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北方华创(002371)
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11月全球半导体销售额创历史新高,半导体设备ETF(561980)连续3日吸金近2亿元
搜狐财经· 2026-01-13 09:44
全球半导体行业周期与市场表现 - 2026年半导体产业链受益于全球周期上行与自主可控加速,持续领涨市场 [1] - 2025年11月全球半导体销售额达753亿美元,创历史最高月度销售总额,环比增长3.5%,同比增长29.8%,实现连续25个月同比正增长 [1][10] - 中国半导体销售额在2025年11月为202.3亿美元,同比增长22.9%,环比增长3.9% [1] - 半导体设备ETF(561980)最近3个交易日获资金净流入近2亿元,其跟踪的标的指数近一年涨幅达97.33%,在主流半导体指数中位列第一 [1] 存储芯片市场动态 - 存储市场迈入涨价周期,2025年9月至今DDR5内存颗粒现货价格上涨307%,DDR4上涨超158% [7] - 2025年第四季度全球一般型DRAM合约价季增8%-13%,计入HBM后涨幅扩大至13%-18%;NAND Flash合约价平均涨幅5%-10% [7] - TrendForce预计2026年第一季度一般型DRAM合约价将季增55-60%,含HBM的整体DRAM合约价将上涨50-55%,NAND Flash合约价上涨33-38% [1] - 国内存储封测厂订单涌进,产能利用率近乎满载,近期封测价格上涨幅度约三成,后续可能启动第二波涨价 [1] 半导体设备与材料 - 国际半导体产业协会预计2025年全球半导体制造设备总销售额达1330亿美元,同比增长13.7%,创历史新高;预计2026年销售额达1450亿美元,2027年达1560亿美元 [12] - 2025年第三季度全球半导体设备销售额同比增11%,达336.6亿美元,环比增2% [12] - 重要部门决定自2026年1月7日起,对原产于日本的进口二氯二氢硅进行反倾销立案调查,该材料主要用于芯片制造薄膜沉积 [2][8] - 半导体材料国产替代逻辑强化,TECHCET预计2025年全球半导体材料市场规模约700亿美元,同比增长6%,2029年有望超870亿美元 [2][25] - 中商产业研究院预测2025年中国大陆关键材料市场规模达1741亿元,同比增长21.1% [2][25] 人工智能与算力驱动 - AI是推动半导体行业成长的重要动力,尤其驱动存储器需求旺盛 [2] - 2025年1月5日Rubin平台发布,推理性能达上一代的5倍,其全新架构由六款芯片组成,显著拉动存储需求 [9] - AI算力/数据中心驱动先进制程与HBM(高带宽存储器)放量,行业需求与技术门槛同步上行 [2][27] 行业财务与指数表现 - 中证半导体产业指数在2025年第三季度营收同比增长32.12%,连续10个季度同比增长;净利润同比增长27.12%,连续7个季度同比增长 [16] - 中证半导体产业指数近五年表现分别为:2021年涨30.00%,2022年跌29.65%,2023年跌3.90%,2024年涨26.83%,2025年涨62.33% [32] - 指数集中度高,前五大权重股占比约51%,前十大成份股占比超76% [19] - 指数行业分布集中,半导体设备、材料、设计等上中游产业链合计占比超92% [19] - 半导体设备ETF(561980)跟踪中证半导指数,指数中“半导体设备+材料”合计占比约78%,前十大权重股包括中微公司、北方华创、中芯国际、海光信息、寒武纪、南大光电等细分龙头 [3][20] 机构观点与产业趋势 - 中原证券指出半导体行业仍处上行周期,国内存储晶圆厂加速扩产有望推动国产半导体设备订单增长 [2] - 东莞证券认为内资DRAM龙头企业拟上市募资扩产,将加快国产替代并拉动上游设备、材料需求 [24] - 光大证券强调半导体材料国产替代紧迫性提升,在高端材料领域具备技术积累和产能规模的头部企业有望实现份额提升 [25][27] - 国泰海通建议坚持半导体主线,积极参与春季行情,认为由存力与算力量价齐升驱动的半导体设备板块已进入主升阶段 [28]
北方华创(002371):国有资本合作带动产业赋能 国产化进程加速
新浪财经· 2026-01-12 16:37
股权结构变动 - 2026年1月7日,北京市国资委批准北京电控以非公开协议转让方式向国新投资转让其所持北方华创14,481,773股股票,占总股本2% [1] - 股份转让价格为426.39元/股,股份转让总价款为61.74亿元 [1] - 国新投资是国务院国资委监管的中央企业中国国新控股有限责任公司的专业化、市场化股权运作平台,此次转让旨在加强双方战略合作,构建“资本合作带动产业赋能”的合作模式 [1] 公司业务与财务表现 - 公司为平台化半导体设备龙头,持续受益于半导体设备国产化进程 [2] - **刻蚀设备**:已形成ICP、CCP、干法去胶、高选择性刻蚀和Bevel刻蚀设备的全系列产品布局,2025年上半年收入超50亿元 [2] - **薄膜沉积设备**:已形成物理气相沉积、化学气相沉积、外延、原子层沉积、电镀和金属有机化学气相沉积设备的全系列布局,2025年上半年收入超65亿元 [2] - **热处理设备**:已形成立式炉和快速热处理设备的全系列布局,2025年上半年收入超10亿元 [2] - 子公司芯源微拥有湿法设备、涂胶显影设备、键合设备等产品线 [2] - 2025年前三季度实现营收273.01亿元,同比增长32.97%,实现归母净利润51.30亿元,同比增长14.83% [2] - 2025年第三季度实现营收111.60亿元,同比增长38.31%,实现归母净利润19.22亿元,同比增长14.60% [2] 股权激励与业绩目标 - 公司向包括董事、高级管理人员、核心技术人才和管理骨干实施2025年股权激励计划 [3] - 股票期权在4个会计年度分年度进行业绩考核并行权 [3] - 业绩考核目标为2026-2029年,公司的营收增长率、研发投入占营业收入比例均不低于对标公司(Gartner公布的年度全球半导体设备厂商销售额排名前五的公司)的算数平均值 [3] - 同时要求这4年间每年专利申请量大于500件,EOE算术平均值不低于16%,利润率算术平均值不低于8% [3] 分析师预测与评级 - 维持公司2025-2026年归母净利润预测为76.28亿元、100.30亿元,新增2027年归母净利润预测为128.12亿元 [3] - 公司为半导体设备平台型公司龙头,持续受益于国产化进程,维持“买入”评级 [3]
北方华创(002371):跟踪报告之十:国有资本合作带动产业赋能,国产化进程加速
光大证券· 2026-01-12 16:18
投资评级 - 维持“买入”评级 [3] 核心观点 - 国有资本合作带动产业赋能,股权转让获批加强战略合作,构建“资本合作带动产业赋能”模式 [1] - 报告研究的具体公司作为平台化半导体设备龙头,持续受益于半导体设备国产化进程 [2] - 发布股权激励计划,深度绑定核心团队,考核目标与全球前五厂商对标 [3] 近期事件与股权结构 - 2026年1月7日,北京市国资委同意北京电控以非公开协议转让方式向国新投资转让其所持报告研究的具体公司14,481,773股股票,占总股本2% [1] - 股份转让价格为426.39元/股,股份转让总价款为61.74亿元 [1] - 国新投资是国务院国资委监管的中央企业中国国新控股有限责任公司开展国有资本运营的专业化、市场化股权运作平台 [1] 业务与财务表现 - 报告研究的具体公司为平台化半导体设备龙头公司,产品线覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理及湿法设备等 [2] - 2025年上半年刻蚀设备收入超50亿元,薄膜沉积设备收入超65亿元,热处理设备收入超10亿元 [2] - 2025年前三季度实现营收273.01亿元,同比增长32.97%,实现归母净利润51.30亿元,同比增长14.83% [2] - 2025年第三季度实现营收111.60亿元,同比增长38.31%,实现归母净利润19.22亿元,同比增长14.60% [2] - 预测2025-2027年归母净利润分别为76.28亿元、100.30亿元、128.12亿元 [3] 股权激励计划 - 公司向包括董事、高级管理人员、核心技术人才和管理骨干实施2025年股权激励计划 [3] - 股票期权在4个会计年度分年度进行业绩考核并行权 [3] - 业绩考核目标为2026-2029年,公司的营收增长率、研发投入占营业收入比例均不低于对标公司(Gartner公布的年度全球半导体设备厂商销售额排名前五的公司)的算数平均值 [3] - 同时要求每年专利申请量大于500件,EOE算术平均值不低于16%,利润率算术平均值不低于8% [3] 财务预测摘要 - 预测营业收入:2025E为387.78亿元,2026E为498.56亿元,2027E为598.20亿元 [4] - 预测营业收入增长率:2025E为29.96%,2026E为28.57%,2027E为19.99% [4] - 预测归母净利润:2025E为76.28亿元,2026E为100.30亿元,2027E为128.12亿元 [4] - 预测归母净利润增长率:2025E为35.71%,2026E为31.48%,2027E为27.74% [4] - 预测EPS:2025E为10.53元,2026E为13.84元,2027E为17.68元 [4] - 预测ROE(摊薄):2025E为20.00%,2026E为21.11%,2027E为21.56% [4] - 预测P/E:2025E为47倍,2026E为36倍,2027E为28倍 [4] - 预测毛利率稳定在41%-43%区间 [11] - 预测研发费用率维持在12%左右 [12] 市场数据 - 当前股价:497.50元 [5] - 总股本:7.24亿股 [5] - 总市值:3604.29亿元 [5] - 一年股价区间:275.63元至523.97元 [5] - 近3月换手率:71.22% [5] - 近1年绝对收益率为75.49%,相对收益率为47.99% [8]
英伟达六大芯片协同升级!芯片ETF(159995)上涨1.68%,龙芯中科涨9.52%
每日经济新闻· 2026-01-12 11:30
市场表现 - 2026年1月12日早盘,A股三大指数走势分化,上证指数盘中上涨0.25% [1] - 互联网、文化传媒、软件等板块涨幅靠前,摩托车、能源设备板块跌幅居前 [1] - 芯片科技股震荡走强,截至10点09分,芯片ETF(159995)上涨1.68% [1] - 芯片ETF(159995)成分股表现强劲,龙芯中科上涨9.52%,长电科技上涨7.09%,中微公司上涨6.77%,兆易创新上涨5.58%,晶盛机电上涨4.28% [1] 行业动态与技术创新 - 英伟达在CES 2026上正式发布Rubin平台,该平台由六款专为打造AI超级计算机而设计的全新芯片组成,包括Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交换机、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU和NVIDIA Spectrum-6以太网交换机 [3] - Rubin平台的六款芯片采用协同设计,旨在大幅缩短AI训练时间并降低推理token成本 [3] - 信达证券认为,英伟达Rubin平台的发布开启了AI算力新纪元,标志着全球算力设施向“AI工厂”范式全面转型 [3] - 通过协同设计实现性能飞跃,Rubin平台有望带动算力、存储、PCB、机架等多个产业链环节的价值量显著提升 [3] - 在基建投资化趋势下,产业链核心环节仍具备较大的成长空间 [3] 相关金融产品 - 芯片ETF(159995)跟踪国证芯片指数,其30只成分股集合了A股芯片产业中材料、设备、设计、制造、封装和测试等环节的龙头企业 [3] - 成分股示例包括中芯国际、寒武纪、长电科技、北方华创等 [3] - 该ETF的场外联接基金代码为A类:008887;C类:008888 [3]
机构:存力+算力量价齐升,半导体设备进入主升阶段,半导体设备ETF(561980)高开上涨1.15%!
搜狐财经· 2026-01-12 10:33
文章核心观点 - AI需求与国产替代双重驱动,全球半导体行业持续走强,上游半导体设备与材料领域的投资确定性凸显 [1][4][7] 半导体设备市场表现与资金动向 - 2026年1月12日早盘,半导体设备ETF高开上涨1.15%,且近期连续2个交易日获资金净流入近1亿元 [1] - 半导体设备ETF跟踪的中证半导指数年内涨幅超15%,领先主流半导体指数 [2] - 指数权重股表现强劲:中微公司涨近4%,寒武纪、长川科技涨超3%,北方华创、华海清科跟涨;成份股江化微涨超5%,雅克科技、安集科技、中科飞测等多股涨超2% [2] AI算力与存储需求驱动 - 算力方面:英伟达全新AI芯片架构Vera Rubin亮相,其核心Rubin GPU的推理性能达到上一代Blackwell平台的5倍,新存储架构扩张存储需求 [5] - 存力方面:国际存储巨头计划大幅涨价,三星电子与SK海力士计划在2026年第一季度将服务器DRAM价格较2025年第四季度提升60%至70% [5] - 存储供应紧张:闪迪要求部分客户支付100%现金预付款,以锁定未来1至3年的存储芯片配额 [5] - AI数据中心推动存储升级,尤其带动高带宽存储出货量快速提升,因其制程与封装更复杂,单位比特晶圆面积消耗显著高于传统DRAM,从而抬升相关半导体材料消耗 [6] 半导体材料市场与国产替代 - 全球半导体材料市场规模预计2025年约700亿美元,同比增长6%,预计2029年将超过870亿美元 [6] - 中国大陆关键半导体材料市场规模预计2025年达1741亿元,同比增长21.1% [6] - 国产替代进程推进:2026年1月7日,相关部门决定对原产于日本的二氯二氢硅发起反倾销立案调查,该产品是芯片制造薄膜沉积环节的重要电子化学材料 [5] - 在安全博弈升温背景下,国内对关键半导体材料的“供应安全+国产替代”逻辑边际强化,高端材料领域具备技术、产能及客户绑定优势的头部企业有望实现份额与盈利增长 [7] 半导体产业链投资布局 - 半导体设备ETF重点布局半导体产业链上中游高壁垒领域,前十大权重股集中度接近80% [7] - ETF覆盖设备、材料、芯片设计三大行业,合计占比超90%,国产替代空间广阔 [7] - 具体覆盖细分龙头包括中微公司、北方华创、中芯国际、海光信息、寒武纪、南大光电等 [7]
北方华创_中国半导体调研_2026 年中国晶圆制造设备增长强劲;密集研发推动产品扩张;买入
2026-01-12 10:27
涉及的行业与公司 * 行业:半导体设备(WFE,即晶圆制造设备)行业,特别是中国半导体设备市场[1] * 公司:北方华创(NAURA,股票代码002371.SZ)[1] 核心观点与论据 * **中国半导体设备市场展望积极**:管理层对后续几年中国半导体产能扩张持积极态度,预计2026年新增晶圆产能数量将实现两位数增长[1][5] * **2025年订单强劲**:公司2025年新订单实现两位数同比增长,其中集成电路(IC)订单占比达到历史新高(相比2024年的约70-80%)[5] * **2026年增长驱动力**:预计2026年存储芯片的半导体工艺设备(SPE)增长将快于逻辑芯片,而逻辑芯片的增长将主要由先进制程驱动[5] * **本土化趋势持续**:管理层预计半导体工艺设备(SPE)的本土化率将持续提升,存储芯片产线的本土化进程已在2025年显现,并预计在2026年延续[1][5] * **公司战略聚焦增长与份额**:公司当前阶段的主要优先任务是收入增长、规模和市场份额,随着研发投入比率从当前的20%水平回归正常(即10-12%),盈利能力将在后续年份逐步改善[5][6] * **供应链本土化深入**:公司大部分零部件已实现本土供应,但不确定其原材料是否也来自本土,并认为这将是供应链本土化的未来趋势[6] * **客户寻求双供应商**:客户通常为每种设备寻找两家本土供应商,以增强供应链安全并促进良性竞争[6] 公司财务与运营状况 * **研发投入密集**:公司致力于研发投资,资源主要投向:(1)扩展新设备产品线,如2025年新增了离子注入、电镀等产品线,新产品通常需要3年或更长时间才能实现货币化;(2)伴随客户向更先进制程迁移[5] * **员工规模扩张**:公司员工总数已增至近2万人,其中大部分为工程师[5] * **近期投资目标**:近年来的密集投资旨在支持公司直至2030年的未来增长[5] * **投行观点与目标**:高盛维持对北方华创的“买入”评级,12个月目标价为人民币572元,基于38.4倍2026年预期市盈率,目标价隐含15.0%的上行空间[7][9] * **财务预测**:预计公司营收将从2024年的298.381亿元人民币增长至2026年的520.197亿元人民币,每股收益(EPS)将从2024年的8.25元人民币增长至2026年的14.90元人民币[9] 风险提示 * **主要下行风险**:(1)美国对中国半导体公司实施进一步的出口限制,可能延迟其产能扩张计划,从而减少对北方华创设备的需求;(2)公司成熟制程客户的产能扩张进度慢于预期,可能导致收入增长低于预期,进而使盈利低于当前预估[8]
涨超2.1%,半导体设备ETF华夏(562590)连续4天资金净流入,累计吸金超5.9亿元
搜狐财经· 2026-01-12 10:16
指数与ETF市场表现 - 截至2026年1月12日10:00,中证半导体材料设备主题指数强势上涨2.55% [1] - 指数成分股中微公司上涨7.83%,江化微上涨6.06%,中科飞测上涨5.23%,华峰测控、雅克科技等个股跟涨 [1] - 跟踪该指数的半导体设备ETF华夏上涨2.16%,最新价报1.94元 [1] - 拉长时间看,截至2026年1月9日,半导体设备ETF华夏近1周累计上涨17.08% [1] ETF流动性、规模与资金流向 - 半导体设备ETF华夏盘中换手率达13.67%,成交2.08亿元,市场交投活跃 [1] - 截至1月9日,该ETF近1周日均成交额为2.04亿元 [1] - 该ETF最新规模达15.05亿元,创近1年新高 [1] - 该ETF最新份额达7.96亿份,创近1年新高 [1] - 近4天该ETF获得连续资金净流入,合计5.95亿元,日均净流入1.49亿元,最高单日净流入3.39亿元 [1] - 杠杆资金持续布局,该ETF连续3天获杠杆资金净买入,最新融资余额达4268.85万元,最高单日净买入936.67万元 [1] 指数构成与权重股表现 - 中证半导体材料设备主题指数选取40只业务涉及半导体材料和设备等领域的上市公司证券作为样本 [1] - 截至2025年12月31日,指数前十大权重股合计占比65.08% [2] - 前十大权重股包括北方华创、中微公司、拓荆科技、长川科技、沪硅产业、华海清科、中科飞测、南大光电、安集科技、芯源微 [2] - 在1月12日的交易中,前十大权重股表现分化,中微公司涨7.83%(权重16.35%),北方华创涨2.78%(权重13.88%),而沪硅产业微跌0.08%,南大光电跌2.13%,芯源微跌3.10% [3]
半导体设备,2026年最强风口
36氪· 2026-01-11 12:37
文章核心观点 - AI算力需求驱动半导体产业变革,半导体设备作为上游“卖铲子”的赛道迎来确定性爆发 [1] - 全球半导体设备销售额预计将持续创纪录增长,主要受AI相关投资、存储技术升级及厂商扩产推动 [2] - 存储芯片技术向3D堆叠演进,对刻蚀、薄膜沉积、混合键合等核心设备的需求激增,并带动国产设备厂商在多个细分领域取得进展 [5][6][13] 全球半导体设备市场增长趋势 - 预计2025年全球半导体制造设备总销售额将达到创纪录的1330亿美元,同比增长13.7% [2] - 预计2026年和2027年销售额将分别达到1450亿美元和1560亿美元,增长主要受AI相关投资推动 [2] - 晶圆制造设备(WFE)领域2025年预计增长11.0%,达到1157亿美元,较此前预测上调,反映DRAM和HBM领域投资超预期 [2] - 预计2026年韩国将重回全球芯片设备支出第二位,达到约296.6亿美元,较2025年预计的233.2亿美元增长27.2% [4] - 预计2026年中国大陆在半导体设备领域的投入将稳居全球首位,达到约392.5亿美元 [4] 存储市场与厂商扩产驱动设备需求 - 2025年存储市场涨价潮、HBM与DDR5需求爆发及全球巨头扩产,共同拉动半导体设备需求 [2] - 长鑫募集资金重点投向存储器技术升级等项目,拟投入205亿元人民币,直接带动设备市场需求 [3] - 三星电子提高DRAM和NAND生产线效率,专注HBM制造,并重启平泽第五工厂建设,计划2028年量产 [3] - SK海力士清州M15X新工厂准备投产,专注DRAM及AI存储方案,并计划在2027年前完成龙仁园区内大规模晶圆厂建设 [4] - 三星电子DRAM月产能为65万片晶圆,SK海力士月产能为50万片,加上M15X芯片后为55万片 [4] 存储技术升级驱动的核心设备需求 - 3D NAND层数突破400层并向1000层迈进,DRAM向垂直通道晶体管(VCT)演进,HBM通过硅通孔(TSV)技术实现垂直互联,对设备提出颠覆性要求 [5] - 3D NAND扩产和DRAM技术演进对刻蚀和沉积设备拉动最强,HBM扩产额外提升光刻、原子层沉积(ALD)、混合键合等设备需求 [6] - 刻蚀设备:在3D NAND制造中加工极深沟道孔洞、台阶等结构,层数增加使刻蚀设备用量占比从34.9%升至48.4%;单步刻蚀时间随深宽比提升而翻倍,设备数量需求增加;加工HBM的TSV(HBM4达2048个接口)使刻蚀工序增多 [8] - 薄膜沉积设备(含CVD、PVD、ALD等):3D NAND层数增加使沉积步骤同步增加,设备需求翻倍;ALD设备在3D NAND产线资本开支占比从2D时代的18%升至26%;HBM堆叠层数增加需要更多ALD设备进行互联层沉积 [8] - 混合键合设备:HBM堆叠层数提升(未来向24+层迈进)推动需求;HBM3/3E(8~12层)已推动热压键合设备需求,未来HBM4+(16+层)需依赖混合键合技术;3D IC和先进封装技术普及及异质集成需求增长 [8] - SEMI预测2026-2028年间全球存储领域设备支出将达1360亿美元,其中3D NAND相关投资占比超40% [10] 关键设备技术细节与市场影响 - 3D NAND层数从32层提升到128层时,刻蚀设备使用量占比从34.9%上升到48.4% [10] - 随着堆叠层数升高,沟道通孔、狭缝和接触孔的刻蚀加工时间会变长甚至翻倍,导致工艺设备数量需求增加 [10] - 从24层到232层3D NAND,每层均需薄膜沉积工艺步骤,催生更多薄膜沉积设备需求 [11] - 东京电子披露,在Flash芯片产线资本开支占比中,薄膜沉积设备在2D时代占比为18%,在3D时代占比为26% [11] - HBM对光刻设备需求升级:DRAM第六代制程(D1c)规模化应用EUV光刻;HBM的TSV接口倍增与线路微米级间距推高EUV光刻需求优先级 [12] - 混合键合设备是HBM制造关键:现阶段HBM3/3E主要依赖热压键合设备;未来层数进一步增加及总高受限将推动混合键合技术成为关键 [12] 中国半导体设备国产化进展 - 刻蚀设备主要代表厂商有中微公司、北方华创、屹唐半导体等 [14] - 中微公司CCP设备覆盖28纳米以上大部分应用,在28纳米及以下节点取得进展,其3D NAND高深宽比刻蚀技术被全球顶级芯片制造商采用 [14] - 北方华创CCP设备在8英寸产线硅刻蚀、介质刻蚀中占主导地位,并成功应用于12英寸产线关键非核心步骤 [14] - 薄膜沉积设备厂商包括北方华创、拓荆科技、中微公司、微导纳米等 [15] - 拓荆科技形成PECVD、ALD、SACVD等薄膜设备系列产品,客户覆盖中芯国际、华虹集团等 [15] - 中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的LPCVD、ALD等多款薄膜设备已顺利进入市场 [15] - 北方华创是国内PVD龙头,在LPCVD、APCVD、ALD领域有布局 [15] - 微导纳米是国内首家将量产型High-k ALD应用于28nm节点前道生产线的国产设备公司 [15] - 键合设备方面,青禾晶元2025年发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列,并完成交付验证 [16] - 拓荆科技开发Dione 300系列晶圆对晶圆键合设备,其Dione 300 eX用于W2W高精度混合键合已发货验证;还推出芯片对晶圆混合键合设备Pleione 300,应用于HBM领域 [16] - 迈为股份成功开发晶圆混合键合、晶圆临时键合、D2W TCB键合等设备 [16] - 热压键合设备方面,青禾晶元SAB6310已成功导入头部客户CIS产线 [17] - 引线键合设备厂商如奥特维、新益昌、微宸科技等占据国内中小封测厂主要市场 [17] - 芯源微的临时键合机及解键合机专为Chiplet技术打造,可适配60μm及以上超大膜厚涂胶需求 [17]
AI需求推动,NAND与SSD供不应求有望持续
东方证券· 2026-01-11 10:15
报告行业投资评级 - 电子行业评级为“看好”(维持)[6] 报告的核心观点 - AI应用推动SSD用量高速增长,SSD与NAND有望迎来较长的景气周期 [3][8][10][13] - AI大模型的应用(如RAG、KV缓存)推动活跃数据占比提升,从而增加对高性能存储的需求 [8][10][11] - 与HDD相比,SSD在读写速度、功耗和可靠性方面优势明显,更适应AI数据中心对活跃数据的存储需求 [8][10] - 未来2年NAND行业资本开支可能有限,主要厂商资本开支向HBM倾斜,而AI推动的SSD需求高速增长,导致NAND与SSD供不应求态势有望持续 [8][10] 根据相关目录分别进行总结 1. AI大模型的应用推动活跃数据占比提升 - AI技术驱动全球数据总量高速增长,预计2030年全球年产生数据将达1003ZB,较2020年增长23倍 [19] - AI大模型推理过程需要高频次访问数据,例如RAG技术带来密集的随机读操作,KV缓存可能卸载到SSD带来频繁读写,这有望将大量冷数据激活为温、热数据 [8][21][22][26] - 据测算,仅KV缓存和RAG技术就可能分别带来120EB和100EB以上的存储容量需求增量 [28][29] - 预计到2030年,热数据容量较2020年增长35倍以上,占总存储量的30%,数据存储结构从热、温、冷三层(20%:30%:50%)演化为热、温冷两层(30%:70%)[31] 2. SSD满足数据中心活跃数据读写需求,用量有望高速增长 - 在数据中心分层存储架构中,HDD因单位容量成本低是冷数据主流方案,但无法满足活跃数据的高吞吐需求 [8][34] - SSD基于NAND闪存,无机械部件,读写速度显著高于HDD。例如,企业级NVMe U.2 SSD连续读写速度可达10000MB/s以上,而企业级HDD最大持续数据传输率约为270MB/s [40][41] - SSD在功耗上优势明显,研究显示QLC SSD相较于HDD配置,在数据中心能效上可实现32.9%至79.5%的提升 [51] - AI训练和推理推动AI SSD发展,其发展方向包括采用QLC颗粒提升容量(如最大容量达61.44TB)、升级至PCIe 6.0接口提升传输速率,以及发展HBF(高带宽闪存)等创新架构以满足高带宽需求 [56][57][60][61] - 头部厂商如铠侠、美光、华为、SK海力士均在积极布局AI SSD产品 [64][65] - 随着活跃数据占比提升及功耗要求,企业级SSD占比有望显著提升,预计中国企业级SSD市场容量将从2021年的31EB增长至2028年的119EB [71][73][74] - 全球固态硬盘市场规模预计到2030年将达到551亿美元,2024-2030年CAGR为16.5% [75][76] 3. NAND与SSD有望迎来较长的景气周期 - NAND行业重资产,格局高度集中,25Q2全球CR6达到100% [77][79] - 主要存储厂商(三星、美光、SK海力士)因HBM市场高成长性(预计2030年市场规模近1000亿美元)和高利润率,资本开支有望持续向HBM倾斜而非NAND [8][10][81] - 预计2026年NAND行业资本开支仍显著低于2020-2022年的水平 [85][86] - AI应用推动SSD需求高速增长,预计2025年全球闪存芯片比特出货量突破1000EB并保持增长,供给受限而需求强劲,行业有望迎来较长景气周期 [87][88] 4. 企业级SSD与NAND国产替代持续,相关标的有望深度受益 - 报告列举了在NAND与SSD景气周期及国产替代趋势下有望受益的产业链标的 [3][13][89] - **半导体设备厂商**:如北方华创(2024年营收298.4亿元,同比增长35%)、中微公司(2024年营收90.65亿元,同比增长44.7%)在刻蚀、薄膜沉积等关键设备领域持续突破 [91][99] - **存储主控芯片企业**:如联芸科技 [89] - **存储芯片设计厂商**:如普冉股份、聚辰股份 [89] - **存储封测厂商**:如深科技 [89] - **存储模组厂商**:如江波龙(2024年营收174.6亿元,同比增长72%)、德明利(2024年营收47.7亿元,同比增长168.7%)积极布局企业级SSD业务,并进入头部云厂商供应链 [109][115][120]
北方华创科技集团股份有限公司 关于2025年股票期权激励计划授予登记完成公告
文章核心观点 - 北方华创科技集团股份有限公司已完成其2025年股票期权激励计划的授予登记工作,该计划旨在通过向核心骨干员工授予股票期权,建立长效激励机制,以吸引和留住人才,将股东、公司及个人利益相结合,共同关注公司长远发展并提升业绩 [2][15] 2025年股票期权激励计划决策与批准情况 - 2025年11月21日,公司第八届董事会第二十九次会议审议通过了激励计划草案及相关议案 [2] - 2025年11月21日至30日,公司对拟激励对象名单进行了公示,期间未收到异议 [3] - 2025年12月8日,公司2025年第三次临时股东大会审议通过了激励计划相关议案 [3] - 2025年12月31日,公司董事会薪酬与考核委员会及第八届董事会第三十次会议审议通过了调整激励对象名单及授予权益数量的议案,并确定授予日为2025年12月31日,以235.74元/份的价格向2,296名激励对象授予10,420,375份股票期权 [4] 2025年股票期权激励计划授予完成情况 - **授予具体细节**:授予日为2025年12月31日,登记完成日为2026年1月9日,最终授予数量为10,403,050份,授予人数为2,293人,行权价格为235.74元/份,期权简称为北方JLC6,代码为037949 [2][5] - **授予调整说明**:在办理登记过程中,因3名激励对象离职或个人原因放弃,激励对象人数由2,296名调整为2,293名,股票期权数量由10,420,375份调整为10,403,050份 [7] - **行权时间安排**:授予的股票期权自授权日(2025年12月31日)起满24个月后可以开始行权,必须分期行权且可行权日必须为交易日,并避开公司定期报告、业绩预告等敏感信息窗口期 [6] - **计划有效期与行权期**:激励计划有效期自股东大会通过之日起最长不超过84个月,授予的股票期权分四期行权,每期行权比例均为25% [7] 股票期权的行权条件 - **公司层面业绩考核**:行权条件与公司业绩挂钩,分四个会计年度进行考核,考核指标包括营业收入增长率、研发投入占营业收入比例、净资产现金回报率(EOE)及利润率,并将与全球半导体设备厂商销售额排名前五的公司进行对标 [9][10] - **个人层面绩效考核**:激励对象个人行权额度与其绩效考核结果挂钩,绩效考核结果分为S、A、B、C、D五个档次,评级为S/A/B/C则考核“合格”可按计划行权,评级为D则考核“不合格”,当期行权额度将被取消 [12][13][14] - **行权条件未达成的后果**:若公司或个人层面行权条件未达成,对应的股票期权不得行权,将由公司注销 [8][11] 激励计划对公司财务及业务的影响 - **对会计成本的影响**:根据股份支付会计准则,授予的10,403,050份股票期权将在等待期内分摊计入相关成本或费用,具体对各期会计成本的预计影响已进行测算 [14] - **对业务的影响**:该计划的实施有利于建立健全公司长效激励机制,吸引和留住优秀人才,充分调动核心骨干员工积极性,将各方利益结合以共同关注公司长远发展,巩固和提升公司人才竞争优势,为未来发展奠定良好人力资源基础 [15]