半导体与芯片行业 - 中微公司董事长尹志尧因恢复中国国籍计划减持不超过29万股，市值约9764万元，其带领公司成为市值两千亿的半导体设备龙头，公司营收连续14年年均增长超过35%，2025年前三季度营收和净利润同比大幅增长 [2][7] - 美股存储芯片及半导体板块集体大涨，闪迪股价上涨超过12%创下新高，野村证券预计其企业级闪存芯片报价可能翻倍，主要受短期供应短缺和AI需求增长驱动 [3][8] - AI服务器需求增长导致存储芯片、贵金属等价格上涨，三星和SK海力士计划在第一季度上调服务器DRAM价格，成本已传导至手机、PC等终端消费品，车规级芯片也可能出现短缺 [3][8] - 机构看好存储超级周期下的国产化机遇，国内相关企业有望受益 [3][8] 资本市场与公司治理 - 专家刘纪鹏指出，上市公司回购股份应予以注销，否则可能出现低吸高抛影响股市稳定，并提到大股东减持问题严重，若不控制可能导致约20万亿元的减持，影响市场信心和外资流入 [2][7] - 证监会副主席陈华平强调提升上市公司质量是促进投融资功能协调的关键，高质量公司能吸引资金形成良性循环，并表示将增强对科技创新企业的服务 [4][9] - 截至1月10日，2026年预计有超过450亿元公募资金入市，包括22只股票ETF和岁末年初成立的主动含权基金，个人投资者成为ETF主力军，业内认为存款搬家趋势可能带来万亿级活化资金 [5][9] 商业航天与太空战略 - 节后机构调研了110多只个股，商业航天等板块受关注，其中超捷股份主营商业火箭箭体结构件，该赛道前景好但产能不足，市场供不应求，近一周被调研个股平均上涨近8% [2][7] - 国际电信联盟官网显示中国提交了新增20.3万颗卫星的申请，大部分来自无线电创新院，此举体现战略意图并为未来组网预留空间，同时美国批准SpaceX再部署7500颗第二代星链卫星 [3][8] 人工智能与算力 - 特斯拉CEO马斯克表示中国在AI算力方面将领先，因其电力供应能力强，2026年开年万得算力主题指数涨幅显著，多只个股表现优异，国内算力公司正加大资本开支 [3][8] - 有14只算力概念股的股东户数出现下降 [3][8] 新能源产业政策 - 财政部、税务总局调整光伏等产品出口退税政策，自4月1日起取消光伏产品出口退税，电池产品出口退税将逐步取消，此举有助于光伏行业价格回归、降低贸易摩擦并推动电池产业技术升级 [4][9] 其他行业与公司动态 - 节后机构调研中，熵基科技因在脑机接口技术有探索而受到关注，其脑机原型机正按计划推进 [2][7] - 广联航空、航天智装等公司也获得了机构调研 [2][7]

公司核心事件：董事长国籍变更与股份减持 - 2026年1月8日，81岁的董事长尹志尧因恢复中国籍需办理税务变更，计划减持29万股公司股份，按当前股价测算市值约9764万元 [1] - 此次减持规模仅占其总持股量的0.046% [7] - 市场对此反应理性，年初至今公司股价累计涨幅仍达27% [7] 董事长个人背景与创业历程 - 2004年，时年60岁的尹志尧放弃美国半导体行业高管职位，带领十余位硅谷专家回国创办中微公司 [3] - 回国前，其已在美国半导体行业深耕20年，先后任职于英特尔、泛林半导体和应用材料，手握89项美国专利 [3] - 创业团队三年后成功研发出首台国产等离子刻蚀设备 [3] 公司技术发展与行业地位 - 中微公司已成为国内半导体设备龙头，其刻蚀设备进入5纳米产线 [3] - 2025年公司推出精度达0.1纳米的ICP双反应台刻蚀机，技术跻身全球先进水平 [3] - 2025年前三季度，公司营收80.63亿元，同比增长46.40% [7] 国籍变更的战略背景与公司本土化 - 尹志尧的国籍变更轨迹为：2022年年报标注为美国公民，2023年年报隐去信息，2024年年报正式确认为中国国籍 [5] - 这一转变恰逢美国2022年升级对华半导体出口管制，要求“美国人士”不得支持中国先进芯片制造 [5] - 2023年至2024年间，公司五位美籍核心技术人员相继退出核心技术岗位，尹志尧的国籍回归标志着公司全面强化本土化战略的决心 [5] 事件意义与行业象征 - 尹志尧的国籍选择成为高端人才回流与中国半导体自主可控进程的缩影 [9] - 其人生轨迹从硅谷专利到中国智造，从美籍高管到中国企业家，证明核心技术必须靠自己拼搏 [9]

文章核心观点 - AI算力需求驱动半导体产业变革，半导体设备作为上游“卖铲子”的赛道迎来确定性爆发 [1] - 全球半导体设备销售额预计将持续创纪录增长，主要受AI相关投资、存储技术升级及厂商扩产推动 [2] - 存储芯片技术向3D堆叠演进，对刻蚀、薄膜沉积、混合键合等核心设备的需求激增，并带动国产设备厂商在多个细分领域取得进展 [5][6][13] 全球半导体设备市场增长趋势 - 预计2025年全球半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元，同比增长13.7% [2] - 预计2026年和2027年销售额将分别达到1450亿美元和1560亿美元，增长主要受AI相关投资推动 [2] - 晶圆制造设备（WFE）领域2025年预计增长11.0%，达到1157亿美元，较此前预测上调，反映DRAM和HBM领域投资超预期 [2] - 预计2026年韩国将重回全球芯片设备支出第二位，达到约296.6亿美元，较2025年预计的233.2亿美元增长27.2% [4] - 预计2026年中国大陆在半导体设备领域的投入将稳居全球首位，达到约392.5亿美元 [4] 存储市场与厂商扩产驱动设备需求 - 2025年存储市场涨价潮、HBM与DDR5需求爆发及全球巨头扩产，共同拉动半导体设备需求 [2] - 长鑫募集资金重点投向存储器技术升级等项目，拟投入205亿元人民币，直接带动设备市场需求 [3] - 三星电子提高DRAM和NAND生产线效率，专注HBM制造，并重启平泽第五工厂建设，计划2028年量产 [3] - SK海力士清州M15X新工厂准备投产，专注DRAM及AI存储方案，并计划在2027年前完成龙仁园区内大规模晶圆厂建设 [4] - 三星电子DRAM月产能为65万片晶圆，SK海力士月产能为50万片，加上M15X芯片后为55万片 [4] 存储技术升级驱动的核心设备需求 - 3D NAND层数突破400层并向1000层迈进，DRAM向垂直通道晶体管（VCT）演进，HBM通过硅通孔（TSV）技术实现垂直互联，对设备提出颠覆性要求 [5] - 3D NAND扩产和DRAM技术演进对刻蚀和沉积设备拉动最强，HBM扩产额外提升光刻、原子层沉积（ALD）、混合键合等设备需求 [6] - 刻蚀设备：在3D NAND制造中加工极深沟道孔洞、台阶等结构，层数增加使刻蚀设备用量占比从34.9%升至48.4%；单步刻蚀时间随深宽比提升而翻倍，设备数量需求增加；加工HBM的TSV（HBM4达2048个接口）使刻蚀工序增多 [8] - 薄膜沉积设备（含CVD、PVD、ALD等）：3D NAND层数增加使沉积步骤同步增加，设备需求翻倍；ALD设备在3D NAND产线资本开支占比从2D时代的18%升至26%；HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积 [8] - 混合键合设备：HBM堆叠层数提升（未来向24+层迈进）推动需求；HBM3/3E（8~12层）已推动热压键合设备需求，未来HBM4+（16+层）需依赖混合键合技术；3D IC和先进封装技术普及及异质集成需求增长 [8] - SEMI预测2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元，其中3D NAND相关投资占比超40% [10] 关键设备技术细节与市场影响 - 3D NAND层数从32层提升到128层时，刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4% [10] - 随着堆叠层数升高，沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍，导致工艺设备数量需求增加 [10] - 从24层到232层3D NAND，每层均需薄膜沉积工艺步骤，催生更多薄膜沉积设备需求 [11] - 东京电子披露，在Flash芯片产线资本开支占比中，薄膜沉积设备在2D时代占比为18%，在3D时代占比为26% [11] - HBM对光刻设备需求升级：DRAM第六代制程（D1c）规模化应用EUV光刻；HBM的TSV接口倍增与线路微米级间距推高EUV光刻需求优先级 [12] - 混合键合设备是HBM制造关键：现阶段HBM3/3E主要依赖热压键合设备；未来层数进一步增加及总高受限将推动混合键合技术成为关键 [12] 中国半导体设备国产化进展 - 刻蚀设备主要代表厂商有中微公司、北方华创、屹唐半导体等 [14] - 中微公司CCP设备覆盖28纳米以上大部分应用，在28纳米及以下节点取得进展，其3D NAND高深宽比刻蚀技术被全球顶级芯片制造商采用 [14] - 北方华创CCP设备在8英寸产线硅刻蚀、介质刻蚀中占主导地位，并成功应用于12英寸产线关键非核心步骤 [14] - 薄膜沉积设备厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等 [15] - 拓荆科技形成PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列产品，客户覆盖中芯国际、华虹集团等 [15] - 中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [15] - 北方华创是国内PVD龙头，在LPCVD、APCVD、ALD领域有布局 [15] - 微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD应用于28nm节点前道生产线的国产设备公司 [15] - 键合设备方面，青禾晶元2025年发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列，并完成交付验证 [16] - 拓荆科技开发Dione 300系列晶圆对晶圆键合设备，其Dione 300 eX用于W2W高精度混合键合已发货验证；还推出芯片对晶圆混合键合设备Pleione 300，应用于HBM领域 [16] - 迈为股份成功开发晶圆混合键合、晶圆临时键合、D2W TCB键合等设备 [16] - 热压键合设备方面，青禾晶元SAB6310已成功导入头部客户CIS产线 [17] - 引线键合设备厂商如奥特维、新益昌、微宸科技等占据国内中小封测厂主要市场 [17] - 芯源微的临时键合机及解键合机专为Chiplet技术打造，可适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求 [17]

报告行业投资评级 - 电子行业评级为“看好”（维持）[6] 报告的核心观点 - AI应用推动SSD用量高速增长，SSD与NAND有望迎来较长的景气周期 [3][8][10][13] - AI大模型的应用（如RAG、KV缓存）推动活跃数据占比提升，从而增加对高性能存储的需求 [8][10][11] - 与HDD相比，SSD在读写速度、功耗和可靠性方面优势明显，更适应AI数据中心对活跃数据的存储需求 [8][10] - 未来2年NAND行业资本开支可能有限，主要厂商资本开支向HBM倾斜，而AI推动的SSD需求高速增长，导致NAND与SSD供不应求态势有望持续 [8][10] 根据相关目录分别进行总结 1. AI大模型的应用推动活跃数据占比提升 - AI技术驱动全球数据总量高速增长，预计2030年全球年产生数据将达1003ZB，较2020年增长23倍 [19] - AI大模型推理过程需要高频次访问数据，例如RAG技术带来密集的随机读操作，KV缓存可能卸载到SSD带来频繁读写，这有望将大量冷数据激活为温、热数据 [8][21][22][26] - 据测算，仅KV缓存和RAG技术就可能分别带来120EB和100EB以上的存储容量需求增量 [28][29] - 预计到2030年，热数据容量较2020年增长35倍以上，占总存储量的30%，数据存储结构从热、温、冷三层（20%:30%:50%）演化为热、温冷两层（30%:70%）[31] 2. SSD满足数据中心活跃数据读写需求，用量有望高速增长 - 在数据中心分层存储架构中，HDD因单位容量成本低是冷数据主流方案，但无法满足活跃数据的高吞吐需求 [8][34] - SSD基于NAND闪存，无机械部件，读写速度显著高于HDD。例如，企业级NVMe U.2 SSD连续读写速度可达10000MB/s以上，而企业级HDD最大持续数据传输率约为270MB/s [40][41] - SSD在功耗上优势明显，研究显示QLC SSD相较于HDD配置，在数据中心能效上可实现32.9%至79.5%的提升 [51] - AI训练和推理推动AI SSD发展，其发展方向包括采用QLC颗粒提升容量（如最大容量达61.44TB）、升级至PCIe 6.0接口提升传输速率，以及发展HBF（高带宽闪存）等创新架构以满足高带宽需求 [56][57][60][61] - 头部厂商如铠侠、美光、华为、SK海力士均在积极布局AI SSD产品 [64][65] - 随着活跃数据占比提升及功耗要求，企业级SSD占比有望显著提升，预计中国企业级SSD市场容量将从2021年的31EB增长至2028年的119EB [71][73][74] - 全球固态硬盘市场规模预计到2030年将达到551亿美元，2024-2030年CAGR为16.5% [75][76] 3. NAND与SSD有望迎来较长的景气周期 - NAND行业重资产，格局高度集中，25Q2全球CR6达到100% [77][79] - 主要存储厂商（三星、美光、SK海力士）因HBM市场高成长性（预计2030年市场规模近1000亿美元）和高利润率，资本开支有望持续向HBM倾斜而非NAND [8][10][81] - 预计2026年NAND行业资本开支仍显著低于2020-2022年的水平 [85][86] - AI应用推动SSD需求高速增长，预计2025年全球闪存芯片比特出货量突破1000EB并保持增长，供给受限而需求强劲，行业有望迎来较长景气周期 [87][88] 4. 企业级SSD与NAND国产替代持续，相关标的有望深度受益 - 报告列举了在NAND与SSD景气周期及国产替代趋势下有望受益的产业链标的 [3][13][89] - **半导体设备厂商**：如北方华创（2024年营收298.4亿元，同比增长35%）、中微公司（2024年营收90.65亿元，同比增长44.7%）在刻蚀、薄膜沉积等关键设备领域持续突破 [91][99] - **存储主控芯片企业**：如联芸科技 [89] - **存储芯片设计厂商**：如普冉股份、聚辰股份 [89] - **存储封测厂商**：如深科技 [89] - **存储模组厂商**：如江波龙（2024年营收174.6亿元，同比增长72%）、德明利（2024年营收47.7亿元，同比增长168.7%）积极布局企业级SSD业务，并进入头部云厂商供应链 [109][115][120]

全球宏观与市场动态 - 美股2026年开局强劲，但下周将迎来第四季度财报季开启及美国12月CPI通胀数据发布等关键考验 [1][15] - 地缘政治不确定性持续上升，包括伊朗局势等事件受到关注，可能显著推高市场波动率 [1][15] - 中国央行黄金储备已连续14个月增加，全球官方黄金储备价值三十年来首次超越海外美债，成为最大储备资产 [4][18] - 截至2025年12月，中国央行黄金储备单月增幅已连续10个月处于低位 [4][18] 科技与航天 - 美国联邦通信委员会批准SpaceX增发7500颗第二代星链卫星，使其授权卫星总数达到1.5万颗 [1][15] - SpaceX正推进其IPO计划，目标估值约1.5万亿美元，星链业务被视为公司未来核心收入来源 [1][15] - 商业航天概念成为资本市场热点，带动风电企业股价走强，金风科技因此实现股价四连板 [12][24] - 中微公司董事长尹志尧计划减持不超过29万股公司股份，占总股本0.046%，市值约9764万元，减持原因为恢复中国籍后办理税务事宜 [6][11][19][24] 消费与零售 - 2026年初监管层对外卖行业启动反垄断调查，旨在终结平台间依赖低价补贴的恶性竞争 [2][16] - 山姆、Costco等超市的平价羽绒服热销，其中499元长款羽绒服迅速售罄，吸引中产消费者抢购 [2][16] - 宜家宣布关闭全国七家线下商场后出现顾客排长队抢购的“告别”热潮，但实际清仓活动于1月15日才开启 [3][16] - 2026年年货消费呈现新趋势，年轻群体推动采购转向个人化“即时悦己”，宠物专属年夜饭等成为消费新热点 [10][23] - 消费品以旧换新国补政策正式落地，与门店优惠结合，进一步激活线下消费 [10][23] 能源与原材料 - 市场监管总局约谈光伏龙头企业引发市场震荡，多晶硅期货主力合约连续两日暴跌 [4][17] - 碳酸锂价格在2026年开年强势突破14万元/吨大关，6天内累计上涨19% [13][24] - 碳酸锂本轮上涨受供应扰动与下游动力、储能需求爆发双重驱动，现货价格正紧密跟随期货价格联动 [13][24] - 多家能源央企负责人年度薪酬披露，中国石油董事长戴厚良年薪97.85万元居首，均未超过百万 [9][22] 金融与投资 - 2026年初某私行一款主观私募产品在数秒内售罄10亿元额度，成为年内首个“日光基” [8][21] - 在沪指站稳4100点的背景下，主观策略私募关注度提升，部分产品如复胜资产旗下多只产品2025年收益超60% [8][21] - 职业打假已异化为灰色产业链，部分博主通过不实检测等方式施压商家追求高额赔偿，平台已开始治理此类“争议账号” [7][20] 政策与社会 - 云南、安徽、贵州、辽宁等多地上调城乡居民基本养老保险最高缴费档次，其中云南上限提至每年1万元，为全国首个突破万元的省份 [5][18] - 按新缴费上限缴费15年，退休后月养老金在多地可超过1000元 [5][18]

公司股东减持计划 - 公司股东巽鑫（上海）投资有限公司计划减持不超过1252.29万股，占公司总股本的2%，减持原因为自身经营管理需要 [2] - 公司创始人、董事长、总经理尹志尧计划减持不超过29万股，占公司总股本比例不超过0.046%，减持原因为恢复中国籍后办理相关税务需要 [2] - 尹志尧直接持有公司股份415.94万股，占总股本的0.664%，其拟减持股票市值约为9764万元 [5] 公司创始人背景与国籍变更 - 尹志尧于2004年带领团队回国创业，并一直担任公司董事长、总经理及核心技术人员 [7] - 尹志尧在2024年年报中正式确认已恢复中国国籍，其2024年从公司获得的税前报酬总额为1485.14万元 [7] - 尹志尧拥有丰富的行业经验，曾就职于英特尔、泛林半导体和应用材料等国际半导体公司 [7] 公司技术发展与行业地位 - 公司是首批登陆科创板的“硬科技”企业，营收已连续14年年均增长超35% [8] - 公司开发的20种刻蚀设备可覆盖95%以上的刻蚀应用需求 [8] - 公司在技术研发上持续突破，例如2018年自主知识产权刻蚀机进入客户5纳米产线，2025年ICP双反应台刻蚀机精度达0.1纳米 [7][8] 公司近期财务表现与未来规划 - 2025年前三季度，公司实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40%，实现归属于上市公司股东净利润12.11亿元，同比增长32.66% [8] - 根据规划，未来五到十年，公司对集成电路关键设备领域的覆盖度将提升至60% [8] - 公司目标是力争尽早在规模上和竞争力上成为国际一流的半导体设备公司 [8]

公司股东减持计划 - 公司股东巽鑫（上海）投资有限公司计划减持不超过1252.29万股，占公司总股本的2%，减持原因为自身经营管理需要[3] - 公司创始人、董事长、总经理尹志尧计划减持不超过29万股，占公司总股本比例不超过0.046%，减持原因为其已从外籍恢复为中国籍，为依法办理相关税务的需要[3][4] - 截至公告日，尹志尧直接持有公司股份415.94万股，占公司总股本的0.664%，均为IPO前取得的股份[4] - 以2026年1月9日收盘价336.68元/股计算，尹志尧拟减持股票市值约为9764万元[5] 公司创始人背景与国籍变更 - 公司创始人、董事长、总经理尹志尧于1944年出生，为中国国籍，拥有丰富的半导体行业从业经验，曾就职于英特尔、泛林半导体和应用材料等国际领先公司[8] - 尹志尧于2004年带领技术团队回国创业，并一直担任公司董事长、总经理及核心技术人员[8][9] - 尹志尧的国籍已从美国公民恢复为中国国籍，公司2022年年报标注其为美国公民，2024年年报正式确认其已恢复中国国籍[9] - 2024年，尹志尧从公司获得的税前报酬总额为1485.14万元[8] 公司技术发展与行业地位 - 公司是首批登陆科创板的“硬科技”企业，在半导体设备领域技术突破显著：2015年开发出世界先进水平的CCP和ICP等离子体刻蚀设备；2018年自主知识产权刻蚀机进入客户5纳米产线；2010年至2025年推动开发了MOCVD、LPCVD、ALD、EPI、PEVCD等一系列国际领先的薄膜设备；2025年ICP双反应台刻蚀机精度达0.1纳米，技术达到全球先进水平[9] - 公司开发的20种刻蚀设备可覆盖95%以上的刻蚀应用需求[10] - 公司营收已连续14年年均增长超35%[10] - 根据规划，未来五到十年，公司对集成电路关键设备领域的覆盖度将提升至60%，目标是成为国际一流的半导体设备公司[10] 公司近期财务表现 - 2025年前三季度，公司实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40%[10] - 2025年前三季度，公司实现归属于上市公司股东净利润12.11亿元，同比增长32.66%[10] - 截至2026年1月9日收盘，公司股价报336.68元/股，总市值为2108亿元[5]

公司股东减持计划 - 公司第二大股东巽鑫（上海）投资有限公司计划减持不超过1252.29万股，占公司总股本的2%，减持原因为自身经营管理需要 [1] - 公司创始人、董事长、总经理尹志尧计划减持不超过29万股，占公司总股本比例不超过0.046%，减持原因为恢复中国籍后办理相关税务需要 [1] - 以1月9日收盘价336.68元/股计算，尹志尧拟减持股份市值约为9764万元，公司总市值为2108亿元 [1] 公司创始人背景与贡献 - 创始人尹志尧拥有深厚的半导体行业背景，曾任职于英特尔、泛林半导体和应用材料等国际领先公司，2004年回国创立公司并担任董事长、总经理至今 [3] - 尹志尧在2004年受江上舟感召，带领十余位硅谷人才回国创业，旨在填补中国芯片刻蚀设备领域的空白 [7] - 尹志尧2024年从公司获得的税前报酬总额为1485.14万元 [3] 公司技术发展历程与成就 - 公司成立3年后即研发出首台刻蚀设备和薄膜设备并交付国内客户 [7] - 2015年，公司提出“皮米级”加工精度概念并开发出世界先进水平的CCP和ICP等离子体刻蚀设备 [8] - 2018年，公司自主知识产权刻蚀机进入客户5纳米产线 [8] - 2010年至2025年间，公司推动开发了MOCVD、LPCVD、ALD、EPI、PEVCD等一系列国际领先的薄膜设备 [8] - 2025年，公司ICP双反应台刻蚀机精度达到0.1纳米，技术达到全球先进水平 [8] 公司近期财务表现与未来规划 - 2025年前三季度，公司实现营业收入80.63亿元，同比增长46.40% [8] - 2025年前三季度，公司实现归属于上市公司股东净利润12.11亿元，同比增长32.66% [8] - 公司规划未来五到十年，对集成电路关键设备领域的覆盖度将提升至60%，力争成为国际一流的半导体设备公司 [8]

核心事件 - 中微公司董事长兼总经理尹志尧计划减持不超过29万股公司股份，占公司总股本比例0.046%，按最新股价计算市值约9764万元 [2][10] - 减持原因为尹志尧已从外籍恢复为中国籍，为依法办理相关税务的需要 [2][10] - 减持方式为集中竞价，减持期间为2026年1月30日至2026年4月29日，拟减持股份来源为IPO前取得 [3][11] 关键人物背景 - 尹志尧是半导体领域传奇人物，拥有深厚的科研与产业背景，曾就职于英特尔、泛林半导体和应用材料等国际领先公司 [3][4][12] - 在应用材料工作期间，参与并领导了国际几代等离子体刻蚀机研发，拥有86项美国专利和200多项国际专利，被誉为“硅谷最有成就的华人之一” [4][12] - 2004年，时年60岁的尹志尧决定回国创业，创立了中微公司 [5][13] 公司业务概况 - 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售 [5][13] - 等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米至5纳米及其他先进的集成电路加工制造及先进封装生产线 [5][13] - MOCVD设备在行业领先客户生产线上大规模量产，公司已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商 [5][13] - 近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单 [5][13] 国籍变更信息 - 根据公司2022年年报，尹志尧为美国国籍 [6][14] - 2023年年报未披露其国籍信息 [8][15] - 2024年年报显示，尹志尧国籍已变更为中国国籍 [8][16]

核心事件概述 - 中微公司董事长、总经理尹志尧计划减持不超过29万股公司股份，占总股本0.046%，按最新股价计算市值约9764万元 [2] - 此次减持计划的直接原因是尹志尧已从外籍恢复为中国籍，为依法办理相关税务的需要 [3] - 减持计划的具体细节：减持方式为集中竞价，减持期间为2026年1月30日至2026年4月29日，股份来源为IPO前取得 [4] 董事长尹志尧背景 - 尹志尧出生于1944年，拥有深厚的科研背景，先后毕业于中国科学技术大学、北京大学，并在加州大学洛杉矶分校获得物理化学博士学位 [4] - 在硅谷拥有超过20年的半导体行业顶尖经验，曾就职于英特尔、泛林半导体和应用材料等国际巨头，担任核心技术与管理职务 [5] - 在应用材料公司工作期间，参与并领导了国际几代等离子体刻蚀机的研发，拥有86项美国专利和200多项国际专利，被誉为“硅谷最有成就的华人之一” [5] - 于2004年，时年60岁，决定回国创业并创立了中微公司 [6] 公司业务与行业地位 - 公司主要从事高端半导体设备及泛半导体设备的研发、生产和销售 [6] - 核心产品等离子体刻蚀设备已应用在国际一线客户从65纳米至5纳米及其他先进的集成电路加工制造生产线及先进封装生产线 [6] - 公司的MOCVD设备在行业领先客户的生产线上大规模投入量产，已成为世界排名前列的氮化镓基LED设备制造商 [6] - 近两年新开发的LPCVD薄膜设备和ALD薄膜设备，已有多款产品进入市场并获得大批量重复性订单 [6] 董事长国籍变更 - 根据2022年年报，尹志尧为美国国籍 [7] - 2023年年报未披露其国籍信息 [8] - 根据2024年年报，尹志尧国籍已变更为中国国籍 [9][10]