文章核心观点 - 传统基于销售量的半导体市场估值方法严重低估了行业真实价值，因为它忽略了自研芯片设计公司、拥有内部设计的OEM厂商、无晶圆厂公司的完整价值贡献，以及中国公司的快速发展 [1][5] - 采用更全面的评估方法后，麦肯锡预计2024年半导体市场规模约为7750亿美元，比传统估值（6300亿至6800亿美元）高出14%至23% [15] - 预计到2030年，半导体市场规模将达到1.6万亿美元（区间为1.5万亿至1.8万亿美元），远超传统预测的1万亿至1.1万亿美元 [2][20] - 未来增长高度集中于尖端工艺节点芯片和高带宽内存（HBM），市场呈现“赢家通吃”格局，增长在各细分领域极不平衡 [2][28][29] 市场规模与评估方法 - **传统方法的局限**：传统方法主要通过衡量芯片从无晶圆厂、代工厂和IDM向电子公司的销售额来评估市场，无法充分反映自研芯片、OEM内部设计芯片的价值，也低估了中国公司的贡献 [1][5] - **新评估方法**：麦肯锡采用定制化分析，弥补传统方法不足 [7] - **自研芯片设计公司**：通过考察与芯片设计和制造相关的内部研发支出、销售成本和一般管理费用来估算其价值，这些芯片不公开销售，用于内部云服务 [7] - **拥有自主设计的OEM厂商**：同时考虑其销售成本和预估的内部毛利率，确保分析一致性，而非仅看制造成本 [7] - **无晶圆厂公司**：将包括HBM在内的整个先进封装（如CoWoS）的价值归于无晶圆厂公司，并保留捆绑软件的全部毛利润，而非扣除一部分 [10] - **中国公司**：结合已公布收入、基于产能的预估收入及内部专有模型数据，保守估算其价值，以应对数据不完整问题 [13] 当前市场格局 (2024年) - 2024年半导体市场规模估算为7750亿美元，构成如下 [15]： - 中国以外的所有半导体厂商：约6040亿美元（其中前20大公司贡献5070亿美元） - 总部位于中国的公司：930亿美元 - 拥有自主芯片设计的OEM厂商：520亿美元 - 芯片设计公司：250亿美元 - 最大的垂直行业分别为 [18]： - 计算和数据存储：3500亿美元 - 无线通信：2000亿美元 - 汽车：750亿美元 - 尖端工艺节点的价值高达2200亿美元，相当于所有类型内存（NAND、DDR DRAM和HBM）价值的总和 [18] 未来增长预测 (至2030年) - 预计到2030年半导体市场规模在1.1万亿至1.8万亿美元之间，基准情景为1.6万亿美元，比2024年预测值增加8250亿美元 [20] - 2024年至2030年整体市场的复合年增长率预计为13%，但各细分领域增长差异显著 [28] - **领先垂直行业的增长轨迹** [25][26]： - **计算和数据存储**：从3500亿美元增长至8100亿美元，增加4600亿美元，占半导体总预期增长额8250亿美元的一半以上，主要驱动力是人工智能服务器需求 - **无线通信**：从2000亿美元增长至3500亿美元，增加1500亿美元，增长源于高端智能手机需求、其他无线设备半导体含量增加以及向更小制程节点的过渡 - **汽车**：芯片价值持续增长，主要动力是向电动汽车转型和高级驾驶辅助系统（ADAS）的完善 细分市场增长不平衡 - **尖端工艺节点（非存储器件）**：预计复合年增长率达22%，是增长最快的领域 [28] - 2纳米制程节点需求预计到2030年飙升136% - 如果1.4纳米节点在2027年问世，其预计复合年增长率约314% - **高带宽内存（HBM）**：预计复合年增长率达20%，远高于DDR DRAM（12%）和NAND（9%） [28] - **先进成熟节点**：需求预计仅增长2%到4% [28] - **增长贡献份额** [28][29]： - 尖端芯片（主要用于人工智能）将贡献总增长的62% - 存储器市场将贡献总增长的31%，其中近一半与HBM相关 - 先进成熟节点的增长速度远低于上述领域，其价值可能在2026年被前沿节点超越 对半导体公司的启示与战略 - **尖端芯片和HBM领域** [34]： - 将迎来最大增长，预计复合年增长率超过20%，是“最可靠的增长途径” - 成功取决于持续创新，以提供速度更快、能效更高的解决方案 - 竞争格局呈“赢家通吃”，少数公司将攫取大部分利润 - **先进和成熟节点领域** [35]： - 预计复合年增长率约为3%，增长较为缓慢 - 存在局部高增长点，如光连接芯片和功率半导体 - 产能扩张可能超过市场增速，对价格构成压力，竞争加剧 - 增长将主要来自更高销量而非提价，公司需追求规模经济、成本削减和产品差异化 - **通用战略建议** [37][38]： - 高增长领域公司应密切关注市场趋势，快速调整产品组合，在战略转折点果断行动 - 低增长领域公司应着力提升业绩，打造差异化产品并实现成本优势，可通过程序化并购和动态资源管理来增加在高增长领域的投资 - 领先企业通常通过组合策略优化经济利润，包括程序化并购、动态资源重新配置、超越竞争对手的投资、提高生产力以及实现鲜明差异化

文章核心观点 - OpenAI正在积极推行其历史上最激进的扩张计划，并与多家芯片制造商达成巨额交易，以实现其人工智能处理能力的多元化，减少对单一供应商英伟达的依赖 [1] OpenAI的芯片合作战略 - OpenAI已向包括英伟达、AMD以及博通在内的多家公司承诺了超过1.4万亿美元的基础设施建设交易 [1] - 为了满足市场对其人工智能技术的预期需求，OpenAI已向市场发出信号：它需要尽可能多的处理能力 [1] 与英伟达的合作 - 早在ChatGPT发布之前，OpenAI就一直依赖于英伟达的图形处理单元 [3] - 2025年9月，英伟达宣布将投入1000亿美元支持OpenAI构建和部署至少10吉瓦的英伟达系统，这相当于400万到500万个GPU [3] - 该项目的第一阶段预计将于2026年下半年在英伟达的Vera Rubin平台上上线，但英伟达在11月的财报电话会议上表示“无法保证”合作协议能从宣布阶段发展到正式合同阶段 [3] - 英伟达的首笔100亿美元投资将在第一个千兆瓦项目完成后，按当时的估值进行 [3] 与AMD的合作 - 2025年10月，OpenAI宣布计划在未来几年和多代硬件上部署6吉瓦的AMD GPU [5] - 作为交易的一部分，AMD向OpenAI授予了一份认股权证，可获得至多1.6亿股AMD普通股，约占该公司10%的股份 [5] - 两家公司计划在2026年下半年推出首批1千兆瓦芯片，交易价值数十亿美元 [5] 与博通的合作 - OpenAI与博通公司公开宣布了一项酝酿了一年多的合作计划，同意部署10吉瓦的定制AI加速器 [7] - 博通将其定制人工智能芯片称为XPU，其潜在交易储备使得博通的市值超过1.6万亿美元 [7] - 博通的目标是在2026年下半年开始部署AI加速器和网络系统的机架，目标是在2029年底前完成该项目 [7] - 博通首席执行官预计2026年与OpenAI的合作不会带来太多收入，并称这是一项将持续到2029年的多年计划 [7] 与Cerebras的合作 - 2026年1月，OpenAI宣布与Cerebras达成一项协议，将部署750兆瓦的Cerebras AI芯片，这些芯片将在2028年前分批上线 [8] - 该交易价值超过100亿美元，Cerebras生产的大型晶圆级芯片的响应速度比基于GPU的系统快15倍 [8] - Cerebras在2025年10月宣布完成超过10亿美元的融资后几天，便撤回了首次公开募股计划，该公司严重依赖其在阿联酋的单一客户G42 [8] 与其他潜在合作伙伴的动态 - 2025年11月，OpenAI与亚马逊网络服务公司签署了一项价值380亿美元的云服务协议，亚马逊也在洽谈可能向OpenAI投资超过100亿美元 [10] - OpenAI可能会决定在投资洽谈中使用亚马逊的AI芯片，但目前尚未有任何官方决定 [10] - Google Cloud和博通去年悄然达成一项协议，为OpenAI提供计算能力，但OpenAI表示没有计划使用谷歌自主研发的张量处理单元芯片 [10] - 英特尔在2025年10月发布了一款代号为“新月岛”的新型数据中心GPU，预计将于2026年下半年向客户提供样品 [12] - 路透社2024年援引知情人士的话报道称，英特尔本有机会在几年前就投资OpenAI，并有可能为其生产硬件，但最终决定放弃这笔交易 [11][12]

公司融资与现状 - 本土ARM服务器芯片初创公司博瑞晶芯完成了新一轮超10亿元人民币的融资 [1] - 投资方包括珠海新质生产力基金、珠海港湾科宏、烟台安锐算芯及福成開瑞有限公司等机构 [1] - 公司成立于2021年，总部位于珠海，并在上海、北京、成都和深圳设有研发中心 [1] - 公司专注于构建开放型计算芯片设计平台，以自研CPU为核心，为服务器、汽车电子等领域提供高性能、可定制的芯片解决方案 [1] - 公司CEO表示，本轮融资体现了投资方对公司核心技术能力和长期发展方向的认可，公司已完成重组与资源整合，研发团队已阶段性搭建，重点项目正稳步推进 [2] 公司战略与股东支持 - 未来公司将持续加大高端研发人才引入，携手产业生态伙伴，共同推动国产ARM服务器算力生态的建设与落地 [2] - 股东珠海科技产业集团表示，公司将凭借已获得的ARM V9指令集架构授权和全套最新IP授权优势，为信创市场提供高性能、多元化的芯片选择 [4] - 珠海科技产业集团将发挥资源整合优势，通过“云上智城”开放大数据中心、智能家居等高价值场景，赋能企业发展，为珠海打造ARM算力技术底座 [4] - 本轮超10亿元融资为公司后续产品研发和平台化推进提供了充足的资金保障，奠定了在国产ARM服务器芯片赛道持续投入的稳固基础 [5] 行业背景与赛道分析 - ARM服务器芯片被视为国产高端算力的重要突破口，在特定应用场景和国产生态体系中是传统x86架构的重要补充 [2] - 在人工智能迅速崛起的当下，英伟达、AWS等企业的ARM架构CPU已在AI服务器市场实现规模化部署并形成成熟应用范式，印证了其在高端算力领域的核心价值 [2] - 与消费级芯片不同，服务器处理器对性能和稳定性要求极高，且高度依赖操作系统、虚拟化、数据库等软件生态的全面适配，研发周期长、投入重、回报慢 [3] - 尽管赛道前景广阔，但ARM服务器芯片的商业化落地节奏相对平缓，对初创企业挑战巨大 [2][3] - 在算力基础设施建设持续推进的背景下，资本市场仍愿意对具备技术积累和产业落地潜力的硬科技项目给予耐心支持 [3] 行业意义与展望 - 博瑞晶芯超10亿元的融资规模在本土服务器芯片初创公司中并不多见，显示出投资方对公司长期发展路径的认可 [3] - 在国产算力需求持续增长、生态逐步完善的背景下，博瑞晶芯后续的项目进展和市场表现，将成为观察国产ARM服务器芯片赛道走向的重要样本之一 [5]

文章核心观点 - 美台达成一项以大规模对美半导体投资换取关税豁免的协议，该机制将豁免配额与美国本土半导体产量挂钩，旨在增强美国供应链自主性而非仅获取关税收入[1] - 韩国半导体行业与政府面临压力，担忧美国会要求其进行与台湾规模相当的“配套关键投资”，以换取对等关税待遇，但韩国现有及承诺的对美投资规模远小于台湾，可能在此后的谈判中处于不利地位[1][2] - 美台半导体联盟的巩固可能从长远影响韩国半导体企业（如三星电子、SK海力士）在美国市场的竞争力，特别是在获取美国大型科技公司订单方面[2] 美台协议详情及其影响 - 台积电将投资2500亿美元，台湾政府担保的中小企业再投资2500亿美元，总计5000亿美元用于美国半导体产业，以换取半导体关税豁免配额[1] - 协议机制关键在于：美国半导体产量越高，获得的豁免配额就越多，这被解读为美国将半导体关税与对美投资规模直接挂钩[1] - 美国此举目的被解读为要求企业通过对美投资，为构建和增强美国半导体供应链的自主性做出贡献，而非仅仅获取关税收入[1] - 在AI投资热潮推动半导体需求爆炸式增长的背景下，加征关税只会加重美国大型科技公司的成本负担[1] 韩国面临的挑战与现状 - 韩国与美国在去年10月峰会上达成协议，确保韩国半导体关税不会低于半导体贸易量等于或大于韩国的国家，但关键在于韩国能否据此获得与台湾类似的待遇[2] - 韩国目前在美国的半导体投资总计约410亿美元，包括三星电子在德克萨斯州的晶圆代工厂（总投资370亿美元）和SK海力士在印第安纳州的先进封装工厂（投资38.7亿美元）[2] - 韩国政府同意直接向美国投资并提供担保的3500亿美元中，已有1500亿美元分配给造船合作项目“MASGA”，这使得韩国难以将全部资金投入半导体行业[2] - 专家预测，鉴于投资金额的显著差异（台湾5000亿 vs 韩国约410亿），韩美在是否给予韩国类似关税豁免待遇方面很可能存在重大分歧[2] - 半导体是韩国对美国的第二大出口商品，出口额达133.7亿美元，仅次于汽车[2] 行业潜在影响与各方观点 - 担忧美台半导体联盟通过此次谈判进一步巩固，可能使韩国半导体企业在从美国大型科技公司获得订单方面处于长远劣势，尤其是在晶圆代工领域追赶台积电的三星电子[2] - 有观点认为现在评估韩国企业在美国投资的利弊为时尚早，需考虑美国高昂的劳动力成本和物流供应链费用等因素[3] - 在当前半导体行业蓬勃发展、存储器短缺导致产品滞销的情况下，部分观点认为美国政府很难要求韩国企业承担额外的关税[3] - 半导体行业人士指出，美国正在发出明确信号，施压韩国加大对半导体行业的投资[3]

台积电在尖端制程的进展与领先地位 - 台积电正在扩大其在尖端晶圆代工市场的领先地位 [1] - 台积电去年第四季度大幅提升了3nm工艺的销售份额，该工艺占其总销售额的28%，创历史新高 [1][2] - 台积电的2nm（N2）工艺已于去年下半年成功进入量产阶段，并预计今年将实现快速量产 [1] - N2的后续工艺N2P计划于今年下半年开始量产，在性能和能效方面均有所提升 [1] - 采用背面供电技术的16A（1.6nm）工艺也计划于今年下半年开始量产 [1] - 台积电的2nm工艺自量产以来良率保持稳定，有消息称其良率超过80% [1] 三星电子在尖端制程的追赶与布局 - 三星电子也在顺应先进制程趋势，将其第一代2纳米工艺（SF2）的良率提高到50%左右 [1][2] - 与去年年中30%左右的良率相比，三星第一代2nm工艺良率有显著提升 [2] - 三星于去年第四季度开始量产基于SF2工艺的移动应用处理器Exynos 2600，该芯片将搭载于计划今年第一季度发布的Galaxy S26系列中 [2] - 据内部人士了解，Exynos 2600的良率已达到50%左右的相对稳定水平，且该芯片组将占所有Galaxy手机的约25% [2] - 业内普遍认为，三星第二代2nm工艺（SF2P）的成功对于其尖端晶圆代工业务的复苏至关重要 [2] - 与SF2相比，SF2P的性能提升了12%，能效提升了25%，芯片尺寸缩小了8% [2] - 三星已完成SF2P的基础工艺设计套件，并正积极指导其合作伙伴向客户推广SF2P工艺 [2][3] 三星电子的关键客户与量产计划 - 三星电子的SF2P工艺已获得外部客户正式确认可进行大规模量产 [4] - 除了三星自家的下一代移动应用处理器Exynos 2700，SF2P还将负责特斯拉人工智能半导体（AI6芯片）的量产 [3] - 去年，三星电子与特斯拉签署了一份价值22万亿韩元的半导体代工生产合同，主要目标是量产应用于特斯拉下一代FSD、机器人和数据中心的高性能系统半导体AI6 [3] - 据报道，AI6芯片采用了三星电子的SF2P工艺 [3] - 三星计划利用其国内设施生产AI6芯片的初始样品，随后在其位于泰勒市的新晶圆厂进行全面量产 [3] - 如果AI6芯片的量产顺利启动，将为三星吸引其他客户提供重要参考 [4]

玻璃基板技术概述与行业趋势 - 玻璃基板是下一代半导体封装关键技术，以玻璃为核心材料替代现有有机基板 [1] - 玻璃基板具备热膨胀系数低、表面平整度高、信号损耗小、能效高等优势，尤其适合人工智能等高性能、高集成度芯片的封装需求 [1] - 行业竞争格局已从技术研发转向以大规模生产为目标的价值链争夺战 [1] 韩国主要企业布局与战略 - **SK集团 (SKC/Absolics)**：正加速推进玻璃基板量产准备，将其视为与AI半导体同步增长的高价值材料及中长期业务重组转折点 [1] - **三星集团**：将玻璃基板视为下一代封装竞争力和价值链保障的关键，三星电机与日本住友化学合资开发玻璃芯材，三星电子通过风投投资日本专业公司JWMT以支持其产能提升 [2] - **LG集团 (LG Innotek)**：将玻璃基板业务评估为现有业务的延伸，在投资UTI公司后合作开发增强玻璃强度的技术，并已建成试点生产线以评估量产可行性 [2] 量产化进程与供应链合作 - Absolics公司正通过引入国内材料供应商实现光刻胶供应多元化，并寻求更多合作伙伴以开展玻璃通孔和电镀等工艺，计划今年实现量产 [2] - 玻璃基板工艺复杂，涉及光刻胶、玻璃芯材、热压成型、电镀和钢化玻璃加工等高难度工艺，单个公司难以在有限时间内独立完成 [3] - 随着各大公司量产计划明确，在客户认证后，建立合作伙伴关系以稳定产量和良率的需求日益增长 [3] - 行业观点认为，竞争关键在于谁先完成可量产的结构设计，早期稳定良率和供应可靠性至关重要，专业公司间的合作势在必行 [3]

SK海力士5位单元NAND闪存技术 - 在2025年IEDM会议上展示了最新的5位单元NAND闪存技术，即多站点单元技术[1] - 该技术将3D NAND单元一分为二，提高了位级别，同时将所需的电压状态数减少了约三分之二，从而提高了速度和耐用性[1] 技术原理与挑战 - NAND单元通过测量阈值电压来读取电荷，每增加一位，电压状态数翻倍[1] - 5位PLC需要32种电压状态和31个阈值电压[2] - 增加电压状态会缩小状态间差距，降低检测裕量，延长编程和读取时间，并加速单元损耗[2] - 目前QLC已商业化，但PLC因读取可靠性和耐久性太低尚未实现商业化生产[3] 多站点单元技术优势 - 多站点单元技术将每个单元分割成两个独立部分，每个部分拥有更少且独立的电压状态[3] - 每个位点仅有六种电压状态，组合后得到总共36种状态，可满足PLC所需的32种状态[6] - 电压间隙更大，降低了电子泄漏问题，缩短了编程时间，有助于延长单元使用寿命[7] - 与非MSC PLC闪存相比，读取速度提高了20倍[7] 容量提升潜力 - 与QLC技术相比，PLC能为NAND芯片增加25%的容量[3] - 若每个MSChalf-cell有8个电压状态，整个单元将有64种状态，可满足6位HLC需求[8] - 这种单元可拥有与现有TLC相当的速度和耐久性，且比QLC芯片容量高出50%[8] 研发进展与行业动态 - 该技术理念是绕过电压状态屏障，避免简单地在单元中增加超过4位的位级[1] - SK海力士至少从2022年就开始研发这项所谓的4D 2.0技术[1] - 公司已制造出带有工作器件的晶圆，并研究如何经济高效地制造PLC MSC闪存[7] - 其他闪存制造商如铠侠、美光、三星和闪迪也将开展类似研究[7]

文章核心观点 - Future Horizons认为全球半导体行业未来一年面临高度不确定性，预计2026年市场增长率在正负12%左右，当前由AI驱动的强劲增长可能面临急剧下滑风险，并将当前AI热潮与历史泡沫周期类比，警告其可能在未来一两年内破裂[1][4][10] - 尽管存在泡沫破裂的警告，但以台积电为代表的行业巨头对AI驱动的需求持长期乐观态度，认为AI繁荣是真实的并将持续多年[1] 当前半导体市场状况与AI驱动 - 当前半导体市场增长主要由人工智能应用推动，WSTS预测2025年半导体市场增长22%，2026年增长26%[2] - 市场增长高度集中于存储器和逻辑器件两大类别：存储器预计2025年增长28%，2026年增长39%；逻辑器件预计2025年增长37%，2026年增长32%[2] - 若剔除存储器和逻辑器件，半导体市场其他类别在2024年下降3%，预计2025年仅增长6%[2] - AI应用普及率快速上升：麦肯锡调查显示，企业AI使用率预计从2023年的55%升至2025年的88%[2] - 标普500成分股公司中提及AI的数量从2022年第三季度的53家激增至2025年第三季度的306家[2] - 英伟达作为最大的AI半导体公司，其2024年收入增长114%，并预计2025年增长63%[2][3] 历史泡沫周期类比（PC与互联网） - **PC泡沫（1980年代）**：1981年IBM PC引发市场繁荣，1983年PC出货量增长85%，1984年增长29%[5] - PC繁荣在1985年因兼容机竞争、GDP增速放缓等因素戛然而止，PC出货量下降11%，并导致1985年半导体市场下滑17%，内存销量下降38%，英特尔营收下降16%[5][6] - 下滑是短暂的，市场在1986-1987年迅速恢复增长[5][6] - **互联网泡沫（1990年代末）**：1995-1996年互联网用户数几乎每年翻番，1997-2000年年增长约50%[7] - 2000年初因利率上升、初创公司缺乏盈利，投资大幅下滑，纳斯达克100指数从2000年3月到2002年10月下跌78%[7] - 互联网公司倒闭导致电信基础设施产能过剩，2001年半导体市场下滑32%，存储器市场下滑49%，思科收入在2001年下降23%[7][8] - 历史泡沫周期显示，半导体市场在经历两年强劲增长（增速在19%至46%之间）后出现泡沫破裂和市场大幅下滑[8] 对当前AI周期的分析与预测 - 当前周期与历史模式相似：预计半导体市场在2024年增长20%，2025年增长23%，2026年增长26%[8] - 历史经验表明，所有重大新技术在最初几年经历强劲增长后，增长速度会放缓甚至下降，伴随投资减少和硬件公司收入下滑，进而导致半导体市场下滑[10] - 基于历史模式，人工智能泡沫可能在未来一两年内破裂[10] - 泡沫破裂被视为一种调整而非技术终结，人工智能仍被预期将带来重大变革，但其变革能否顺利实施有待观察[10]

公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 如果用一个词概括HBM这几年的进化，那就是：堆得越来越高。HBM本质上是一种"把 DRAM 垂直叠起来"的存储技术。层数越高，单颗 HBM 的容量越大、带宽越高，对 AI GPU 来说就越 香——因为 AI 真正稀缺的从来不是算力，而是喂数据的速度。 因此，HBM 的演进路线也非常清晰：从4层到8层、12层，再逼近16 层。8 层是 HBM 真正成熟、规 模化出货的主力，它是过去一段时间 AI GPU 的"最常见配置"，良率稳定、供应链也最成熟；12层 则成为近两年的主力量产方向，在容量、性能与成本之间取得了更理想的平衡，也最适合大规模出 货。而截至目前，HBM 已经正式迈入16层堆叠的量产前夜：在刚刚结束的 CES 2026 上，SK 海力 士已经展出了全球首款16层 HBM4 样品，单堆栈容量提升至 48GB。 但层数的提升，并不只是"多堆几层"这么简单。事实上，每增加 4 层，整个系统的制造难度都会显著 上一个台阶：贴装精度、焊点间距、Z 方向高度控制、翘曲、底填（MUF）可靠性……所有原本还 能被工艺余量掩盖的问题，都会被 16 层这种高度放大到"生死线 ...

文章核心观点 - 人工智能基础设施正面临铜互连的物理瓶颈，向光互连转型已成为经济和性能的必然趋势 [1] - Marvell Technology通过总计约38亿美元（约270亿人民币）的两项收购，整合了光互连、CXL交换和UALink技术，旨在构建下一代AI数据中心所需的完整连接解决方案，从而在竞争中占据有利地位 [1][5][6] - 这一战略转型可能重塑AI芯片市场的竞争格局，对博通、联发科等现有领先者构成挑战 [9][12] 人工智能基础设施的转型需求 - 传统AI系统将处理器限制在单个机架内，限制了可扩展性并需要昂贵的硬件冗余 [3] - 下一代“纵向扩展架构”将数百个AI加速器分布在多个机架上，实现处理器间的直接内存访问，提高了资源利用率 [3] - 铜互连在机架间传输数据时存在显著限制：功耗约为光纤互连的两倍，传输距离短，且难以承受AI加速器接近千瓦级的功率带来的散热和经济压力 [3] - 电信号会随距离衰减，消耗过多电力，无法提供现代AI工作负载所需带宽，铜缆已成为瓶颈 [1] Marvell的连接技术战略与收购 - Marvell以约38亿美元总价收购了Celestial AI（32.5亿美元）和XConn Technologies（5.4亿美元），以解决光互连瓶颈 [1] - 公司采取三管齐下的连接策略，整合了三个互补技术层 [5] - **CXL技术**：实现内存解耦，使数据中心能跨系统共享内存，无需每台服务器安装专用高带宽内存（HBM），可重新利用DDR4内存至共享池，延长资产寿命并降低成本 [5] - **片上光互连（Celestial AI）**：其光子结构技术将光器件直接集成到处理器封装中，无需铜线进行扩展连接，每个芯片可提供16太比特/秒带宽，是当前领先机架间网络光端口容量的十倍 [3][6] - **UALink交换**：基于PCIe的开放行业标准，为AI工作负载提供低延迟、高带宽特性，使多个AI加速器能作为单一逻辑系统运行 [6] - 整合后，XConn交换机管理机架内及相邻系统间的PCIe/CXL流量，Celestial AI的光互连以纳秒级延迟扩展跨机架连接，UALink负责协调整个基础设施的通信 [6][7] 市场格局与竞争影响 - **博通**：目前在超大规模AI基础设施定制芯片领域领先，但缺乏下一代可扩展架构所需的光互连技术，若该技术成为标准，博通可能需收购或开发相关技术，否则面临设计订单流失给Marvell的风险 [9][12] - **联发科**：正向数据中心AI网络和定制加速器芯片领域扩张，但缺乏与超大规模数据中心的稳固合作关系以及像Marvell那样全面的连接产品组合，在共封装光器件领域尚无相关能力公布 [9] - **传统光学供应商**（如Coherent、Lumentum、Cisco）：专注于长距离数据中心互连，而非扩展网络所需的集成光器件，在Marvell瞄准的处理器集成光互连市场中处于不利地位 [10] - Marvell的收购使其能够提供涵盖电交换、光互连和存储器解耦的完整连接解决方案，拉大了与博通、联发科的技术差距 [9] 财务预测与市场机遇 - Marvell预计XConn在2028财年将产生约1亿美元收入，初步贡献从2027财年下半年开始 [12] - Celestial AI代表更大机遇：管理层预计其在2028财年第四季度的年化收入达5亿美元，到2029财年第四季度翻番至10亿美元 [12] - 收购包含与营收里程碑挂钩的或有付款：若Celestial AI到2029财年末累计营收超20亿美元，Marvell将向其股东支付高达22.5亿美元的股票，此结构将执行风险转移给卖方 [12] - 将光连接引入机架内部和处理器封装，为半导体供应商创造了全新的巨大芯片开发市场机遇 [12] - 博通所在的定制ASIC市场利润丰厚，即使被Marvell抢走少量市场份额，也足以促使博通进行收购 [13]