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散热革命:液冷吞噬风冷市场!华为微泵黑科技曝光,这些公司躺赢
材料汇· 2025-07-31 23:31
热流密度与散热挑战 - 电子设备热流密度激增成为产业升级关键瓶颈,温度每升高10℃系统可靠性降低50% [7][8] - 芯片功率从1980年代几瓦跃升至2024年NVIDIA/AMD产品的1000W,制程从10nm微缩至2nm推动热流密度达100W/cm² [11][13] - 射频组件输出功率和FET失效率随温度上升显著恶化,150℃以上场效应晶体管失效率急剧增加 [8][9] 被动式散热技术演进 - 金属散热片导热系数铜400W/(m·K)、铝200W/(m·K),但高功率场景面临效能瓶颈 [28][31] - 石墨膜X-Y轴导热300-1900W/(m·K)优于金属,但Z轴仅5-20W/(m·K)且机械强度不足 [33][36] - 热管通过相变传热实现10000-100000W/(m·K)导热系数,但一维传热限制覆盖效率 [43][45] - VC均热板二维传热突破热管局限,中兴实测3DVC方案降低整机温度超10℃ [47][49] 主动式散热创新 - 微泵液冷功耗较风冷降低90%,艾为电子推出180Vpp压电微泵方案填补国内空白 [97][103] - 数据中心液冷渗透加速,单机柜功率密度突破100kW,曙光数创市占率达61.3% [80][119] - HBM4采用D2C液冷技术,HBM5/HBM6将升级至浸没式冷却 [83][87] 材料与组合方案 - 碳基TIMs垂直取向导热材料成趋势,思泉新材投资2439万元布局石墨烯项目 [22][145] - 智能手机散热方案从"石墨+导热界面材料"升级至"VC+石墨烯+导热界面材料"组合 [60][64] - 协同方案产生非线性增益,如华为Mate60 Pro采用均热板+石墨烯+导热界面材料 [66] 产业链与市场空间 - 全球散热模组市场规模2023年80亿美元,预计2028年达125亿美元(CAGR+9.5%) [110][112] - 均热板市场2024年规模10.89亿美元,2018-2024年CAGR+13.85% [115][117] - 数据中心液冷设备市场2024年26.57亿美元,2031年预计92.31亿美元(CAGR+19.8%) [120][121] 核心厂商布局 - 飞荣达热管理产品营收占比35%,覆盖VC/液冷板全链条 [128][129] - 苏州天脉均温板全球市占率8.92%,客户含三星/华为/宁德时代 [114][136] - 立讯精密布局数据中心液冷系统,1Q25营收617.88亿元(YoY+17.9%) [158][160] - 英维克全链条液冷方案通过英特尔验证,累计交付达1.2GW [166][170]
欧美日韩围剿中国固态电池!国内2大技术路线反超(附66页PPT)
材料汇· 2025-07-31 23:31
锂电池技术发展路径 - 锂金属电池因枝晶问题导致安全性隐患,发展停滞 [3][4] - 液态锂离子电池采用嵌入式材料替代锂金属负极,1991年实现商业化 [6] - 固态锂电池通过替代电解液解决枝晶问题,2011年硫化物电解质突破后受关注 [7] 固态电池优势 - 能量密度:固态电解质可适配高电压正负极材料,理论能量密度超500Wh/kg [11][13] - 安全性:固态电解质不可燃,热稳定性高,避免漏液和热失控 [12] - 结构简化:无需冷却系统,减少非活性材料使用,提升体积能量密度 [12] 技术路线对比 - 液态锂离子电池:成熟度高,能量密度250-300Wh/kg,寿命1000次+ [13] - 半固态电池:保留5-10%液态电解液,能量密度350Wh/kg,过渡方案 [10][13] - 全固态电池:零液态电解液,能量密度500Wh/kg,寿命2000次+ [13][14] 产业化进展 - 半固态电池:国内厂商如宁德时代、国轩高科计划2024-2025年量产 [21][22] - 全固态电池:分三阶段发展,2035年目标能量密度超500Wh/kg,寿命超10000次 [14][16] - 车企布局:蔚来、上汽、东风等已推出半固态电池车型,续航突破1000km [22][30] 电解质材料 - 硫化物:离子电导率最高(10⁻³-10⁻² S/cm),但成本高且空气稳定性差 [43][50] - 氧化物:机械强度高,热稳定性好,但界面阻抗大 [56][58] - 聚合物:柔韧性佳,成本低,但室温电导率低,需高温运行 [61][64] 全球竞争格局 - 日本:聚焦硫化物路线,丰田计划2027-2028年量产 [33][36] - 韩国:LG、三星SDI等联盟开发硫化物/聚合物路线,目标2030年商业化 [35] - 欧美:车企投资Solid Power等初创公司,主攻聚合物/氧化物路线 [37][38] 应用场景 - 电动汽车:半固态电池2024年渗透率不足0.25%,2030年或成主流 [29] - 消费电子:vivo折叠屏手机采用半固态电池,支持-30℃低温运行 [30] - 低空经济:eVTOL需能量密度超500Wh/kg,半固态电池为优选方案 [28][30] 政策支持 - 中国:2025年目标能量密度400Wh/kg,2030年达500Wh/kg [40] - 美国:2030年目标固态电池规模化量产,能量密度500Wh/kg [40] - 日韩:政府补贴研发,计划2030年实现全固态电池商用 [33][35]
光刻技术深度解析:474步芯片诞生,212步命悬“光”线!
材料汇· 2025-07-30 23:34
光刻工艺概述 - 光刻是半导体制造中关键工艺,每个掩模层均需光刻作为起始点,0.13μm CMOS工艺包含474个步骤中212个与光刻曝光相关[1][16] - 技术节点演进中最小特征尺寸按70%比例缩减(1/√2),电路密度提升2倍[1][16] - 光刻决定技术节点限制因素,台积电7nm DUV工艺掩模层数达87层[16] 逻辑芯片与存储芯片光刻差异 - 逻辑芯片金属互连层复杂,7nm工艺M1线/槽pitch约40nm[2][17] - 存储芯片(DRAM/NAND)采用规则线宽结构,DRAM字线pitch全局恒定,三星D1z代LPDDR5位线线宽仅13.5nm[2][17][22] - 3D NAND通过增加层数而非缩小pitch实现高密度[17][23] 光刻工艺流程 - 基本流程:旋涂光刻胶→预烘烤→曝光→显影,需配合掩模版使用[3][26] - 匀胶显影机(Track)实现涂胶/烘烤/显影等功能,浸没式工艺需增加去离子水冲洗[4][52][55] - 显影方法包括水坑式/浸没式/喷淋式,化学放大胶需后曝光烘烤(PEB)[69] 掩模版技术 - 掩模版制造含CAM处理/光刻/检测三环节,先进节点(≤130nm)采用电子束直写[3][41][42] - 相移掩模(PSM)通过相位调制提升分辨率,包括交替型/衰减型/高透射率型[43][47] - 掩模版标准尺寸152mm×152mm×6.35mm石英基板,含OPC修正和边框设计[35][41] 光刻设备与光源 - 2024年光刻相关设备市场规模293.67亿美元,2025年预计达312.74亿美元[7] - 光源演进:汞灯(365nm)→KrF/ArF准分子激光(248/193nm)→EUV激光等离子体(13.5nm)[5][87][92] - EUV光源采用锡液滴激光等离子体方案,ASML NXE:3600D功率达300-350W[96][99][100] 分辨率与工艺参数 - 分辨率公式:R=k₁·λ/NA,通过缩短波长/增大NA/降低k₁提升[84][88] - 193nm浸没式光刻使等效波长缩短,支持32-7nm工艺[92] - 套刻误差(Overlay)在3nm节点需控制在2nm内,金属线宽约20nm[73] 光刻机分类 - 接触式/接近式光刻采用1:1复制,投影式通过4:1缩小成像[78][79] - 步进扫描式(Scanner)通过狭缝扫描实现大视场曝光,支持高NA成像[79][80] - EUV光刻采用多层膜反射镜,需真空环境运行[100][101]
PCB上游材料解析:AI服务器引爆千亿覆铜板战场!国产树脂突袭松下霸权
材料汇· 2025-07-30 23:34
PCB产业链概述 - PCB是电子产品的关键电子互连件,有"电子产品之母"之称,主要功能是使各种电子零组件形成预定电路的连接,起中继传输作用 [7] - PCB上游主要为铜箔、玻纤布、树脂等原材料,覆铜板(CCL)为制备PCB重要的中间产品,下游包括通信设备、消费电子、汽车、航空航天等行业 [7] - 覆铜板是将增强材料浸以树脂胶液,一面或两面覆以铜箔,经热压而成的一种板状材料,担负着PCB导电、绝缘、支撑三大功能 [10] PCB成本结构 - PCB成本结构中直接成本占比近60%,其中覆铜板占比最高达27.31%,其次为半固化片13.8% [15] - 覆铜板中铜箔成本占比最多为42.1%,树脂和玻纤布占比分别为26.1%和19.1% [15] - 其他主要成本包括人工费用9.5%、金盐3.8%、铜箔1.4%、干膜1.4%和油墨1.2% [15] 高端PCB需求 - AI服务器出货量快速上升,预计2025年全球AI服务器出货量达213.1万台,同比增速27.6% [25] - 全球AI基础设施市场规模预计从2024年279.4亿美元增长至2033年1240.3亿美元,复合年增长率18.01% [25] - 服务器用PCB市场规模复合增长率为11.6%,2029年市场规模可达189.2亿美元 [37] - 高端CCL市场规模2024-2026年有望从不足40亿美元增至超60亿美元,复合增长率28% [37] 覆铜板技术指标 - 覆铜板性能指标分为物理性能、化学性能、电性能、环境性能四类,其中电性能为核心指标 [16] - 高频PCB主要应用于无线通信、雷达系统、卫星通信等领域,工作频率可达28GHz以上 [16] - 高速PCB广泛应用于数据中心、超级计算机、高速网络设备等场景,信号传输速率可达112Gbps以上 [16] - 高端覆铜板分为高频覆铜板、高速覆铜板和高密互联用基板三类 [18] 电子树脂体系 - 电子树脂是覆铜板制作材料中唯一具有可设计性的有机物,主要由主体树脂、固化剂、添加剂等组成 [40] - 常用树脂包括环氧树脂(EP)、氰酸酯树脂(CE)、聚苯醚树脂(PPO)、双马酰亚胺树脂(BMI)、聚四氟乙烯树脂(PTFE)等 [46] - 环氧树脂是当前覆铜板中产量最大、使用最多的产品,具有优异的力学性能、绝缘性等优点 [47] - 聚苯醚(PPO)树脂在10GHz条件下Df为0.003左右,甲基丙烯酸酯端基PPO具有很低的介电损耗因子 [53] 玻纤布技术 - 电子纱是制造电子级玻璃纤维布的主要原材料,单丝直径不超过9微米 [72] - 高端电子布厚度只有头发丝的1/2甚至1/3,按功能可分为Low Dk/Df布、Low CTE布等 [72] - 传统E玻璃纤维介电常数6.6左右,明显高于一般树脂基材(介电常数3.0左右) [73] - 下一代玻纤布将采用石英纤维,介电常数3.78,介电损耗0.0001,性能大幅提升 [72][73] 硅微粉应用 - 二氧化硅是覆铜板中最常用的填料,具有低介电、低损耗等优点 [81] - 硅微粉分为角形硅微粉和球形硅微粉,球形硅微粉有火焰法、直燃/VMC法和化学法三种技术路径 [81] - 硅微粉改性可通过改变表面性质或改变粉体粒径、形貌等方式改善与有机基材的结合问题 [82] - 等级越高的CCL对填料要求越高,实际应用中通常会混合不同等级填料使用 [82] 行业竞争格局 - 高速板市场以日本松下为业内标杆,台资企业联茂电子、台耀科技处于第二梯队 [38] - 高频板以罗杰斯为行业代表,泰康尼处第二梯队,合计占据70%以上市场份额 [38] - 2023年全球特殊覆铜板企业中,中国台湾企业销售额占比46.1%,日资企业占比23.9% [38] - 特种玻纤布生产厂商主要有日本日东纺织、美国AGY公司、中国台湾台玻集团等 [76]
深度解析:万亿核聚变竞赛背后的超导材料之战(附产业链图谱)
材料汇· 2025-07-29 23:37
行业概述 - 超导材料在临界温度下电阻突降为零,具有零电阻效应、迈斯纳效应和量子隧穿效应三大特性 [6][8] - 超导材料按临界温度分为低温超导(Tc≤25K)和高温超导(Tc≥25K),低温超导材料如NbTi和Nb3Sn已商业化,高温超导材料如YBCO和BSCCO具有更高临界温度 [11] - 超导材料发展经历了从低温超导到高温超导的历程,1986年铜氧化物高温超导体的发现改变了应用格局 [17][19] - 低温超导材料依赖液氦制冷成本高,高温超导材料可用液氮制冷成本显著降低 [26] - 超导材料产业链中游为超导材料制备,上游为矿产资源,下游应用于电力能源和强磁场领域 [30][31] 主要超导材料及制备工艺 - 铜氧化物超导材料具有层状结构,超导发生在CuO层,氧含量变化可调控载流子 [33] - Bi系超导材料如Bi2212和Bi2223采用粉末装管法制备,Bi2212在低温高场下具有极高载流性能 [36][41][42] - REBCO(如YBCO)为第二代高温超导带材,采用多层复合结构,制备工艺包括基带加工、缓冲层沉积和超导层生长 [50][55] - NbTi和Nb3Sn为主流低温超导材料,NbTi采用冷加工工艺,Nb3Sn采用内锡法或青铜法制备 [71][77][81] - MgB2超导材料工作于制冷机温区,可采用粉末装管法制备,应用于MRI和特殊电缆等领域 [89] 可控核聚变应用 - 可控核聚变是超导材料重要应用方向,磁约束托卡马克为主流技术路线 [100] - ITER项目采用NbTi和Nb3Sn低温超导材料,磁体系统占成本28% [100][109] - 高温超导材料在核聚变应用占比达38%,成为最大单一应用场景 [117][118] - SPARC采用REBCO高温超导磁体,局部磁场强度达20T,远超ITER的5.3T [122] - 能量奇点"洪荒70"为全球首台全高温超导托卡马克,创下21.7特斯拉磁场纪录 [124] 高温超导竞争格局 - 行业集中度高,上海超导与FFJ为第一梯队,年产量超1000公里 [137] - 核聚变产业化拉动高温超导需求,单台装置需数千至数万公里超导带材 [138] - 全球头部厂商积极扩产,上海超导、FFJ等计划提升产能满足需求 [138]
国产芳纶突围战!反垄断调查暂停仍引爆千亿替代空间,30+企业鹿死谁手?
材料汇· 2025-07-29 23:37
芳纶行业核心观点 - 芳纶及其制品投资逻辑核心在于不可替代性、高增长应用和国产化机遇[2] - 芳纶具备超高强度、耐高温、阻燃等特性,在安全防护、航空航天等领域难以被替代[2] - 国内企业技术突破叠加供应链安全需求,国产替代空间巨大且进程加速[3] - 芳纶纸是产业链中技术壁垒最高、利润率最优的环节[6] - 2025年全球芳纶市场规模预计达370亿元,芳纶纸2023年全球需求44亿元[9] 芳纶材料特性 - 芳纶与碳纤维、超高分子量聚乙烯纤维并称世界三大高科技纤维[12] - 对位芳纶比强度是钢丝5-6倍,分解温度560℃,用于航天工业、轮胎等领域[15] - 间位芳纶模量低但阻燃性、耐高温性优异,用于防火材料、电气绝缘等领域[16] - 对位芳纶化学结构更规整,技术壁垒高于间位芳纶[13][15] 市场规模与需求 - 2025年全球芳纶市场规模预计53亿美元(约370亿人民币),CAGR 8%[24] - 对位芳纶消费结构:30%车用摩擦材料,30%安全防护,15%光学纤维保护[24] - 间位芳纶34%用于电气绝缘纸,29%用于安全防护,20%高温过滤材料[25] - 芳纶纸2023年全球需求44亿元,中国需求12.6亿元(5555吨)[32] - 芳纶纸下游需求:电气绝缘62.76%,蜂窝芯材34.71%[32] 产业链与竞争格局 - 全球芳纶纸产能2.1万吨,杜邦占12000吨超50%份额[39] - 国内芳纶纸产能9000吨,民士达在建1500吨预计2025年投产[39] - 国内对位芳纶产能31400吨,在建36500吨;间位芳纶产能25500吨[20] - 芳纶纸行业格局高度集中,合成壁垒和客户壁垒高[41] - 国内企业加速扩产导致价格下降,2024年芳纶均价降至11.7万元/吨[22] 应用领域 - 防护领域:消防服、军警防弹装备需求刚性增长[6] - 轻量化:汽车胶管、新能源电池包、航空航天复合材料需求爆发[6] - 高端绝缘:特高压输电、新能源车电机/电池、5G通讯需求激增[6] - 芳纶纸蜂窝芯材用于飞机、高铁轻量化结构,民航客机单架用量2-3吨[38] - C919产能提升计划:2025年75架,2026年100架,2029年200架[38] 国产替代进展 - 核心技术长期被杜邦、帝人等海外巨头垄断[3] - 2025年4月中国对杜邦发起反垄断调查,7月暂停但替代趋势持续[10][44] - 国内企业如泰和新材、中化国际等已实现产业化突破[10] - 国产大飞机、军机等重要领域加速提升产业链国产化率[38] - 民士达芳纶纸毛利率持续提升,显示行业格局未恶化[42]
航发CMC拐点已至!百亿赛道爆发,这几家龙头率先受益
材料汇· 2025-07-28 23:57
陶瓷基复合材料(CMC)核心观点 - 陶瓷基复合材料具有耐高温、低密度、高比强、高比模、抗氧化和抗烧蚀等优异性能,可广泛应用于航空航天、核电、汽车等领域 [2][19] - 全球CMC市场规模高速增长,2022年为119亿美元,预计以10.5%的CAGR增长,2028年达到216亿美元,其中CMC-SiC占比最高 [5][63] - 我国在刹车、飞行器防热领域领跑,但在航空发动机领域较为落后,2024年航发产业对CMC需求或已出现拐点 [2][10] CMC材料特性与研究热点 - CMC主要由陶瓷基体、纤维及界面层组成,分为氧化物基和非氧化物基两大类,非氧化物基耐温能力更强 [3][22] - SiCf/SiC是近年研究热点,相比Cf/SiC具有更好的抗氧化性和更长寿命 [3][23] - CMC被美国国防部列为重点发展的20项关键技术之首,具有接替金属作为新一代高温结构材料的潜力 [19] CMC应用领域与市场前景 航空航天领域 - SiCf/SiC是航空发动机热端理想材料,已批量应用于热端静止件,转动件应用正在探索中 [4][32] - GE已将SiCf/SiC批量应用于LEAP、GE9X和GE3000发动机,显著降低冷气消耗量和发动机重量 [40] - Cf/SiC在航天领域应用成熟,主要用于飞行器防热及卫星反射镜,可解决高超声速飞行器防热和减重需求 [48][49] 其他领域 - 核能领域:SiCf/SiC成为反应堆包层第一壁、流道插件等理想候选材料,有望取代锆合金 [44] - 刹车材料:Cf/SiC是新一代高性能刹车材料首选,已批量用于汽车和飞机,我国飞机碳陶刹车盘技术世界领先 [55][58] - 导弹天线罩:连续Si3N4纤维有望替代石英纤维,制备新一代高马赫数导弹天线罩 [62] CMC制备工艺与技术壁垒 - CMC制备工艺复杂,分为纤维制备、预制体编织、界面层制备、基体制备和增密等步骤 [6][67] - SiC纤维成本占CMC成品50%以上,第三代SiC纤维性能最优但价格高达5000-13000美元/kg [70][76] - 主流制备工艺包括CVI、MI和PIP,各有优缺点,GE采用预浸料熔渗法已实现产业化 [7][90] - GE已建成垂直整合的CMC供应链,每年可生产20吨CMC预浸料、10吨SiC纤维和超5万个CMC部件 [115] 我国CMC产业链现状 - 已建成相对完善的CMC产业链,第二代SiC纤维实现产业化,第三代取得技术突破 [8][122] - 在Cf/SiC方面企业较多,但SiCf/SiC方面企业数量少、规模小、产业链薄弱 [11] - 多家企业布局CMC领域,如火炬电子、苏州赛菲、华秦科技等,涉及纤维、预制体、刹车盘等环节 [15]
军工材料盘点:国防领域6大前沿新材料和关键技术
材料汇· 2025-07-28 23:57
碳纤维:军事强国必争之材 - 碳纤维具有低密度、高强度、高模量、耐高温、耐严寒、耐摩擦、耐腐蚀、导电、抗冲击、电磁屏蔽效果好等一系列优越性能,是极其重要的军事战略材料 [4] - 碳纤维被称为"黑色黄金",强度比钢大、密度比铝小、比不锈钢耐腐蚀、比耐热钢耐高温,能像铜那样导电 [6] - 碳纤维复合材料广泛应用于航空、航天、能源、交通、军用装备等领域,是国防军工和民用生产生活的重要材料 [7] - 美国F-35战斗机采用35%的碳纤维复合材料大幅降低机体重量,碳纤维复合材料成为实现高隐身性能不可或缺的基础性材料 [9] - 发达国家正在碳纤维、先进树脂和制造技术三个方向上重点突进,研制更高强度、更高模量的碳纤维和与之相匹配的高性能作战系统 [10] 超材料:军工领域革命性影响 - 超材料是通过在材料关键物理尺寸上的结构有序设计,突破某些表观自然规律的限制,获得超出自然界原有普通物理特性的超常材料的技术 [14] - 超材料在隐身、电子对抗、雷达等领域应用成果不断涌现,美国的F-35战斗机与DDG1000大型驱逐舰均应用了超材料隐身技术 [18] - 超材料实现隐身与传统隐身技术的区别是使入射的电磁波、可见光或声波绕过被隐藏的物体,在技术上实现真正意义上的隐身 [18] - 美国杜克大学与英国帝国学院合作提出微波频段电磁隐身设计方案,证实负折射率材料用于物体隐身可行 [19] - 加拿大超隐形生物公司发明"量子隐身"材料,能使周围光线折射而发生弯曲,使其覆盖物体完全隐身 [20] 石墨烯:引领军事科技前沿 - 石墨烯是已知最薄、最坚硬的纳米材料,几乎完全透明,质轻且具有良好的柔韧性和超强的导电、导热性 [28] - 石墨烯器件制成的计算机速度比硅基微处理器高1000倍达太赫兹,在装备设计制造模拟、战场模拟、核爆模拟及情报分析有重要意义 [30] - 美国密歇根大学构建能捕捉可见光和红外线的传感器,镜片可做成比手指甲更小,结合于隐形眼镜中使士兵获得夜视能力 [31] - 石墨烯受到硅石球高速冲击时能迅速分散冲击力,吸收入射能量的能力比钢强十倍,是凯芙拉纤维的两倍 [32] - 石墨烯可用于隐身防护领域,通过改变反射光的波长来实现红外隐身 [33] 装甲防护材料:军用装备"防弹衣" - 装甲防护材料主要有防弹玻璃、防弹钢板、防弹陶瓷、防弹高强玻纤、防弹芳纶纤维、防弹PE纤维等 [37] - 防弹玻璃由无机玻璃与有机材料复合而成,主要有浮法玻璃与PVB中间膜夹层复合和夹层玻璃与有机透明板叠加或复合两种形式 [38][39] - 防弹陶瓷材料主要为氧化铝、碳化硅和碳化硼,其中碳化硼防弹性能最好、密度最小,但价格最昂贵 [41][42] - 芳纶复合材料制成的防弹头盔和防弹衣已广泛应用,美国MI主战坦克采用"钢+Kevlar+钢"型复合装甲 [44] - 超高分子量聚乙烯纤维复合材料具有高强度、高模量、低伸长以及低密度特点,防中子和防γ射线性能优良 [45] 隐身涂料技术 - 隐身涂料按其功能可分为雷达隐身涂料、红外隐身涂料、可见光隐身涂料、激光隐身涂料、声纳隐身涂料和多功能隐身涂料 [51] - 雷达隐身涂料最大限度消除被雷达勘测到的可能性,包括铁氧体吸波涂料、羰基铁吸波涂料、陶瓷吸波涂料等 [52][53] - 红外隐身涂料工艺简单,施工方便,坚固耐用,成本低廉,是目前隐身涂料中最重要的品种 [54] - 激光隐身材料主要包括激光吸收材料、导光材料、透射材料三大类型,实现难度较大 [55][56] - 可见光隐身涂料采用迷彩方法使飞机隐身,如保护迷彩、仿造迷彩、变形迷彩 [57] 3D打印:国防军工领域"新贵" - 3D打印技术数字化、智能化先进"复制"能力备受青睐,逐渐成为国防和军工领域备受欢迎的"新贵" [67] - 美国空军和OC-ALC开发战略计划将3D打印技术纳入当前空中力量,增材制造飞机发动机零部件和3D打印现代电子元器件 [71] - 韩国空军使用德国3D打印机制造商DMT技术修复F-15K战机钛合金涡轮护罩与钴合金空气密封件 [75] - 俄罗斯技术集团公司3D打印无人机样机重3.8公斤,翼展2.4米,飞行时速100公里,续航能力1~1.5小时 [79] - 中国在2015年抗战胜利70周年大阅兵展示的国产战机中部分飞机零部件采用3D打印技术 [80]
国产替代爆发!14种卡脖子的先进封装材料,百亿赛道谁将突围?
材料汇· 2025-07-27 23:58
材料重要性 - 封装材料占封装总成本的40%-60%,是制约集成电路产业发展的关键瓶颈之一 [3][6] 国产化迫切性 - 高端材料被日美垄断:光刻胶国产化率<2%,PSPI前四家外企占93%,硅微粉日企占70% [3] - 政策驱动国产替代:《中国制造2025》推动本土企业技术突破,如鼎龙股份、上海新阳 [3] 高增长细分领域 - 光敏材料:PSPI全球市场CAGR达25.16%,2029年预计20.3亿美元;光刻胶封装领域2025年中国市场将达5.95亿元 [3] - 环氧塑封料(EMC):2027年全球规模将达99亿美元,CAGR 5%,先进封装用EMC增速更高 [3] - 硅微粉:中国市场规模CAGR 22.3%,2025年将达55亿元,球形硅微粉进口依赖度高 [3] - 电镀液/抛光液:铜电镀液全球CAGR 10.79%,CMP抛光液中国CAGR 15% [3] 核心材料与技术壁垒 - 光敏材料:PSPI和BCB为圆片级封装主流介质,PSPI正向性胶是趋势 [3][12] - 临时键合胶/底部填充料:3D封装关键材料,临时键合胶市场CAGR 8.2% [3] - 硅通孔(TSV)材料:绝缘层/种子层技术被外企垄断,成本占比最高(临时键合+电镀占34%) [3][89] 重点国产企业布局 - 光敏材料:鼎龙股份(PSPI量产)、强力新材(认证阶段) [3][27] - 环氧塑封料:华海诚科、衡所华威 [3][73] - 硅微粉:联瑞新材(球形硅微粉国产替代) [3] - 光刻胶/电镀液:上海新阳、彤程新材 [3] - 技术卡脖子领域:光刻胶、PSPI、球形硅微粉、TSV材料等国产化率不足10%,替代空间巨大 [3] - 增长引擎:先进封装(如3D集成、扇出型封装)驱动材料需求爆发,本土企业借政策+资本加速突破 [3] - 投资逻辑:聚焦高增速(PSPI、硅微粉)、高壁垒(光刻胶)、高国产替代潜力(EMC、电镀液)三大方向 [3] 市场规模数据 - PSPI:2023年全球5.28亿美元,2029年预计20.32亿美元,CAGR 25.16% [18] - 半导体光刻胶:2022年全球26.4亿美元,大陆5.93亿美元 [39] - 导电胶:2026年全球将达到30亿美元 [52] - 环氧塑封料:2021年全球74亿美元,2027年预计99亿美元 [63] - 底部填充料:2022年全球3.40亿美元,2030年预计5.82亿美元 [77] - 靶材:2022年全球18.43亿美元,中国21亿元 [114] - CMP抛光液:2022年全球20亿美元,2023年中国预计23亿元 [126]
1000+深度报告:半导体材料/显示材料/新材料能源/新材料等
材料汇· 2025-07-27 23:58
行业分类与投资热点 - 半导体领域涵盖光刻胶、电子特气、靶材、硅片等核心材料,以及先进封装相关的玻璃通孔TGV、硅通孔TSV等技术 [1] - 新能源方向聚焦锂电池(硅基负极、复合集流体)、氢能、固态电池及储能技术 [1] - 光伏产业涉及钙钛矿、石英砂及光伏胶膜等关键材料,OBB技术被重点标注 [1] - 新型显示技术包括OLED、MicroLED及量子点,配套材料如OCA光学胶、偏光片被高频提及 [3] - 纤维材料中碳纤维、芳纶纤维及碳陶复合材料成为关注重点 [3] 材料技术突破 - 化工新材料领域突出特种工程塑料(PEEK、LCP)、有机硅及POE的应用 [3] - 电子陶瓷(MLCC、氮化铝)、高温合金及隐身材料在军工领域具有战略意义 [3] - 散热材料(液冷技术)、合成生物学衍生材料及碳纳米管技术被列为前沿方向 [3] 企业及产业链动态 - 半导体设备巨头ASML、晶圆代工龙头台积电及中芯国际被列为标杆企业 [4] - 新能源车企特斯拉、比亚迪与科技公司华为、京东方共同构成产业链核心 [4] - 国产替代主题覆盖折叠屏、高频高速通信及低空经济等新兴场景 [4] 投资阶段策略 - 种子轮阶段需重点考察技术门槛与团队背景,产业链资源不足者慎投 [6] - AS阶段(产品成熟期)是风险收益比最优节点,需验证客户市占率及利润增长 [6] - Pre-IPO阶段企业已形成行业领先地位,但估值高企需关注市场份额扩张能力 [6] 技术发展路线 - 半导体工艺节点显示台积电N3/N2与Intel 20A/18A的竞争格局,大陆厂商暂未列名 [11] - 光刻技术从DUV向Hi-NA EUV演进,元件架构从FinFET转向GAAFET [11]