2025年度经营业绩 - 2025年营业收入约123.85亿元，较2024年增加约33.19亿元，同比增长约36.62% [2][6] - 2025年归属于母公司所有者的净利润约21.11亿元，同比增加约30.69%；扣除非经常性损益的净利润约15.50亿元，同比增加约11.64% [2][7] - 报告期末总资产约297.72亿元，较期初增加13.56%；归属于母公司的所有者权益约226.95亿元，较期初增加14.99% [8] 分产品收入与增长 - 刻蚀设备销售约98.32亿元，同比增长约35.12%，是收入增长的核心驱动力 [6][11] - LPCVD和ALD设备销售约5.06亿元，同比增长约224.23%，呈现爆发式增长 [6][11] 研发投入与创新成果 - 2025年研发投入约37.44亿元，较2024年增长12.91亿元，同比增长约52.65%，研发投入占营业收入比例高达30.23% [2][7] - 研发费用24.75亿元，较去年增长约10.58亿元，同比增长约74.61% [7] - 新产品开发成效显著，近两年新开发出十多种导体和介质薄膜设备，多款已进入市场并获得重复订单，LPCVD设备累计出货量突破三百个反应台 [9] 核心技术进展与市场地位 - 刻蚀设备：针对先进逻辑和存储器件制造的关键刻蚀工艺高端产品新增付运量显著提升，已实现稳定可靠的大规模量产；累计已有超过7,800个反应台在国内外170余条客户产线量产，其中刻蚀设备反应台全球累计出货超过6,800台 [2][9] - 薄膜设备：CDP部门开发的LPCVD、ALD等十多款薄膜设备性能已达国际领先水平，薄膜设备覆盖率不断增加 [2] - 外延设备：EPI设备已付运至成熟及先进制程客户进行量产验证；常压外延设备完成开发进入工艺验证阶段；正在开发更多化合物半导体外延设备并付运验证 [2][9] - MOCVD设备：保持国际氮化镓基MOCVD设备市场领先地位，积极布局碳化硅和氮化镓基功率器件市场，Micro-LED等专用MOCVD设备开发取得良好进展 [9] 产能与供应链保障 - 南昌约14万平方米和上海临港约18万平方米的生产和研发基地已投入使用，保障销售快速增长 [10] - 持续开发关键零部件供应商，推动供应链稳定安全，设备交付率保持在较高水准 [10] 重大资产重组事项进展 - 公司拟通过发行股份及支付现金的方式购买杭州众硅电子科技有限公司的控股权并募集配套资金 [15] - 公司股票曾因此事项于2025年12月19日起停牌，并于2026年1月5日复牌 [16][17] - 截至2026年2月28日公告日，交易涉及的审计、评估等工作正在有序进行中，公司正在积极推进相关工作 [18]

文章核心观点 - 在“后摩尔时代”，原子层沉积（ALD）技术凭借其原子级精度和优异的三维保形性，正从辅助工艺跃升为制造先进芯片三维结构的关键核心技术，其应用也从半导体扩展到光伏、新能源电池、显示面板等多个领域，驱动市场规模持续增长 [1][9] - 中国ALD设备行业已实现从技术引进到自主创新的跨越式发展，国产设备在光伏等领域已占据主导地位，并成功导入28纳米及以上逻辑芯片和先进存储芯片产线，行业进入深度国产替代和向更先进制程突破的攻坚期 [4][5][11][13] - 行业未来发展将由技术演进、深度国产替代和应用场景拓展三大趋势驱动，市场规模有望持续扩容，本土厂商正从“并跑”向“领跑”迈进，并在“超越摩尔”和原子制造等新兴领域寻找增量市场 [12][13][15] 行业概述 - ALD（原子层沉积）设备是一种先进的薄膜制备技术，通过交替、自限性的表面化学反应，在基底上逐层生长出高度均匀、致密、保形性极佳的纳米级薄膜 [2] - 该技术正成为“后摩尔时代”制造先进芯片三维结构的关键核心技术，其应用已从半导体制造拓展至高效太阳能电池（TOPCon）、OLED柔性显示封装、锂电池固态电解质涂层等新能源及新材料领域 [1][12] 行业发展历程 - **起步阶段（20世纪70年代至2013年）**：国内早期依赖进口设备，中高端市场被ASM、TEL等海外厂商垄断；2010年沈阳拓荆成立并布局ALD技术，开启国产化探索 [4] - **自主研发阶段（2014-2018年）**：北方华创承担国家02重大专项“28-14nm原子层沉积系统研发及产业化”项目；微导纳米研发首台ALD原型机并完成光伏ALD设备的量产验证 [4] - **产业化突破阶段（2019-2022年）**：微导纳米半导体ALD设备研发完成并签订订单，其首套国产高电介质ALD设备通过28nm工艺测试验证；拓荆科技ALD设备完成产业化验证 [5] - **应用拓展阶段（2023年至今）**：拓荆科技实现国内ALD设备装机量及薄膜工艺覆盖率双第一；北方华创一次性推出三款ALD设备；国产设备在3D NAND、GAA晶体管等先进结构中取得关键突破，形成完整产业链 [5] 行业产业链 - **上游**：主要包括金属有机前驱体、氧化剂、反应气体等原材料，以及高精度质量流量控制器（MFC）、真空泵、ALD专用阀组、等离子体源、加热平台和石英/SiC反应腔体等关键系统 [7] - **中游**：为ALD设备研发生产环节 [7] - **下游**：主要应用于半导体制造、光伏、新能源、显示面板、MEMS传感器、光学器件、生物医疗等领域 [7] 市场规模与产业背景 - 2024年，中国ALD设备行业市场规模约为45.22亿元，同比增长7.23% [1][9] - 市场规模增长受双重驱动：一是集成电路制造向更先进节点突破，工艺步骤成倍增加，直接拉动核心需求；二是“超越摩尔”战略下的光伏、显示、新能源等广阔应用成为新增长引擎 [1][9] - 中国集成电路产业正从“量”的扩张向“质”的跃升转型，2025年集成电路产量为4842.79亿块，同比增长7.28%，作为高端薄膜沉积核心装备的ALD设备战略重要性愈发凸显 [9] 重点企业经营情况 - **微导纳米（688147）**：是一家面向全球的半导体、泛半导体高端微纳装备制造商，以ALD技术为核心。2025年前三季度，营业收入为17.22亿元，同比增长11.48%；归母净利润为2.48亿元，同比增长64.83% [11] - **北方华创（002371）**：在薄膜沉积设备领域已形成PVD、CVD、ALD、外延和电镀设备的全系列布局。2025年前三季度，营业收入为273.01亿元，同比增长32.97%；归母净利润为51.30亿元，同比增长14.83% [11] - **行业竞争格局**：已从国际巨头垄断演变为国产力量奋起直追的多元竞争局面，以北方华创、拓荆科技、微导纳米为代表的国产企业已在光伏、显示等领域取得主导地位，并成功将量产型ALD设备导入国内28纳米及以上逻辑芯片和128层以上3D NAND存储芯片生产线 [11] 行业发展趋势 - **技术演进驱动ALD从辅助走向核心，市场规模持续扩容**：随着芯片制造步入3纳米以下节点并转向3D结构（如GAA晶体管、3D NAND），ALD因其原子级精度和优异台阶覆盖率成为核心制造环节；同时，在光伏钝化层和锂电池电极包覆等领域的应用成为重要增长点，驱动全球市场以可观增速扩张 [12] - **深度国产替代进入攻坚期，本土厂商从“并跑”迈向“领跑”**：外部供应链不确定性强化了装备自主可控的紧迫性；头部企业已在28nm及以上制程实现批量应用，未来的挑战与机遇在于向2纳米及以下更先进制程突破，并通过构建“ALD+CVD”产品平台、提供整体解决方案来增强竞争力，转向与客户共同进行前沿工艺研发的创新“领跑” [13] - **应用场景拓展，向“超越摩尔”和原子制造领域前进**：未来增长将来自于颠覆性的新兴应用，例如粉体原子层沉积技术（可将ALD的原子级包覆能力扩展至三维粉末颗粒，应用于锂电池材料、催化剂等），以及服务于硅光子、异质集成、MEMS传感器等“超越摩尔”领域的专用ALD设备，这些新兴赛道开辟了远超传统半导体的增量市场 [15]

文章核心观点 - 半导体设备行业正迎来由AI算力爆发、国产替代深化与全球产能扩张三重因素驱动的确定性增长周期，行业从“传统周期股”向“新质生产力核心标的”价值重构，预计将进入3-5年的高增长周期 [4][20][21] 2025年行业业绩表现 - **海外巨头业绩亮眼**：ASML 2025年全年净销售额327亿欧元，同比增长16%，未交付订单达388亿欧元（其中EUV光刻机订单255亿欧元）[4] - **存储厂商利润大增**：三星半导体业务带动营业利润增长33%，SK海力士Q4营业利润同比增长137%[4] - **国内企业表现抢眼**：金海通、长川科技等国内半导体设备企业均发布业绩大幅预增公告[4] 半导体设备持续“吸金”的驱动因素 - **AI驱动存储需求重构**：AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB[6] - **HBM成为核心增长引擎**：预计2024-2030年全球HBM市场收入年复合增长率达33%，到2030年其在DRAM市场份额将达50%[6] - **全球存储大厂加码扩产**：三星2025年资本开支同比激增89%，SK海力士将全年资本开支上调至203亿美元；国内长鑫存储IPO计划募资295亿元，攻坚DDR5和HBM[6] - **技术演进打开增量空间**：3D NAND向1000层堆叠演进及DRAM制程结构升级，为设备行业带来增量空间[6] 国产替代进程加速 - **国产化率快速提升**：2024年中国半导体设备国产化率达35%，较2022年的16.4%实现翻倍，其中刻蚀设备国产化率23%、CMP设备达30%-40%[7] - **中国成为最大设备市场**：中国大陆已连续五年成为全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.4亿美元，占全球市场份额42.34%[7] - **形成良性循环**：国内晶圆厂持续扩产为国产设备提供了量产验证场景，形成“技术突破-量产落地-份额提升”的良性循环[7] 全球扩产潮与行业高景气 - **全球资本开支增长**：据TrendForce预测，2026年全球DRAM产业资本开支将达613亿美元同比增长14%，NAND Flash资本开支达222亿美元同比增长5%[9] - **龙头订单印证景气**：ASML 2025年新增订单132亿欧元（其中EUV光刻机订单74亿），未交付订单已排至2027年[9] - **长期增长确定性强**：2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，预计2025-2033年行业年复合增长率为8.4%，到2033年市场规模将增至2249.3亿美元[9] 核心赛道与环节 - **刻蚀设备（前道“黄金赛道”）**：占据前道设备市场22%份额，2025年国内市场规模达486.7亿元，国产厂商中微公司、北方华创已实现关键突破[12] - **薄膜沉积设备**：全球市场规模达126.8亿美元，国内拓荆科技PECVD设备实现成熟制程全覆盖，北方华创构建PVD、CVD、ALD全系列布局[12] - **测试与封装设备**：受益于先进制程与产能扩张，长川科技、华峰测控覆盖多领域测试；先进封装技术（如Chiplet、3D封装）将提升封装设备价值量与门槛[12] - **核心材料与零部件国产化**：2024年半导体设备核心零部件国产化率从10%提升至20%，安集科技CMP抛光液全球市占率达15%，鼎龙股份抛光垫突破垄断[14] 2026年三大核心趋势 - **先进制程竞赛深化**：全球巨头攻坚2nm及以下制程，拉动高端设备需求；国内中芯国际推进GAAFET研发，华虹半导体布局BCD-SOI工艺，推动国产高端设备验证导入[17] - **政策与资本双轮驱动**：“十五五”规划聚焦集成电路关键技术攻关；地方对设备企业研发投入给予最高20%补贴；2020-2025年中国半导体设备领域累计融资359笔，2025年融资66起同比增长3.1%，其中A+轮融资增幅达300%[18] - **需求结构优化与市场双破局**：AI算力中心、新能源汽车、工业控制等新兴领域需求旺盛，HBM、3D NAND、功率半导体相关设备需求增速领先；国内设备企业（如北方华创、中微公司）加速拓展海外市场，形成“国内+海外”双轮驱动格局[19]

文章核心观点 - 半导体设备行业正迎来由AI算力爆发、国产替代深化与全球产能扩张三重因素驱动的确定性增长周期，行业从“传统周期股”向“新质生产力核心标的”价值重构，将进入3-5年的高增长周期 [1][14] 01 半导体设备为何持续“吸金” - **AI驱动存储需求激增**：生成式AI规模化应用重构存储需求，AI服务器的DRAM需求是普通服务器的8倍，NAND需求达3倍，单台AI服务器存储需求高达2TB [2] - **HBM成为核心增长引擎**：预计2024-2030年全球HBM市场收入年复合增长率达33%，到2030年其在DRAM市场份额将攀升至50% [2] - **全球存储大厂加码扩产**：三星2025年资本开支同比激增89%，SK海力士将全年资本开支上调至203亿美元，国内长鑫存储IPO计划募资295亿元攻坚DDR5和HBM [2] - **设备成为扩产最先受益环节**：3D NAND向1000层堆叠技术演进及DRAM制程结构升级为设备行业打开增量空间 [2] - **行业龙头业绩与订单印证高景气**：ASML 2025年全年净销售额327亿欧元同比增长16%，未交付订单达388亿欧元（其中EUV占255亿欧元），新增订单132亿欧元（EUV占74亿欧元），订单已排至2027年 [1][5] 国产设备厂商的“虎口夺食”契机 - **国产化率快速提升**：2024年中国半导体设备国产化率达35%，较2022年的16.4%实现翻倍，其中刻蚀设备国产化率23%、CMP设备达30%-40% [3] - **中国为全球最大设备市场**：中国大陆已连续五年稳居全球最大半导体设备市场，2024年销售额达495.4亿美元，占全球市场份额的42.34% [3] - **形成良性循环**：国内晶圆厂持续扩产为国产设备提供了量产验证场景，形成“技术突破-量产落地-份额提升”的良性循环 [3] 全球扩产潮与行业长期展望 - **全球资本开支持续增长**：据预测，2026年全球DRAM产业资本开支将达613亿美元同比增长14%，NAND Flash资本开支达222亿美元同比增长5% [5] - **行业规模长期增长**：2024年全球半导体设备市场规模达1170亿美元，预计2025-2033年行业年复合增长率为8.4%，到2033年市场规模将增至2249.3亿美元 [5] 02 核心赛道：这些环节“闷声赚大钱” - **刻蚀设备（前道核心）**：占据前道设备市场22%份额，2025年国内市场规模达486.7亿元，全球由泛林集团、应用材料主导，国产厂商中微公司、北方华创已实现关键突破 [7] - **薄膜沉积设备（前道核心）**：全球市场规模达126.8亿美元，国内拓荆科技PECVD设备实现成熟制程全覆盖，北方华创构建PVD、CVD、ALD全系列产品布局 [7] - **测试与封装设备**：持续受益于先进制程推广与产能扩张，长川科技、华峰测控测试设备覆盖多领域，Chiplet、3D封装等先进封装技术将提升封装设备价值量与技术门槛 [7] - **核心材料与零部件国产化提速**：2024年半导体设备核心零部件国产化率从10%提升至20%，安集科技CMP抛光液全球市占率达15%，鼎龙股份抛光垫突破海外垄断 [8] 03 2026展望：3大趋势锁定未来机会 - **先进制程竞赛深化，拉动高端设备需求**：全球巨头攻坚2nm及以下先进制程，中芯国际推进GAAFET研发，华虹半导体布局BCD-SOI工艺，拉动国产高端设备验证与导入 [10][11] - **政策与资本双轮驱动国产替代向高端延伸**：“十五五”规划聚焦集成电路关键核心技术攻关，地方对设备企业研发投入给予最高20%补贴，2020-2025年半导体设备领域累计发生359笔融资，2025年融资66起同比增长3.1%，其中A+轮融资增幅达300% [12] - **需求结构优化，新兴领域与海外市场双破局**：AI算力中心、新能源汽车、工业控制等新兴领域需求旺盛，HBM、3D NAND、功率半导体相关设备需求增速领先，国内设备企业如北方华创、中微公司凭借性价比优势加速拓展海外市场，形成“国内+海外”双轮驱动格局 [13]

2025年度业绩预告 - 公司预计2025年实现归母净利润8.78-12.55亿元，同比下降50%-65% [1] - 预计扣非归母净利润为6.58-9.75亿元，同比下降60%-73% [1] - 按业绩中值计算，Q4归母净利润为1.65亿元，同比实现扭亏，但环比下降37% [1] - Q4扣非归母净利润为0.62亿元，同比实现扭亏，但环比大幅下降72% [1] 业绩下滑原因分析 - 2025年光伏行业处于周期底部，导致公司光伏装备需求下滑 [2] - 石英坩埚、金刚线等材料价格下降，导致公司光伏业务毛利相较上年减少约22亿元至26亿元 [2] - 公司计提信用减值相较上年减少约4亿元，综合导致经营业绩同比下滑 [2] 光伏业务现状与布局 - 公司持续加强光伏设备研发技术创新，覆盖产品技术、工艺、自动化及先进制造模式 [2] - 在电池端，持续完善金属腔、管式、板式三大平台设备体系 [2] - 针对TOPCon提效及BC创新，积极推进EPD、LPCVD、PECVD、PVD以及ALD等设备的市场推广和客户验证 [2] - EPD设备持续强化行业领先的技术和规模优势，ALD设备验证良好 [2] - 随着光伏行业周期上行，公司光伏设备及材料订单有望企稳回升 [2] 半导体业务布局与进展 - 半导体材料领域：完成12英寸碳化硅衬底关键技术突破，并建设加工中试线，加快推进碳化硅衬底片海外产能布局 [3] - 不断提高石英坩埚产品品质及服务能力，石英坩埚市场份额持续提升 [3] - 半导体精密零部件领域：加强核心零部件国产化延伸布局，深化与产业链核心客户合作 [3] - 半导体精密零部件业务实现产业规模快速提升，市场竞争力持续增强 [3] - 半导体设备端：开发了应用于芯片制造的8-12英寸减压外延设备、ALD等薄膜沉积设备 [3] - 开发了应用于先进封装的12英寸减薄抛光机、减薄抛光清洗一体机、超快紫外激光开槽设备 [3] - 以差异化工艺和技术优势为客户提供产品和服务，有望跟随客户放量 [3] 盈利预测与评级 - 预计公司2025-2027年实现营业收入110.79亿元、109.42亿元、119.27亿元 [3] - 预计2025-2027年归母净利润为10.50亿元、17.77亿元、20.31亿元 [3] - 公司深耕光伏设备，单晶炉龙头地位明确，并紧抓大尺寸碳化硅材料历史机遇 [3] - 首次覆盖，给予“推荐”评级 [3]

公司市场定位与技术能力 - 公司是高效光伏电池技术与设备的领军者之一 客户覆盖一线主流电池片厂商 [1] - 公司已具备异质结(HJT)、柔性钙钛矿及P型TOPCon等电池关键设备的供应能力 覆盖核心工艺环节 [1] - 在钙钛矿电池领域 公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一 [1] 核心产品与市场表现 - 公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备 在同类产品中市场占有率领先 [1] - 公司的ALD设备已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录 [1] - 柔性钙钛矿电池在部分需求超轻量化、高性能、可柔性卷展的电池应用场景中展现出良好的市场潜力 [1] 业务现状与未来战略 - 相关产品（指柔性钙钛矿电池相关设备）处于市场推广初期 当前订单和收入占比还十分小 [1] - 为满足下游光伏技术迭代需求 公司一直持续开展前瞻性技术布局 对各类新兴应用领域进行技术储备 [1] - 未来公司将持续深耕技术研发 为客户提供更全面的解决方案 以满足客户各类新兴应用领域的需求 [1]

公司市场定位与客户基础 - 公司是高效光伏电池技术与设备的领军者之一，客户覆盖一线主流电池片厂商 [1] 技术布局与产品能力 - 为满足下游光伏技术迭代需求，公司持续开展前瞻性技术布局，对各类新兴应用领域进行技术储备 [1] - 公司已具备异质结（HJT）、柔性钙钛矿及P型TOPCon等电池关键设备的供应能力，覆盖核心工艺环节 [1] - 在钙钛矿电池领域，公司是国内少数实现ALD、磁控溅射、蒸镀等核心真空工艺设备全覆盖的供应商之一 [1] - 公司自主研发的ALD设备是制备高性能柔性钙钛矿电池的关键装备，在同类产品中市场占有率领先 [1] 产品应用与市场表现 - 公司ALD设备已多次助力客户刷新钙钛矿组件效率纪录 [1] - 柔性钙钛矿电池在部分需求超轻量化、高性能、可柔性卷展的电池应用场景中展现出良好的市场潜力 [1] - 相关产品处于市场推广初期，当前订单和收入占比还十分小 [1] 未来发展战略 - 未来公司将持续深耕技术研发，为客户提供更全面的解决方案，以满足客户各类新兴应用领域的需求 [1]

公司技术方案与客户选择 - 微导纳米在ALD设备中提供水蒸气和臭氧两种氧源配置选择[1] - 公司出厂的设备能够为客户提供多种配置选择[1] - 客户在实际运行中会根据成本、稳定性、工艺控制等因素决定具体采用的工艺路线[1]

公司平台化产品进展与市场投放 - 2025年公司立式炉管、Track以及PECVD设备等平台化产品已陆续投放市场，有望为2026年及今后的整体营收贡献力量，成为重要的业绩增长点 [1] - 在Track设备方面，2025年第三季度公司推出首款自主研发的高产出(300WPH)KrF工艺前道涂胶显影(Track)设备UltraLITHKrF，并已顺利交付中国头部逻辑晶圆厂客户 [1] - 该Track产品具有高产能、先进温控技术以及实时工艺控制和监测功能，进一步拓展了光刻相关的应用领域，展现了公司在新产品品类中的持续扩展能力 [1] 各产品线技术突破与研发规划 - PECVD设备方面，公司对该类设备的差异化技术构架及未来市场前景非常有信心，后续将持续加大研发投入，将PECVD设备推向更广阔的国内外市场 [1] - LPCVD、ALD炉管系列设备持续推进技术研发，均取得了创新突破 [1] - 公司自主研发的UltraFn立式炉管设备采用独有的立式炉管结构设计，具备最高1250°C的处理能力，能够聚焦高端IGBT应用，市场整体反响良好 [1] - 下一代立式炉管产品目标做到具备1350°C的处理能力，对IGBT是重大利好 [1] - 在ALD设备方面，公司持续强化研发投入，积累了一系列自主研发的具有全球知识产权保护的专利技术 [1] - 期待未来能够在ALD设备均匀性、材质等方面持续做出更多贡献，取得更多技术突破，以差异化创新工艺持续满足客户多样化需求，将成为公司未来业绩增长的一大增长点 [1]

公司技术产品布局 - 晶盛机电开发了应用于芯片制造的8英寸-12英寸减压外延设备、ALD设备等薄膜沉积类设备 [2] - 其中12英寸减压外延设备广泛适用于逻辑芯片、存储芯片、硅光芯片、功率器件中的各项制程 [2] - 常压外延设备适用于功率器件 [2] - ALD设备适用于逻辑芯片、存储芯片中的各项制程 [2] 半导体设备应用领域 - 公司的12英寸减压外延设备覆盖逻辑芯片、存储芯片、硅光芯片及功率器件制程 [2] - 公司的常压外延设备专注于功率器件应用 [2] - 公司的ALD设备服务于逻辑芯片和存储芯片的制程 [2]