域以及HBM主导的存储领域持续强劲的势头，预计这两个领域都将实现强劲的两位数增长[6] - 预计存储芯片将再次引领增长，逻辑和模拟芯片也将大幅贡献，并且模拟芯片有望迈向强劲的复苏周期[7] - 根据WSTS数据，2025年全球模拟芯片市场预计为816.42亿美元，同比增长2.6%，2026年预计为855.35亿美元，同比增长4.8%[7] - 2025年全球逻辑芯片市场预计为2672.59亿美元，同比增长23.9%，存储芯片市场预计为1848.41亿美元，同比增长11.7%[7] 行业库存与供需 - 瑞银（UBS）发布的研报显示，基于对全球100多家分销商的库存与定价数据监测，当前半导体行业库存与定价趋势整体向好[8] - 尤其是MCU与模拟芯片库存的持续消化缓解了市场对供需失衡的担忧[8]

行业投资评级 - 强于大市(维持) [1] 核心观点 - 半导体行业25Q2持续稳健增长 国产AI算力芯片厂商业绩表现亮眼 [1][4] - 全球半导体月度销售额继续同比增长 国内外云厂商持续加大资本支出 [4] - AI成为推动半导体行业成长的重要动力 行业仍处于上行周期 [4] 行业市场表现 - 2025年8月国内半导体行业(中信)上涨23.84% 同期沪深300上涨10.33% [4] - 细分板块表现:集成电路上涨31.47% 分立器件上涨16.29% 半导体材料上涨15.24% 半导体设备上涨13.67% [4] - 费城半导体指数8月上涨1.09% 年初至今上涨13.84% [4] - 个股涨幅前十:寒武纪-U(110%) 东芯股份(82%) 盛科通信-U(78%) 臻镭科技(55%) 芯原股份(54%) [14] 财务表现分析 - 半导体行业25Q2营业收入1884.29亿元 同比增长13.87% [4] - 25Q2归母净利润147.63亿元 同比增长23.99% [4] - 25Q2毛利率26.29% 同比提升1.72个百分点 环比提升0.66个百分点 [4][25] - 子板块营收增速:半导体设备+42.87% 集成电路+17.22% 半导体材料+10.13% 分立器件-15.88% [22][25] 国产AI算力芯片表现 - 寒武纪25Q2营收同比增长4425.01% 归母净利润同比增长324.97% [4][30] - 海光信息25Q2营收同比增长41.15% [4] - 芯原股份25Q2营收环比增长49.90% [4] - 国产AI算力芯片厂商进入国产替代加速期 有望持续提升市场份额 [4] 全球半导体市场 - 2025年7月全球半导体销售额620.7亿美元 同比增长20.6% 环比增长3.6% [32] - 连续21个月实现同比增长 [4][32] - WSTS预计2025年全球半导体销售额7009亿美元 同比增长11.2% [35] - 中国半导体市场7月销售额170.2亿美元 同比增长10.5% [33] 云厂商资本支出 - 25Q2北美四大云厂商(谷歌 微软 Meta 亚马逊)资本支出合计874亿美元 同比增长69% 环比增长23% [4][6] - 25Q2国内三大互联网厂商(阿里巴巴 百度 腾讯)资本开支合计616亿元 同比增长168% 环比增长12% [4][5] - 谷歌将2025年资本支出预算上调13%至850亿美元 [6] - Meta上调2025年资本支出预算至660-720亿美元 同比增长68%-84% [6] 下游需求结构 - 消费类需求逐步复苏 AI算力硬件需求持续旺盛 [42] - 25Q2全球智能手机出货量2.889亿台 同比持平 [44] - Canalys预计2025年AI手机渗透率将达到34% [74] - 25Q2全球PC出货量6760万台 同比增长7.4% [82] 存储与设备市场 - 25Q2全球部分芯片厂商库存水位环比小幅下降 国内部分芯片厂商库存水位环比大幅下降 [4] - TrendForce预计25Q3 DRAM与NAND Flash价格有望持续上涨 [4] - 全球半导体设备销售额25Q2同比增长23% 中国半导体设备销售额25Q2同比下降7% [4] - 全球硅片出货量25Q2同比增长9.6% 环比增长14.9% [4] 投资建议 - 英伟达预计中国市场未来几年将实现约50%的复合增速 [4] - 建议关注国产AI算力芯片产业链投资机会 [5] - 建议关注PCB 铜连接 光芯片等领域投资机会 [6] - 黄仁勋表示2030年AI基础设施市场规模将达到3-4万亿美元 [6]

股价表现 - 天岳先进尾盘涨超12% 高见54.55港元创上市新高 收盘涨9.19%报52.85港元 成交额2.59亿港元 [1] 技术突破与产品布局 - 英伟达新一代Rubin处理器计划将CoWoS先进封装中间基板材料由硅替换为碳化硅(SiC)以提升性能 [1] - 公司已形成6/8/12英寸碳化硅衬底产品矩阵 包括12英寸高纯半绝缘型及导电P型/N型衬底 [1] 客户拓展与市场地位 - 公司与全球前十大功率半导体器件制造商中超半数建立业务合作关系 [1] - 高品质导电型碳化硅衬底产品加速出海 已获得英飞凌、博世、安森美等国际企业合作 [1] 下游应用领域 - 公司产品应用于电动汽车、AI数据中心及光伏系统等领域 [1]

行业背景与发展趋势 - 全球能源系统加速电气化与智能化转型 特高压输电 新能源发电 储能系统成为核心场景 [1] - 中国"十四五"规划明确到2025年建成多条特高压输电线路 电网骨干网架加速完善 [1] - 高端IGBT及SiC产品供应仍以国外为主 国产化率处于较低水准 下游国内市场国产化替代潜力巨大 [1] 财务表现与业务增长 - 2025年上半年实现收入8.9亿元人民币 同比增长35.5% [2] - 输配电领域营收4.67亿元人民币 同比增长30% 柔性输电业务销售收入2.9亿元 同比增长123% [2] - 工业和其他业务收入3.56亿元 同比增长57% 新能源发电与储能业务同比增长108% [2] 技术突破与产品优势 - 是国内特高压直流输电用阳极饱和电抗器唯一拥有自主技术的企业 成功打破ABB 西门子等国际巨头垄断 [2] - 干式直流支撑电容器性能可对标国际领先水平 在甘浙项目国产产品中市场占有率达62.5% [3] - 在华能玉环2号海上风电项目成为独家国产供应商 实现核心部件100%进口替代 [3] 半导体领域布局 - 2025年发布m23 1400V 100A SiC MOSFET 展示采用第七代精细微沟槽技术的i23系列芯片 [3] - 拥有ED模块 EP模块 ST模块 FP模块 TF模块等多种模块满足不同场景需求 [3] - 收购湖南虹安补齐SiC外延环节 实现产业链整合 [3] 战略定位与产业协同 - 业务版图与国家"双碳"战略高度共振 覆盖光伏逆变器 储能系统 特高压输电 新能源发电四大核心场景 [4] - 形成"多点突破 精准卡位"的产业布局 参与重塑行业规则 [4] - 在特高压 新能源 储能三大应用场景深度绑定 成为能源转型链条关键力量 [4]

技术突破 - 环球晶开发出12吋方形碳化硅晶圆 需解决制程设备与量测问题 因碳化硅透光特性与硅不同[1] - 环球晶已开发出非激光切割的12吋碳化硅晶圆切割技术 区别于当前8吋产品采用的激光切割方式[1] - 英飞凌成功开发12英寸碳化硅晶圆 单片晶圆芯片产出数量大幅增加 主要面向新能源汽车应用[3] 市场竞争与价格趋势 - 碳化硅晶圆价格快速下滑 6吋产品价格下跌最严重 8吋其次 非中国供应链价格压力相对较小[2] - 中国厂商每年价格腰斩式降价 导致全球市占率33%的Wolfspeed申请破产 因产能大成本高难以竞争[2] - 环球晶碳化硅业务营收占比预计明年不超过10% 量增但平均售价承压 目标成为非中阵营最具竞争力供应商[2] 应用领域拓展 - 碳化硅在高压高散热场景性能优于硅 应用覆盖汽车/5G/家电/交通建设 成本下降将加速应用普及[2] - 12吋碳化硅技术需求延伸至AR眼镜领域 Meta数据显示6吋衬底仅支持2副眼镜生产 8/12吋可实现产量翻倍与成本下降[3] - 英伟达计划将GPU芯片CoWoS先进封装中介层材料由硅替换为碳化硅 预计最晚后年进入先进封装领域[3]

行业与公司 * SiC行业 涉及新能源汽车 AI芯片封装 数据中心 AR眼镜等领域[1] * 国内碳化硅企业 如天岳 天源先进 三安光电 士兰微 扬杰科技 华虹半导体 露笑科技 晶盛科技 文泰 安世半导体等[3][4][27][28][29][30] 核心观点与论据 **行业发展趋势与潜力** * SiC行业在2022年经历产能快速扩张后 通过技术进步和规模效应 生产成本已显著降低超过一半[5] * 预计2025年是碳达峰上车的元年 2026年将有大量实际需求出现[3][31] * AR眼镜是碳化硅潜在的快速落地应用场景 预计2026年左右实现[1][25] * AI电源可能稍晚一些 大约在2027年全面落地[25] * HVDC技术在数据中心的应用是趋势 英伟达计划在2027年全面推广其数据中心中的HVDC系统 2026年可能会有相关催化剂出现[17] **技术优势与应用进展** * SiC凭借其高导热性 耐高压和耐高温特性 正逐步替代传统硅材料[1][6] * 在800V以上高压平台应用中 可显著提升系统效率和可靠性[1] * 在新能源汽车800伏的平台上 使用SiC MOSFET可以替代传统IGBT 简化电路设计 减小设备体积与重量[7] * 在AI芯片封装领域 SiC由于其优异的导热率和体积优势 被认为是理想的新型中介层材料[3][4] * 在数据中心中 引入800伏高压平台 采用HVDC架构 可以减少交流转直流的转换次数 节省5%-6%的电力 并大幅减少铜缆使用[1][13] * 根据国际能源署数据 2024年全球数据中心总耗电量为415太瓦时 预计到2030年将翻倍至945太瓦时 采用HVDC架构每年可节省约500亿到600亿度电[13] * SiC材料具有较高的折射率和半绝缘特性 可用于制造更薄 更轻且显示效果更佳的AR眼镜镜片[1][20] * SiC材料因其高导热性和耐化学性 被认为是替代传统硅基Interposer的理想材料[19] **市场竞争与产业链** * 国内碳化硅企业技术能力显著提升 已与海外龙头企业处于同一起跑线 并在大尺寸晶圆发展上降低了成本[3][24] * SiC和GaN在高压应用中各有优势 SiC适用于大几百伏甚至上千伏的高压平台 GaN更多用于高频场景[1][15] * 功率器件在HVDC电源系统中的占比通常超过50% 假设整个HVDC市场规模为千亿级别 功率器件可能占据其中10%到20%的份额 即100亿到200亿元[14] * SiC材料产业链包括从衬底制造 切膜抛光 到下游光波导制作及组装等多个环节[21] * 三安光电的产业链布局非常全面 从衬底 外延到MOS芯片全覆盖[29] * 其他IDM公司如扬杰科技 士兰微通常不生产衬底 而是从衬底厂购买[30] **挑战与风险** * SiC行业面临高技术要求 高成本以及长验证周期等挑战 许多公司尚未盈利[23] * 过去几年全球经济环境竞争激烈 也使得很多公司在投资时较为谨慎[23] 其他重要内容 * 国内制造业尤其是那些体现制造业能力的环节 将成为这波科技创新的最大受益者[26] * 投资者应重点关注绑定头部大客户并具备强大技术能力的公司[3][25]

核心财务表现 - FY26Q2营收20.06亿美元 同比增长58% 环比增长6% 预计Q3营收20.6亿美元 同比增长36% [3] - NonGAAP经营利润6.99亿美元 同比增长111% 经营利润率34.8% 同比提升8.7个百分点 预计Q3经营利润7.51亿美元 同比增长67% [3] - NonGAAP净利润5.86亿美元 同比增长120% 净利润率29.2% 预计Q3净利润6.44亿美元 同比增长73% 净利润率31.3% [3] - GAAP毛利率50.4% 同比提升4.2个百分点 NonGAAP毛利率59.4% 同比下滑2.5个百分点 连续7个季度环比下滑 [3] 业务板块表现 - 数据中心营收14.91亿美元 同比增长69% 环比增长4% 营收占比74% 创历史新高 [5] - AI和云业务占数据中心营收90%以上 其余为on-premise部分（年化营收约5亿美元） [5] - 企业网络营收1.94亿美元 同比增长28% 通讯营收1.3亿美元 同比增长71% [8] - 消费者营收0.63亿美元 同比增长30% 汽车/工业营收0.76亿美元 同比下滑0.3% [8] - 定制化XPU和电光互连产品占数据中心总营收3/4以上 [5] 产品与技术进展 - 获得微软服务器安全芯片HSM订单 累计18个design wins 预计带来750亿美元生命周期营收潜力 [6] - 800G PAM DSP需求强劲 开始批量出货1.6T PAM DSP 预计采用速度加快 [6] - 51.2 Tbps交换机持续放量 发布行业首个2nm定制SRAM服务 [6] - 互连产品组合包括DSP、Retimer及硅光子技术 AEC/AOC DSP已上市 Retimer处于客户评估阶段 [6] 区域市场分布 - 中国大陆营收占比29% 台湾27% 美国15% 新加坡7% 马来西亚4% [3] - 荷兰占比3% 日本3% 芬兰3% 泰国2% [3] 资本运作与资产处置 - 本季度回购2亿美元股票 分红5170万美元 剩余回购额度20亿美元 [3] - 向英飞凌出售汽车以太网技术业务 交易价值25亿美元 已完成交割 [8] 未来业绩展望 - 预计Q3数据中心营收持平约15亿美元 相当于英特尔数据中心预测营收38% AMD的36% 博通AI营收的24% [10] - 光电业务环比两位数增长抵消XPU业务下滑 XPU业务下半年有望实现环比增长 [10] - 通讯和企业网络业务合计营收预计环比增长30% 汽车/工业营收预计3500万美元环比持平 [10] - 消费者业务预计环比下降低个位数 Q4起整合非数据中心市场为"通信及其他"终端市场 [10] - 未提及2025全年AI营收超25亿美元目标 [10] 行业竞争态势 - 市场认为GPU和ASIC领域呈现赢家通吃格局 行业第二名可能获得有限份额 [12] - 公司对ASIC规划不如竞争对手博通激进 且ASIC业务出现明显季节性差异 [12] - 当前市值对应约23倍PE 基于预计全年营收88亿美元 NonGAAP净利润26亿美元 [13]