宏观经济与区域发展 - 顺义区"十四五"以来GDP年均增长5.8%，2023年总量达2388亿元[1] - 顺义区"十四五"以来固定资产投资年均增长6.5%，2023年总量突破600亿元[1] - 顺义区"十四五"以来工业产值年均增长8.2%，2023年总量近2000亿元，稳居北京市前三[1] 新能源智能汽车产业 - 顺义区已集聚理想汽车、北京现代、奔驰新能源、北汽越野车4大整车企业及150余家上下游企业[2] - "十四五"以来顺义区累计生产整车165万辆，实现产值3360亿元，年均增长13%[2] - 顺义区正在建设占地2500亩的京津冀智能网联新能源汽车科技生态港[2] - 北京每生产3辆汽车，就有1辆来自顺义区[1] 航空航天产业 - 顺义区依托中航产业园和航天产业园，拥有20余家航空航天重点企业，"十四五"以来工业产值年均增长15%[2] - 在飞机维修领域，顺义区发挥AMECO链主企业作用，带动20余家维修企业聚集，年工业产值达140亿元，占全国近两成[2] - 顺义区将推动北京航空发动机维修项目投产，打造罗罗全球维修网络的中国大陆首家、全球第四家遄达系列合资维修公司[2] - 顺义区拥有航空服务企业220余家，2023年营收近2000亿元，较2020年增长86%[2] 医药健康产业 - 顺义区医药贸易规模连续两年超千亿元，占全国近三分之一，其中疫苗进口占全国的95%[3] - 顺义区建成了全国唯一的罕见病用药保障试点，获批临床急需进口药品25个，与全球30余家跨国药企合作[3] - 顺义区医药制造领域集聚了40余家企业，"十四五"以来工业产值年均增长8%，2023年总量达120亿元[3] - 顺义区正与北大口腔医院合作推进国际口腔医疗器械创新转化基地建设[3] 开放平台与外资集聚 - 顺义区集聚外资企业950余家[4] - 首都机场临空经济区2023年园区企业营收超3500亿元，较2020年增长53%[4] - 天竺综保区在全国150个综保区绩效评估中排名前列[4] - 中德产业园集聚德资企业120余家，其中2021年园区获批以来新增企业数量占比50%以上[4] - 顺义区连续举办六届HICOOL全球创业者峰会，为167个国家和地区的3.4万个项目、4.5万名创业者搭建平台[4] 民生与社会发展 - 顺义区每年将财政支出的85%以上投入到民生领域[6] - 5年来顺义区累计投入教育经费220亿元，新增学前学位1.1万个、中小学学位2万余个[6] - 5年来顺义区累计新增就业岗位17万个，连续13年获评"北京市充分就业区"[6] - 顺义区"城乡居民基本养老保障待遇"较2020年提高17%，为困难群体发放补贴超12亿元[6] - 顺义区竣工保障性住房3.8万套，"公租房备案家庭总体保障率"达93.85%，排名全市第一[6]

瀚薪科技融资动态 - 公司完成超2亿元新一轮融资，由西安高新区芯石投资合伙企业领投，西安高新区多家国有资本投资平台联合投资[1] - 融资完成后，公司将在西安建立第二总部，深化与西北地区产业链及高校合作，加快碳化硅核心产品的研发与产业化[1] - 公司计划构建"双总部、双轮驱动"格局，整合产业链并扩大产能，聚焦新能源汽车、工业控制及光伏等领域的高性能功率半导体解决方案[2] 中科光智融资动态 - 公司完成B轮融资首批签约，获成都市金牛区交子私募基金管理有限公司数千万元投资，本轮融资总规模目标为1亿元人民币[2][4] - 融资将用于在成都市金牛区打造碳化硅芯片封装设备研发制造中心，重点推进高精度全自动贴片机等设备的研发与产业化[2] - 高精度全自动贴片机是公司核心产品，适用于功率半导体、光通信等领域，搭载先进运动控制与视觉识别技术，已在多家头部企业完成验证[3] 行业影响与展望 - 碳化硅作为第三代半导体代表性材料，是推动新能源、工业控制等领域发展的核心力量，战略意义与市场价值凸显[1] - 两家公司的融资进展有望在碳化硅技术研发、产品创新与产业化方面取得突破，为我国第三代半导体产业崛起注入活力[5]

投资评级 - 报告对晶升股份的投资评级为“买入”，且为“维持”该评级 [1][6][10] 核心观点 - 公司作为国内领先的半导体专用设备供应商，已实现碳化硅材料制备关键环节全覆盖，构建了从碳化硅粉料合成、晶体生长、晶锭加工到外延生长的全流程设备供应能力 [4] - 碳化硅因其优异性能，有望取代传统硅成为CoWoS、SoW等先进封装的中介层材料，公司下游客户已向台积电送样并将逐步小批量供应，进一步打开碳化硅材料应用空间 [4] - 公司拟收购为准智能，其主营无线通信测试设备，2025H1实现营收7,392.71万元，净利润2,809.41万元，净资产为3.80亿元，此次收购旨在将半导体产业链从上游延伸至终端应用领域，完成垂直整合并借助其海外渠道加速海外布局 [5][10] 公司基本情况 - 公司最新收盘价为38.34元，总股本/流通股本为1.38亿股/1.03亿股，总市值/流通市值为53亿元/40亿元，52周内最高/最低价为41.80元/25.00元，资产负债率为15.5%，第一大股东为李辉 [3] 盈利预测与财务指标 - 预计公司2025/2026/2027年营业收入分别为4.7亿元、6.5亿元、7.7亿元，对应增长率分别为11.13%、36.58%、18.64% [6][9] - 预计公司2025/2026/2027年归属母公司净利润分别为0.54亿元、1.0亿元、1.3亿元，对应增长率分别为0.01%、83.55%、33.22% [6][9] - 预计公司2025/2026/2027年每股收益（EPS）分别为0.39元、0.71元、0.95元，市净率（P/B）分别为3.33x、3.25x、3.16x [9][12] 相对估值 - 参考可比公司晶盛机电、北方华创、连城数控，其2025年iFind一致预期PB均值为4.52x，高于晶升股份2025年预测PB 3.33x [10][11] - 公司目前碳化硅材料制备关键环节全覆盖，且拟通过收购进行产业链垂直整合，未来有望深度受益于行业发展趋势 [10]

公司概况与创始人背景 - 英诺赛科是一家专注于第三代半导体氮化镓产品的公司，采用IDM全产业链模式，业务涵盖设计、开发及生产分立器件、集成电路、晶圆及模组 [4][6] - 公司创始人骆薇薇为新西兰梅西大学应用数学博士，曾在美国宇航局（NASA）旗下研究院工作15年，从高级项目经理升至首席科学家 [4] - 公司总部位于苏州，拥有中国首条8英寸硅基氮化镓生产线，填补国内该领域空白，产品应用于消费电子快充、LED照明、数据中心、工业及新能源汽车等领域 [4][6] 资本市场表现与股价驱动因素 - 英诺赛科于去年底登陆港交所，发行价为30.86港元/股，开盘后市值一度涨至约300亿港元，最新市值突破700亿港元 [1][6] - 股价从约40港元最高冲上106港元，较发行价涨幅超过243%，市值一度突破800亿港元，主要驱动因素是公司进入英伟达供应链 [1][7] - 英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录，英诺赛科成为名单中唯一中国芯片企业，将为英伟达提供全链路氮化镓电源解决方案 [7] 投资方与股东回报 - 公司投资人队伍庞大，包括苏州展翼、珠海创投、吴江产投、招银国际、赛富高鹏等机构，以及个人投资者宁德时代董事长曾毓群 [8] - 吴江产投为第二大股东，持股约4475万股，以最新股价计算持股市值约40亿元；曾毓群（通过其妻子持股）上市前投资2亿元，持股比例1.78%，投资已翻数倍 [8] 行业背景与技术优势 - 氮化镓与碳化硅并称为第三代半导体，具有高电压高频率、高运行效率、高温稳定运行等优势，适用于光电、射频通讯、高频功率器件等领域 [4] - 公司攻克8英寸硅基氮化镓工艺技术，采用8英寸工艺及IDM模式，在当时国内量产能力薄弱、技术代差明显的背景下实现技术突破 [4][6] - 英伟达推动数据中心从54V交流供电向800V高压直流架构跃迁，旨在支撑未来百倍、千倍增长的AI算力需求，实现单机柜功率密度突破300kW [7] 中国科技女性创始人趋势 - 中国新一代科技女性创始人正在崛起，例如果链龙头立讯精密创始人王来春、蓝思科技掌门人周群飞、正力新能掌门人曹芳等 [3][9][10] - 这些女性创始人在硬科技领域如生物医药、新能源汽车电控系统、光刻技术、精密制造等前沿领域带领企业穿越周期，成为中国产业升级浪潮中的一道风景线 [10]

10月9日，天岳先进盘中上涨2.19%，截至10:19，报83.96元/股，成交4.03亿元，换手率1.13%，总市值 406.89亿元。 资金流向方面，主力资金净流出2514.58万元，特大单买入3148.55万元，占比7.80%，卖出6137.73万 元，占比15.21%；大单买入1.20亿元，占比29.67%，卖出1.15亿元，占比28.50%。 天岳先进今年以来股价涨63.98%，近5个交易日跌1.36%，近20日涨24.39%，近60日涨49.13%。 截至6月30日，天岳先进股东户数1.70万，较上期减少6.53%；人均流通股17663股，较上期增加6.99%。 2025年1月-6月，天岳先进实现营业收入7.94亿元，同比减少12.98%；归母净利润1088.02万元，同比减 少89.32%。 机构持仓方面，截止2025年6月30日，天岳先进十大流通股东中，华夏上证科创板50成份ETF （588000）位居第六大流通股东，持股962.79万股，相比上期减少5.62万股。易方达上证科创板50ETF （588080）位居第八大流通股东，持股711.96万股，相比上期增加20.37万股。银河创新混合A ...

核心观点 - 华润微电子聚焦功率半导体与智能传感器，其第三代半导体产品性能达到国际先进水平并已规模化应用 [1] - 公司通过“两江三地”战略布局，在晶圆制造、封测及掩模等关键环节实现产能与技术的重大突破 [1] - 公司积极布局算力需求驱动的全场景应用，并前瞻性卡位智能驾驶、低空经济等新兴领域以开辟增量空间 [1] - 公司未来将继续以创新驱动，巩固功率半导体领先地位 [2] 产品与技术 - SiC MOSFET等第三代半导体产品性能比肩国际先进水平，已规模化应用于新能源汽车主驱、光伏储能等领域 [1] - 针对AI服务器高密度供电需求，推出集成化功率模块以提升功率密度 [1] - 依托先进封装与制程工艺，为边缘计算、服务器等场景开发高效能电源管理芯片，优化电源转换效率以降低数据中心能耗 [1] - 迪思高端掩模项目已建立55nm工艺节点研发能力，重点支持90nm及以下高端节点 [1] 产能与制造布局 - 重庆12吋功率半导体晶圆生产线已于2025年9月满产，月产能达30000片 [1] - 深圳12吋特色模拟集成电路生产线于2024年底通线，其90nm平台多颗产品已量产 [1] - 重庆先进功率封测基地于2022年底通线，产品覆盖消费电子、工业控制、汽车电子、5G、AIOT等领域 [1] - 迪思高端掩模项目于2024年顺利通线 [1] 市场与应用领域 - 产品应用领域广泛，包括新能源汽车、光伏储能、消费电子、工业控制、汽车电子、5G、AIOT等新基建领域 [1] - 公司前瞻性卡位智能驾驶、低空经济、伺服电机等新兴领域，开辟多元化增量空间 [1] - 公司正加速全场景布局以应对算力需求的爆发式增长 [1] 发展战略 - 公司以“两江三地”战略布局夯实发展根基 [1] - 未来公司将继续以创新为驱动，与产业链共成长，巩固在功率半导体的领先地位 [2]

AI数据中心电力需求与挑战 - AI芯片算力爆发式增长导致电力需求激增，单个GPU功耗预计从目前的1000W激增至2030年的约2000W [3] - AI服务器机架峰值功耗将达到300kW以上，相当于传统服务器总功耗数十倍 [3] - 到2030年数据中心电力消耗可能占全球7%，约等于印度目前全国能源消耗量 [3] - 物理尺寸固定的AI服务器电源面临功率密度提升挑战，传统硅基设备已接近性能极限 [3] 第三代半导体技术优势 - 碳化硅（SiC）拥有更低导通电阻和更稳定温度特性，适合高电压、高温工作，尤其在AC-DC转换的功率因数校正应用中表现优异 [5] - 氮化镓（GaN）具备零反向恢复电荷和极低开关损耗，高开关频率特性适配高密度应用，在DC-DC转换的LLC转换器中表现卓越 [5] - 宽禁带半导体成为突破AI服务器电源性能瓶颈的关键技术 [3] 英飞凌技术布局 - 2024年6月推出专为AI服务器AC/DC级开发的CoolSiC™ MOSFET 400V系列，将功率密度提升至100W/in³以上，效率高达99.5% [7][8] - 开发3.3kW电源专用演示板，整合CoolGaN™、CoolSiC™与CoolMOS™技术，实现97.5%综合效率和96W/in³功率密度 [8] - 即将推出8kW和12kW全新电源，其中12kW参考板将成为全球首款达到该性能水平的AI数据中心电源 [8] 纳微半导体技术融合 - 2024年7月发布CRPS185 4.5kW AI服务器电源解决方案，实现137W/in³超高功率密度和97%以上效率 [9] - 通过GaNSafe™高功率氮化镓芯片和GeneSiC™碳化硅器件技术融合，打造高功率密度解决方案 [9] - 计划将功率水平从3kW提升至10kW，相关产品预计2024年第四季度推出 [9] 安森美半导体产品创新 - 最新一代T10 PowerTrench®系列与EliteSiC 650V MOSFET组合实现"小封装、高性能"平衡 [10] - EliteSiC 650V SiC M3S MOSFET满足Open Rack V3 PSU高达97.5%峰值效率要求 [10] - 通过先进封装技术提升散热性能，解决高功率转换过程热量问题 [10] EPC技术定位 - 聚焦低压GaN器件，满足48V转12V服务器电源转换器组件需求 [12] - 在2024年PCIM展会展示GaN技术在人形机器人和自动驾驶车辆LiDAR组件中的应用潜力 [11][12] 德州仪器合作布局 - 2021年与台达合作，基于TI的GaN技术和C2000™ MCU为数据中心开发高效大功率企业级电源 [13] - 在GaN技术和实时控制解决方案上积累十年以上研发经验，通过创新半导体制造工艺稳定生产高性能硅基GaN器件 [13] 英伟达行业引领作用 - 英伟达被比作"指挥大师"，引导全球设计构建和运营数据中心新方法，推动向800V高压直流电力基础设施过渡 [14] - 联合英飞凌、纳微、德州仪器等半导体企业及台达、施耐德电气等系统公司形成全产业链技术联盟 [14] - 计划2027年推出Rubin Ultra GPU与Vera CPU，推动AI数据中心电力基础设施整体重新设计 [15] 技术应用场景分析 - 高功率高电压数据中心电源基础设施中SiC凭借耐高压特性占据领先地位 [16] - 800伏到50伏转换因空间限制需高开关频率，更适合GaN技术发挥优势 [16] - 54伏到6伏低压中间总线转换场景中，GaN与硅器件均可适用 [16] 市场竞争格局 - 英飞凌在SiC、GaN、硅半导体三大领域均具备强大技术实力，能覆盖AI数据中心电力链每个阶段 [17] - 纳微通过收购GeneSiC Semiconductor完善宽带隙IC产品组合，业务覆盖传统交直流转换器到近处理器供电技术 [18] - 英伟达技术推动可能使开放计算项目逐渐过时，导致数据中心重新陷入"技术丛林"状态 [19] 市场前景预测 - GaN在AI数据中心市场增长速度将超过SiC，SiC主要聚焦交直流转换场景，而GaN还可拓展至交直流转换领域 [20] - 未来三到五年SiC有约1亿美元市场增长空间，但GaN市场机会更大 [20] - 800V HVDC架构对GaN高开关频率、低损耗特性需求释放，为GaN技术打开更大市场增量空间 [20] 第三代半导体协同效应 - 碳化硅从新能源汽车外获得第二个重要增长引擎，在高电压高功率PFC应用中成为AI服务器电源核心器件 [30] - 氮化镓从消费电子快充领域扩展至AI数据中心，在高频高密度需求下重新定义电源转换效率标准 [30] - 随着800V HVDC架构变革推进，第三代半导体在AI数据中心领域应用将迎来黄金发展期 [30]

股价与交易表现 - 9月30日盘中股价下跌2.07%至10.43元/股，成交额为1.01亿元，换手率为2.80%，总市值为37.20亿元 [1] - 当日主力资金净流出1084.58万元，其中特大单卖出154.90万元占比1.53%，大单买入1378.20万元占比13.61%同时卖出2307.88万元占比22.79% [1] - 今年以来股价累计上涨2.05%，近5个交易日下跌1.97%，近20日上涨3.37%，近60日上涨9.21% [1] - 今年以来1次登上龙虎榜，最近一次为1月13日，龙虎榜净买入额为-9660.27万元，买入总计4348.01万元占总成交额6.71%，卖出总计1.40亿元占总成交额21.63% [1] 公司基本面与财务数据 - 公司主营业务为LED照明驱动电源和消费电子电源，收入构成为SPS开关电源50.82%、LED驱动电源44.91%、光伏发电2.57%、其他1.20%、储能业务0.50% [1] - 2025年1-6月实现营业收入6.52亿元，同比增长9.97%，但归母净利润为-2252.99万元，同比大幅减少168.17% [2] - A股上市后累计派现1.47亿元，近三年累计派现1.07亿元 [3] 行业与股东信息 - 公司所属申万行业为电子-消费电子-消费电子零部件及组装，概念板块包括储能、换电概念、比亚迪概念、充电桩、第三代半导体等 [2] - 截至9月19日，公司股东户数为3.00万，较上期无变化，人均流通股为11432股，较上期亦无变化 [2]

业务结构 - 2025年上半年营业收入166,749.51万元，其中高端电源装备占比42.72%（71,240.65万元），新能源业务占比56.83%（94,754.24万元）[1][2] - 海外业务收入占比21.26%，产品以UPS、EPS为主，逆变器/充电桩/储能等新兴业务正在拓展[3] 技术研发 - 2025年上半年研发投入1.01亿元，占营业收入比重6.08%[7] - 拥有超1,000项专利及软件著作权，核心模块全栈自研[7] - 液冷技术覆盖冷板式/浸没式/喷淋式方案，应用于充电桩/数据中心/储能系统[6] - 钠电池产品包括UPS电源系列（48V/192V/384V）及50kW/120kWh储能柜，替代铅酸/锂电池[8][9] 客户与市场 - 充电桩客户涵盖电网企业（国网/南网）、石化企业（中石油/中石化）、整车厂商（小鹏/长城等）及重卡制造商（三一/徐工）[4] - 移动充电机器人用于油电一体化补能站和高速服务区高峰补能场景[4] - 海外市场覆盖欧洲/非洲/中东/东南亚，采用ODM与自有品牌并行模式[3] 战略布局 - 碳化硅领域通过参股公司开展应用技术研发，重点推进第三代半导体器件替代升级[10] - 计划于2025年12月31日后申请撤销ST风险警示[11]

12英寸碳化硅衬底技术突破 - 首条12英寸碳化硅衬底加工中试线于2025年9月26日正式通线 实现晶体生长、加工到检测环节全线设备100%国产化 [2] - 12英寸产品单片晶圆芯片产出量较8英寸增加约2.5倍 大幅降低长晶、加工、抛光环节单位成本 [3] - 覆盖晶体加工、切割、减薄、倒角、研磨、抛光、清洗、检测全流程工艺 核心设备自研且性能达行业领先水平 [2] 碳化硅产能布局 - 上虞基地布局年产30万片碳化硅衬底项目 [3] - 马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目 [3] - 银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目 [3] 半导体材料业务矩阵 - 蓝宝石材料实现750kg、1000kg晶锭及4-6英寸衬底规模化量产 研发8-12英寸蓝宝石衬底 [3] - 金刚石材料作为第四代半导体 适用于高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件 [4] - 碳化硅衬底应用于新能源汽车、智能电网、5G通信 以及AR设备、CoWoS先进封装中间基板等新兴领域 [3] 半导体设备业务布局 - 实现8-12英寸半导体大硅片设备国产替代 长晶设备在国产设备市场市占率领先 [6] - 芯片制造端开发8-12英寸减压外延设备、ALD设备等薄膜沉积类设备 [6] - 先进封装端开发12英寸减薄抛光机、减薄抛光清洗一体机、超快紫外激光开槽设备 [6] - 光伏装备实现硅片、电池片及组件环节核心设备的产业链闭环 [5]